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1、(10)申请公布号 CN 103733017 A (43)申请公布日 2014.04.16 CN 103733017 A (21)申请号 201180072927.0 (22)申请日 2011.08.18 G01B 9/02(2006.01) G01J 3/44(2006.01) (71)申请人 新港公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 托马索巴尔达基尼 鲁宾扎多因 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 沈锦华 (54) 发明名称 使用相干反斯托克斯拉曼散射 (CARS) 显微 术来表征材料收缩的系统和方法 (57) 摘要 本发明揭示用于在经历经。
2、界定光刻工艺的同 时测量光敏材料(例如， 光致抗蚀剂)的性质(例 如， 收缩 ) 的系统和方法。所述系统包含适于执 行所述光敏材料的经界定光刻工艺的光刻处理系 统， 以及适于执行所述光敏材料的所述性质的测 量的相干反斯托克斯拉曼散射 CARS 显微术系统。 在另一方面中， 所述 CARS 显微术系统适于在通过 所述光刻处理系统对所述光敏材料执行所述经界 定光刻工艺的同时测量所述光敏材料的性质。在 再一方面中， 所述 CARS 显微术系统适于在对所述 光敏材料的所述经界定光刻工艺暂停时测量所述 光敏材料的性质。另一系统适于在制造所述光敏 材料期间执行类似测量。 (85)PCT国际申请进入国家阶段。
3、日 2014.02.18 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2011/048329 2011.08.18 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2013/025224 EN 2013.02.21 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 6 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (10)申请公布号 CN 103733017 A CN 103733017 A 1/2 页 2 1. 一种用于测量光敏材料的一个或一个以上性质的系统， 其包括 ： 光刻处理系统， 其适于对所述光敏材料执行经界定光刻工艺 。
4、； 以及 相干反斯托克斯拉曼散射 CARS 显微术系统， 其适于执行所述光敏材料的所述一个或 一个以上性质的测量。 2.根据权利要求1所述的系统， 其中所述CARS显微术系统适于在所述光刻处理系统对 所述光敏材料执行所述经界定光刻工艺的同时执行所述光敏材料的所述一个或一个以上 性质的所述测量。 3. 根据权利要求 1 所述的系统， 其中所述光刻处理系统适于暂停正在对所述光敏材料 执行的所述经界定光刻工艺， 且其中所述 CARS 显微术系统适于在所述光刻处理系统已暂 停对所述光敏材料执行的所述经界定光刻工艺时执行所述光敏材料的所述一个或一个以 上性质的所述测量。 4. 根据权利要求 1 所述的系。
5、统， 其进一步包括扫描机构， 所述扫描机构适于使所述光 敏材料的独特部分经受由所述 CARS 显微术系统执行的所述测量。 5. 根据权利要求 4 所述的系统， 其中所述扫描机构适于移动所述光敏材料。 6.根据权利要求4所述的系统， 其中所述CARS系统适于产生指向所述光敏材料的入射 辐射束， 且其中所述扫描机构适于导引所述入射辐射束。 7. 根据权利要求 4 所述的系统， 其中所述 CARS 系统包括 ： 斯托克斯束源， 其适于产生指向所述试样的斯托克斯辐射束 ； 以及泵束源， 其适于产生 指向所述试样的泵辐射束 ； 其中所述扫描机构适于导引所述斯托克斯辐射束和所述泵辐射束。 8. 根据权利要。
