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1、(10)申请公布号 CN 102482074 A (43)申请公布日 2012.05.30 CN 102482074 A *CN102482074A* (21)申请号 201080039064.2 (22)申请日 2010.08.02 102009029184.9 2009.09.03 DE B81C 1/00(2006.01) (71)申请人 罗伯特博世有限公司 地址 德国斯图加特 (72)发明人 S平特 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 曾立 (54) 发明名称 加盖的微机械构件的制造方法、 相应的微机 械构件以及用于微机械构件的盖板 (57) 摘要 本发。
2、明提出用于加盖的微机械构件的制造方 法, 相应的微机械构件和用于微机械构件的盖板。 所述方法具有如下步骤 : 形成具有多个穿孔 (K ; K ) 的中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) ; 将盖衬底 (KD ; KD ) 层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的 前侧 (VS ; VS ) 上, 所述盖衬底在所述前侧 (VS ; VS ) 上封闭所述穿孔 (K ; K ) ; 将 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ) 层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的 背侧 (RS, RS ) 上 ; 其中, 使所述 MEMS 功能晶片 (3 ; 。
3、3 ) 相对于所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 如 此定向, 使得所述穿孔 (K ; K ) 形成所述 MEMS 功 能晶片 (3 ; 3 ) 的相应功能区域 (FB, FB ) 上方 的相应空腔。 (30)优先权数据 (85)PCT申请进入国家阶段日 2012.03.02 (86)PCT申请的申请数据 PCT/EP2010/061185 2010.08.02 (87)PCT申请的公布数据 WO2011/026699 DE 2011.03.10 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 4 页 附图 5 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申。
4、请 权利要求书 2 页 说明书 4 页 附图 5 页 1/2 页 2 1. 用于微机械构件的制造方法, 所述制造方法具有如下步骤 : 形成具有多个穿孔 (K ; K ) 的中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) ; 将盖衬底 (KD ; KD ) 层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的前侧 (VS ; VS ) 上, 所述 盖衬底在所述前侧 (VS ; VS ) 上封闭所述穿孔 (K ; K ) ; 将 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ) 层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的背侧 (RS, RS ) 上 ; 其中, 使所述 MEMS。
5、 功能晶片 (3 ; 3 ) 相对于所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 如此定向, 使得所述穿孔 (K ; K ) 形成所述 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ) 的相应功能区域 (FB, FB ) 上方的 相应空腔。 2. 根据权利要求 1 所述的方法, 其中, 所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 和 / 或所述盖衬 底 (KD ; KD ) 具有塑料膜 (KS ; KS )。 3. 根据权利要求 1 或 2 所述的方法, 其中, 所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 具有施加在 所述中间衬底上的、 前侧的和背侧的附着层 (H1, H2 ;。
