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1、(10)申请公布号 CN 103729089 A (43)申请公布日 2014.04.16 CN 103729089 A (21)申请号 201310753439.7 (22)申请日 2013.12.31 G06F 3/041(2006.01) C09D 133/04(2006.01) C09D 163/10(2006.01) C09D 175/14(2006.01) C09D 7/12(2006.01) H01B 1/22(2006.01) (71)申请人 东莞市平波电子有限公司 地址 523000 广东省东莞市虎门镇路东社区 新安大道 50 号厂房第六层 (72)发明人 李林波 (74)专。
2、利代理机构 东莞市华南专利商标事务所 有限公司 44215 代理人 李玉平 (54) 发明名称 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺 (57) 摘要 本发明涉及触摸屏技术领域， 具体涉及一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 本发明不仅比传 统双层玻璃触摸屏更轻薄， 且适用于 10.1inch 以 下的平板及智能手机触摸屏， 而且本发明针采用 “整体印刷导电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以 形成银浆搭桥线路” 的方式和 “直接丝印导电银 浆以形成银浆搭桥线路” 的方式向结合， 有效防止 银浆搭桥线路加工难易断裂的问题， 保证了产品 良率。本发明在制作工艺中增加了贴保护膜的工 序， 防止产品在生。
3、产过程中被污染被划伤， 影响产 品良率。 综上， 通过上述制作工艺使制得的产品良 率高而且性能好较同类产品也有较大提高。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 9 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书9页 (10)申请公布号 CN 103729089 A CN 103729089 A 1/2 页 2 1. 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 它包括以下工序 ： A、 上线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 A1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤A2、。
4、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 A3、 在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦， 然后在导电薄 膜边框区的 ITO 层上整体印刷导电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 A4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到上线 sensor ； B、 下线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 B1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤B2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对。
5、导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 B3、 在导电薄膜边框区的 ITO 层上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 B4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到下线 sensor ； C、 绑定工序， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 C1、 上线 sensor 和下线 sensor 测试合格后， 在下线 sensor 有 ITO 走线的那一面 贴合光学胶， 通过光学胶将上线 sensor 和下线 sensor 进行组合得到薄膜 sensor， 然后脱 泡 ; 步骤 C2、 将导电胶 ACF 贴合到 FPC 柔性电路板上 。
6、； 步骤 C3、 最后将 FPC 绑定于薄膜 sensor 上， 得到 GFF 结构的触摸屏。 2. 根据权利要求 1 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤 A1 和 步骤 B1 中导电薄膜的烘烤温度为 135-145， 烘烤时间为 55-65min。 3. 根据权利要求 1 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤 A1 和 步骤 B1 中的基材层为 PET 基材层。 4. 根据权利要求 1 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤 A2 和 步骤 B2 中， 耐酸油墨为日本互应的型号为 TPER-194B-2。
7、 的耐酸油墨 ； 蚀刻液由质量比为 4 ： 1 的 HCL 溶液和氯化铁溶液组成， HCL 溶液的质量百分比浓度为 15-25%， 氯化铁溶液的质量 百分比浓度为 2-8%， 碱液采用质量百分比浓度为 3-5% 的氢氧化钠溶液。 5. 根据权利要求 1 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤 A3 和 步骤 B3 中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成 ： 银粉末 55-70% 环氧树脂 5-15% 聚酯树脂 5-15% 石墨粉末 0.1-1% 二氧化硅粉末 1-2% 二乙二醇乙醚醋酸酯 5-15% 二乙二醇丁醚醋酸酯 5-15%， 其中， 所述环氧树脂为 PU 改。