6、求 1 所述的系统， 其中所述 CARS 显微术系统包括 ： 斯托克斯束源， 其适 于产生具有频率S的斯托克斯辐射束 ； 以及泵束源， 其适于产生具有频率P的泵辐射束。 9.根据权利要求8所述的系统， 其中所述CARS显微术系统适于将所述斯托克斯辐射束 和所述泵辐射束引导到所述光敏材料的大体上同一区。 10. 根据权利要求 8 所述的系统， 其中所述 CARS 显微术系统适于组合所述斯托克斯辐 射束和所述泵辐射束以产生指向所述光敏材料的入射辐射束， 其中所述入射辐射束具有频 率 2P-S。 11. 根据权利要求 1 所述的系统， 其中所述 CARS 显微术系统包括 ： 至少一个辐射束源， 其适。
7、于产生所述光敏材料上的入射辐射束 ； 以及检测器， 其适于检 测所述光敏材料响应于所述入射辐射束而发射的辐射。 12. 根据权利要求 11 所述的系统， 其中所述光敏的所述发射的辐射提供关于所述光敏 材料的所述一个或一个以上性质的信息。 13. 根据权利要求 12 所述的系统， 其中所述光敏的所述一个或一个以上性质包括所述 光敏材料中的聚合物的交联程度。 14. 根据权利要求 12 所述的系统， 其中所述光敏的所述一个或一个以上性质包括所述 光敏材料中的聚合物减弱或切断的程度。 15. 根据权利要求 1 所述的系统， 其中所述光敏材料包括光致抗蚀剂。 16. 根据权利要求 15 所述的系统， 。
8、其中所述光致抗蚀剂包括负光致抗蚀剂。 17. 一种在经历经界定光刻工艺的同时测量光敏材料的一个或一个以上性质的方法， 权 利 要 求 书 CN 103733017 A 2 2/2 页 3 其包括 ： 对所述光敏材料执行所述经界定光刻工艺 ； 以及 使用相干反斯托克斯拉曼散射 CARS 显微术测量所述光敏材料的所述一个或一个以上 性质。 18. 根据权利要求 17 所述的方法， 其中测量所述光敏材料的所述一个或一个以上性质 包括在对所述光敏材料执行所述经界定光刻工艺的同时测量所述光敏材料的所述一个或 一个以上性质。 19. 根据权利要求 17 所述的方法， 其进一步包括暂停对所述光敏材料执行的所。
9、述经界 定光刻工艺， 其中测量所述光敏材料的所述一个或一个以上性质是在对所述光敏材料的所 述经界定光刻工艺暂停时执行。 20. 一种用于在制造光敏材料的同时测量所述光敏材料的一个或一个以上性质的系 统， 其包括 ： 光敏材料制造系统， 其适于制造所述光敏材料 ； 以及 相干反斯托克斯拉曼散射 CARS 显微术系统， 其适于在所述光敏材料制造系统制造所 述光敏材料的同时执行所述光敏材料的所述一个或一个以上性质的测量。 权 利 要 求 书 CN 103733017 A 3 1/6 页 4 使用相干反斯托克斯拉曼散射 (CARS) 显微术来表征材料 收缩的系统和方法 技术领域 0001 本发明大体上。
10、涉及原位材料(例如， 光致抗蚀剂)表征， 且特定来说涉及使用相干 反斯托克斯拉曼散射 (CARS) 显微术来表征材料 ( 例如， 光致抗蚀剂 ) 收缩的系统和方法。 背景技术 0002 例如集成电路 (IC) 和印刷电路板 (PCB) 上的电路等微电子装置的制造通常涉及 多个步骤。在微电子装置的制造中普遍使用的一个此类步骤是光刻。在光刻中， 可使用含 有对应二维印刷设计的掩模来图案化材料， 例如沉积于衬底或 PCB 上的金属或电介质。 0003 更具体来说， 在光刻中， 在待图案化的材料上沉积光敏材料， 例如光致抗蚀剂。将 含有用于图案的印刷二维设计的掩模放置于光敏材料上。随后， 通过掩模使光。
