一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201310342944.2

申请日:

2013.08.08

公开号:

CN103399465A

公开日:

2013.11.20

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

登录超时

IPC分类号:

G03F7/20; G03F9/00

主分类号:

G03F7/20

申请人:

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人:

王泰升; 鱼卫星; 卢振武; 孙强

地址:

130033 吉林省长春市东南湖大路3888号

优先权:

专利代理机构:

长春菁华专利商标代理事务所 22210

代理人:

张伟

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内容摘要

一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,属于光电技术及微纳加工技术领域,设计掩模板A和掩模板B,分别对应基片的表面a和表面b所需图形,在掩模板A上设计中心对称的内外两层对准标记,内层对准标记在基片尺寸范围内,首先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻,接下来利用掩模板A在透明衬底表面进行光刻,将透明衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图形的表面a相对,基片与衬底粘合后,利用掩模板B在基片表面b进行光刻,最后利用加热或溶解的方法将基片与透明衬底分离,得到具有双面对准图形的基片。借助透明衬底完成双面对准,实现利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题,降低了双面光刻工艺成本。

权利要求书

权利要求书
1.  一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,由以下步骤实现:
一、制作第一掩模板(1)和第二掩模板(2),第一掩模板(1)具有中心对称的内层对准标记(1-1)和外层对准标记(1-2),分别位于基片图形内和基片图形外,第二掩模板(2)具有与第一掩模板(1)一致的外层对准标记(2-1);
二、利用第一掩模板(1)在基片上表面(3-1)进行光刻和刻蚀,制作图形;
三、利用第一掩模板(1)在透明衬底(4)表面进行光刻和刻蚀,制作图形;
四、通过内层对准标记(1-1)和透明衬底4的内层对准标记(4-3),将制作有图形的透明衬底表面(4-1)和基片上表面(3-1)进行对准和粘片;
五、使透明衬底(4)外层对准标记与第二掩模板(2)外层对准标记(2-1)重合,利用第二掩模板(2)在基片下表面(3-2)进行光刻和刻蚀,制作需要的图形;
六、将基片(3)与透明衬底(4)分离,得到具有双面对准图形的基片(3)。

2.  根据权利要求1所述一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,其特征在于:掩模板的对准标记设计为中心对称。

3.  根据权利要求1所述一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法,其特征在于:将透明衬底(4)上制作图形的表面(4-1)与基片做好光刻图形的上表面(3-1)相对,在显微镜(5)下利用两个面的内层对准标记进行对准,再利用透明固化胶(6)将二者粘合到一起,这一步可以通过两种方式进行:一种方式是可以先通过显微镜(5)完成对准,然后从基片(3)和透明衬底(4)接触面边缘滴入透明固化胶(6),利用毛细作用自然渗入两个面之间,固化后完成粘合;另一种方式是先在基片(3)上滴上透明固化胶(6),然后将透明衬底(4)压在基片(3)上,并在胶体固化之前完成对准。