6、 H1 , H2 )。 4. 根据以上权利要求中任一项所述的方法, 其中, 所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 在所 述前侧 (VS) 上具有金属层 (M1)。 5. 根据权利要求 1 或 2 所述的方法, 其中, 所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 具有前侧的 和背侧的保护膜 (S1, S2 ; S2 ), 在形成所述穿孔 (K, K ) 之后去除所述保护膜以层压所述 盖衬底 (KD ; KD ) 和所述 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 )。 6. 根据以上权利要求中任一项所述的方法, 其中, 在层压所述盖衬底 (KD) 之后并且在 层压所述 MEMS 。
7、功能晶片 (3) 之前, 相对于所述穿孔 (K) 在侧向上错开地形成穿过所述中间 衬底 (1, 1 , 1” ) 和层压上的盖衬底 (KD) 的通孔 (D), 其中, 在层压时使所述 MEMS 功能晶片 (3) 相对于所述中间衬底 (1, 1 , 1” ) 如此定向, 使得所述通孔 (D) 设置在所述 MEMS 功能晶 片 (3) 的相应接触区域 (KP) 的上方。 7. 根据权利要求 1 至 5 中任一项所述的方法, 其中, 在所述中间衬底 (2, 2 ) 中和在 所述盖衬底 (KD ) 中设置重新布线装置 (DK1, DK2), 其中, 在层压时使所述 MEMS 功能晶片 (3 ) 相对于。
8、所述中间衬底 (2, 2 ) 如此定向, 使得所述重新布线装置 (DK1, DK2) 设置在所 述 MEMS 功能晶片 (3 ) 的相应接触区域 (KP1, KP2) 的上方。 8. 根据权利要求 7 所述的方法, 其中, 在层压之前, 在所述重新布线装置 (DK1, DK2) 和 所述 MEMS 功能晶片 (3 ) 的相应接触区域 (KP1, KP2) 之间设置导电粘合剂 (LK)。 9. 根据以上权利要求中任一项所述的方法, 其中, 在所述盖衬底 (KD ; KD ) 上设置上侧 的保护膜 (S3 ; S3 ), 所述保护膜在层压所述 MEMS 功能晶片 (3) 之后被去除。 10. 根据。
9、以上权利要求中任一项所述的方法, 其中, 将基座衬底 (SS) 层压到所述 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ) 的与所述盖衬底 (KD ; KD ) 相对置的侧面上。 11. 根据以上权利要求中任一项所述的方法, 其中, 所述功能区域 (FB ; FB ) 具有相应 的膜片区域 (ME ; ME )。 12. 微机械构件, 其具有 : 具有多个穿孔 (K ; K ) 的中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) ; 盖衬底 (KD ; KD ), 所述盖衬底被层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的前侧 (VS ; VS ) 上, 所述盖衬底在所述前侧 (VS ;。
10、 VS ) 上封闭所述穿孔 (K ; K ) ; 权 利 要 求 书 CN 102482074 A 2 2/2 页 3 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ), 所述 MEMS 功能晶片被层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的背侧 (RS ; RS ) 上 ; 其中, 所述 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ) 相对于所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 如此定向, 使 得所述穿孔 (K ; K ) 形成所述 MEMS 功能晶片 (3 ; 3 ) 的相应功能区域 (FB ; FB ) 上方的相 应空腔。 13.根据权利要求12所述的微机械构件, 其中, 形。
