《高可靠性通讯基站控制器.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《高可靠性通讯基站控制器.pdf（6页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、10申请公布号CN104052046A43申请公布日20140917CN104052046A21申请号201410258452X22申请日20140612H02H9/0420060171申请人四川联友电讯技术有限公司地址610000四川省成都市高新区高朋大道11号72发明人王学宗54发明名称高可靠性通讯基站控制器57摘要本发明公开了一种高可靠性通讯基站控制器，它包括控制器和连接在控制器上的电源接口，所述的电源接口上依次连接有整形滤波电路和过压保护电路。其优点是在与控制器连接的电源接口上连接过压保护电路，对电源电压进行监控并对控制器进行保护，可靠性高。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图1。
2、页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图1页10申请公布号CN104052046ACN104052046A1/1页21高可靠性通讯基站控制器，它包括控制器和连接在控制器上的电源接口，其特征在于所述的电源接口上依次连接有整形滤波电路和过压保护电路，所述的过压保护电路包括电阻R4，所述的电阻R4一端同时连接在二极管D2的阴极和二极管D1的阴极上，另一端连接在分压电路上，所述的分压电路包括依次连接的电阻R1、可变电阻R2和电阻R3，所述的电阻R1的非公共端与电阻R4相连，所述的电阻R3的非公共端接地，所述的可变电阻R2的任意一端连接在比较器的同相输入端上，所述的。
3、比较器的反相输入端连接在电源上，所述的比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上，所述的二极管D1的阳极与场效应管MOS1的源极相连，所述的二极管D1上并联有继电器K，所述的场效应管MOS1的漏极通过电阻R5与地相连，所述的二极管D2的阳极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS2的栅极通过电阻R6连接在源极上，所述的场效应管MOS2漏极接地，所述的二极管D1的阴极上连接有电容C2，电容C2的另一端接地，所述的场效应管MOS1和场效应管MOS2均为N型场效应管。2根据权利要求1所述的高可靠性通讯基站控制器，其特征在于所述的电阻R1和电阻R4的公共端上连接有接地电容C1。3根据权利。
4、要求1或2所述的高可靠性通讯基站控制器，其特征在于所述的二极管D2为稳压二极管。权利要求书CN104052046A1/3页3高可靠性通讯基站控制器技术领域0001本发明涉及一种通讯基站控制器，更具体的说是涉及一种高可靠性通讯基站控制器。背景技术0002在通讯技术迅速发展的背景下，全球移动通信网络的用户数快速增长，同时随着移动通信的用户数量的增多，移动通信基站控制器的数量也随之增多。通信基站控制器作为通信基站的重要设备，安全是十分重要的评价指标。通信基站控制器在电源供给部分为了使移动基站收发器能长时间不间断的、可靠的运行，其采用双电源供给方式。在电力比较缺乏的地区，供电电压很不稳定，用电高峰期电。
5、压不够，在深夜电压又会超过220V，甚至超过240V。通讯基站控制器内的很多模块均需要供电，其直接采用交流电源供电，在深夜，电压过高会对控制器内的模块造成影响，使其性能遭受影响。发明内容0003本发明提供一种高可靠性通讯基站控制器，其在与控制器连接的电源接口上连接过压保护电路，对电源电压进行监控并对控制器进行保护，可靠性高。0004为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案高可靠性通讯基站控制器，它包括控制器和连接在控制器上的电源接口，所述的电源接口上依次连接有整形滤波电路和过压保护电路，所述的过压保护电路包括电阻R4，所述的电阻R4一端同时连接在二极管D2的阴极和二极管D1的阴极上，另一端。
6、连接在分压电路上，所述的分压电路包括依次连接的电阻R1、可变电阻R2和电阻R3，所述的电阻R1的非公共端与电阻R4相连，所述的电阻R3的非公共端接地，所述的可变电阻R2的任意一端连接在比较器的同相输入端上，所述的比较器的反相输入端连接在电源上，所述的比较器的输出端连接在场效应管MOS1的栅极上，所述的二极管D1的阳极与场效应管MOS1的源极相连，所述的二极管D1上并联有继电器K，所述的场效应管MOS1的漏极通过电阻R5与地相连，所述的二极管D2的阳极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS2的栅极通过电阻R6连接在源极上，所述的场效应管MOS2漏极接地，所述的二极管D1的阴极上连接。
