薄膜的制法及共蒸镀用蒸镀材、薄膜、薄膜片及层叠片技术领域
本发明涉及一种透明性、气体遮断性等各种特性优异的薄膜的制造方
法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的氧化物薄膜、具
备该薄膜的薄膜片及层叠片。更详细而言，涉及这些各种特性优异，尤其适
合作为液晶显示器、有机EL显示器、等离子显示器或太阳能电池模块等气
体遮断性材料的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过
该方法得到的氧化物薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。
背景技术
液晶显示器、有机EL显示器或太阳能电池等设备通常经不起湿气，使
其特性因吸湿而迅速地劣化，所以必须配备具有高防湿性、即防止氧气或水
蒸气等渗透或浸入的气体遮断性的组件。
例如，在太阳能电池的例子中，在与太阳能电池模块的受光面的相反一
侧的背面设置有背板。该背板代表性的有在基材上包含具有高防湿性的气体
遮断性材料和保护它们的部件等的背板。
作为这种构成太阳能电池模块的背板，例如公开有通过高强度的耐热
性、耐候性树脂夹层防湿性金属箔，另外在其一方设置玻璃质蒸镀皮膜而成
的太阳能电池模块的背面保护用片材料(例如参考专利文献1)。在该片材
料中，使用铝箔、镀锌铁箔、镀锡铁箔等金属箔作为气体遮断性材料。
此外，公开有将层叠高防湿膜和高耐候膜并使其一体化而成的太阳能电
池盖板材料使用在背面侧保护部件中的太阳能电池(例如参考专利文献2)。
在该太阳能电池盖板材料中的高防湿膜中使用如下膜，即由CVD(化学蒸
镀)、PVD(反应蒸镀)法等在PET膜等基材膜上形成防湿膜作为气体遮断
性材料，所述防湿膜由二氧化硅、氧化铝等无机氧化物的涂膜构成。
并且，公开有具有基材膜和遮断层，遮断层为通过空心阴极型离子镀成
膜的无机氮化物薄膜或无机氮化氧化物薄膜的透明遮断膜(例如参考专利文
献3)。并且，公开有在太阳能电池元件的表面设置阻止水蒸气、氧气、分
解物或添加剂的1种以上的渗透的阻挡层的太阳能电池模块(例如参考专利
文献4)。该太阳能电池模块中使用通过由基于树脂膜、遮断性树脂膜、无
机氧化物的蒸镀膜、硅化合物的水解的缩聚物构成的组合物的涂膜或者包括
那些的2种以上的复合膜作为阻挡层。
并且，公开有具备由呈无机氧化物层的塑料膜或塑料复合材构成的遮断
层的光伏模块(例如参考专利文献5)。在该无机氧化物层中，氧化铝或氧
化硅作为其涂层材料使用。并且，公开有由层叠体构成的太阳能电池用背面
保护片，所述层叠体为在耐热、耐候性塑料膜上设置无机氧化物薄膜层并在
该薄膜层面上层叠由相同树脂构成的其他耐热、耐候性塑料膜的层叠体(例
如参考专利文献6)。在该太阳能电池用背面保护片中使用由氧化硅或氧化
铝中的任一个形成的薄膜层作为无机氧化物薄膜层。
并且，公开有在具有透明性的基材膜上依次层叠掺杂3价以上的金属或
半导体而成的具有紫外线屏蔽特性的氧化锌层和气体遮断性优异的金属氧化
物层而成的层叠体(例如参考专利文献7)。作为该层叠体的金属氧化物层，
使用氧化硅、氧化铝或氧化镁。
并且，公开有在高分子膜基材的至少单面通过气相沉积法成膜由金属或
金属氧化物构成的气体遮断层并在该气体遮断层上形成含有超微颗粒的树脂
层的具有防紫外线性的透明性气体遮断复合膜材料(例如参考专利文献8)。
作为该透明性气体遮断复合膜材料的气体遮断层，使用由铝构成的单层结构
或多层机构或者由氧化铝、氧化硅及氧化镁的至少1种构成的单层结构或多
层结构。
专利文献1：日本实用新型公告平2-44995号公报(实用新型登录权利要
求及5栏的第41～44行)
专利文献2：日本专利公开2000-174296号公报(权利要求1、权利要求7
及[0019]段)
专利文献3：日本专利公开2000-15737号公报(权利要求1)
专利文献4：日本专利公开2001-217441号公报(权利要求1、3)
专利文献5：日本专利公表2002-520820号公报(权利要求1及[0019]段)
专利文献6：日本专利公开2002-134771号公报(权利要求1、2)
专利文献7：日本专利公开平7-256813号公报(权利要求1、3及[0015]～
[0016]段)
专利文献8：日本专利公开2000-6305号公报(权利要求1、7、8及[0020]
段)
然而，上述专利文献1所示的背面保护用片材料使用铝箔等金属箔作为
气体遮断性材料，因此若将该片材料应用于太阳能电池模块的背板上，则存
在耐电压性下降、电流泄漏之虞。
并且，若使用金属箔的片材料中金属箔的厚度成为20μm以下，则增加
在耐热性、耐候性树脂与金属箔之间产生的针孔，气体遮断性显著地下降。
另一方面，若加厚金属箔的厚度，则会产生制造成本上升之类的问题，并且，
作为废弃物需进行分类，或者因为不透光，而不能使用在太阳能电池的受光
面，并且在电源端子用插孔周围产生金属箔毛刺，有电路短路的危险。
此外，在上述专利文献2～8中使用的二氧化硅、氧化铝等无机氧化物，
如果要得到较高的气体遮断性，则必须将膜的厚度确保为100nm以上，即使
如此也不能说气体遮断性充分。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够形成透明性及气体遮断性优异的薄膜
的薄膜制造方法及薄膜形成用的共蒸镀用蒸镀材。
本发明的另一目的在于提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜、具备
该薄膜的薄膜片及层叠片。
本发明的第1观点、即薄膜的制造方法，其中，使用由第1氧化物构成
的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，利用通过真空成膜法
同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化
物薄膜。
本发明的第2观点、即根据第1观点的发明，进一步地，以形成的膜的
碱度为0.03以上的方式组合由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化
物构成的熔融性蒸镀材。
本发明的第3观点、即根据第1或第2观点的发明，进一步地，以形成
的薄膜的第1氧化物与第2氧化物的摩尔比率为5～85∶95～15的方式组合由
第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材。
本发明的第4观点、即根据第1至第3观点的发明，进一步地，升华性
蒸镀材的第1氧化物为选自ZnO、CaO、MgO、SnO2及CeO2中的至少1种，
熔融性蒸镀材的第2氧化物为选自SiO2、Al2O3及TiO2中的至少1种。
本发明的第5观点、即根据第1至第4观点的发明，进一步地，真空成
膜法为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体蒸镀法、电阻加热法或感
