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1、(10)申请公布号 CN 102383182 A (43)申请公布日 2012.03.21 CN 102383182 A *CN102383182A* (21)申请号 201110323505.8 (22)申请日 2011.10.23 C30B 9/12(2006.01) C30B 29/10(2006.01) (71)申请人 福建福晶科技股份有限公司 地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路 155 号华晶楼 (72)发明人 王昌运 陈伟 吴少凡 (54) 发明名称 一种减少 BBO 晶体中心包络的熔盐生长法 (57) 摘要 一种减少 BBO 晶体中心包络的熔盐生长法， 采用碳酸钡和硼。
2、酸为主要原料， 氟化钠为助熔剂， 采用旋转式熔盐生长炉， 所述旋转式熔盐生长炉 的炉丝非均匀分布， 通过旋转加热得到不对称温 场， 加强熔体对流， 解决 BBO 晶体中心包络问题。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 1 页 CN 102383198 A1/1 页 2 1. 一种减少 BBO 晶体中心包络的熔盐生长法， 采用碳酸钡和硼酸为原料， 氟化钠为助 熔剂， 使用旋转式熔盐炉加热， 其特征在于 ： 所述旋转式熔盐炉的炉丝非均匀分布。 权 利 要 求 书 CN 102383182 A CN 102383198 A1。
3、/1 页 3 一种减少 BBO 晶体中心包络的熔盐生长法 技术领域 0001 本发明涉及晶体生长领域， 特别是一种减少 BBO 晶体中心包络的熔盐生长法。 背景技术 0002 低温相偏硼酸钡 -BaB2O4 是一种非常重要的新型非线性晶体， 具有宽的透光范 围， 大的有效倍频系数， 大的双折射率和高的激光损伤阈值， 广泛运用于激光倍频， 目前还 未见有性能更好的材料取代它。本发明 虽然该晶体具有优异的性能， 但是实际晶体生长想要得到大尺寸优质的晶体毛坯并不 容易， 晶体中存在一些质量问题 ： 主要有中间包络、 气泡、 生长纹等。 0003 本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料， 氟化钠为助熔剂， 。
4、通过改进生长工艺， 采用 旋转炉， 改变温场分布形式， 有效解决中间包络问题。 发明内容 0004 本发明的目的是探究一种解决 BBO 晶体中间包络问题的方法。 0005 为解决 BBO 晶体中间包络问题， 本发明通过如下方式实现 ： 采用碳酸钡和硼酸为 主要原料， 氟化钠为助熔剂， 采用旋转式熔盐生长炉， 旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀缝 补， 通过炉管四分之一不绕炉丝， 旋转加热得到不对称温场， 加强熔体对流， 解决 BBO 晶体 中心包络问题。 具体实施方式 0006 实施例一 ： 称取一定量的碳酸钡、 硼酸和氟化钠， 满足 BaB2O4:NaF=2:1（摩尔比） 于原料桶中混匀。 将混好的料于1000的硅碳棒炉中熔解至反应完全。 将熔好的料倒入铂 金坩锅置于旋转炉中， 升温至980， 恒温18h， 而后在饱和温度以上10下。 将事先固定在 籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面， 10r/min 转动， 半小时之后降 7， 晶体开始生长， 以 后每天0.1/h降温， 直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转， 炉子开始以5r/min旋转， 继续 降温生长。降温至 800， 生长结束， 提起晶体， 以 50 /h 退火至室温， 得到中间无包络的 晶体。 说 明 书 CN 102383182 A 。