7、有电容C2，电容C2的另一端接地，所述的场效应管MOS1和场效应管MOS2均为N型场效应管。0005更进一步的技术方案是作为优选，所述的电阻R1和电阻R4的公共端上连接有接地电容C1。0006进一步的，所述的二极管D2为稳压二极管。0007与现有技术相比，本发明的有益效果是本发明在电源端口上连接过压保护电路，以对电源端口电压进行监测，当电源电压过高时，对控制器进行过压保护，利用比较器、场效应管和继电器等构成过压响应，其可靠性高。说明书CN104052046A2/3页4附图说明0008下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。0009图1为本发明的过压保护电路的电路图。具体实施方式00。
8、10下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。0011实施例如图1所示的高可靠性通讯基站控制器，它包括控制器和连接在控制器上的电源接口，所述的电源接口上依次连接有整形滤波电路和过压保护电路，所述的过压保护电路包括电阻R4，所述的电阻R4一端同时连接在二极管D2的阴极和二极管D1的阴极上，另一端连接在分压电路上，所述的分压电路包括依次连接的电阻R1、可变电阻R2和电阻R3，所述的电阻R1的非公共端与电阻R4相连，所述的电阻R3的非公共端接地，所述的可变电阻R2的任意一端连接在比较器的同相输入端上，所述的比较器的反相输入端连接在电源上，所述的比较器的输出端连接在场。
9、效应管MOS1的栅极上，所述的二极管D1的阳极与场效应管MOS1的源极相连，所述的二极管D1上并联有继电器K，所述的场效应管MOS1的漏极通过电阻R5与地相连，所述的二极管D2的阳极连接在场效应管MOS2的源极上，所述的场效应管MOS2的栅极通过电阻R6连接在源极上，所述的场效应管MOS2漏极接地，所述的二极管D1的阴极上连接有电容C2，电容C2的另一端接地，所述的场效应管MOS1和场效应管MOS2均为N型场效应管。在本发明中，在与控制器连接的电源接口上连接过压保护电路，对电源接口的电压进行监测，当电压过高，超过一定值时，即对控制器进行过压保护。本发明的电源接口与市电电源相连，当市电电源的压值。
10、正常时，经整形滤波电路处理后的电压在电阻R4、二极管D2和场效应管MOS2上产生压降，该压降在电阻R1、可变电阻R2和电阻R3产生的分压不能驱动比较器使得场效应管MOS1导通，继电器K触点不闭合，电源正常给控制器供电。当市电电源电压超过一定值时，整形滤波电路处理后的电压先在电阻R4、二极管D2和场效应管MOS2上产生压降，该压降在电阻R1、可变电阻R2和电阻R3产生的分压大于比较器反相输入端的电压，使得比较器驱动场效应管MOS1导通，此时，继电器K吸合，市电被短路，电容2上集聚有大量的电荷，电容C2上电荷释放，可有效的延长继电器K的吸合时间，对控制器进行保护，提高电路的可靠性。比较器的反相输入。
11、端连接在电源上，其为比较器的基准电压，利用电阻R1、可变电阻R2和电阻R3分压产生比较器的同相输入端的电压，利用可变电阻可调节比较器的同相输入端电压，使得比较器的反相输入端需提供基准电压的压值，使得不必给定固定的电压值，使得其灵敏度可调，便于使用。电阻R1和电阻R3的作用均是为了规避可变电阻R2调零的状况。利用比较器、场效应管作为过压响应的控制元件，其反应速度快，可靠性高。其中电阻R1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6可分别采用1千欧姆、1千欧姆、39千欧姆、500欧姆、500欧姆，可变电阻R2的阻值变化范围为09千欧姆；电容C1和电容C2均分别采用100F的电容；二极管D1和二极管D2。
12、可采用LN5395、RL103型号；继电器可采用LY115型号；比较器采用LM211D型号；场效应管MOS1和场效应管MOS2采用N型场效应管3803L。说明书CN104052046A3/3页50012所述的电阻R1和电阻R4的公共端上连接有接地电容C1。电容C1可对吸收尖峰脉冲，避免干扰对电路的影响，提高电路的抗干扰能力和可靠性。0013所述的二极管D2为稳压二极管。利用稳压二极管可有效的提高电路的可靠性，为分压电路提供可靠压降。0014经仿真，依照本实施例公开的方案，可使电路的性能更优。0015如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。说明书CN104052046A1/1页6图1说明书附图CN104052046A。