8、性环氧乙烯基酯树脂， 其中， 所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂。 权 利 要 求 书 CN 103729089 A 2 2/2 页 3 6. 根据权利要求 5 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 所述银 粉末由质量比为 1:20-1:30 的微米银粉末和纳米银粉末组成， 所述微米银粉末的粒径为 10-20m， 所述纳米银粉末的粒径为 60-90nm。 7. 根据权利要求 1 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤 A3 和 步骤 B3 中的保护胶由以下重量百分比的原料组成 ： 有机氟硅改性丙烯酸树脂 10-20% 酚醛环氧丙烯酸树脂 5-15。
9、% 氨基丙烯酸树脂 5-15% 脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂 5-15% 丙烯酸单体 5-15% 光固化剂 1-5% 二氧化硅 0.1-1% 硫酸钡 15-25% 滑石粉 10-20% 有机颜料 0.1-1%。 8. 根据权利要求 7 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 所述光固 化剂由质量比为 1:1 的二苯甲酮和邻苯甲酰苯甲酸甲酯组成。 9. 根据权利要求 1 所述的一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤 A4 中 将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进行组合时撕去。 10.根据权利要求1所述的一种GFF结构的触摸。
10、屏的制作工艺， 其特征在于 ： 步骤B4中 将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进行组合时撕去。 权 利 要 求 书 CN 103729089 A 3 1/9 页 4 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺 技术领域 0001 本发明涉及触摸屏技术领域， 具体涉及一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺。 背景技术 0002 触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备， 具有直观、 简单、 快捷的优点。 触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用， 比如手机、 PDA、 多媒体、 公共信息查询系 统等。 0003 传统触控技术采用双层玻璃触摸屏， 它不仅厚重， 而且。
11、不能做成窄边框的触摸屏。 GFF 结构的触摸屏是由 ITO 导电膜 + 钢化玻璃盖板组成， GFF 结构的触摸屏由于仅有两层导 电薄膜， 使其成本、 厚度、 重量均得到了大幅度的改善， 但其制作工艺中不可操控性因素多， 造成产品良率低、 性能差。 发明内容 0004 本发明的目的在于针对现有技术的不足， 提供一种造成产品良率高、 性能好的 GFF 结构的触摸屏的制作工艺。 0005 为了实现上述目的， 本发明采用如下技术方案 ： 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工 艺， 它包括以下工序 ： A、 上线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 A1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层。
12、和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤A2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 A3、 在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦， 然后在导电薄 膜边框区的 ITO 层上整体印刷导电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 A4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到上线 sensor ； B、 下线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 B1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤B2、。
13、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 B3、 在导电薄膜边框区的 ITO 层上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 B4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到下线 sensor ； C、 绑定工序， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 C1、 上线 sensor 和下线 sensor 测试合格后， 在下线 sensor 有 ITO 走线的那一面 贴合光学胶， 通过光学胶将上线 sensor 和下线 sensor 进行组合得到薄膜 sensor， 然后脱 泡 ; 步骤 C2、 。
