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1、10申请公布号CN104246936A43申请公布日20141224CN104246936A21申请号201380018637722申请日20130329201207935520120330JPH01G9/20200601H01L51/00200601C09B23/10200601C09B57/0020060171申请人日本化药株式会社地址日本东京72发明人金子昌严紫垣晃一郎井上照久74专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人杨海荣穆德骏54发明名称染料敏化的光电转换元件57摘要一种光电转换元件，其通过以由式1表示的次甲基类染料负载氧化物半导体细粒薄膜而获得，所述薄膜是设置。
2、在基板上的。在式1中，M表示15的整数；L和N中的每一者表示06的整数；J和K中的每一者表示03的整数；X和Y中的每一者表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基等；Z1、Z2和Z3中的每一者表示氧原子、硫原子等；A1、A2、A3、A5和A6中的每一者表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基等；A4表示氢原子、脂族烃残基等；A7、A8、A9和A10中的每一者表示氢原子、脂族烃残基等；R1表示具有特殊结构的基团、有机金属络合物残基等；并且R2表示氢原子、脂族烃残基、有机金属络合物残基等。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014093086PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/05950120。
3、13032987PCT国际申请的公布数据WO2013/147145JA2013100351INTCL权利要求书7页说明书51页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书7页说明书51页10申请公布号CN104246936ACN104246936A1/7页21一种光电转换装置，其包含在设置于基板上的氧化物半导体细粒薄膜上负载的由下式1表示的次甲基染料其中M表示1至5的整数，L和N各自表示0至6的整数，并且J和K各自表示0至3的整数；X和Y各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、羧基、磷酸基、磺酸基、氰基、酰基、酰胺基、烷氧羰基或磺酰基苯基，并且X与Y可以键合形成环；Z1、Z2。
4、和Z3各自独立地表示氧原子、硫原子、硒原子或NR11；R11表示氢原子、芳族残基或脂族烃残基；当M、J和K中的至少一者表示2以上并且所存在的Z1、Z2和Z3中任一者的量大于一个时，所述大于一个的Z1、Z2和Z3中的每一者可以彼此相同或不同；A1、A2、A3、A5和A6各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、芳基羰基或酰基；当L和N中的至少一者表示2以上并且所存在的A2、A3、A5和A6中任一者的量大于一个时，所述大于一个的A2、A3、A5和A6中的每一者可以彼此相同或不同；当L不表示0时，A1、A2和A3中的至少两者可以键合形成环。
5、；A4表示氢原子、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、烷氧基、酰胺基、烷氧羰基或酰基；当M表示2以上并且所存在的A4的量大于一个时，所述大于一个的A4中的每一者可以彼此相同或不同；A7、A8、A9和A10各自独立地表示氢原子、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、烷氧基、烷氧羰基或酰基；当J或K中的至少任一者表示2以上并且所存在的A7、A8、A9和A10中任一者的量大于一个时，所述大于一个的A7、A8、A9和A10中的每一者可以彼此相同或不同；R1表示有机金属络合物残基或由下式3001或3003表示的基团其中R12、R13、R14和R15各自独立地表示氢原子、芳族残基或脂族烃残基；R16、R。
6、17、R18和R19各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、氰基、酰基、酰胺基、烷氧基、烷氧羰基或磺酰基苯基；R2表示由所述式3001或3003表示的基团、氢原子、脂族烃残基或有机金属络合物残基；当M表示2以上并且所存在的R1的量大于一个时，所述大于一个的R1中的每一者可以彼此相同或不同；并且当N不表示0时，A5、A6和R2中的至少两者可以键合形成环。2根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的M表示1至3。3根据权利要求2所述的光电转换装置，其中式1中的M表示1。权利要求书CN104246936A2/7页34根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的Z1至Z3表示硫原子。5根据权。