11、敏材料暴露 于经界定辐射。 根据掩模上的图案， 掩模防止光敏材料的某些部分暴露于辐射， 且允许光敏 材料的其它部分暴露于辐射。 0004 基于光敏材料的类型， 辐射暴露部分在经受随后显影工艺时可能较易受影响 ( 例 如， 经减弱 ) 或较具抵抗性 ( 例如， 经加强 )。举例来说， 如果光敏材料通过辐射减弱， 那么 所述材料称为正光致抗蚀剂。 另一方面， 如果光敏材料通过辐射加强， 那么所述材料称为负 光致抗蚀剂。 随后可移除光致抗蚀剂的减弱部分， 之后是下伏材料的蚀刻或图案化， 其中光 致抗蚀剂的剩余 ( 经加强 ) 部分起作用以保护下伏材料免于蚀刻或图案化工艺。 0005 掩模上的图案转印。
12、到正图案化的材料的准确性至少部分地取决于光致抗蚀剂的 显影。 举例来说， 理想上， 光致抗蚀剂的暴露于辐射的部分应大体上均匀且如根据辐射所指 定那样反应。而未暴露部分完全不应对辐射反应。然而， 情况可能经常不是这样。因此， 辐 射的不完全暴露可能在经设计以暴露于辐射的部分中发生， 且非既定的暴露可能对经设计 以不暴露于辐射的部分发生。如下给出负光致抗蚀剂的非理想显影的实例。 0006 图1A说明处于示范性光刻工艺的特定阶段的示范性微电子电路100的横截面图。 电路 100 包括衬底 ( 或 PCB)102、 安置于衬底 104 上的材料层 104， 以及安置于材料层 104 上的负光致抗蚀剂层。
13、 106。在光刻期间， 将掩模 108 定位于负光致抗蚀剂 106 上。根据掩模 上的图案， 掩模 108 包含大体上阻挡辐射的部分 108a， 且包含大体上允许辐射通过的部分 108b。负光致抗蚀剂 106 的直接下伏于掩模的透明部分 108b 的部分随后经受辐射 ( 例如， 紫外线 (UV)、 深 UV(DUV) 或其它 )， 如箭头指示。负光致抗蚀剂 106 的剩余部分不暴露于辐 射。 0007 图1B说明处于示范性光刻工艺的后续阶段的示范性微电子电路100的横截面图。 在经受辐射之后， 光致抗蚀剂 106 包含对随后显影工艺具抵抗性 ( 例如， 经加强 ) 的部分 106b。这可能是由。
14、于辐射在经暴露负光致抗蚀剂 106b 中产生聚合物的交联。负光致抗蚀 剂106的未暴露于辐射的剩余部分106a未经加强， 且因此对随后显影工艺具较少抵抗性或 较不受影响。 0008 图 1C 说明处于示范性光刻工艺的另一后续阶段的示范性微电子电路 100 的横截 说 明 书 CN 103733017 A 4 2/6 页 5 面图。 在光致抗蚀剂106已暴露于指定辐射之后， 电路100经历光致抗蚀剂显影工艺以移除 负光致抗蚀剂 106 的未经处理或较弱部分 106b。因此， 剩余的是经显影光致抗蚀剂 106b， 其在随后蚀刻工艺中起作用以保护材料层 104 的直接下伏于经显影光致抗蚀剂的部分。 。
15、0009 图 1D 说明处于示范性光刻工艺的另一后续阶段的示范性微电子电路 100 的横截 面图。在光致抗蚀剂的显影之后， 电路 100 经历蚀刻工艺以在未直接下伏于经显影光致抗 蚀剂 106b 的部分处移除材料层 104。在此步骤之后， 移除经显影光致抗蚀剂 106b， 从而留 下所得的经图案化材料 110。 0010 图1E说明先前讨论的经显影光致抗蚀剂106b的展开图。 理想上， 直接下伏于掩模 108的透明部分108b的所有光致抗蚀剂106b应对辐射均匀地反应以产生聚合物的交联， 因 此整个部分对随后显影工艺具抵抗性。然而， 情况可能有时不是这样。光致抗蚀剂 106b 经 常不对辐射均。