应加热法中的任意一种。
本发明的第6观点、即根据第1至第5观点的发明，进一步地，升华性
蒸镀材的第1氧化物颗粒的平均粒径及熔融性蒸镀材的第2氧化物颗粒的平
均粒径分别为0.1～10μm。
本发明的第7观点、即共蒸镀用蒸镀材，其中，用于根据第1至第6观
点的制造方法，包括由第1氧化物构成的升华性蒸镀材与由第2氧化物构成
的熔融性蒸镀材的组合。
本发明的第8观点、即根据第7观点的发明，进一步地，升华性蒸镀材
的第1氧化物为选自ZnO、CaO、MgO、SnO2及CeO2中的至少1种，熔融
性蒸镀材的第2氧化物为选自SiO2、Al2O3及TiO2中的至少1种。
本发明的第9观点、即一种根据第7或第8观点的发明，进一步地，升
华性蒸镀材的第1氧化物颗粒的平均粒径及熔融性蒸镀材的第2氧化物颗粒
的平均粒径分别为0.1～10μm。
本发明的第10观点、即氧化物薄膜，通过根据第1至第6观点的制造
方法得到，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔
融性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法成膜，并由第1氧化
物和第2氧化物构成。
本发明的第11观点、即一种薄膜片10，其中，如图1所示，通过根据
第1至第6观点的制造方法，在第1基材膜11上形成氧化物薄膜12而成，
所述氧化物薄膜利用通过使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧
化物构成的熔融性蒸镀材的真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法成膜，并由第1
氧化物及第2氧化物构成。
本发明的第12观点、即根据第11观点的发明，进一步地，真空成膜法
为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体蒸镀法、电阻加热法或感应加
热法中的任意一种。
本发明的第13观点、即根据第11或第12观点的发明，进一步地，在
温度20℃、相对湿度50％RH的条件下放置1小时时的水蒸气渗透率S为0.3g
/m2·天以下。
本发明的第14观点、即层叠片20，其中，如图1所示，在根据第11至
第13的观点的薄膜片10的薄膜12形成侧，通过粘着层13层叠第2基材膜
14而成。
本发明的薄膜制造方法中，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法进
行控制的同时成膜，因此还能够利用在以往的方法中未能制作组成均匀的膜
的材料组合，所以材料选择范围变宽，能够均匀地制作多种多样的组成的膜。
并且，得到的薄膜的单层的遮断性优异，因此可用较少层叠数得到较高遮断
性，因此能够提高生产率，还能够降低成本。并且，通过设为单层或较少层
叠数的遮断膜，总计的膜厚变薄，能够减轻制造遮断膜时的破裂、翘曲等。
将这种膜厚较薄的遮断膜用于可折弯的太阳能电池时，提高耐弯曲性并提高
太阳能电池的耐久性。此外，由于得到的薄膜的透明性优异，因此能够在长
波长区域内维持高渗透率。因此，将太阳能电池模块设为树脂制而非玻璃制
时，作为受光面的遮断材料也有效，有助于提高太阳能电池的渗透率。并且，
通过以使形成的薄膜的碱度为0.03以上的方式组合由第1氧化物构成的升华
性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，因此能够形成具有优异的透
明性及气体遮断性的薄膜。并且，升华性蒸镀材的第1氧化物颗粒的平均粒
径及熔融性蒸镀材的第2氧化物颗粒的平均粒径分别为0.1～10μm，由此能
够形成蒸镀效率良好且稠密的蒸镀膜，所以能够维持较高的气体遮断性并使
其稳定化。
本发明的共蒸镀用蒸镀材由于包括由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和
由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材的组合，因此能够形成具有优异的透明性
及气体遮断性的薄膜。并且升华性蒸镀材的第1氧化物颗粒的平均粒径及熔
融性蒸镀材的第2氧化物颗粒的平均粒径分别为0.1～10μm，由此能够形成
蒸镀效率良好且稠密的蒸镀膜，所以能够维持较高的气体遮断性并使其稳定
化。
本发明的薄膜为由第1氧化物及第2氧化物构成的氧化物薄膜，利用通
过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法成膜，因此具有优异的透明性及气体遮断
性。
本发明的薄膜片具备由利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法成膜
的第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜，从而具有优异的透明性及气
体遮断性。并且，具有在温度20℃、相对湿度50％RH的条件下放置1小时
时的水蒸气渗透率S为0.3g/m2·天以下之类的非常高且因时间的流逝引起
的劣化较少的气体遮断性。
另外，本发明的层叠片采用第2基材膜通过粘着层进一步层叠在上述薄
膜片的薄膜形成侧的结构。由此，第2基材膜能够保护薄膜，因此能够维持
较高的气体遮断性并使其稳定化。
附图说明
图1是示意地表示本发明实施方式的薄膜片及层叠片的层叠结构的截面
图。
图2是示意地表示以往的薄膜片的截面结构的图。
图3是示意地表示本发明实施方式的薄膜片的截面结构的图。
符号说明
10-薄膜片，11-第1基材膜，12-薄膜，13-粘着层，14-第2基材膜，20-
层叠片。
具体实施方式
接着，根据附图对用于实施本发明的方式进行说明。
本发明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华
性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸
镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
例如使用含有2种氧化物的一体型蒸镀材进行成膜时，若为易升华的氧
化物(升华性氧化物)与易熔融的氧化物(熔融性氧化物)的组合，则即使
为升华性氧化物升华的温度也难以升华熔融性氧化物，因此其结果存在难以
制作组成均匀的膜之类的问题。
本发明的制造方法中，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法进行控
制的同时成膜，因此还能够利用在以往的方法中未能制作组成均匀的膜的材
料组合，所以材料选择范围变宽，并能够均匀地制作多种多样的组成的薄膜。
本发明中使用的升华性蒸镀材是指在加热蒸镀材时蒸镀材不熔融而发
