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1、(10)申请公布号 CN 102360168 A (43)申请公布日 2012.02.22 CN 102360168 A *CN102360168A* (21)申请号 201110310582.X (22)申请日 2011.10.13 G03F 7/20(2006.01) G01B 21/02(2006.01) G01B 21/16(2006.01) H01L 23/544(2006.01) (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园 区高斯路 497 号 (72)发明人 王剑 毛智彪 戴韫青 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所 ( 。
2、普通合伙 ) 31237 代理人 陆花 (54) 发明名称 光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方 法 (57) 摘要 本发明提供了一种光刻工艺集成量测图形以 及光刻工艺量测方法。根据本发明的光刻工艺集 成量测图形包括 ： 用于量测垂直隔离线条的垂直 隔离线条量测部分、 用于量测水平隔离线条的水 平隔离线条量测部分、 用于量测垂直隔离沟槽的 垂直隔离沟槽量测部分、 用于量测水平隔离沟槽 的水平隔离沟槽量测部分、 用于量测垂直密集线 条的垂直密集线条量测部分、 用于量测水平密集 线条的水平密集线条量测部分、 用于量测垂直密 集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、 用于量测水平 密集沟槽的水平密集沟槽量测。
3、部分中的多个或全 部。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页 CN 102360185 A1/1 页 2 1. 一种光刻工艺集成量测图形， 其特征在于包括 ： 用于量测垂直隔离线条的垂直隔离 线条量测部分、 用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、 用于量测垂直隔离沟槽 的垂直隔离沟槽量测部分、 用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、 用于量测垂 直密集线条的垂直密集线条量测部分、 用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、 用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、 用于量测水平密集。
4、沟槽的水平密集沟槽 量测部分中的多个或全部。 2. 根据权利要求 1 所述的光刻工艺集成量测图形， 其特征在于， 所述光刻工艺集成量 测图形整体使用。 3.根据权利要求1或2所述的光刻工艺集成量测图形， 其特征在于， 所述光刻工艺集成 量测图形具有 HLMC 形状。 4.根据权利要求1或2所述的光刻工艺集成量测图形， 其特征在于， 所述光刻工艺集成 量测图形包括用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、 用于量测水平隔离线条的 水平隔离线条量测部分、 用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、 用于量测水平 隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、 用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、 用。
5、 于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、 用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量 测部分、 用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分的所有部分。 5.根据权利要求1或2所述的光刻工艺集成量测图形， 其特征在于， 所述光刻工艺集成 量测图形还包括用于连续量测的多个部分， 通过测量所述多个部分的不同的间距， 由此就 可以得到光学修正数据， 该光学修正数据作为一组数据使用。 6. 一种光刻工艺量测方法， 其特征在于采用根据权利要求 1 至 5 之一所述的光刻工艺 集成量测图形来测量线条宽度、 隔离宽度、 通程间距中的一个或多个。 权 利 要 求 书 CN 102360168 A CN 10236。
6、0185 A1/3 页 3 光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体制造领域， 更具体地说， 本发明涉及一种光刻工艺集成量测图 形以及光刻工艺量测方法。 背景技术 0002 半导体制造中每一层工艺都需要量测线条宽度、 隔离宽度、 通程间距 (through pitch)等。 半导体芯片制造中， 在光刻定义一层电路后， 需要量测一些图形尺寸来监控光刻 工艺是否达标。 0003 具体地说， 线条宽度和隔离宽度相加是一个间距 (pitch)。如果线条宽度不变， 隔 离宽度变大不同的大小， 这一系列间距称为通程间距。 0004 但是， 在现有技术中， 只定义密集线。
7、条和隔离线条的量测图形。图 1 示出了现有技 术中的隔离线条的量测图形。图 2 示出了现有技术中的密集线条的量测图形。 0005 因此， 在量测水平和 / 或垂直的隔离线条、 隔离沟槽、 密集线条、 密集沟槽时， 需要 在分散的位置找图形量测， 从而为多种结构的量测带来了极大的不便， 由此延缓了量测时 间和降低了量测效率。 发明内容 0006 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷， 提供一种能够减少 量测时间并提高量测效率的光刻工艺集成量测图形以及光刻工艺量测方法。 0007 根据本发明的第一方面， 提供了一种光刻工艺集成量测图形， 其包括 ： 用于量测垂 直隔离线条的垂直隔离。
8、线条量测部分、 用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、 用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、 用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽 量测部分、 用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、 用于量测水平密集线条的水 平密集线条量测部分、 用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、 用于量测水平密 集沟槽的水平密集沟槽量测部分中的多个或全部。 0008 优选地， 所述光刻工艺集成量测图形整体使用。 0009 优选地， 所述光刻工艺集成量测图形具有 HLMC 形状。 0010 优选地， 上述光刻工艺集成量测图形还包括用于连续量测的多个部分， 通过测量 所述多个部分的不同的间距， 由此。