说明书

说明书一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法
技术领域
本发明属于光电技术及微纳加工技术领域,涉及一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法。
背景技术
双面光刻技术是一种应用十分广泛的制作半导体器件及光学器件的微纳加工技术。诸如压力传感器、石英晶体振荡器、微电子机械加工、混合电路、功率半导体器体、体声波器件、放电二极管等器件的制造,都需要利用双面光刻技术对基片正反两面进行精密地对准曝光。目前双面光刻工艺大多利用双面曝光机来完成,根据其对准原理的不同大致可分为两种:一种是利用红外显微镜透过基片与另一面的掩模进行对准,这种方法对于不透红外光的基片无能为力,且需要专门的红外成像装置来实现,且精度较低;另一种是利用两组物镜对基片上下表面及掩模进行同时观察和对准,这种方法是目前被采用较多的一种方法。但是这两种方法都依赖于结构复杂且价格昂贵的装置设备来完成,工艺成本较高,对于一些无力购买或研制双面曝光机的小型实验室或生产车间,便无法利用双面光刻工艺进行科学研究或生产。因此,找到一种可以利用普通单面曝光机进行双面光刻的简单低成本的方法具有很高的现实意义。
发明内容
为了降低双面光刻工艺成本,解决利用普通的单面曝光机来无法实现双面光刻的问题,提出一种借助透明衬底完成双面对准光刻的简单方法。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下:
一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法。
由以下步骤组成:
一、制作第一掩模板和第二掩模板,第一掩模板具有中心对称的内层对准标记和外层对准标记,分别位于基片图形内和基片图形外,第二掩模板具有与第一掩模板一致的外层对准标记;
二、第一掩模板在基片上表面进行光刻和刻蚀,制作图形;
三、第一掩模板在透明衬底表面进行光刻和刻蚀,制作图形;
四、通过内层对准标记,将制作有图形的透明衬底表面和基片上表面3-1进行对准和粘片;
五、使透明衬底外层对准标记与第二掩模板外层对准标记重合,利用第二掩模板在基片下表面进行光刻和刻蚀,制作需要的图形结构;
六、将基片与透明衬底分离,得到具有双面对准图形的基片。
本发明的有益效果是:
本发明的简单新型双面对准光刻工艺方法,借助透明衬底(如玻璃等)完成双面对准,不依赖于昂贵复杂的双面曝光机,解决了利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题,降低了双面光刻工艺成本。
附图说明
图1是第一掩模板1的示意图;
图2是第二掩模板2的示意图;
图3是利用第一掩模板制作的透明衬底4的示意图;
图4是利用第一掩模板1在基片上表面3-1上进行光刻的示意图;
图5是利用第一掩模板1在透明衬底表面进行光刻的示意图;
图6是在显微镜下将透明衬底已制作图形的表面和基片上表面3-1进行对准和粘片的示意图;
图7是利用第二掩模板2在基片下表面3-2进行光刻的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本方法做进一步详细描述:
如图1-2所示,设计第一掩模板1和第二掩模板2,分别对应基片的上表面3-1和下表面3-2所需图形,在第一掩模板1上设计中心对称的内层对准标记1-1和外层对准标记1-2,内层对准标记1-1在基片3尺寸范围内,外层对准标记1-2设计在基片3尺寸范围外,小于透明衬底4的尺寸,通过内层对准标记1-1和透明衬底4的内层对准标记4-3,将制作有图形的透明衬底表面4-1和基片上表面3-1进行对准和粘片,而外层对准标记1-2是用于对基片下表面3-2进行光刻时,第二掩模板2与透明衬底4制作有图形的透明衬底表面4-1的对准。第二掩模板2上则设计与第一掩模板1相同的外层对准标记2-1。考虑到透明衬底4与基片上表面3-1的图形都是通过第一掩模板1制作的,而在粘片时衬底有图形的表面4-1与基片表面3-1是面对面的,二者的图形是镜像关系,因此掩模板的对准标记必须设计成中心对称的,才能保证在镜像条件下对准标记仍然可以起到对准作用。
如图3-4所示,首先利用第一掩模板1在基片的上表面3-1进行光刻,制作需要的图形结构,并通过湿法或者干法刻蚀将图形从光刻胶转移到基片上表面3-1上,接下来利用第一掩模板1在透明衬底4表面进行光刻,并通过刻蚀将图形转移到透明衬底表面,制作后的图形与基片上表面3-1的图形呈镜像关系,但对准标记是一致的。
如图5所示,将透明衬底4上制作有图形的透明衬底表面4-1与基片3做好光刻图形的上表面3-1相对,透明衬底4在上,由于衬底是透明的,因此可以在显微镜下利用两个面的内层对准标记1-1进行对准,再利用透明固化胶6将二者粘合到一起,这一步可以通过两种方式进行:一种方式是可以先通过显微镜5完成对准,然后从基片3和透明衬底4接触面边缘滴入透明固化胶6,利用毛细作用自然渗入两个面之间,固化后完成粘合;另一种方式是先在基片3上滴上透明固化胶6,然后将透明衬底4压在基片3上,并在胶体固化之前完成对准。透明固化胶6的选择范围比较广,如紫外固化胶、各种瞬干胶等,但必 须满足两个条件:一是必须具有一定的透光性,即透明,这是为了保证在对准和固化过程中不影响观察;二是方便去除,如利用加热、溶解等简便方法即可去除,以保证在整个双面光刻工艺结束后可以顺利地将基片3与透明衬底4分离。
如图6所示,基片3与透明衬底4粘合后,利用第二掩模板2在基片下表面3-2上进行光刻,此时利用的是第二掩模板2的外层对准标记2-1和透明衬底4上的外层对准标记4-2来完成对准,同时也实现了基片上表面3-1和基片下表面3-2的对准。然后通过刻蚀在基片下表面3-2制作出需要的图形。最后利用加热或溶解的方法将基片3与透明衬底4分离,从而得到了具有双面对准图形的基片3。可以看到,我们只需借助一个透明衬底4作为中间介质,使得原来只能依靠价格昂贵的双面曝光机才能完成的双面光刻工艺,现在只需要利用普通的单面曝光机即可完成,大大降低了工艺成本。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