11、成有穿过所述中间衬底(1, 1 , 1” )和 层压上的盖衬底 (KD) 的穿孔 (D), 其中, 所述 MEMS 功能晶片 (3) 相对于所述中间衬底 (1, 1 , 1” ) 如此定向, 使得所述通孔 (D) 设置在所述 MEMS 功能晶片 (3) 的相应接触区域 (KP) 的上方。 14. 根据权利要求 10 所述的微机械构件, 其中, 在所述中间衬底 (2, 2 ) 中和在所述盖 衬底 (KD ) 中设有重新布线装置 (DK1, DK2), 其中, 所述 MEMS 功能晶片 (3 ) 相对于所述 中间衬底 (2, 2 ) 如此定向, 使得所述重新布线装置 (DK1, DK2) 设置在所。
12、述 MEMS 功能晶片 (3 ) 的相应接触区域 (KP1, KP2) 的上方。 15. 用于微机械构件的盖板, 所述盖板具有 : 具有多个穿孔 (K ; K ) 的中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) ; 盖衬底 (KD ; KD ), 其被层压到所述中间衬底 (1, 1 , 1” ; 2, 2 ) 的前侧 (VS ; VS ) 上, 所述盖衬底在所述前侧 (VS ; VS ) 上封闭所述穿孔 (K ; K )。 权 利 要 求 书 CN 102482074 A 3 1/4 页 4 加盖的微机械构件的制造方法、 相应的微机械构件以及用 于微机械构件的盖板 技术领域 0001 本发。
13、明涉及一种加盖的微机械构件的制造方法、 相应的微机械构件以及微机械构 件的盖板。 背景技术 0002 尽管可应用于任意的微机械构件, 但在硅技术中的微机械构件方面阐述本发明和 其所基于的背景。 0003 必须保护 MEMS 构件 (MEMS Micro Electro Mechanical System : 微机电系统 ) 以免损害性的外部环境影响例如潮湿、 侵蚀性介质等。同样需要保护以免机械接触 / 损毁以及能够通过锯切由晶片复合结构分割成芯片。 0004 过去, MEMS 构件的封装借助由硅、 玻璃或者由二者构成的复合结构制成的盖晶片 实现, 所述盖晶片具有空腔和通孔。为此, 相对于具有 。
14、MEMS 结构的晶片来调整盖晶片并且 使所述盖晶片与具有 MEMS 结构的晶片接合。不仅可以通过阳极键合 ( 玻璃与硅之间的无 接合剂的连接 )、 通过共晶接合层而且可以通过玻璃焊料或粘合剂来实现所述接合。MEMS 构件位于盖晶片的空腔下方。 用于将部件与薄的引线电连接的电键合盘是可通过盖晶片中 的通孔到达的。 0005 对于光学 MEMS(MOEMS), 例如对于微镜, 不仅需要以上描述的保护、 用于电连接的 通孔而且需要空腔上方的相应光学窗, 所述光学窗具有高品质并且在必要时也具有专门的 光学涂层。 0006 迄今的应用例如用于测量加速度、 转速和压力的微机械传感器对封装的密封 性提出高要。
15、求。出于这一原因, 主要实现借助玻璃和 / 或硅晶片通过阳极键合、 玻璃焊料键 合或者共晶键合的昂贵密封封装方法。 0007 对于要求保护以免机械接触 / 损毁以及能够实现通过锯切的分割但对封装的密 封性没有提出高要求的较新应用而言, 已经开发了用于保护盖板的其他成本有利的材料或 者其他接合方法。 0008 近年来, 尤其开发了一种新的加盖方法薄层加盖, 其省去盖晶片并且取代盖 晶片在需暴露的微机械结构与借助常用的沉积工艺产生的、 作为盖层的硅层之间形成空腔 或者空洞。 0009 在 DE 10 2006 049 259 A1 中公开了一种用于制造具盖层的微机械构件的方法, 其中, 在填充层上。
16、沉积一个盖层并且随后在所述盖层中产生微孔。 随后, 通过借助引导穿过 微孔的 ClF3进行的气相蚀刻去除所述填充层, 其中, 如此调节蚀刻混合物的选择性和填充 层的组分, 使得相对于盖层的选择性足够大, 以便不侵蚀所述盖层。 在去除填充层之后通过 沉积封闭层来密封微孔。 0010 DE 10 2007 022 509 A1 公开了一种用于具有薄层加盖的微机械部件的制造方 法, 其中, 在空洞中封闭了具有基于聚合物分解的非大气组分的气体。 说 明 书 CN 102482074 A 4 2/4 页 5 发明内容 0011 根据权利要求 1 所述的用于加盖的微机械构件的根据本发明的制造方法以及根 据。
