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1、(10)申请公布号 CN 102357477 A (43)申请公布日 2012.02.22 CN 102357477 A *CN102357477A* (21)申请号 201110287191.0 (22)申请日 2011.09.23 B08B 3/00(2006.01) H01L 21/67(2006.01) (71)申请人 北京七星华创电子股份有限公司 地址 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路 1 号 M2 号楼 2 层 (72)发明人 刘效岩 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 代理人 王莹 (54) 发明名称 防污染装置 (57) 摘要 本发明公开了一种。
2、防污染装置， 涉及半导体 晶片工艺技术领域， 包括 ： 吹扫单元、 供气管道和 气体供应单元， 在所述吹扫单元内设有通气管， 所 述吹扫单元的上端设有若干第一气孔， 所述若干 第一气孔分别与所述通气管连通， 所述供气管道 的一端与所述通气管连通， 所述供气管道的另一 端与所述气体供应单元连通。本发明通过设置吹 扫单元， 实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边 缘进入晶片背面， 从而防止晶片背面和边缘形成 缺陷。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 CN 102357487 A1/1 页 2 1. 一种。
3、防污染装置， 其特征在于， 包括 ： 吹扫单元、 供气管道和气体供应单元， 在所述 吹扫单元内设有通气管， 所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔， 所述若干第一气孔分别 与所述通气管连通， 所述供气管道的一端与所述通气管连通， 所述供气管道的另一端与所 述气体供应单元连通。 2. 如权利要求 1 所述的装置， 其特征在于， 所述吹扫单元为中空的圆台形、 且上底面的 直径小于下底面的直径， 所述通气管绕所述吹扫单元的圆周方向一周设置， 所述吹扫单元 上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角。 3. 如权利要求 2 所述的装置， 其特征在于， 所述吹扫单元的上端为圆环形， 所述圆环形 的外圆与所述吹扫单。
4、元的外侧壁连接， 所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁连接， 所述若干第一气孔设于所述吹扫单元的上端。 4. 如权利要求 3 所述的装置， 其特征在于， 所述若干第一气孔为竖直向上设置、 或按被 吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。 5. 如权利要求 1 所述的装置， 其特征在于， 所述供气管道包括 ： 自气体供应单元向吹扫 单元方向依次连通的中空管、 连接管和连接通道， 所述连接通道与所述吹扫单元的通气管 连通。 6. 如权利要求 5 所述的装置， 其特征在于， 所述连接通道沿所述吹扫单元的直径设置， 所述连接通道的外表面为柱体， 且横截面为梯形， 所述连接通。
5、道横截面的上底长度小于下 底长度、 且两腰之间呈钝角的夹角。 7. 如权利要求 6 所述的装置， 其特征在于， 所述连接通道的上端设有若干第二气孔， 所 述若干第二气孔分别与所述通气管连通。 8. 如权利要求 1 所述的装置， 其特征在于， 所述气体供应单元所供应的气体包括 ： 惰性 气体。 9. 如权利要求 8 所述的装置， 其特征在于， 所述气体供应单元所供应的气体还包括 ： 易 挥发气体， 所述易挥发气体为能够与水混溶、 且易挥发的气体。 10. 如权利要求 1 9 中任一项所述的装置， 其特征在于， 所述装置应用于单晶片清洗 设备中。 权 利 要 求 书 CN 102357477 A 。
6、CN 102357487 A1/3 页 3 防污染装置 技术领域 0001 本发明涉及半导体晶片工艺技术领域， 特别涉及一种防污染装置。 背景技术 0002 随着晶片的尺寸越来越大， 特征尺寸越来越小， 所要求的晶片表面的洁净度越来 越苛刻。 在晶片清洗过程中， 化学试剂及清洗产物易沿晶片边缘进入晶片背面， 使晶片背面 及边缘造成污染， 如果不能及时去除这种污染， 会使晶片背面和边缘造成缺陷， 尤其在后续 的高温处理工艺加工过程中， 会使背面及边缘的污染物扩散到正面， 严重影响晶片的质量， 而现有技术中， 并没有能够有效防止晶片背面及边缘污染的装置， 使得晶片的质量无法进 一步提高。 发明内容。