7、利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的L和N表示0。6根据权利要求5所述的光电转换装置，其中式1中的K表示0。7根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的X和Y之一表示羧基并且另一个表示羧基、氰基或酰基。8根据权利要求7所述的光电转换装置，其中式1中的X和Y之一表示羧基并且另一个表示氰基。9根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的X和Y键合形成环结构。10根据权利要求9所述的光电转换装置，其中式1中通过X和Y键合形成的环结构由下式2001至2044中任一者表示权利要求书CN104246936A3/7页4其中符号表示式1中的X和Y所键合的碳原子。11根据权利要求10所述的光电转换装置。
8、，其中通过X和Y键合形成的环结构具有羧基作为取代基。12根据权利要求11所述的光电转换装置，其中式1中通过X和Y键合形成的环结构由式2007或2012表示。13根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的A1至A10表示氢原子。14根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的R1表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，或者权利要求书CN104246936A4/7页5式1中的R1表示由式3003表示的基团，其中R14和R15表示苯基或由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，并且R16至R19各自独立地表示氢原。
9、子或具有1至4个碳原子的烷氧基。15根据权利要求14所述的光电转换装置，其中式1中的R1表示由下式3101至3114中任一者表示的基团16根据权利要求15所述的光电转换装置，其中式1中的R1表示由式3102、3103、3107、3108、3110、3111、3113或3114表示的基团。17根据权利要求16所述的光电转换装置，其中式1中的R1表示由式3103或3107表示的基团。18根据权利要求1所述的光电转换装置，其中式1中的R2表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，或者式1中的R2表示由式3003表示的基团，其中R14和R15表示苯基或由式30。
10、01表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，并且R16至R19各自独立地表示氢原子或具有1至4个碳原子的烷氧基。19根据权利要求18所述的光电转换装置，其中式1中的R2表示由权利要求15中权利要求书CN104246936A5/7页6的式3101至3114中任一者表示的基团。20根据权利要求19所述的光电转换装置，其中式1中的R2表示由式3107、3108、3110、3111、3113或3114表示的基团。21根据权利要求20所述的光电转换装置，其中式1中的R2表示由式3107或3111表示的基团。22根据权利要求1所述的光电转换装置，其中由式1表示的所述次甲基染料是。
11、由下式179至500中任一者表示权利要求书CN104246936A6/7页7权利要求书CN104246936A7/7页823一种太阳能电池，配备有根据权利要求1至22中任一项所述的光电转换装置。24一种次甲基化合物，由权利要求1中的式1表示。权利要求书CN104246936A1/51页9染料敏化的光电转换元件技术领域0001本发明涉及光电转换装置，其具有由有机染料敏化的半导体细粒薄膜，以及使用所述装置的太阳能电池。更具体地，本发明涉及光电转换装置，其包含负载在氧化物半导体细粒薄膜上的具有特定结构的次甲基化合物染料，以及利用所述装置的太阳能电池。背景技术0002利用太阳光的太阳能电池作为将取代化。
12、石燃料如石油或煤的能源而引起关注。目前，已在积极开发和研究使用结晶或无定形硅的硅太阳能电池以及使用镓、砷等的化合物半导体太阳能电池。然而，这种太阳能电池的制造需要高能量和高成本，因此具有难以普遍使用的问题。另外，还已知使用由染料敏化的半导体细粒的光电转换装置以及使用所述装置的太阳能电池，并且用于制备所述装置的材料和制造技术已公开参见专利文献1、非专利文献1和非专利文献2。这种光电转换装置引起了关注，因为其用相对廉价的氧化物半导体如二氧化钛制造，以使所述装置的制造成本可能低于使用硅等的常规太阳能电池，并且所制造的太阳能电池比常规太阳能电池更加多彩。然而，用作敏化染料以提供转换效率高的装置的钌络合。