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1、(10)申请公布号 CN 103399465 A (43)申请公布日 2013.11.20 CN 103399465 A *CN103399465A* (21)申请号 201310342944.2 (22)申请日 2013.08.08 G03F 7/20(2006.01) G03F 9/00(2006.01) (71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物 理研究所 地址 130033 吉林省长春市东南湖大路 3888 号 (72)发明人 王泰升 鱼卫星 卢振武 孙强 (74)专利代理机构 长春菁华专利商标代理事务 所 22210 代理人 张伟 (54) 发明名称 一种利用单面曝光机实现双面对。

2、准光刻的方 法 (57) 摘要 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方 法, 属于光电技术及微纳加工技术领域, 设计掩模 板 A 和掩模板 B, 分别对应基片的表面 a 和表面 b 所需图形, 在掩模板 A 上设计中心对称的内外两 层对准标记, 内层对准标记在基片尺寸范围内, 首 先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻, 接下来 利用掩模板 A 在透明衬底表面进行光刻, 将透明 衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图 形的表面 a 相对, 基片与衬底粘合后, 利用掩模板 B在基片表面b进行光刻, 最后利用加热或溶解的 方法将基片与透明衬底分离, 得到具有双面对准 图形的基片。 借助透明衬底完。

3、成双面对准, 实现利 用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题, 降 低了双面光刻工艺成本。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (10)申请公布号 CN 103399465 A CN 103399465 A *CN103399465A* 1/1 页 2 1. 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法, 由以下步骤实现 : 一、 制作第一掩模板 (1) 和第二掩模板 (2) , 第一掩模板 (1) 具有中心对称的内层对准 标记 (1-1) 和外层对准标记 (1-。

4、2) , 分别位于基片图形内和基片图形外, 第二掩模板 (2) 具 有与第一掩模板 (1) 一致的外层对准标记 (2-1) ; 二、 利用第一掩模板 (1) 在基片上表面 (3-1) 进行光刻和刻蚀, 制作图形 ; 三、 利用第一掩模板 (1) 在透明衬底 (4) 表面进行光刻和刻蚀, 制作图形 ; 四、 通过内层对准标记 (1-1) 和透明衬底 4 的内层对准标记 (4-3) , 将制作有图形的透 明衬底表面 (4-1) 和基片上表面 (3-1) 进行对准和粘片 ; 五、 使透明衬底 (4) 外层对准标记与第二掩模板 (2) 外层对准标记 (2-1) 重合, 利用第 二掩模板 (2) 在基片。

5、下表面 (3-2) 进行光刻和刻蚀, 制作需要的图形 ; 六、 将基片 (3) 与透明衬底 (4) 分离, 得到具有双面对准图形的基片 (3) 。 2. 根据权利要求 1 所述一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法, 其特征在于 : 掩模板的对准标记设计为中心对称。 3. 根据权利要求 1 所述一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法, 其特征在于 : 将透明衬底 (4) 上制作图形的表面 (4-1) 与基片做好光刻图形的上表面 (3-1) 相对, 在显微 镜 (5) 下利用两个面的内层对准标记进行对准, 再利用透明固化胶 (6) 将二者粘合到一起, 这一步可以通过两种方式进行 : 一种方式。