16、匀地反应。因此， 在光致抗蚀剂 106 的未暴露部分 106a 的移除期间， 还移除 一些经暴露部分 106b。这导致如所说明的所得经显影光致抗蚀剂 106c 中的收缩。这可导 致下伏材料层 104 的图案化中的错误。举例来说， 商用和定制树脂的光聚合之后最经常地 是体积减少。由于内部或界面缺陷， 源自此现象的材料应力在若干应用中造成许多难题。 0011 因此， 为了改善光刻工艺， 将希望表征光致抗蚀剂的显影， 包含材料的收缩和其它 聚合与结构变换。在微电子电路的制造期间， 还将希望原位以及实时地执行此表征。 发明内容 0012 本发明的一方面涉及用于在光敏材料 ( 例如， 光致抗蚀剂 ) 正。
17、经历光刻工艺的同 时测量所述材料的一个或一个以上性质 ( 例如， 收缩 ) 的系统。所述系统包括适于对所述 光敏材料执行经界定光刻工艺的光刻处理系统， 以及适于执行所述光敏材料的一个或一个 以上性质的测量的相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)显微术系统。 在另一方面中， 所述CARS 显微术系统适于在所述光刻处理系统对所述光敏材料执行所述经界定光刻工艺的同时测 量所述光敏材料的一个或一个以上性质。在再一方面中， 所述 CARS 显微术系统适于在所述 光刻处理系统已暂停或临时中止对所述光敏材料执行的经界定光刻工艺的同时测量所述 光敏材料的所述一个或一个以上性质。 0013 在本发明的另一方面中， 。
18、所述系统进一步包括扫描机构， 所述扫描机构适于使所 述光敏材料的独特部分经受由所述 CARS 显微术系统执行的所述一个或一个以上性质的测 量。在一个方面中， 所述扫描机构适于移动所述光敏材料。在另一方面中， 所述扫描机构适 于将入射辐射束导引于所述光敏材料。在再一方面中， 所述扫描机构适于将斯托克斯辐射 束和泵辐射束两者导引于所述光敏材料。 0014 在本发明的另一方面中， 所述 CARS 显微术系统包括适于产生具有频率 S的斯托 克斯辐射束的斯托克斯束源， 以及适于产生具有频率 P的泵辐射束的泵辐射束。在一个 方面中， 所述 CARS 显微术系统适于将所述斯托克斯辐射束和所述泵辐射束引导到所。
19、述光 敏材料上的大体上同一区。在再一方面中， 所述 CARS 显微术系统适于组合所述斯托克斯辐 射束和所述泵辐射束以产生具有频率 2P-S的相干辐射。 0015 在另一方面中， 所述 CARS 显微术系统包括适于产生光敏材料上的相干辐射束的 至少两个辐射源， 以及适于检测光敏材料响应于入射辐射束而发射的辐射的检测器。在一 个方面中， 所述光敏材料的所述发射的辐射提供关于所述光敏材料的所述一个或一个以上 说 明 书 CN 103733017 A 5 3/6 页 6 性质的信息。在再一方面中， 所述光敏材料的所述一个或一个以上性质包括所述光敏材料 中的聚合物的交联程度。在又一方面中， 所述光敏材料。
20、的所述一个或一个以上性质包括所 述光敏材料中的聚合物减弱或切断的程度。 0016 另外， 在本发明的另一方面中， 所述光敏材料包括光致抗蚀剂。在另一方面中， 所 述光致抗蚀剂包括负光致抗蚀剂。在再一方面中， 所述光致抗蚀剂包括正光致抗蚀剂。其 它方面涉及一种执行光敏材料的一个或一个以上性质的测量的方法。而且， 其它方面涉及 一种用于在正制造光敏材料的同时测量所述材料的一个或一个以上性质的系统。 0017 在结合附图考虑时从以下本发明的详细描述中将明了本发明的其它方面、 优点和 新颖特征。 附图说明 0018 图 1A 到 1E 说明示范性光刻工艺的各种阶段处的电路。 0019 图 2 说明根据。