13、物本身是昂贵的，并且还就其稳定供应来说仍有问题。另一方面，已经尝试使用有机染料作为敏化染料，但是实际上尚未使用利用所述有机染料的光电转换装置，因为其诸如低转换效率、稳定性和耐久性的问题尚未得到充分解决，并且期望转换效率有进一步提高参见专利文献2。0003引用列表0004专利文献0005专利文献1JP2664194B0006专利文献2WO2002/0112130007非专利文献0008非专利文献1BOREGAN和MGRAETZELNATURE自然,第353卷,第737页19910009非专利文献2MKNAZEERUDDIN、AKAY,IRODICIO,RHUMPHRYBAKER、EMULLER、。
14、PLISKA、NVLACHOPOULOS、MGRAETZEL,JAMCHEMSOC美国化学学会志,第115卷,第6382页1993发明内容0010技术问题0011已经要求开发一种使用由有机染料敏化的氧化物半导体细粒的光电转换装置，所述光电转换装置使用廉价的有机染料，并且稳定、转换效率高且实用性高。0012问题的解决方法0013本发明人已经进行深入的研究以解决上述问题，并由此发现当通过使用具有特定结构的次甲基染料以敏化半导体细粒薄膜而制造光电转换装置时，获得了稳定并且转换效说明书CN104246936A2/51页10率高的光电转换装置，从而完成了本发明。0014也就是说，本发明涉及00151一种。
15、光电转换装置，其包含在设置于基板上的氧化物半导体细粒薄膜上负载的由下式1表示的次甲基染料00160017其中M表示1至5的整数，L和N各自表示0至6的整数，并且J和K各自表示0至3的整数；X和Y各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、羧基、磷酸基、磺酸基、氰基、酰基、酰胺基、烷氧羰基或磺酰基苯基，并且X和Y可以键合形成环；Z1、Z2和Z3各自独立地表示氧原子、硫原子、硒原子或NR11；R11表示氢原子、芳族残基或脂族烃残基；当M、J和K中的至少一者表示2以上并且所存在的Z1、Z2和Z3中任一者的量大于一个时，所述大于一个的Z1、Z2和Z3中的每一者可以彼此相同或不同；A1、A2、A3、A5。
16、和A6各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺CARBONAMIDE基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、芳基羰基或酰基；当L和N中的至少一者表示2以上并且所存在的A2、A3、A5和A6中任一者的量大于一个时，所述大于一个的A2、A3、A5和A6中的每一者可以彼此相同或不同；当L不表示0时，A1、A2和A3中的至少两者可以键合形成环；A4表示氢原子、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、烷氧基、酰胺基、烷氧羰基或酰基；当M表示2以上并且所存在的A4的量大于一个时，所述大于一个的A4中的每一者可以彼此相同或不同；A7、A8、A9和A10各自独立地表示氢原子、脂族烃残基、。
17、氰基、卤素原子、碳酰胺基、烷氧基、烷氧羰基或酰基；当J或K中的至少任一者表示2以上并且所存在的A7、A8、A9和A10中任一者的量大于一个时，所述大于一个的A7、A8、A9和A10中的每一者可以彼此相同或不同；R1表示有机金属络合物残基或由下式3001或3003表示的基团00180019其中R12、R13、R14和R15各自独立地表示氢原子、芳族残基或脂族烃残基；R16、R17、R18和R19各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、氰基、酰基、酰胺基、烷氧基、烷氧羰基或磺酰基苯基；R2表示由式3001或3003表示的基团、氢原子、脂族烃残基或有机金属络合物残基；当M表示2以上并且所存在的R。
18、1的量大于一个时，所述大于一个的R1中的每一者可以彼此相同或不同；并且当N不表示0时，A5、A6和R2中的至少两者可以键合形成说明书CN104246936A103/51页11环。00202根据1的光电转换装置，其中式1中的M表示1至3；00213根据2的光电转换装置，其中式1中的M表示1；00224根据1的光电转换装置，其中式1中的Z1至Z3表示硫原子；00235根据1的光电转换装置，其中式1中的L和N表示0；00246根据5的光电转换装置，其中式1中的K表示0；00257根据1的光电转换装置，其中式1中的X和Y之一表示羧基并且另一个表示羧基、氰基或酰基；00268根据7的光电转换装置，其中式。