14、将导电胶 ACF 贴合到 FPC 柔性电路板上 ； 步骤 C3、 最后将 FPC 绑定于薄膜 sensor 上， 得到 GFF 结构的触摸屏。 说 明 书 CN 103729089 A 4 2/9 页 5 0006 优选的， 步骤 A1 和步骤 B1 中导电薄膜的烘烤温度为 135-145， 烘烤时间为 55-65min。 0007 优选的， 步骤 A1 和步骤 B1 中的基材层为 PET 基材层。 0008 优选的， 步骤 A2 和步骤 B2 中， 耐酸油墨为日本互应的型号为 TPER-194B-2 的耐酸 油墨 ； 蚀刻液由质量比为4 ： 1的HCL溶液和氯化铁溶液组成， HCL溶液的质量。
15、百分比浓度为 15-25%， 氯化铁溶液的质量百分比浓度为 2-8%， 碱液采用质量百分比浓度为 3-5% 的氢氧化 钠溶液。 0009 优选的， 步骤 A3 和步骤 B3 中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成 ： 银粉末 55-70 % 环氧树脂 5-15% 聚酯树脂 5-15% 石墨粉末 0.1-1% 二氧化硅粉末 1-2% 二乙二醇乙醚醋酸酯 5-15% 二乙二醇丁醚醋酸酯 5-15%， 其中， 所述环氧树脂为 PU 改性环氧乙烯基酯树脂。 0010 其中， 所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂。 0011 导电银浆中的 PU 改性环氧乙烯基酯树脂和丙烯酸型聚酯树脂能充分溶解于二乙 二醇丁醚。
16、醋酸酯和二乙二醇丁醚醋酸酯的溶剂体系中， 形成有机载体， 具有导电性能的银 粉末、 石墨粉末加入后可以得到很好的分散， 提高导电银浆的导电性， PU 改性环氧乙烯基酯 树脂、 丙烯酸型聚酯树脂、 二氧化硅粉末的采用还使得导电银浆烧结后的浆料强度高、 与基 材层的附着力好， 可以满足触摸屏线路用的导电浆料的线宽越来越细的要求。 0012 优选的， 所述银粉末由质量比为 1:20-1:30 的微米银粉末和纳米银粉末组成， 所 述微米银粉末的粒径为 10-20m， 所述纳米银粉末的粒径为 60-90nm。在此粒径和配比 范围内的微米银粉末和纳米银粉末能更好地配合， 既可利用纳米银粉末的小质量和高表面。
17、 能， 使得纳米银粉末附着在微米银粉末表面， 形成核 壳层的复合结构， 又使得在后续的混 合过程中， 纳米银粉末附着在微米银粉末的表面随着微米银粉末一起运动， 有效避免了纳 米银粉末的团聚现象 ； 另外由于纳米银粉末具有高的表面能， 它与环氧树脂和聚酯树脂中 的高分子链的结合更加紧密， 因此微米银粉末可以通过附着在其表面的纳米银粉末与环氧 树脂和聚酯树脂中的高分子链的结合， 没有附着在微米银粉末表面的纳米银粉末将填充到 环氧树脂和聚酯树脂的各种间隙， 最终所有微米银粉末和纳米银粉末都得到均匀分散， 提 高了本发明的导电性。 0013 优选的， 步骤 A3 和步骤 B3 中的保护胶由以下重量百分。
18、比的原料组成 ： 有机氟硅改性丙烯酸树脂 10-20% 酚醛环氧丙烯酸树脂 5-15% 氨基丙烯酸树脂 5-15% 脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂 5-15% 丙烯酸单体 5-15% 光固化剂 1-5% 说 明 书 CN 103729089 A 5 3/9 页 6 二氧化硅 0.1-1% 硫酸钡 15-25% 滑石粉 10-20% 有机颜料 0.1-1%， 上述保护胶采用四种不同树脂相互配合， 取长补短， 制得的可剥蓝胶成膜性好， 热固化 成膜后具有良好的韧性、 柔软性和耐酸碱性能 ； 而且在触摸屏制作过程中导电膜保护工艺 完成后， 容易剥离， 不会有残留在材料表面或者污染材料。 0014 优选的， 。
19、所述光固化剂由质量比为 1:1 的二苯甲酮和邻苯甲酰苯甲酸甲酯组成。 0015 优选的， 步骤 A4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进行组合时撕去。 0016 优选的， 步骤 B4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进行组合时撕去。 0017 本发明与现有技术相比较， 有益效果在于 ： 本发明不仅比传统双层玻璃触摸屏更 轻薄， 且适用于 10.1inch 以下的平板及智能手机触摸屏， 而且本发明针采用 “整体印刷导 电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路” 的方式和 “直接丝印导电银浆以形 成银浆搭桥线。
20、路” 的方式向结合， 有效防止银浆搭桥线路加工难易断裂的问题， 保证了产品 良率。 本发明在制作工艺中增加了贴保护膜的工序， 防止产品在生产过程中被污染被划伤， 影响产品良率。综上， 通过上述制作工艺使制得的产品良率高而且性能好较同类产品也有 较大提高。 具体实施方式 0018 下面结合实施例对本发明作进一步的说明。 0019 实施例 1。 0020 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 它包括以下工序 ： A、 上线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 A1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤A2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷。
21、耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 A3、 在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦， 然后在导电薄 膜边框区的 ITO 层上整体印刷导电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 A4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到上线 sensor ； B、 下线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 B1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤B2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻。