17、权利要求 12 所述的相应微机械构件的特征在于低制造成本。光学窗或电敷镀通孔和印 制导线可集成到盖衬底中。 0012 本发明的核心在于, 在中间衬底(例如, 塑料膜和两个可选的附着层)中在后来的 空腔的位置上例如通过冲制设有穿孔。随后将中间衬底层压到未冲制的盖衬底 ( 例如另一 塑料膜 ) 上。 0013 随后, 可以在可能期望的通孔的位置上冲制出复合结构中的两个衬底 ( 即盖衬底 和中间衬底 ) 的材料。结果是得到的具有空腔和通孔的层压板。最后, 将得到的层压板层 压到 MEMS 功能晶片上。 0014 例如双轴定向的聚酯膜 (boPET)例如适于 作为用于层压板或盖衬底和中间衬底的塑料膜,。
18、 所述双轴定向的聚酯膜即使在更高温度下 也具有高的形状稳定性。为了以所期望的程度减小湿气和气体的渗透率, 可以在层压板上 或层压板中设置金属层。所述金属层在不透明的和透明的实施方式中厚度为大约 50m 至 1400m。 0015 在中间衬底或盖衬底中, 也可以在一侧或者在两侧施加附着层或保护膜。可以毫 无问题地一起在中间衬底中的附着层或保护膜中冲压空腔。 由于已施加到相应膜上的附着 层, 不需要用于施加接合层的附加处理。如果设置附加的保护膜, 则可以实现简化的处理。 0016 因为在用于柔性印刷电路板的电子装置中使用这样的一些层, 所以这些层也可在 具有不同涂层(漆、 墨、 光敏乳剂或用于电印。
19、制导线和敷镀通孔的铜层)的可焊接实施方式 中获得。衬底膜材料不限于以上提到的材料。当然也可以使用其他的、 例如适于印刷电路 板的材料。 0017 除了已提到的优点以外, 本发明还提供了如下优点 : 能够以非常小的厚度来实现 盖衬底或中间衬底。同样可以实现简单、 快速且成本有利的锯切或其他分割。 0018 同样可以毫无问题地实现塑料膜与硅或玻璃或其他晶片材料的层压板。 0019 在从属权利要求中提到的特征涉及本发明相关主题的有利扩展方案和改进方案。 附图说明 0020 在附图中示出并且在以下的描述中详细阐述本发明的实施例。 0021 附图示出 : 0022 图 1a-h : 用于阐述根据本发明的。
20、第一实施方式的用于加盖的微机械构件的制造 方法的示意性横截面图 ; 以及 0023 图 2a-e : 用于阐述根据本发明的第二实施方式的用于加盖的微机械构件的制造 方法的示意性横截面图。 具体实施方式 0024 在附图中, 相同的附图标记表示相同的或功能相同的元件。 0025 图 1a-h 示出用于阐述根据本发明的第一实施方式的加盖的微机械构件的制造方 说 明 书 CN 102482074 A 5 3/4 页 6 法的示意性横截面示图。 0026 在图 1a 中附图标记 1 表示中间衬底, 所述中间衬底具有如下组件 : 例如由 或构成塑料膜 KS ; 溅镀到所述塑料膜 KS 上的、 由铝构成的。
21、 金属层M1 ; 设置在金属层M1上的、 由塑料粘合材料构成的第一附着层H1 ; 设置在塑料膜KS 下方的、 由塑料粘合材料构成的第二附着层 H2 ; 第一附着层 H1 上的第一保护膜 S1 和第二 附着层 H2 上的第二保护膜 S2。在此, 中间衬底 1 的核心组成部分是塑料膜 KS, 其中, 其余 的层是可选的。 0027 如图 1b 中示出的, 随后进行微冲制步骤, 以在以后待加盖的微机械构件的空腔所 在的位置上产生穿孔 K。 0028 继续参照图 1c, 去除中间衬底 1 的前侧的衬底膜 S1 并且在所述侧面上将盖衬底 KD 层压到暴露的、 前侧的第一附着层 H1 上, 所述盖衬底由另。
22、一塑料膜或者晶片材料构成, 所述另一塑料膜例如由或构成。盖衬底 KD 可选地在上侧 同样承载保护膜, 所述保护膜标有附图标记 S3。通过所述层压, 盖衬底 KD 在从第一保护膜 S1 露出的中间衬底 1 的前侧 VS 上封闭穿孔 K。 0029 如在图 1d 示出的, 随后在中间衬底 1 和具有保护膜 S3 的、 层压上的盖衬底 KD 中 设置通孔 D, 所述通孔相对于穿孔 K 在侧向上错开。通孔 D 随后应使 MEMS 功能晶片 3 的接 触区域 KP 可到达 ( 参见图 1e)。 0030 如在图 1e 中示出的, 在随后的步骤中, 使由从第二保护膜 S2 露出的中间衬底 1” 和盖衬底 。
23、KD 组成的层压板关于具有多个构件的待加盖的 MEMS 功能晶片 3 定向, 更确切地 说, 如此定向, 使得穿孔 K( 在图 1 中仅仅示出其中一个穿孔 ) 形成 MEMS 功能晶片 3 的相应 功能区域 FB 的上方的相应空腔。同样, 使通孔 D( 在图 1 中仅仅示出了其中一个通孔 ) 如 此定向, 使得其设置在 MEMS 功能晶片 3 的相应接触区域 KP 的上方。 0031 附加地, 在当前实施例中, 由玻璃制成的基座衬底SS相对于MEMS功能晶片的背侧 定向, 以便从那里封闭分别具有一个膜片区域 ME 的、 被掏空的功能区域 FB, 其中, 所述基座 衬底可选地涂覆由铝制成的金属层。