21、本发明的实施例的示范性原位光致抗蚀剂表征系统的框图。 0020 图 3 说明根据本发明的另一实施例的另一示范性原位光致抗蚀剂表征系统的框 图。 0021 图 4 说明根据本发明的另一实施例的另一示范性原位光致抗蚀剂表征系统的框 图。 0022 图 5 说明根据本发明的另一方面的示范性原位光致抗蚀剂表征系统的框图。 0023 图 6 说明根据本发明的另一方面的在经历一工艺的同时原位表征光致抗蚀剂的 示范性方法的流程图。 0024 图 7 说明根据本发明的另一方面的在经历一工艺的同时原位表征光致抗蚀剂的 另一示范性方法的流程图。 具体实施方式 0025 图2说明根据本发明的实施例的示范性原位材料表。
22、征系统200的框图。 概括来说， 原位材料表征系统 200 使用相干反斯托克斯拉曼散射 (CARS) 显微术系统来测量经历光刻 工艺的光敏材料 ( 例如， 光致抗蚀剂 ) 的一个或一个以上性质。举例来说， CARS 系统能够 在按照光刻工艺暴露于指定辐射的同时检测例如负光致抗蚀剂中的聚合物中的交联形成。 类似地， CARS 系统能够在按照光刻工艺暴露于指定辐射的同时检测例如正光致抗蚀剂中的 聚合物减弱或切断。因此， 通过使用例如 CARS 系统在光致抗蚀剂正在经历光刻工艺的同时 监视光致抗蚀剂， 可容易观察光致抗蚀剂的收缩和或其它性质。这将有用于改善和或 优化例如正或负光致抗蚀剂等光敏材料的显。
23、影工艺。 0026 更具体来说， 原位材料表征系统200包括CARS显微术系统210， 其经配置以用于原 位测量经历由光刻处理系统240执行的特定光刻工艺的光致抗蚀剂试样250的一个或一个 以上性质。CARS 显微术系统 210 又包括斯托克斯束源 212、 泵束源 214、 检测器 216 以及扫 描机构 218。斯托克斯束源 212 产生具有频率 S的斯托克斯辐射束。泵束源 214 产生具 有频率 P的泵辐射束。斯托克斯和泵束可在 CARS 系统 210 内组合 ( 例如， 一者调制另一 者 ) 以产生具有频率 2P-S的入射辐射束。 0027 通过调整泵束频率与斯托克斯束频率之间的差， 。
24、可将入射辐射信号调谐为大体上 说 明 书 CN 103733017 A 6 4/6 页 7 光致抗蚀剂试样 250 的至少一部分的拉曼活性振动模式的频率。激发束与光致抗蚀剂试样 250 相互作用， 从而产生频率高于泵频率和斯托克斯频率两者的相干信号。检测器 216 检 测较短波长脉冲以确认关于光致抗蚀剂试样 250 的一个或一个以上性质的信息。扫描机构 218 适于相对于入射辐射束移动含有光致抗蚀剂试样 250 的晶片、 PCB 或其它元件， 以允许 束与光致抗蚀剂试样的不同部分或区相互作用。扫描机构 218 可通过实际上移动光致抗蚀 剂试样 250( 例如， 通过移动支撑光致抗蚀剂试样的结构。
25、 ( 例如， 台 ) 来执行此动作。或者 或另外， 扫描机构 218 可能够导引入射辐射束。 0028 通过空间上扫描入射辐射束， 可确认光致抗蚀剂试样 250 的化学特定的三维图 像， 其描述光致抗蚀剂试样内的受激分子振荡子的浓度或密度。检测到的信号与三阶易感 性的平方成比例， 且因此较强地取决于振动振荡子的数目。 因此， 检测到的信号中的不连续 性是光致抗蚀剂试样 250 中的聚合物密度变化的直接结果。因此， 在光致抗蚀剂试样 250 正在经历由光刻处理系统 240 执行的工艺时， CARS 系统 210 能够产生光致抗蚀剂试样的聚 合物交联密度的三维图像， 其有用于许多应用， 例如优化光。