生元素升华的蒸镀材，熔融性蒸镀材是指在加热蒸镀材时发生蒸镀材的熔融
并经过液相而发生元素蒸发的蒸镀材。
升华性蒸镀材的第1氧化物粉末为选自ZnO、CaO、MgO、SnO2及CeO2
中的至少1种，该第1氧化物粉末的第1氧化物纯度为98％以上，优选为99.5％
以上。熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末为选自SiO2、Al2O3及TiO2中的至少
1种，该第2氧化物粉末的第2氧化物纯度为98％以上，优选为98.4％以上。
其中，将第1氧化物粉末中的第1氧化物纯度限定在98％以上是因为，如果
不到98％，则膜的致密性因杂质恶化，结果遮断特性下降。而且，将第2氧
化物粉末的第2氧化物纯度限定在98％以上是因为，如果不到98％，则膜的
致密性因杂质恶化，结果遮断特性下降。另外，本说明书中的粉末的纯度是
指根据分光分析法(感应耦合等离子体发射光谱分析装置：日本Jarrell Ash
公司制造ICAP-88)测定的纯度。
而且，该升华性蒸镀材的第1氧化物颗粒的平均粒径及熔融性蒸镀材的
第2氧化物颗粒的平均粒径分别为0.1～10μm。并且，所形成的薄膜中的第
1氧化物与第2氧化物的摩尔比率控制为5～85∶95～15。并且，以所形成的
薄膜的碱度为0.03以上的方式组合由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第
2氧化物构成的熔融性蒸镀材。使用如此微细化的第1氧化物颗粒及第2氧
化物颗粒，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，能够使控制成预定比
例而形成的薄膜显现较高的气体遮断性。
其技术理由可以推定为如下：一般当为(1)仅有第1氧化物颗粒或仅
有第2氧化物颗粒的单一组成的薄膜、(2)虽包含第1氧化物颗粒及第2
氧化物颗粒双方但任意一方的含有比例较少的薄膜时，如图2所示，在第1
基材膜11上形成的氧化物薄膜32成为柱状晶的结晶相对于气体的渗透方向
平行地集合的结构。由于水蒸气等气体分子沿着平行地集合的晶界的界面前
进，所以在平行地集合上述柱状晶的结晶的结构的薄膜32中的遮断性较低。
另一方面，当以成为预定比例的方式含有微细化的第1氧化物颗粒或第2氧
化物颗粒时，如图3所示，在第1基材膜11上形成的氧化物薄膜12成为形
成为单一组成的膜的柱状晶的一部分崩裂而接近非结晶状态的致密的微细结
构。由于在接近非结晶状态的致密的微细结构中，水蒸气等气体分子需要长
距离移动在迷宫状内部，所以在接近上述非结晶状态的致密的微细结构的薄
膜12中，提高遮断性。这样，结晶结构并不是柱状晶，且成膜为适合防止水
分等渗透或浸入的结构，从而提高气体遮断性。
而且，也可以考虑为如下：如果使所含有的第1氧化物颗粒及第2氧化
物颗粒的双方微细化，则在通过蒸镀法使薄膜成长时，能够用少量的电子束
或等离子体进行成膜，所以能够形成致密的膜，由此提高气体遮断性。其中，
将第1氧化物颗粒及第2氧化物颗粒双方的平均粒径限定在上述范围内是因
为，如果各个平均粒径不到下限值，则在蒸镀材的制造工序中，粉末的凝聚
变得明显并阻碍混匀，如果各个平均粒径超过上限值，则不能充分得到形成
有助于提高气体遮断性的虚拟固容体的效果。另外，本说明书中，平均粒径
是指，依照激光衍射/散射法(Microtrack法)，利用日机装公司制造(FRA
型)，使用六聚偏磷酸钠作为分散剂，1次测定时间设为30秒来使3次测定
的值平均化的粒径。
而且，将第1氧化物与第2氧化物的摩尔比率限定在上述范围内是因为，
若第1氧化物的摩尔比率不到5，则第1氧化物颗粒的含有比例过于变小，
接近单一组成，从而无法形成具有致密的微细结构的薄膜。并且，若第2氧
化物的摩尔比率不到15，则第2氧化物颗粒的含有比例过于变小，接近单一
组成，从而变得容易采用柱状晶的结晶相对于气体的渗透方向平行地集合的
结构，因此变得气体易通过，气体遮断特性降低。
另外，将所形成的薄膜的碱度规定在0.03以上是因为，如果不到0.03
时薄膜变得难以采用接近柱状晶的一部分崩裂的非结晶状态的致密的微细结
构。该“碱度”为由森永健次等人提出的，例如在他的著作“K.Morinaga，
H.Yoshida And H.Takebe：J.Am Cerm.Soc.，77，3113(1994)”中，利用如下所
示的公式规定玻璃粉末的碱度。该摘录如下所示。
“氧化物MiO的Mi-O之间的键强度作为阳离子-氧离子之间的引力Ai，
可通过如下公式得到。
Ai＝Zi·Z02-/(ri+r02-)2＝Zi·2/(ri+1.40)2
Zi：阳离子的价数，氧离子为2
Ri：阳离子的离子半径氧离子为
该Ai的倒数Bi(1/Ai)设为单组分氧化物MiO的供氧能力。
Bi≡1/Ai
若将该Bi归一化为BCaO＝1、BSiO2＝0，则可以得到各单组分氧化物的Bi-
指标。若通过阳离子分数向多组分体系扩张该各组成的Bi-指标，则能够计算
任意组成的玻璃氧化物的熔体的B-指标(＝碱度)。
B＝∑ni·Bi
ni：阳离子分数
这样规定的碱度为如上述表示供氧能力，值越大越容易供给氧，越容易
引起与其他金属氧化物的氧的授受。”
本发明中，有关玻璃粉末的碱度的指标，是将玻璃置换成氧化物来进行
解释，从而将氧化物混合物的碱度作为变成薄膜中接近非结晶状态的致密的
微细结构的容易度的指标来整理的指标。玻璃的情况是指熔融之类的概念，
但是本发明中以在成膜时产生形成玻璃的机理的现象为基本。从蒸镀材升华
的元素成为离子状态，在基板上以非平衡的状态堆积元素。如果这时通过上
述公式得到的薄膜的碱度为0.03以上，则膜以玻璃状(非结晶)成长，并以
非常致密的状态有条理地排列元素。
通过本发明的制造方法得到的薄膜，单层的遮断性优异，因此可由较少
层叠数得到较高的遮断性，所以能够提高生产率，还能够降低成本。并且设
为单层或较少层叠数的遮断膜，由此总计的膜厚变薄，能够减轻制造遮断片
时的破裂、翘曲等。将这种膜厚较薄的遮断膜用于可折弯的太阳能电池上时，
提高耐弯曲性并提高太阳能电池的耐久性。并且，由于具有较高的气体遮断
性，因此除了构成太阳能电池的背板的防湿膜等气体遮断性材料的用途之外，
还能够适合作为液晶显示器、有机EL显示器或照明用有机EL显示器等气体
遮断性材料利用。而且，该薄膜可得到渗透率为85％以上的优异的透明性，
因此能够在长波长区域内，维持高渗透率。因此还适合作为要求较高的气体
遮断性且要求透光之类的部件，例如在太阳能电池的受光面侧或显示器的图
像视觉侧等中使用的气体遮断性材料等。
接着，对本发明的薄膜片及层叠片一同说明该制造方法。如图1所示，
本发明的薄膜片10具有第1基材膜11及本发明的薄膜12，所述薄膜使用由
上述第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，
利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法成膜。并且，本发明的层叠片20