24、 M2 和位于所述金属层 M2 上方的、 由塑料粘合剂制成的 附着层 H3。这种功能区域 FB 例如可以具有微镜的结构。 0032 在根据图1e的完全定向之后, 如图1f中示出的, 在压力下并且在必要时在更高的 温度下将基座衬底 SS、 MEMS 功能晶片 3 和与盖衬底 KD 连接的中间衬底 1” 接合在一起, 以 便形成在图 1f 中示出的复合结构。随后通过剥除将保护膜 S3 从盖衬底 KD 的上侧去除。 0033 继续参照图 1g, 随后通过锯切进行构件的分割, 其中, 在图 1g 中示意性地表示锯 切线 SL1、 SL2。 0034 在锯切之后得到在图 1h 中示出的加盖的芯片 C, 。
25、其在当前示例中是微镜芯片。 0035 图 2a-e 示出用于阐述根据本发明的第二实施方式的加盖的微机械构件的制造方 法的示意性横截面图。 0036 图2a中示出的第二实施例的处理状态相应于在图1c中示出的第一实施例的处理 状态。 0037 与第一实施例不同地, 第二实施例的中间衬底 2 在其前侧 VS 上不具有金属层, 而 是附着层 H1 施加在塑料膜 KS 上。同样在塑料膜 KS 上施加背侧的附着层 H2 , 所述背侧 的附着层具有位于其上方的保护膜 S2 。层压到中间衬底 2 上的盖衬底 KD 承载前侧的保 说 明 书 CN 102482074 A 6 4/4 页 7 护膜 S3 。 00。
26、38 此外, 第二实施方式与第一实施方式的不同在于 : 没有设置通孔 D, 而是在中间衬 底 2 中和在盖衬底 KD 中设有重新布线装置 DK1、 DK2, 其从附着层 HS 的背侧一直延伸到 盖衬底 KD 的前侧。 0039 在剥除背侧的保护膜 S2 之后, 如在图 2b 中示出的, 在由中间衬底 2 和盖衬底 KD 构成的层压板的背侧上在敷镀通孔 DK1、 DK2 的暴露区域上施加导电粘合剂 LK。这例如 可以通过丝网印刷来实现。 0040 在图 2c 中示出由从保护膜 S2 露出的具有层压上的盖衬底 KD 的中间衬底 2 相 对于 MEMS 功能晶片 3 的定向, 所述 MEMS 功能晶。
27、片具有功能区域 FB , 所述功能区域 FB 具 有膜片区域 ME 。在本实施方式中, 在功能区域 FB 旁, 在 MEMS 功能晶片 3 的上侧上设有 接触区域 KP1 或 KP2。 0041 所述布置类似于以上第一实施例 : 穿孔 K 形成具有 MEMS 功能晶片 3 的膜片区域 ME 的相应功能区域 FB 上方的相应空腔, 并且重新布线装置 DK1、 DK2 设置在 MEMS 功能晶 片 3 的相应接触区域 KP1、 KP2 的上方。 0042 在完全定向之后, 在压力下并且在必要时在更高的温度下进行层压, 这导致根据 图 1d 的处理状态。 0043 在本实施例中不提供通过基座衬底的背。
28、侧盖板, 但可选同样是可能的。 0044 根据图 1g, 在图 2d 中设有锯切线 SL1 和 SL2 , 沿着所述锯切线进行晶片的锯切 以分割成各个芯片 C , 如在图 2e 中示出的。 0045 尽管以上借助优选的实施例描述了本发明, 但本发明不限于此, 而是可以通过多 种方式进行修改。 0046 尤其是, 材料仅仅是示例性的并且可由其他具有所要求的机械和 / 或光学特性的 材料替代。 0047 尽管在以上描述的第一实施例中中间衬底上的金属层是溅镀的铝层, 但也可以设 置例如光学有效的其他涂层, 例如使用滤光涂层、 抗反射涂层、 偏振涂层等等。 0048 尽管在以上描述的实施方式中提到塑料。
29、膜例如或 作为中间衬底和盖衬底的示例或者用于基座衬底的玻璃, 但也可以使用其他材 料用于这些衬底。 0049 衬底 KS、 KD 或 SS 原则上也可以都由金属膜、 玻璃、 硅或其他合适的塑料构成。 说 明 书 CN 102482074 A 7 1/5 页 8 图 1a 图 1b 图 1c 图 1d 说 明 书 附 图 CN 102482074 A 8 2/5 页 9 图 1e 图 1f 说 明 书 附 图 CN 102482074 A 9 3/5 页 10 图 1g 图 1h 图 2a 说 明 书 附 图 CN 102482074 A 10 4/5 页 11 图 2b 图 2c 图 2d 说 明 书 附 图 CN 102482074 A 11 5/5 页 12 图 2e 说 明 书 附 图 CN 102482074 A 12 。