19、1中的X和Y之一表示羧基并且另一个表示氰基；00279根据1的光电转换装置，其中式1中的X和Y键合形成环结构；002810根据9的光电转换装置，其中式1中通过X和Y键合形成的环结构由下式2001至2044中任一者表示0029说明书CN104246936A114/51页120030其中符号表示式1中的X和Y所键合的碳原子；003111根据10的光电转换装置，其中通过X和Y键合形成的环结构具有羧基作为取代基；003212根据11的光电转换装置，其中式1中通过X和Y键合形成的环结构由式2007或2012表示；003313根据1的光电转换装置，其中式1中的A1至A10表示氢原子；003414根据1的光。
20、电转换装置，其中式1中的R1表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，或者式1中的R1表示由式3003表示的基团，其中R14和R15表示苯基或由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子说明书CN104246936A125/51页13或具有1至8个碳原子的烷基，并且R16至R19各自独立地表示氢原子或具有1至4个碳原子的烷氧基；003515根据14的光电转换装置，其中式1中的R1表示由下式3101至3114中任一者表示的基团；0036003716根据15的光电转换装置，其中式1中的R1表示由式3102、3103、3107、3108、3110、3。
21、111、3113或3114表示的基团；003817根据16的光电转换装置，其中式1中的R1表示由式3103或3107表示的基团；003918根据1的光电转换装置，其中式1中的R2表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，或者式1中的R2表示由式3003表示的基团，其中R14和R15表示苯基或由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，并且R16至R19各自独立地表示氢原子或具有1至4个碳原子的烷氧基；004019根据18的光电转换装置，其中式1中的R2表示由15中所述的式3101至3114中任一者表示的基团；0041。
22、20根据19的光电转换装置，其中式1中的R2表示由式3107、3108、说明书CN104246936A136/51页143110、3111、3113或3114表示的基团；004221根据20的光电转换装置，其中式1中的R2表示由式3107或3111表示的基团；004322根据1的光电转换装置，其中由式1表示的次甲基染料是由下式179至500中任一者表示0044说明书CN104246936A147/51页150045004623一种太阳能电池，其包含根据1至22中任一项的光电转换装置；以及004724由1中的式1表示的次甲基化合物。0048本发明的有益效果0049具有特定结构的次甲基染料使得提供。
23、转换效率高并且稳定性高的太阳能电池成说明书CN104246936A158/51页16为可能。具体实施方式0050在下文中，将详述本发明。0051本发明的光电转换装置包含在设置于基板上的氧化物半导体细粒薄膜上负载的由式1表示的次甲基染料。由式1表示的次甲基染料的特征在于在特定位置的R1表示特定的基团或有机金属络合物，并且与包含其中R1既不表示特定基团又不表示有机金属络合物的次甲基染料，或包含除由式1表示的次甲基染料以外的染料的光电转换装置相比，具备负载该有次甲基染料的氧化物半导体细粒薄膜的光电转换装置可有效地转换光。在下文中描述式1。00520053在式1中，M表示1至5的整数、优选1至3、更优。
24、选1至2、进一步优选1。0054在式1中，L表示0至6的整数、优选0。0055在式1中，N表示0至6的整数、优选0。0056在式1中，J表示0至3的整数、优选1至3、更优选1至2。0057在式1中，K表示0至3的整数、优选0。0058在式1中，X和Y各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、羧基、磷酸基、磺酸基、氰基、酰基、酰胺基、烷氧羰基或磺酰基苯基。0059由式1中的X和Y表示的芳族残基是指其中一个氢原子已从芳族环或包含芳族环的稠环除去所得的基团，并且芳族残基可以具有取代基。芳族环的具体实例包括芳烃环如苯、萘、蒽、菲、芘、苝和三联并苯TERRYLENE，杂芳族环如茚、茂并芳庚、吡啶、吡嗪。
25、、嘧啶、吡唑、吡唑烷、噻唑烷、噁唑烷、吡喃、色烯、吡咯、吡咯烷、苯并咪唑、咪唑啉、咪唑烷、咪唑、三唑、三嗪、二唑、二氢吲哚、噻吩、噻吩并噻吩、呋喃、噁唑、噁二唑、噻嗪、噻唑、吲哚、苯并噻唑、苯并噻二唑、萘并噻唑、苯并噁唑、萘并噁唑、假吲哚、苯并假吲哚、喹啉和喹唑啉，以及稠芳族环如芴和咔唑，并且优选为其中一个氢原子已从芳族环或包含芳族环的稠环除去的具有4至20个碳原子的基团。0060由X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基不受特别限制，但是其实例包括磺酸基、氨磺酰基、氰基、异氰基、硫氰基、异硫氰基、硝基、亚硝酰基、卤素原子、羟基、磷酸基、磷酸酯基、取代或未取代的氨基、巯基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、。