26、致抗蚀剂试样的光刻处理， 表征 光致抗蚀剂试样的结构和特征、 例如光致抗蚀剂收缩， 检测光致抗蚀剂试样中的缺陷， 确认 光致抗蚀剂试样的均匀性和不均匀性， 和其它应用。 又， 这将有助于调谐光刻工艺以便实现 最佳光致抗蚀剂显影。 0029 图 3 说明根据本发明的另一实施例的另一示范性原位材料表征系统 300 的框图。 原位材料表征系统300类似于系统200， 且包含由相同参考标号表示的许多相同元件。 原位 材料表征系统 300 与系统 200 之间的差异在于， 斯托克斯辐射束与泵辐射束两者均聚焦于 光致抗蚀剂试样 250 上。因此， 入射辐射束大体上在光致抗蚀剂试样 250 处产生。在此情 。
27、况下， 扫描机构 218 可个别地导引斯托克斯束和泵束， 但以其两者均聚焦于光致抗蚀剂试 样 250 的大体上同一区的方式来导引。 0030 图 4 说明根据本发明的另一方面的另一示范性材料表征系统 400 的框图。材料表 征系统400类似于先前描述的系统200， 且包含由相同参考标号表示的许多相同元件。 材料 表征系统400相对于系统200的不同在于， 其包含CARS系统410， 其中泵辐射束的一部分发 送到光刻处理系统 240。光刻系统 240 产生辐射束 T， 其至少部分地从泵辐射束 P导出。 光致抗蚀剂试样 250 经受光刻辐射束 T以在负光致抗蚀剂试样中引起聚合物交联， 或在 正光致。
28、抗蚀剂试样中引起聚合物减弱或切断。在此系统 400 中， CARS 系统 410 能够在光致 抗蚀剂试样 250 正在经历由光刻处理系统 240 执行的光刻工艺的同时 “实时” 监视光致抗 蚀剂试样 250。 0031 图 5 说明根据本发明的另一方面的另一示范性材料表征系统 500 的框图。材料表 征系统500类似于先前描述的系统200， 且包含由相同参考标号表示的许多相同元件。 材料 表征系统 500 相对于系统 200 的不同在于， 系统 500 经配置以在光敏材料 ( 例如， 光致抗蚀 剂 ) 正在制造时而不是如先前实施例中正在使用时表征所述光敏材料。因此， 材料表征系 统 500 包。
29、括执行制造光致抗蚀剂试样 550 的工艺的光致抗蚀剂制造系统 540。 0032 光致抗蚀剂 500 的制造通常包含精确地混合若干不同元素。举例来说， 光致抗蚀 剂通常是若干元素的混合物， 例如单体、 低聚物、 洗脱液、 光敏剂和一种或一种以上添加剂。 光致抗蚀剂在暴露于特定辐射时聚合或解聚合 ( 例如， 光溶解 )。举例来说， 负光致抗蚀剂 通常包含通常未化学键结在一起的甲基丙烯酸酯单体和低聚物。在暴露于特定辐射后， 负 说 明 书 CN 103733017 A 7 5/6 页 8 光致抗蚀剂中的聚合物即刻经历交联。另一方面， 正光致抗蚀剂通常包含例如在清漆型酚 醛树脂中的酚甲醛型分子。在暴。
30、露于特定辐射后， 光致抗蚀剂聚合物即刻减弱 ( 例如， 光溶 解 )。 0033 光致抗蚀剂中的溶剂元素允许光致抗蚀剂处于液体形式， 以便促进通过旋涂沉积 光致抗蚀剂。在负光致抗蚀剂中使用的溶剂通常包含甲苯、 二甲苯以及卤化脂族烃。另一 方面， 在例如正光致抗蚀剂中使用的溶剂通常包含有机溶剂， 例如 2- 乙氧基乙酸乙酯、 双 (2- 甲氧乙基 ) 醚以及环己酮。 0034 光敏剂元素用于在暴露于特定辐射时控制聚合物反应。举例来说， 光敏剂可用以 加宽或缩窄光致抗蚀剂对辐射的波长的响应。 在负光致抗蚀剂中使用的光敏剂通常包含双 叠氮敏化剂。而在正光致抗蚀剂中使用的光敏剂通常包含重氮基萘醌。在光。