具有上述本发明的薄膜片10及通过粘着层13粘着在该薄膜片10的薄膜形成
侧的第2基材膜14。
第1基材膜11和第2基材膜14优选具有耐得住长时间的高温高湿度环
境测试的机械强度或耐候性等。例如，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯
(PET)、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇
酯(PEN)、聚芳酯、聚醚砜、三醋酸纤维素(TAC)、环状烯烃(共)聚
物等树脂膜。这些树脂膜也可以根据需要配合有阻燃剂、抗氧化剂、紫外线
吸收剂及抗静电剂等。第1基材膜11及第2基材膜14的厚度优选为5～300
μm，进一步优选为10～150μm。
使用由上述第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融
性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法在该第1基材膜11上蒸
镀形成作为气体遮断性材料的薄膜12。薄膜12的厚度优选在10～200nm范
围内。如果不到下限值，则很难得到作为气体遮断性材料的充分的气体遮断
性，而且薄膜的耐久性易降低。另一方面，若超过上限值，则会浪费材料，
而且根据厚度效应而变得容易产生因曲折等外力引起的龟裂。其中，薄膜12
的厚度尤其优选在20～100nm范围内。作为薄膜12的形成方法，优选为电
子束蒸镀法(Electron Beam Evaporation Method，以下称为EB法)、离子镀
法、反应性等离子体蒸镀法(Reactive Plasma Deposition Method，以下称为
RPD法)、电阻加热法或感应加热法等真空成膜法。
另外，图1中虽然没有图示，但是为了在第1基材膜11上提高与薄膜
12的粘附强度，也可以根据需要设置包含丙烯酸多元醇、异氰酸酯、硅烷偶
联剂的底漆层或者在蒸镀工序前利用等离子体等实施表面处理。
另一方面，在形成的薄膜12表面露出的状态下，若安装片时，划伤或
磨损薄膜表面，则对气体遮断性带来较大影响。因此，优选在薄膜12上设置
未图示的保护薄膜12表面的气体遮断性被膜等。该气体遮断性被膜能够在薄
膜12表面涂布例如混合具有烷氧基的硅化合物、钛化合物、氧化锆化合物、
锡化合物或其水解物与具有氢氧根的水溶性高分子的溶液之后，加热干燥而
形成。该气体遮断性被膜不仅作为薄膜12的保护层发挥作用，还具有提高气
体遮断性的效果。
这样形成的本发明的薄膜片10例如在温度20℃、相对湿度50％RH的条
件下放置1小时之后，在温度40℃、相对湿度90％RH的条件下测定的水蒸
气渗透率S显示为0.3g/m2·天以下。
另外，在本发明的层叠片20中，在上述本发明的薄膜片10的薄膜形成
侧、即薄膜12上或上述气体遮断性被膜上形成粘着层13，该粘着层13作为
用于贴合形成有薄膜12的第1基材膜11和第2基材膜14的粘着剂发挥作用。
因此，需要粘着强度不会经长时间而劣化、不产生脱层等且不会变黄等条件，
例如可以举出聚氨酯类、聚酯类、聚酯-聚氨酯类、聚碳酸酯类、聚环氧-胺
类、热熔类粘着剂等。粘着层13的层叠方法能够以干式叠层法等众所周知的
方法层叠。
通过在该粘着层13上粘着第2基材膜14并进行贴合来完成层叠片20。
另外，如图1所示，薄膜12和粘着层13未必限定于各自1层1层地层叠的
层叠片，也可以设为交替层叠薄膜12和粘着层13、或者交替或不规则地层
叠薄膜12、上述气体遮断性被膜等其他部件及粘着层13的2～10层的多层。
由此，能够进一步提高气体遮断性或耐候性。
该层叠片20能够适合作为太阳能电池模块的背板、液晶显示器或有机
EL显示器或照明用有机EL显示器等用途来利用。
[实施例]
接着，对本发明的实施例与比较例一同进行详细说明。
<实施例1>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯
度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：20摩尔％、SiO2：80摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例2>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯
度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例3>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯
度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：80摩尔％、SiO2：20摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例4>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯
度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：20摩尔％、Al2O3：80摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例5>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯
度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例6>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯
度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：80摩尔％、Al2O3：20摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例7>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯
度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：20摩尔％、TiO2：80摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例8>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯
度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例9>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯
度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：80摩尔％、TiO2：20摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例10>
分别准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度CaO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯
度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为CaO：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CaO颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CaO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例11>
分别准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度CaO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯
度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为CaO：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CaO颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CaO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例12>
分别准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度CaO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯
度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)同
时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为CaO：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CaO颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CaO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例13>
分别准备平均粒径为0.9μm、纯度为99.7％的高纯度MgO粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高
纯度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为MgO：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的MgO颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的MgO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例14>
分别准备平均粒径为0.9μm、纯度为99.7％的高纯度MgO粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高
纯度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为MgO：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的MgO颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的MgO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例15>
分别准备平均粒径为0.9μm、纯度为99.7％的高纯度MgO粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高
纯度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为MgO：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的MgO颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的MgO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例16>
分别准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SnO2粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高
纯度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为SnO2：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的SnO2颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SnO2、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例17>
分别准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SnO2粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高
纯度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为SnO2：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的SnO2颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SnO2、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例18>
分别准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SnO2粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高
纯度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为SnO2：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的SnO2颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SnO2、TiO2的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例19>
分别准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.5％的高纯度CeO2粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高
纯度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为CeO2：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CeO2颗粒及
SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CeO2、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于
以下表1中。
<实施例20>
分别准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.5％的高纯度CeO2粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高
纯度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为CeO2：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CeO2颗粒及
Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CeO2、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例21>
分别准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.5％的高纯度CeO2粉末作为升
华性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高
纯度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)
同时蒸镀的共蒸镀，控制膜中的含有率成为CeO2：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，
成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CeO2颗粒及
TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CeO2、TiO2的含有率及薄膜的碱度示
于以下表1中。
<实施例22>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯
度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过电子束蒸镀法(EB法)同时蒸镀的共
蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，成膜膜厚为
100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及SiO2颗粒的
平均粒径、薄膜中所含的ZnO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于以下表1中。
<实施例23>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯
度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过电子束蒸镀法(EB法)同时蒸镀的
共蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，成膜膜厚
为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及Al2O3颗粒
的平均粒径、薄膜中所含的ZnO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示于以下表2
中。
<实施例24>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯
度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过电子束蒸镀法(EB法)同时蒸镀的共
蒸镀，控制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，成膜膜厚为
100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及TiO2颗粒的
平均粒径、薄膜中所含的ZnO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<实施例25>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯
度SiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过电阻加热法同时蒸镀的共蒸镀，控制
膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、SiO2：50摩尔％，成膜膜厚为100nm的薄
膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及SiO2颗粒的平均粒径、
薄膜中所含的ZnO、SiO2的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<实施例26>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯
度Al2O3粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，
在厚度为75μm的PET膜上，利用通过电阻加热法同时蒸镀的共蒸镀，控
制膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、Al2O3：50摩尔％，成膜膜厚为100nm的
薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及Al2O3颗粒的平均粒径、
薄膜中所含的ZnO、Al2O3的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<实施例27>
分别准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华
性蒸镀材的第1氧化物粉末，准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯
度TiO2粉末作为熔融性蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述2种蒸镀材，在
厚度为75μm的PET膜上，利用通过电阻加热法同时蒸镀的共蒸镀，控制
膜中的含有率成为ZnO：50摩尔％、TiO2：50摩尔％，成膜膜厚为100nm的薄
膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒及TiO2颗粒的平均粒径、
薄膜中所含的ZnO、TiO2的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例1>
准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华性蒸
镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形
成薄膜片。将蒸镀材中所含的ZnO颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO的
含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例2>
准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SiO2粉末作为熔融性蒸
镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形
成薄膜片。将蒸镀材中所含的SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SiO2的
含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例3>
准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度Al2O3粉末作为熔融性
蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并
形成薄膜片。将蒸镀材中所含的Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的Al2O3
的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例4>
准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯度TiO2粉末作为熔融性
蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并
形成薄膜片。将蒸镀材中所含的TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的TiO2
的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例5>
准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度CaO粉末作为升华性蒸
镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形
成薄膜片。将蒸镀材中所含的CaO颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CaO的
含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例6>
准备平均粒径为0.9μm、纯度为99.7％的高纯度MgO粉末作为升华性
蒸镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并
形成薄膜片。将蒸镀材中所含的MgO颗粒的平均粒径、薄膜中所含的MgO
的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例7>
准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SnO2粉末作为升华性
蒸镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并
形成薄膜片。将蒸镀材中所含的SnO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SnO2
的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例8>
准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.5％的高纯度CeO2粉末作为升华性
蒸镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过反应性等离子体蒸镀法(RPD法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并
形成薄膜片。将蒸镀材中所含的CeO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的CeO2
的含有率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例9>
准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华性蒸
镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过电子束蒸镀法(EB法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。
将蒸镀材中所含的ZnO颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO的含有率及薄
膜的碱度示于以下表2中。
<比较例10>