26、羧基、氨基甲酰基、酰基、醛基，和取代的羰基如烷氧羰基和芳基羰基，以及芳族残基和脂族烃残基。0061作为芳族残基可以具有的取代基的卤素原子包括氟、氯、溴和碘原子，并且优选溴原子和氯原子。0062作为芳族残基可以具有的取代基的磷酸酯基包括磷酸C1C4烷基酯基，并且具体的优选实例是磷酸甲酯、磷酸乙酯、磷酸正丙酯和磷酸正丁酯。说明书CN104246936A169/51页170063作为芳族残基可以具有的取代基的取代或未取代的氨基包括氨基、烷基取代的氨基如单甲氨基或二甲氨基、单乙氨基或二乙氨基和单正丙基氨基或二正丙基氨基，芳族取代的氨基如单苯氨基或二苯氨基和单萘氨基或二萘氨基，以一个烷基和一个芳族残基取。
27、代的氨基如单烷基单苯基氨基、苯甲基氨基、乙酰氨基和苯基乙酰氨基。0064作为芳族残基可以具有的取代基的巯基包括巯基和烷基巯基，并且具体地包括C1至C4烷基巯基如甲基巯基、乙基巯基、正丙基巯基、异丙基巯基、正丁基巯基、异丁基巯基、仲丁基巯基和叔丁基巯基或苯基巯基。0065作为芳族残基可以具有的取代基的酰胺基包括酰胺基、乙酰胺基和烷基酰胺基，并且具体实例优选地包括酰胺基、乙酰胺基、N甲基酰胺基、N乙基酰胺基、N正丙基酰胺基、N正丁基酰胺基、N异丁基酰胺基、N仲丁基酰胺基、N叔丁基酰胺基、N,N二甲基酰胺基、N,N二乙基酰胺基、N,N二正丙基酰胺基、N,N二正丁基酰胺基、N,N二异丁基酰胺基、N甲基。
28、乙酰胺基、N乙基乙酰胺基、N正丙基乙酰胺基、N正丁基乙酰胺基、N异丁基乙酰胺基、N仲丁基乙酰胺基、N叔丁基乙酰胺基、N,N二甲基乙酰胺基、N,N二乙基乙酰胺基、N,N二正丙基乙酰胺基、N,N二正丁基乙酰胺基和N,N二异丁基乙酰胺基，以及芳基酰胺基，特别优选地包括苯基酰胺基、萘基酰胺基、苯基乙酰胺基和萘基乙酰胺基。0066作为芳族残基可以具有的取代基的烷氧基包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基和叔丁氧基。0067作为芳族残基可以具有的取代基的芳氧基包括苯氧基和萘氧基。0068作为芳族残基可以具有的取代基的酰基的实例包括具有1至10个碳原子的烷基羰基、和芳基羰基，优。
29、选地包括具有1至4个碳原子的烷基羰基，并且具体地包括乙酰基、丙酰基、三氟甲基羰基、五氟乙基羰基、苯甲酰基和萘甲酰基。0069作为芳族残基可以具有的取代基的烷氧羰基的实例包括具有1至10个碳原子的烷氧羰基。其具体实例包括甲氧羰基、乙氧羰基、正丙氧羰基、异丙氧羰基、正丁氧羰基、异丁氧羰基、仲丁氧羰基、叔丁氧羰基、正戊氧羰基、正己氧羰基、正庚氧羰基、正壬氧羰基和正癸氧羰基。0070作为芳族残基可以具有的取代基的芳基羰基的实例包括芳基和羰基相连的基团，如二苯甲酮和萘基甲酮。0071作为芳族残基可以具有的取代基的芳族残基包括与由式1中的X和Y表示的芳族残基的部分中所提及的那些相同的芳族残基。0072作为。
30、芳族残基可以具有的取代基的脂族烃残基包括饱和或不饱和的直链、支链或环状烷基，并且该脂族烃残基可以具有取代基。脂族烃残基优选是饱和烷基并且更优选饱和直链烷基。另外，脂族烃残基中的碳原子数优选为1至36、更优选1至18，并且进一步优选1至8。这种脂族烃残基的具体实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、环己基、乙烯基、丙烯基、戊炔基、丁烯基、己烯基、己二烯基、异丙烯基、异己烯基、环己烯基、环戊二烯基、乙炔基、丙炔基、戊炔基、己炔基。
31、、异己炔基和环己炔基。另外，环状烷基的实例包括具有3至8个碳原子的环烷基。特别优选具有1至8个碳原子的直链烷基。说明书CN104246936A1710/51页180073作为芳族残基可以具有的取代基的芳族残基、脂族烃残基、酰胺基、酰基、烷氧基、芳氧基、芳基羰基和烷氧羰基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0074由式1中的X和Y表示的芳族残基优选为具有选自以下的至少一个或多个成员作为取代基的芳族残基羧基、羟基、磷酸基、磺酸基和这些酸基的盐，并且更优选地为由下式1001至1033中任一者表示的芳族残基。0075说明书CN10424693。