22、液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 B3、 在导电薄膜边框区的 ITO 层上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 B4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到下线 sensor ； C、 绑定工序， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 C1、 上线 sensor 和下线 sensor 测试合格后， 在下线 sensor 有 ITO 走线的那一面 说 明 书 CN 103729089 A 6 4/9 页 7 贴合光学胶， 通过光学胶将上线 sensor 和下线 sensor 进行组合得到薄膜 sensor， 然后脱 泡 ; 步骤 C2、 将导电胶 ACF 贴。
23、合到 FPC 柔性电路板上 ； 步骤 C3、 最后将 FPC 绑定于薄膜 sensor 上， 得到 GFF 结构的触摸屏。 0021 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中导电薄膜的烘烤温度为 135， 烘烤时间为 65min。 0022 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中的基材层为 PET 基材层。 0023 其中， 步骤 A2 和步骤 B2 中， 耐酸油墨为日本互应的型号为 TPER-194B-2 的耐酸油 墨 ； 蚀刻液由质量比为 4 ： 1 的 HCL 溶液和氯化铁溶液组成， HCL 溶液的质量百分比浓度为 15%， 氯化铁溶液的质量百分比浓度为 2%， 碱液采用质量百分比浓度为 3%。
24、 的氢氧化钠溶液。 0024 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成 ： 银粉末 55% 环氧树脂 10% 聚酯树脂 5% 石墨粉末 1% 二氧化硅粉末 2% 二乙二醇乙醚醋酸酯 15% 二乙二醇丁醚醋酸酯 12%， 其中， 所述环氧树脂为 PU 改性环氧乙烯基酯树脂， 其中， 所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂， 其中， 所述银粉末由质量比为 1:20 的微米银粉末和纳米银粉末组成， 所述微米银粉末 的粒径为 10m， 所述纳米银粉末的粒径为 60nm。 0025 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的保护胶由以下重量百分比的原料组成 ： 有机氟硅改性丙烯酸树脂。
25、 10% 酚醛环氧丙烯酸树脂 10% 氨基丙烯酸树脂 15% 脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂 10% 丙烯酸单体 10% 光固化剂 5% 二氧化硅 1% 硫酸钡 20% 滑石粉 18% 有机颜料 1%， 其中， 所述光固化剂由质量比为 1:1 的二苯甲酮和邻苯甲酰苯甲酸甲酯组成。 0026 其中， 步骤 A4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0027 其中， 步骤 B4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0028 实施例 2。 0029 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 它包括以。
26、下工序 ： 说 明 书 CN 103729089 A 7 5/9 页 8 A、 上线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 A1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤A2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 A3、 在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦， 然后在导电薄 膜边框区的 ITO 层上整体印刷导电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 A4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得。
27、到上线 sensor ； B、 下线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 B1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤B2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 B3、 在导电薄膜边框区的 ITO 层上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 B4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到下线 sensor ； C、 绑定工序， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 C1、 上线 sensor 和下线 sensor 测试合格后， 在。