准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SiO2粉末作为熔融性蒸
镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过电子束蒸镀法(EB法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。
将蒸镀材中所含的SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SiO2的含有率及薄
膜的碱度示于以下表2中。
<比较例11>
准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度Al2O3粉末作为熔融性
蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过电子束蒸镀法(EB法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜
片。将蒸镀材中所含的Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的Al2O3的含有
率及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例12>
准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯度TiO2粉末作为熔融性
蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过电子束蒸镀法(EB法)成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜
片。将蒸镀材中所含的TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的TiO2的含有率
及薄膜的碱度示于以下表2中。
<比较例13>
准备平均粒径为0.8μm、纯度为99.8％的高纯度ZnO粉末作为升华性蒸
镀材的第1氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过电阻加热法成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中
所含的ZnO颗粒的平均粒径、薄膜中所含的ZnO的含有率及薄膜的碱度示
于以下表2中。
<比较例14>
准备平均粒径为0.7μm、纯度为99.8％的高纯度SiO2粉末作为熔融性蒸
镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET膜
上，通过电阻加热法成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材中
所含的SiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的SiO2的含有率及薄膜的碱度示
于以下表2中。
<比较例15>
准备平均粒径为0.6μm、纯度为99.8％的高纯度Al2O3粉末作为熔融性
蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过电阻加热法成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材
中所含的Al2O3颗粒的平均粒径、薄膜中所含的Al2O3的含有率及薄膜的碱
度示于以下表2中。
<比较例16>
准备平均粒径为0.4μm、纯度为99.8％的高纯度TiO2粉末作为熔融性
蒸镀材的第2氧化物粉末。使用上述单一蒸镀材，在厚度为75μm的PET
膜上，通过电阻加热法成膜膜厚为100nm的薄膜，并形成薄膜片。将蒸镀材
中所含的TiO2颗粒的平均粒径、薄膜中所含的TiO2的含有率及薄膜的碱度
示于以下表2中。
<比较试验及评价1>
通过下述计算公式求出示于以下表1～表2的薄膜中所含的第1氧化物
和第2氧化物在膜中的含有率(mol％)。
膜厚如下测定，即分别在第1氧化物和第2氧化物的蒸镀源的上部设置
膜测厚仪，测定来自各蒸镀源的蒸镀膜的厚度。
共蒸镀的遮断膜的膜厚t＝t1+t2
其中，t1为第1氧化物的膜厚，t2为第2氧化物的膜厚。
10cm×10cm角基板上的膜重w
第1氧化物的膜重w1＝t1×10-7×10×10×d1
第2氧化物的膜重w2＝t2×10-7×10×10×d2
其中，d1为第1氧化物的理论密度，d2为第2氧化物的理论密度。
膜中的第1氧化物的分子量Mol1＝w1/M1
膜中的第2氧化物的分子量Mol2＝w2/M2
其中，M1为第1氧化物的分子量，M2为第2氧化物的分子量。
第1氧化物在膜中的含有率(mol％)＝Mol1/(Mol1+Mol2)×100
第2氧化物在膜中的含有率(mol％)＝Mol2/(Mol1+Mol2)×100
接着，对在实施例1～27及比较例1～16中得到的薄膜片测定水蒸气渗
透率，并评价气体遮断性。另外，对这些薄膜片进行透光率测定，并评价透
明性。将这些结果示于以下表1～表2中。
(1)气体遮断性：将薄膜片在设定为温度20℃、相对湿度50％RH的绝
对无尘室内放置1小时之后，利用MOCON公司制造的水蒸气渗透率测定装
置(型号名称为PERMATRAN-W型3/33)，在温度40℃、相对湿度90％RH
的条件下测定水蒸气渗透率。
(2)透光率：利用株式会社日立制作所公司制造的分光光度计(型号
名称为U-4000)，对薄膜片测定380～780nm波长中的透光率。
[表1]
[表2]
从表1及表2中显而易见，使用单一蒸镀材成膜的比较例1～16的薄膜
片中，作为结果透光率方面得到85～99％的高透光率，但水蒸气渗透率S较
大，气体遮断性较差。
另一方面，使用2种蒸镀材并通过共蒸镀成膜的实施例1～27的薄膜片
中，透光率方面得到85～91％的高透光率，水蒸气渗透率S为0.18g/m2·天
以下，其中，在实施例1～3、实施例5、实施例7、实施例8、实施例10～
20、实施例22～25中为0.1g/m2·天以下。
另外，若分别对利用在相同条件下得到的蒸镀材且以不同方法分别进行
成膜的实施例2、22、25或实施例5、23、26、实施例8、24、27、比较例1～
4、比较例9～12、比较例13～16进行比较，则根据评价项目可发现稍差于
通过RPD法成膜的薄膜的倾向，但通过EB法成膜的实施例22、23、24、通
过电阻加热法成膜的实施例25、26、27的薄膜也判断为具备充分的气体遮断
性及透明性。
从这些结果可以确认，利用本发明的共蒸镀成膜的薄膜具有非常优异的
气体遮断性及透明性。
产业上的可利用性
本发明的薄膜的透明性、气体遮断性等各种特性优异，因此尤其能够适
合作为液晶显示器、有机EL显示器、等离子显示器或太阳能电池模块等的
气体遮断性材料利用。