7、 0003 ( 一 ) 要解决的技术问题 0004 本发明要解决的技术问题是 ： 如何防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背 面， 从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。 0005 ( 二 ) 技术方案 0006 为解决上述技术问题， 本发明提供了一种防污染装置， 包括 ： 吹扫单元、 供气管道 和气体供应单元， 在所述吹扫单元内设有通气管， 所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔， 所述若干第一气孔分别与所述通气管连通， 所述供气管道的一端与所述通气管连通， 所述 供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。 0007 优选地， 所述吹扫单元为圆台形、 且上底面的直径小于下底面的直径， 所述通气管 绕所。
8、述吹扫单元的圆周方向一周设置， 所述吹扫单元上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为 锐角。 0008 优选地， 所述吹扫单元的上端为圆环形， 所述圆环形的外圆与所述吹扫单元的外 侧壁连接， 所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁连接， 所述若干第一气孔设于所述 吹扫单元的上端。 0009 优选地， 所述若干第一气孔为竖直向上设置、 或按被吹扫对象沿圆周旋转的切线 方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。 0010 优选地， 所述供气管道包括 ： 自气体供应单元向吹扫单元方向依次连通的中空管、 连接管和连接通道， 所述连接通道与所述吹扫单元的通气管连通。 0011 优选地， 所述连接通道沿所述吹扫单。
9、元的直径设置， 所述连接通道的外表面为柱 体， 且横截面为梯形， 所述连接通道横截面的上底长度小于下底长度、 且两腰之间呈钝角的 夹角。 0012 优选地， 所述连接通道的上端设有若干第二气孔， 所述若干第二气孔分别与所述 通气管连通。 0013 优选地， 所述气体供应单元所供应的气体包括 ： 惰性气体。 说 明 书 CN 102357477 A CN 102357487 A2/3 页 4 0014 优选地， 所述气体供应单元所供应的气体还包括 ： 易挥发气体， 所述易挥发气体为 能够与水混溶、 且易挥发的气体。 0015 优选地， 所述装置应用于单晶片清洗设备中。 0016 ( 三 ) 有益。
10、效果 0017 本发明通过设置吹扫单元， 实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背 面， 从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。 附图说明 0018 图 1 是按照本发明一种实施方式的防污染装置的结构示意图 ； 0019 图 2 是图 1 所示的防污染装置的俯视图 ； 0020 图 3 是图 2 所示的防污染装置的局部放大图。 0021 图 4 是图 1 所示的防污染装置的仰视图 ； 具体实施方式 0022 下面结合附图和实施例， 对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施 例用于说明本发明， 但不用来限制本发明的范围。 0023 图 1 是按照本发明一种实施方式的防污染装置的结构示意图。
11、， 包括 ： 吹扫单元 1、 供气管道和气体供应单元， 在所述吹扫单元 1 内设有通气管 2， 所述吹扫单元 1 的上端设有 若干第一气孔 3， 所述若干第一气孔 3 分别与所述通气管 2 连通， 所述通气管 2 与所述供气 管道的一端连通， 所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。 0024 优选地， 所述吹扫单元 1 为中空的圆台形、 且上底面的直径小于下底面的直径， 所 述通气管绕所述吹扫单元 1 的圆周方向一周设置， 所述吹扫单元 1 上端的外侧壁与内侧壁 之间的夹角为锐角。 0025 为方便所述若干第一气孔 3 的设置， 优选地， 所述吹扫单元的上端为圆环形， 所述 圆环形的外圆。