32、6A1811/51页190076由式1中的X和Y表示的脂族烃残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的脂族烃残基相同的脂族烃残基。所述脂族烃残基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0077由式1中的X和Y表示的酰基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的酰基相同的酰基。所述酰基可以具有取代基，并且所述说明书CN104246936A1912/51页20取代基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0078由。
33、式1中的X和Y表示的酰胺基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的酰胺基。所述酰胺基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的酰胺基相同的取代基。0079由式1中的X和Y表示的烷氧羰基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的烷氧羰基相同的烷氧羰基。所述烷氧羰基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0080另外，式1中的X和Y可以键合形成环。所述环可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1。
34、中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。通过X和Y键合形成的环结构的具体实例包括由下式2001至2044表示的环，并且其中，优选其中环结构具有羧基作为取代基的环、特别优选的环是其中环结构为由2007或2012表示的环，并且极优选由2007表示的环。0081说明书CN104246936A2013/51页210082式2001至2044中的符号表示式1中的X和Y所键合的碳原子。0083式1中的X和Y优选以下I至III中任一者0084I优选地，X和Y各自独立地表示羧基、磷酸基、氰基或酰基，更优选地，X和Y各自独立地表示羧基、氰基或酰基，进一步优选地，X和Y之一表示羧。
35、基并且另一个表示羧基、氰基或酰基，并且特别优选地，X和Y之一表示羧基并且另一个表示氰基；0085II优选地，X和Y中的至少任一者表示具有选自以下的至少一个或多个成员作为取代基的芳族残基羧基、羟基、磷酸基、磺酸基和这些酸基的盐，并且更优选地，所述芳族残基为由式1001至1033中任一者表示的芳族残基；并且0086III优选地，X和Y键合形成环结构，更优选地，所述环结构由式2001至说明书CN104246936A2114/51页222044中任一者表示，进一步优选地，所述环结构具有羧基作为取代基，特别优选地，所述环结构由2007或2012表示，并且最优选地，所述环结构由式2007表示。0087式1。
36、中的Z1、Z2和Z3各自独立地表示氧原子、硫原子、硒原子或NR11，并且R11表示氢原子、芳族残基或脂族烃残基。0088由R11表示的芳族残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的芳族残基。0089由R11表示的脂族烃残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的脂族烃残基相同的脂族烃残基。0090由R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有取代基，并且所述取代基的具体实例包括氨磺酰基、氰基、异氰基、硫氰基、异硫氰基、硝基、亚硝酰基、卤素原子、磷酸酯基、取代或未取代的氨基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、氨基甲酰基、酰基和醛基，和取代。
37、的羰基如烷氧羰基和芳基羰基，以及芳族残基和脂族烃残基。0091作为由R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的卤素原子、磷酸酯基、取代或未取代的氨基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、酰基、烷氧羰基、芳基羰基和脂族烃残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的基团。0092作为由R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的芳族残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基的部分中所提及的那些相同的芳族残基。0093当式1中的M、J和K中至少任一者表示2以上并且所存在的Z1、Z2和Z3中任一者的量大于一个时，所述大于一个的Z1、Z2和Z3中的每一者可以彼此。