31、致抗蚀剂中可 采用一种或一种以上添加剂以执行特定功能， 例如增加光致抗蚀剂的光吸收， 控制光致抗 蚀剂内的光扩散， 和或改善光致抗蚀剂对指定表面的粘合。 0035 同样如上文论述， 虽然将这些元素中的任一者混合在一起以形成光致抗蚀剂， 但 CARS 系统 210 可对光致抗蚀剂材料 550 进行测量。这些测量可原位和或实时进行， 如下 文进一步论述。CARS 系统 500 提供对光致抗蚀剂的聚合的测量， 其可有助于获得光致抗蚀 剂的所需混合物或组合物。 0036 图 6 说明根据本发明的另一方面的在经历光刻或制造工艺的同时原位表征光致 抗蚀剂试样的示范性方法 600 的流程图。在此实例中， 光。
32、致抗蚀剂试样的处理经暂停或临 时中止一次或一次以上， 以便分别对试样执行一次或一次以上 CARS 测量。 0037 更具体来说， 根据方法 600， 将光致抗蚀剂试样原位放置以用于处理 ( 框 602)。随 后， 可进行光致抗蚀剂试样的初始 CARS 测量， 以便在工艺的早期阶段表征试样 ( 框 604)。 随后， 开始或继续光致抗蚀剂试样的处理 ( 框 606)。在工艺完成之前可暂停光致抗蚀剂试 样的处理以进行试样的测量(框608)。 在工艺暂停时， 进行光致抗蚀剂试样原位的CARS测 量 ( 框 610)。在测量之后， 继续进行工艺 ( 框 612)。在工艺完成之前， 可进行光致抗蚀剂 试。
33、样的额外中间 CARS 测量。因此， 有关于此， 如果按照框 614 工艺未完成， 那么可按需要重 复操作 608 到 614 以获得光致抗蚀剂试样的额外 CARS 测量。在按照框 614 工艺完成时， 可 进行光致抗蚀剂试样的最终 CARS 测量 ( 框 616)。 0038 图 7 说明根据本发明的另一方面的原位表征经历一工艺的光致抗蚀剂试样的另 一示范性方法 700 的流程图。在先前实例中， 虽然光致抗蚀剂试样是原位的， 但暂停或临时 中止正对试样执行的工艺以用于对试样进行 CARS 测量的目的。在此实例中， 工艺未中止， 且在正对试样执行工艺的同时进行光致抗蚀剂试样的 CARS 测量。。
34、 0039 更具体来说， 根据方法 700， 将光致抗蚀剂试样原位放置以用于处理 ( 框 702)。随 后， 可进行光致抗蚀剂试样的初始 CARS 测量， 以便在工艺的早期阶段表征试样 ( 框 704)。 随后， 开始或继续光致抗蚀剂试样的处理 ( 框 706)。在试样正经历经界定工艺的同时可以 连续、 周期性或另一方式进行光致抗蚀剂试样的 CARS 测量 ( 框 708)。在按照框 710 工艺完 成之前， 可在正处理试样的同时进行光致抗蚀剂试样的额外 CARS 测量 ( 框 708)。在如框 710 中确定工艺完成时， 可进行光致抗蚀剂试样的最终 CARS 测量 ( 框 712)。 004。
35、0 虽然已结合各种实施例描述本发明， 但将了解， 本发明能够进行进一步修改。 本申 请案既定涵盖大体上遵循本发明的原理对本发明的任何变化、 使用或改动， 且将与本发明 说 明 书 CN 103733017 A 8 6/6 页 9 的此类偏离包含在本发明所属的领域内的已知和惯例实践内。 说 明 书 CN 103733017 A 9 1/6 页 10 图 1A 图 1B 说 明 书 附 图 CN 103733017 A 10 2/6 页 11 图 1C 图 1D 图 1E 说 明 书 附 图 CN 103733017 A 11 3/6 页 12 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 103733017 A 12 4/6 页 13 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 103733017 A 13 5/6 页 14 图 6 说 明 书 附 图 CN 103733017 A 14 6/6 页 15 图 7 说 明 书 附 图 CN 103733017 A 15 。