6、是可以先通过显微镜 (5) 完成对准, 然后从基片 (3) 和透明衬底 (4) 接触面边缘滴入透明固化胶 (6) , 利用毛细作用自然渗入两个面之间, 固化后完成粘合 ; 另一种方式是先在基片 (3) 上滴上透明固化胶 (6) , 然后将透明衬底 (4) 压在基片 (3) 上, 并在胶体固化之前完成对准。 权 利 要 求 书 CN 103399465 A 2 1/3 页 3 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 技术领域 0001 本发明属于光电技术及微纳加工技术领域, 涉及一种利用单面曝光机实现双面对 准光刻的方法。 背景技术 0002 双面光刻技术是一种应用十分广泛的制作半导体器件及光。

7、学器件的微纳加工技 术。诸如压力传感器、 石英晶体振荡器、 微电子机械加工、 混合电路、 功率半导体器体、 体声 波器件、 放电二极管等器件的制造 , 都需要利用双面光刻技术对基片正反两面进行精密地 对准曝光。目前双面光刻工艺大多利用双面曝光机来完成, 根据其对准原理的不同大致可 分为两种 : 一种是利用红外显微镜透过基片与另一面的掩模进行对准, 这种方法对于不透 红外光的基片无能为力, 且需要专门的红外成像装置来实现, 且精度较低 ; 另一种是利用两 组物镜对基片上下表面及掩模进行同时观察和对准, 这种方法是目前被采用较多的一种方 法。 但是这两种方法都依赖于结构复杂且价格昂贵的装置设备来完。

8、成, 工艺成本较高, 对于 一些无力购买或研制双面曝光机的小型实验室或生产车间, 便无法利用双面光刻工艺进行 科学研究或生产。因此, 找到一种可以利用普通单面曝光机进行双面光刻的简单低成本的 方法具有很高的现实意义。 发明内容 0003 为了降低双面光刻工艺成本, 解决利用普通的单面曝光机来无法实现双面光刻的 问题, 提出一种借助透明衬底完成双面对准光刻的简单方法。 0004 本发明解决技术问题所采用的技术方案如下 : 0005 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法。 0006 由以下步骤组成 : 0007 一、 制作第一掩模板和第二掩模板, 第一掩模板具有中心对称的内层对准标记和 外层对。

9、准标记, 分别位于基片图形内和基片图形外, 第二掩模板具有与第一掩模板一致的 外层对准标记 ; 0008 二、 第一掩模板在基片上表面进行光刻和刻蚀, 制作图形 ; 0009 三、 第一掩模板在透明衬底表面进行光刻和刻蚀, 制作图形 ; 0010 四、 通过内层对准标记, 将制作有图形的透明衬底表面和基片上表面 3-1 进行对 准和粘片 ; 0011 五、 使透明衬底外层对准标记与第二掩模板外层对准标记重合, 利用第二掩模板 在基片下表面进行光刻和刻蚀, 制作需要的图形结构 ; 0012 六、 将基片与透明衬底分离, 得到具有双面对准图形的基片。 0013 本发明的有益效果是 : 0014 本。

10、发明的简单新型双面对准光刻工艺方法, 借助透明衬底 (如玻璃等) 完成双面对 准, 不依赖于昂贵复杂的双面曝光机, 解决了利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问 说 明 书 CN 103399465 A 3 2/3 页 4 题, 降低了双面光刻工艺成本。 附图说明 0015 图 1 是第一掩模板 1 的示意图 ; 0016 图 2 是第二掩模板 2 的示意图 ; 0017 图 3 是利用第一掩模板制作的透明衬底 4 的示意图 ; 0018 图 4 是利用第一掩模板 1 在基片上表面 3-1 上进行光刻的示意图 ; 0019 图 5 是利用第一掩模板 1 在透明衬底表面进行光刻的示意图 ; 00。

11、20 图6是在显微镜下将透明衬底已制作图形的表面和基片上表面3-1进行对准和粘 片的示意图 ; 0021 图 7 是利用第二掩模板 2 在基片下表面 3-2 进行光刻的示意图。 具体实施方式 0022 下面结合附图对本方法做进一步详细描述 : 0023 如图 1-2 所示, 设计第一掩模板 1 和第二掩模板 2, 分别对应基片的上表面 3-1 和 下表面 3-2 所需图形, 在第一掩模板 1 上设计中心对称的内层对准标记 1-1 和外层对准标 记 1-2, 内层对准标记 1-1 在基片 3 尺寸范围内, 外层对准标记 1-2 设计在基片 3 尺寸范围 外, 小于透明衬底4的尺寸, 通过内层对准。