9、就可以得到光学修正数据， 该光学修正数据作为一组数 据使用。 0011 优选地， 所述光刻工艺集成量测图形包括用于量测垂直隔离线条的垂直隔离线条 量测部分、 用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部分、 用于量测垂直隔离沟槽的垂 直隔离沟槽量测部分、 用于量测水平隔离沟槽的水平隔离沟槽量测部分、 用于量测垂直密 集线条的垂直密集线条量测部分、 用于量测水平密集线条的水平密集线条量测部分、 用于 量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、 用于量测水平密集沟槽的水平密集沟槽量测 部分的所有部分。 说 明 书 CN 102360168 A CN 102360185 A2/3 页 4 0012 本发明。
10、第一方面的光刻工艺集成量测图形涉及了集成多种量测用途的图形， 用来 量测各种电路图形， 如隔离线条、 隔离沟槽、 密集线条、 密集沟槽， 以及用于光学修正的图形 的通程间距。并且， 采用集成了各种图形的设计， 能够更好的监控在光刻工艺中对密集线 条， 沟槽和隔离线条， 沟槽以及光学修正效应好坏的评估。并且， 本发明第一方面的集成量 测图形包含了多种量测图形， 可以根据需要在这一个综合的形状里量测每种图形， 而不像 现有技术那样在分散的位置找图形量测 ； 由此减少量测时间并提高量测效率。 0013 根据本发明的第二方面， 提供了一种光刻工艺量测方法， 其采用根据本发明第一 方面所述的光刻工艺集成。
11、量测图形来测量线条宽度、 隔离宽度、 通程间距中的一个或多个。 0014 由于采用了根据本发明第一方面所述的光刻工艺集成量测图形， 因此， 本领域技 术人员可以理解的是， 根据本发明第二方面的光刻工艺量测方法同样能够实现根据本发明 的第一方面的光刻工艺集成量测图形所能实现的有益技术效果。 附图说明 0015 结合附图， 并通过参考下面的详细描述， 将会更容易地对本发明有更完整的理解 并且更容易地理解其伴随的优点和特征， 其中 ： 0016 图 1 示意性地示出了现有技术中的隔离线条的量测图形。 0017 图 2 示意性地示出了现有技术中的密集线条的量测图形。 0018 图 3 示意性地示出了根。
12、据本发明实施例的量测图形。 0019 需要说明的是， 附图用于说明本发明， 而非限制本发明。注意， 表示结构的附图可 能并非按比例绘制。并且， 附图中， 相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。 具体实施方式 0020 为了使本发明的内容更加清楚和易懂， 下面结合具体实施例和附图对本发明的内 容进行详细描述。 0021 图 3 示意性地示出了根据本发明实施例的量测图形。图 3 所示的集成量测图形作 为一个不分割的整体使用。 0022 具体地说， 图 3 所示的集成量测图形包括 ： 能够量测垂直隔离线条的第一部分 1、 能够量测垂直水平密集线条和 / 或水平密集沟槽的第二部分 2、 能够量测垂。
13、直隔离沟槽的 第三部分 3、 能够量测垂直密集线条和 / 或垂直密集沟槽的第四部分 4、 能够量测水平隔离 线条的第五部分 5、 以及能够量测水平隔离沟槽的第六部分 6。 0023 需要说明的是， 图 3 所示的集成量测图形仅是本发明的一个优选图形示例， 该集 成量测图形反映了华力微电子的公司logo-HLMC ； 即， 图3所示的集成量测图形具有HLMC 形状。 0024 实际上， 可以进行适当设置， 以使得集成量测图形能够量测垂直隔离线条、 水平隔 离线条、 垂直隔离沟槽、 水平隔离沟槽、 垂直密集线条、 水平密集线条、 垂直密集沟槽、 水平 密集沟槽中的多个或全部。 0025 因此， 相。
14、应地， 根据本发明实施例的集成量测图形可包括多个部分， 例如用于量测 垂直隔离线条的垂直隔离线条量测部分、 用于量测水平隔离线条的水平隔离线条量测部 分、 用于量测垂直隔离沟槽的垂直隔离沟槽量测部分、 用于量测水平隔离沟槽的水平隔离 说 明 书 CN 102360168 A CN 102360185 A3/3 页 5 沟槽量测部分、 用于量测垂直密集线条的垂直密集线条量测部分、 用于量测水平密集线条 的水平密集线条量测部分、 用于量测垂直密集沟槽的垂直密集沟槽量测部分、 用于量测水 平密集沟槽的水平密集沟槽量测部分中的多个或全部。在一个优选实施例中， 所述光刻工 艺集成量测图形包括上述全部的部。
15、分， 从而包括所有的可能性。 0026 并且， 利用本发明实施例设计的图形， 能够量测光学修正的图形通程间距。 具体地 说， 上述光刻工艺集成量测图形还包括用于连续量测的多个部分 ( 例如图 3 所示的多个部 分 7， 8， 9， 10)， 通过测量所述多个部分的不同的间距， 由此就可以得到光学修正数据， 该光 学修正数据作为一组数据使用。 0027 图 3 所示的集成量测图形包含了各种量测图形， 可以根据需要在这一个综合的形 状里量测每种图形， 而不像现有技术那样在分散的位置找图形量测 ； 由此减少量测时间并 提高量测效率。 而且， 上述光刻工艺集成量测图形涉及了集成多种量测用途的图形， 用。
16、来量 测各种电路图形， 如隔离线条、 隔离沟槽、 密集线条、 密集沟槽， 以及用于光学修正的图形的 通程间距。并且， 采用集成了各种图形的设计， 能够更好的监控在光刻工艺中对密集线条， 沟槽和隔离线条， 沟槽以及光学修正效应好坏的评估。 0028 可以理解的是， 虽然本发明已以较佳实施例披露如上， 然而上述实施例并非用以 限定本发明。 对于任何熟悉本领域的技术人员而言， 在不脱离本发明技术方案范围情况下， 都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰， 或修改为等 同变化的等效实施例。 因此， 凡是未脱离本发明技术方案的内容， 依据本发明的技术实质对 以上实施例所做的任何简单修改、 等同变化及修饰， 均仍属于本发明技术方案保护的范围 内。 说 明 书 CN 102360168 A CN 102360185 A1/1 页 6 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 102360168 A 。