28、下线 sensor 有 ITO 走线的那一面 贴合光学胶， 通过光学胶将上线 sensor 和下线 sensor 进行组合得到薄膜 sensor， 然后脱 泡 ; 步骤 C2、 将导电胶 ACF 贴合到 FPC 柔性电路板上 ； 步骤 C3、 最后将 FPC 绑定于薄膜 sensor 上， 得到 GFF 结构的触摸屏。 0030 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中导电薄膜的烘烤温度为 140， 烘烤时间为 60min。 0031 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中的基材层为 PET 基材层。 0032 其中， 步骤 A2 和步骤 B2 中， 耐酸油墨为日本互应的型号为 TPER-194B-。
29、2 的耐酸油 墨 ； 蚀刻液由质量比为 4 ： 1 的 HCL 溶液和氯化铁溶液组成， HCL 溶液的质量百分比浓度为 20%， 氯化铁溶液的质量百分比浓度为 4%， 碱液采用质量百分比浓度为 4% 的氢氧化钠溶液。 0033 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成 ： 银粉末 70% 环氧树脂 5% 聚酯树脂 5% 石墨粉末 0.5% 二氧化硅粉末 1.5% 二乙二醇乙醚醋酸酯 10% 二乙二醇丁醚醋酸酯 8%， 其中， 所述环氧树脂为 PU 改性环氧乙烯基酯树脂， 其中， 所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂， 其中， 所述银粉末由质量比为 1:25 的微米银粉。
30、末和纳米银粉末组成， 所述微米银粉末 的粒径为 15m， 所述纳米银粉末的粒径为 75nm。 0034 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的保护胶由以下重量百分比的原料组成 ： 有机氟硅改性丙烯酸树脂 15% 酚醛环氧丙烯酸树脂 10% 说 明 书 CN 103729089 A 8 6/9 页 9 氨基丙烯酸树脂 10% 脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂 10% 丙烯酸单体 10% 光固化剂 4% 二氧化硅 1% 硫酸钡 22.5% 滑石粉 17% 有机颜料 0.5%， 其中， 所述光固化剂由质量比为 1:1 的二苯甲酮和邻苯甲酰苯甲酸甲酯组成。 0035 其中， 步骤 A4 中将大张的导电薄膜进行裁。
31、切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0036 其中， 步骤 B4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0037 实施例 3。 0038 一种 GFF 结构的触摸屏的制作工艺， 它包括以下工序 ： A、 上线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 A1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤A2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 A。
32、3、 在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦， 然后在导电薄 膜边框区的 ITO 层上整体印刷导电银浆， 对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 A4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到上线 sensor ； B、 下线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 B1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤B2、 在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 B3、 在导电薄膜边框区的 ITO 层上丝印导电银。
33、浆以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 B4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到下线 sensor ； C、 绑定工序， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 C1、 上线 sensor 和下线 sensor 测试合格后， 在下线 sensor 有 ITO 走线的那一面 贴合光学胶， 通过光学胶将上线 sensor 和下线 sensor 进行组合得到薄膜 sensor， 然后脱 泡 ; 步骤 C2、 将导电胶 ACF 贴合到 FPC 柔性电路板上 ； 步骤 C3、 最后将 FPC 绑定于薄膜 sensor 上， 得到 GFF 结构的触摸屏。 0039 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中导电薄膜的烘烤温度为 。
34、140， 烘烤时间为 60min。 0040 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中的基材层为 PET 基材层。 0041 其中， 步骤 A2 和步骤 B2 中， 耐酸油墨为日本互应的型号为 TPER-194B-2 的耐酸油 墨 ； 蚀刻液由质量比为 4 ： 1 的 HCL 溶液和氯化铁溶液组成， HCL 溶液的质量百分比浓度为 22%， 氯化铁溶液的质量百分比浓度为 7%， 碱液采用质量百分比浓度为 4% 的氢氧化钠溶液。 说 明 书 CN 103729089 A 9 7/9 页 10 0042 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成 ： 银粉末 60% 环氧。