38、相同或不同。0094式1中的Z1、Z2和Z3各自独立地优选表示氧原子、硫原子和硒原子，更优选硫原子。0095A1、A2、A3、A5和A6各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、芳基羰基或酰基。0096由A1、A2、A3、A5和A6表示的芳族残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基的情况下相同的芳族残基。0097由A1、A2、A3、A5和A6表示的脂族烃残基、卤素原子、酰胺基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、芳基羰基和酰基各自包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的基团。0098由A1、A2、A3。
39、、A5和A6表示的芳族残基、脂族烃残基、酰胺基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、芳基羰基和酰基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0099当式1中的L和N中的至少一者表示2以上并且所存在的A2、A3、A5和A6中任一者的量大于一个时，所述大于一个的A2、A3、A5和A6中的每一者可以彼此相同或不同。0100当L不表示0时，A1、A2和A3中的至少两者可以键合形成环。0101由A1、A2和A3形成的环包括不饱和烃环或杂环。0102不饱和烃环的实例包括苯、萘、蒽、菲、芘、茚、茂并芳庚、芴、环丁烯、环己烯、环戊烯。
40、、环己二烯和环戊二烯，并且杂环的实例包括吡喃、吡啶、吡嗪、哌啶、二氢吲哚、噁唑、噻唑、噻二唑、噁二唑、吲哚、苯并噻唑、苯并噁唑、喹啉、咔唑和苯并吡喃。其中，优选苯、环丁说明书CN104246936A2215/51页23烯、环戊烯和环己烯。0103这种不饱和烃环和杂环可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0104当由选自A1、A2和A3的至少两个成员形成的杂环具有取代基如羰基或硫羰基时，这个取代基可为环酮或环硫酮，并且这个环可以进一步具有取代基。在这种情况下的取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和。
41、脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0105其中，式1中的A1、A2、A3、A5和A6各自独立地优选表示氢原子或脂族烃残基，更优选氢原子。0106式1中的A4表示氢原子、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、烷氧基、酰胺基、烷氧羰基或酰基。0107由A4表示的脂族烃残基、卤素原子、烷氧基、酰胺基、烷氧羰基和酰基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的基团。0108由A4表示的脂族烃残基、烷氧基、酰胺基、烷氧羰基和酰基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些。
42、相同的取代基。0109当M表示2以上并且所存在的A4的量大于一个时，所述大于一个的A4中的每一者可以彼此相同或不同。0110式1中的A4优选为氢原子或脂族烃残基，并且更优选氢原子。0111式1中的A7、A8、A9和A10各自独立地表示氢原子、脂族烃残基、氰基、卤素原子、碳酰胺基、烷氧基、烷氧羰基或酰基。0112由A7、A8、A9和A10表示的脂族烃残基、卤素原子、烷氧基、烷氧羰基和酰基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的基团。0113由A7、A8、A9和A10表示的脂族烃残基、烷氧基、烷氧羰基和酰基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R1。
43、1表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0114当J或K中至少任一者表示2以上并且所存在的A7、A8、A9和A10中任一者的量大于一个时，所述大于一个的A7、A8、A9和A10中的每一者可以彼此相同或不同。0115式1中A7、A8、A9和A10各自独立地表示氢原子或脂族烃残基，更优选氢原子。0116式1中的R1各自独立地表示由下式3001或3003表示的基团，或有机金属络合物残基。0117说明书CN104246936A2316/51页240118式3001至3003中的R12、R13、R14和R15各自独立地表示氢原子、芳族残基或脂族烃残基。R16、R17。