12、与所述吹扫单元的外侧壁连接， 所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁 连接， 所述若干第一气孔设于所述吹扫单元的上端。 0026 优选地， 所述若干第一气孔 3 为竖直向上设置、 或被吹扫对象沿圆周旋转的切线 方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。 0027 优选地， 所述供气管道包括 ： 自气体供应单元向吹扫单元方向依次连通的中空管 4、 连接管 5 和连接通道 6， 所述连接通道 6 与所述吹扫单元 1 的通气管 2 连通。 0028 参照图 1 4， 优选地， 所述连接通道 6 沿所述吹扫单元 1 的直径设置， 所述连接 通道 6 的外表面 7 为柱体， 且横截面为梯形， 所述连接通。
13、道 6 横截面的上底长度大于下底长 度、 且两腰之间呈钝角的夹角， 所述连接通道 6 的外表面 7 的下端与所述中空管 4 连通， 所 述连接通道 6 通过安装孔 8 与所述中空管 4 连接。 0029 优选地， 所述连接通道 6 的上端设有若干第二气孔 9， 所述若干第二气孔 9 分别与 所述通气管 2 连通， 所述若干第一气孔和若干第二气孔的形状可以为圆形、 扇形、 三角形的 其中的一种或几种， 但不限于这几种形状。 0030 优选地， 所述气体供应单元所供应的气体包括 ： 惰性气体， 例如氩气、 氮气等。 0031 为加快去除晶片上的化学试剂及清洗产物产生的湿痕， 优选地， 所述气体供应。
14、单 说 明 书 CN 102357477 A CN 102357487 A3/3 页 5 元所供应的气体还包括 ： 易挥发气体， 所述易挥发气体为能够与水混溶、 且易挥发的气体， 该气体由醇类、 酮类及其一种或几种的混合溶剂加热后产生， 该混合溶剂在标准大气压下 的沸点为 70 85之间。 0032 优选地， 所述装置应用于单晶片清洗设备中， 本实施方式中， 所述单晶片清洗设备 包括 ： 中空的旋转轴 10、 与所述旋转轴 10 相连的旋转主体 11、 设于所述旋转主体上的晶片 支架 12、 喷嘴和阻挡侧壁， 所述中空管 4 设置于所述旋转轴 10 的中心， 在所述旋转轴 10 旋 转时， 所。
15、述中空管 4 不随所述旋转轴 10 旋转。 0033 本实施方式的防污染装置的工作原理为 ： 将晶片放置于晶片支架 12 上， 所述旋转 轴带动旋转主体旋转， 旋转主体通过晶片支架带动晶片在大于 0rpm、 且小于 2000rpm 的转 速下旋转运动， 晶片的上表面在被单晶片清洗设备中的喷嘴所喷射的化学试剂进行清洗， 由于晶片在旋转运动时， 使晶片上表面的化学试剂及清洗产物沿晶片切线方向运动， 但液 体本身的重力导致部分液滴会沿晶片边缘流下， 吹扫单元上的若干第一气孔不断吹扫晶片 边缘， 克服液滴的重力， 使得液滴沿晶片切线方向脱离晶片 ； 当晶片上表面的化学试剂及清 洗产物较多或晶片的转速不。
16、够， 导致有部分液滴沿晶片边缘向下滴落， 优选地， 所述吹扫单 元上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角， 可防止滴落的液滴对第一气孔的影响， 还可 防止清洗过程中离心运动甩出的液滴打在阻挡侧壁上后， 反溅到晶片背面， 另外， 由于吹扫 单元上的若干第一气孔不断吹出气体， 形成了 “气墙” ， 对反溅的液滴起到了阻挡作用 ； 为 克服液滴的重力， 优选地， 所述若干第一气孔可以为竖直向上设置， 另外， 为了加强液滴沿 晶片切线方向的力， 所述若干第一气孔为按被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上 方向之间呈预设角度倾斜设置 ； 当晶片上表面的化学试剂及清洗产物较多或晶片的转速不 够， 导致有部。
17、分液滴沿晶片背面向下滴落， 为防止滴落的液滴打到连接通道的上表面后， 反 溅至晶片背面， 优选地， 所述连接通道沿所述吹扫单元的直径设置， 所述连接通道的外表面 为柱体， 且横截面为梯形， 所述连接通道横截面的上底长度小于下底长度、 且两腰之间呈钝 角的夹角 ； 当晶片的背面有液滴流过后， 为迅速将该湿痕去除， 优选地， 所述连接通道的上 端设有若干第二气孔， 所述若干第二气孔分别与所述通气管连通。 0034 以上实施方式仅用于说明本发明， 而并非对本发明的限制， 有关技术领域的普通 技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围的情况下， 还可以做出各种变化和变型， 因此所有 等同的技术方案也属于本发明的范畴， 本发明的专利保护范围应由权利要求限定。 说 明 书 CN 102357477 A CN 102357487 A1/2 页 6 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 102357477 A CN 102357487 A2/2 页 7 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 102357477 A 。