35、树脂 8% 聚酯树脂 8% 石墨粉末 0.1% 二氧化硅粉末 1.9% 二乙二醇乙醚醋酸酯 11% 二乙二醇丁醚醋酸酯 11%， 其中， 所述环氧树脂为 PU 改性环氧乙烯基酯树脂， 其中， 所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂， 其中， 所述银粉末由质量比为 1:27 的微米银粉末和纳米银粉末组成， 所述微米银粉末 的粒径为 16m， 所述纳米银粉末的粒径为 75nm。 0043 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的保护胶由以下重量百分比的原料组成 ： 有机氟硅改性丙烯酸树脂 12% 酚醛环氧丙烯酸树脂 12% 氨基丙烯酸树脂 8% 脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂 8% 丙烯酸单体 11% 光固化剂 2。
36、% 二氧化硅 1% 硫酸钡 25% 滑石粉 20% 有机颜料 1%， 其中， 所述光固化剂由质量比为 1:1 的二苯甲酮和邻苯甲酰苯甲酸甲酯组成。 0044 其中， 步骤 A4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0045 其中， 步骤 B4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0046 实施例 4。 0047 B、 下线 sensor， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 B1、 将导电薄膜烘烤， 该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的 ITO 层 ； 步骤B2、 在导电薄膜边框区的I。
37、TO层上印刷耐酸油墨， 对导电薄膜视窗区内的ITO层用 蚀刻液进行蚀刻， 得到有 ITO 走线的导电薄膜， 再用碱液去除耐酸油墨 ； 步骤 B3、 在导电薄膜边框区的 ITO 层上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路 ； 步骤 B4、 将大张的导电薄膜进行裁切， 得到下线 sensor ； C、 绑定工序， 它依次包括以下步骤 ： 步骤 C1、 上线 sensor 和下线 sensor 测试合格后， 在下线 sensor 有 ITO 走线的那一面 贴合光学胶， 通过光学胶将上线 sensor 和下线 sensor 进行组合得到薄膜 sensor， 然后脱 泡 ; 说 明 书 CN 103729089。
38、 A 10 8/9 页 11 步骤 C2、 将导电胶 ACF 贴合到 FPC 柔性电路板上 ； 步骤 C3、 最后将 FPC 绑定于薄膜 sensor 上， 得到 GFF 结构的触摸屏。 0048 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中导电薄膜的烘烤温度为 145， 烘烤时间为 55min。 0049 其中， 步骤 A1 和步骤 B1 中的基材层为 PET 基材层。 0050 其中， 步骤 A2 和步骤 B2 中， 耐酸油墨为日本互应的型号为 TPER-194B-2 的耐酸油 墨 ； 蚀刻液由质量比为 4 ： 1 的 HCL 溶液和氯化铁溶液组成， HCL 溶液的质量百分比浓度为 25%， 氯化。
39、铁溶液的质量百分比浓度为 8%， 碱液采用质量百分比浓度为 5% 的氢氧化钠溶液。 0051 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成 ： 银粉末 70% 环氧树脂 5% 聚酯树脂 5% 石墨粉末 1% 二氧化硅粉末 2% 二乙二醇乙醚醋酸酯 7% 二乙二醇丁醚醋酸酯 10%， 其中， 所述环氧树脂为 PU 改性环氧乙烯基酯树脂， 其中， 所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂， 其中， 所述银粉末由质量比为 1:30 的微米银粉末和纳米银粉末组成， 所述微米银粉末 的粒径为 20m， 所述纳米银粉末的粒径为 90nm。 0052 其中， 步骤 A3 和步骤 B3 中的。
40、保护胶由以下重量百分比的原料组成 ： 有机氟硅改性丙烯酸树脂 20% 酚醛环氧丙烯酸树脂 12% 氨基丙烯酸树脂 10% 脂肪族聚氨酯丙烯酸树脂 15% 丙烯酸单体 15% 光固化剂 1% 二氧化硅 1% 硫酸钡 15% 滑石粉 10% 有机颜料 1%， 其中， 所述光固化剂由质量比为 1:1 的二苯甲酮和邻苯甲酰苯甲酸甲酯组成。 0053 其中， 步骤 A4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0054 其中， 步骤 B4 中将大张的导电薄膜进行裁切前， 覆上一层 PE 保护膜， 在步骤 C1 进 行组合时撕去。 0055 上述实施例以。
41、触摸屏使用时所指的背面和正面为准。 0056 将实施例 1-4 制得的 GFF 结构的触摸屏进行以下测试， 详见下表。 0057 说 明 书 CN 103729089 A 11 9/9 页 12 。 0058 通过上表可以看出本发明制得的 GFF 结构的触摸屏产品良率高、 透光率、 冷热冲 击、 高温高湿、 高温存储性能良好， b 值、 雾度值低。 0059 最后应当说明的是， 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对本发明保 护范围的限制， 尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明， 本领域的普通技术人员应 当理解， 可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换， 而不脱离本发明技术方案的实 质和范围。 说 明 书 CN 103729089 A 12 。