12、标记1-1和透明衬底4的内层对准标记4-3, 将制 作有图形的透明衬底表面 4-1 和基片上表面 3-1 进行对准和粘片, 而外层对准标记 1-2 是 用于对基片下表面 3-2 进行光刻时, 第二掩模板 2 与透明衬底 4 制作有图形的透明衬底表 面 4-1 的对准。第二掩模板 2 上则设计与第一掩模板 1 相同的外层对准标记 2-1。考虑到 透明衬底 4 与基片上表面 3-1 的图形都是通过第一掩模板 1 制作的, 而在粘片时衬底有图 形的表面4-1与基片表面3-1是面对面的, 二者的图形是镜像关系, 因此掩模板的对准标记 必须设计成中心对称的, 才能保证在镜像条件下对准标记仍然可以起到对准。

13、作用。 0024 如图 3-4 所示, 首先利用第一掩模板 1 在基片的上表面 3-1 进行光刻, 制作需要的 图形结构, 并通过湿法或者干法刻蚀将图形从光刻胶转移到基片上表面 3-1 上, 接下来利 用第一掩模板1在透明衬底4表面进行光刻, 并通过刻蚀将图形转移到透明衬底表面, 制作 后的图形与基片上表面 3-1 的图形呈镜像关系, 但对准标记是一致的。 0025 如图 5 所示, 将透明衬底 4 上制作有图形的透明衬底表面 4-1 与基片 3 做好光刻 图形的上表面 3-1 相对, 透明衬底 4 在上, 由于衬底是透明的, 因此可以在显微镜下利用两 个面的内层对准标记1-1进行对准, 再利。

14、用透明固化胶6将二者粘合到一起, 这一步可以通 过两种方式进行 : 一种方式是可以先通过显微镜5完成对准, 然后从基片3和透明衬底4接 触面边缘滴入透明固化胶 6, 利用毛细作用自然渗入两个面之间, 固化后完成粘合 ; 另一种 方式是先在基片 3 上滴上透明固化胶 6, 然后将透明衬底 4 压在基片 3 上, 并在胶体固化之 前完成对准。透明固化胶 6 的选择范围比较广, 如紫外固化胶、 各种瞬干胶等, 但必须满足 两个条件 : 一是必须具有一定的透光性, 即透明, 这是为了保证在对准和固化过程中不影响 观察 ; 二是方便去除, 如利用加热、 溶解等简便方法即可去除, 以保证在整个双面光刻工艺。

15、 结束后可以顺利地将基片 3 与透明衬底 4 分离。 0026 如图 6 所示, 基片 3 与透明衬底 4 粘合后, 利用第二掩模板 2 在基片下表面 3-2 上 说 明 书 CN 103399465 A 4 3/3 页 5 进行光刻, 此时利用的是第二掩模板 2 的外层对准标记 2-1 和透明衬底 4 上的外层对准标 记 4-2 来完成对准, 同时也实现了基片上表面 3-1 和基片下表面 3-2 的对准。然后通过刻 蚀在基片下表面 3-2 制作出需要的图形。最后利用加热或溶解的方法将基片 3 与透明衬 底 4 分离, 从而得到了具有双面对准图形的基片 3。可以看到, 我们只需借助一个透明衬底。

16、 4 作为中间介质, 使得原来只能依靠价格昂贵的双面曝光机才能完成的双面光刻工艺, 现在 只需要利用普通的单面曝光机即可完成, 大大降低了工艺成本。 0027 显然, 上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例, 而并非对实施方式的限定。 对 于所属领域的普通技术人员来说, 在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或 变动仍处于本发明创造的保护范围之中。 说 明 书 CN 103399465 A 5 1/2 页 6 图 1 图 2 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103399465 A 6 2/2 页 7 图 5 图 6 图 7 说 明 书 附 图 CN 103399465 A 7 。

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