44、、R18和R19各自独立地表示氢原子、芳族残基、脂族烃残基、氰基、酰基、酰胺基、烷氧基、烷氧羰基或磺酰基苯基。0119由R12、R13、R14和R15表示的芳族残基包括与由式1中的X和Y表示的芳族残基的部分中所提及的那些相同的芳族残基。0120由R12、R13、R14和R15表示的脂族烃残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的脂族烃残基相同的脂族烃残基。0121由R12、R13、R14和R15表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0122式30。
45、01中的R12和R13各自独立地优选表示氢原子或脂族烃残基，各自独立地更优选地为氢原子或具有1至18个碳原子的烷基、进一步优选具有1至8个碳原子的烷基、特别优选具有1至8个碳原子的直链烷基。0123式3003中的R14和R15各自独立地优选表示芳族残基，各自独立地更优选地表示苯基或由式3001表示的基团，并且进一步优选地表示相同苯基或由式3001表示的相同基团。此处，由R14和R15表示的式3001所示基团中的R12和R13与上述相同并且优选基团也为与上述相同的基团。0124由R16、R17、R18和R19表示的芳族残基包括与由式1中的X和Y表示的芳族残基的部分中所提及的那些相同的芳族残基。0。
46、125由R16、R17、R18和R19表示的脂族烃残基、酰基、酰胺基、烷氧基和烷氧羰基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的基团。0126由R16、R17、R18和R19表示的芳族残基、脂族烃残基、酰基、酰胺基、烷氧基、烷氧羰基和磺酰基苯基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0127式3003中的R16、R17、R18和R19各自独立地表示氢原子或烷氧基、更优选氢原子或具有1至4个碳原子的烷氧基、进一步优选氢原子。0128由R1表示的有机金属络合物残基包括有机。
47、金属络合物，或其中一个氢原子已从键合于有机金属络合物的取代基除去的有机金属络合物，并且这种有机金属络合化合物包括二茂铁、二茂钌、二茂钛、二茂锆、卟啉、酞菁和联吡啶络合物。有机金属络合物残基可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。说明书CN104246936A2417/51页250129当M表示2以上并且所存在的R1的量大于一个时，所述大于一个的R1中的每一者可以彼此相同或不同。0130更优选地，式1中的R1表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，或式1中的R1表。
48、示由式3003表示的基团，其中R14和R15表示苯基或由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，并且R16至R19各自独立地表示氢原子或具有1至4个碳原子的烷氧基，并且进一步优选地，式1中的R1表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示具有1至8个碳原子的烷基，或式1中的R1表示由式3003表示的基团，其中R14和R15表示苯基，并且R16至R19各自表示氢原子。0131更具体地，R1优选地表示由下式3101至3119中任一者表示的基团，更优选地表示由下式3101至3114中任一者表示的基团，进一步优选地表示由下式3102、3103、3107、31。
49、08、3110、3111、3113或3114表示的基团，特别优选地表示由下式3103、3107或3111表示的基团，并且最优选地表示由下式3103或3107表示的基团。0132说明书CN104246936A2518/51页260133式1中的R2表示由式3001或3003表示的基团、氢原子、脂族烃残基或有机金属络合物残基。0134由R2表示的脂族烃残基包括与在由式1中的X和Y表示的芳族残基可以具有的取代基的部分中所提及的脂族烃残基相同的脂族烃残基。0135由R2表示的式3001和式3003中的R12至R19包括与在由R1表示的式3001和式3003的部分中提及的那些相同的基团，并且优选基团也为与在由R1表示的式3001和式3003的部分中提及的那些相同的基团。0136由R2表示的有机金属络合物残基包括与由R1表示的有机金属络合物残基的部分中所提及的那些相同的有机金属络合物残基。0137当N不表示0时，选自A5、A6和R2的至少两个成员可以键合形成环。说明书CN104246936A2619/51页270138通过A5、A6和R2形成的环可以具有取代基，并且所述取代基包括与在由式1中的R11表示的芳族残基和脂族烃残基可以具有的取代基的部分中所提及的那些相同的取代基。0139更优选地，式1中的R2表示由式3001表示的基团，其中R12和R13表示氢原子或具有1至8个碳原子的烷基，或式1。