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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201310438649.7 (22)申请日 2013.09.23 H01L 21/66(2006.01) (71)申请人 中芯国际集成电路制造 （上海） 有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路 18 号 (72)发明人 许亮 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所 ( 普通合伙 ) 31237 代理人 屈蘅 李时云 (54) 发明名称 测量方法 (57) 摘要 本发明提出了一种测量方法， 将待检测点平 均分布于晶圆同心圆上， 在对一待检测点检测完 毕后， 只需通过半导体晶圆自转一定角度便能够 达到下一待检测点，。
2、 并对其进行检测， 无需半导体 晶圆进行多次位移， 因此能够降低测量时间， 提高 生产效率。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104465431 A (43)申请公布日 2015.03.25 CN 104465431 A 1/1 页 2 1. 一种测量方法， 包括步骤 ： 定义半导体晶圆待检测点的个数 ； 将所述待检测点均匀分布在晶圆同心圆上， 所述晶圆同心圆与所述半导体晶圆共圆 心 ； 当测量同一晶圆同心圆上的待检测点时， 测量完一待检测点之后， 所述半导体晶圆自 转预定角度到。
3、达下一待检测点。 2. 如权利要求 1 所述的测量方法， 其特征在于， 所述晶圆同心圆的个数大于等于 1。 3.如权利要求2所述的测量方法， 其特征在于， 当所述晶圆同心圆的个数大于1且位于 同一晶圆同心圆上的待检测点检测完时， 所述半导体晶圆平移至下一晶圆同心圆上的待检 测点进行检测。 4. 如权利要求 1 所述的测量方法， 其特征在于， 所述半导体晶圆设置于一检测台上， 所 述检测台带动所述半导体晶圆进行自转或平移。 5. 如权利要求 1 所述的测量方法， 其特征在于， 所述半导体晶圆的表面形成有薄膜， 所 述测量方法用于测量所述薄膜的厚度。 6. 如权利要求 5 所述的测量方法， 其特征。
4、在于， 所述测量方法采用光学法测量薄膜的 厚度。 7. 如权利要求 6 所述的测量方法， 其特征在于， 所述光学法采用的光为椭圆偏正光。 权 利 要 求 书 CN 104465431 A 2 1/3 页 3 测量方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体制造领域， 尤其涉及一种测量方法。 背景技术 0002 半导体晶圆在制造过程中， 需要形成不同薄膜层， 每一层薄膜的厚度也不尽相同。 为了精确的实现电路功能， 需要精确控制形成在半导体晶圆表面的每一层薄膜的厚度， 以 防止形成的薄膜厚度太厚或太薄导致半导体晶圆不符合要求， 影响半导体晶圆的良率。因 此， 为了能够监控形成薄膜的厚度， 通常会在薄。
5、膜形成后对其进行厚度的测量， 若发现厚度 异常， 则应立马做出相应的改进措施。 0003 现有技术中， 测量厚度通常采用光发射器将椭圆偏正光射入半导体晶圆的待检测 点， 再由光接收器接收由待检测点反射回的椭圆偏正光， 利用光的透射与反射计算出薄膜 的厚度。 为了能够检测出半导体晶圆表面整体的薄膜厚度， 需要根据不同的工艺需求， 在半 导体晶圆上设定需要多个待检测点， 例如9个、 21个或者49个， 从而能够更加准确的得出薄 膜厚度的分布。 0004 请参考图 1， 所述半导体晶圆 10 的表面设有多个待检测点 11， 当其中一个待检测 点 11 测量完毕时， 则需要转移至下一个待检测点 11，。
6、 所述半导体晶圆 10 放置于检测台 （图 未示出） 上， 所述检测台仅能够沿水平线或者垂直于水平线方向移动， 因此， 为了到下一个 检测点 11， 则所述检测台必须先沿水平方向移动一定位移， 再沿垂直于水平线方向移动一 定位移， 然后才能到达下一检测点 11 进行厚度测量， 以此类推， 所述检测台均需要进行两 次位移才能对后续检测点 11 进行测量。然而， 该种测量方法十分耗时， 主要测量时间均浪 费在所述检测台的移动上， 对半导体晶圆的每小时产量 （WPH） 有极大的影响。 发明内容 0005 本发明的目的在于提供一种测量方法， 能够降低测量时间， 提高生产效率。 0006 为了实现上述目。
7、的， 本发明提出了一种测量方法， 包括步骤 ： 0007 定义半导体晶圆待检测点的个数 ； 0008 将所述待检测点均匀分布在晶圆同心圆上， 所述晶圆同心圆与所述半导体晶圆共 圆心 ； 0009 测量完一待检测点之后， 所述半导体晶圆自转预定角度到达下一待检测点。 0010 进一步的， 所述晶圆同心圆的个数大于等于 1。 0011 进一步的， 当所述晶圆同心圆的个数大于 1 且位于同一晶圆同心圆上的待检测点 检测完时， 所述半导体晶圆平移至下一晶圆同心圆上的待检测点进行检测。 0012 进一步的， 所述半导体晶圆设置于一检测台上， 所述检测台带动所述半导体晶圆 进行自转或平移。 0013 进一。
8、步的， 所述半导体晶圆的表面形成有薄膜， 所述测量方法用于测量所述薄膜 的厚度。 说 明 书 CN 104465431 A 3 2/3 页 4 0014 进一步的， 所述测量方法采用光学法测量薄膜的厚度。 0015 进一步的， 所述光学法采用的光为椭圆偏正光。 0016 与现有技术相比， 本发明的有益效果主要体现在 ： 将待检测点平均分布于晶圆同 心圆上， 在对一待检测点检测完毕后， 只需通过半导体晶圆自转一定角度便能够达到下一 待检测点， 并对其进行检测， 无需半导体晶圆进行多次位移， 因此能够降低测量时间， 提高 生产效率。 附图说明 0017 图 1 为现有技术中对半导体晶圆进行测量的示。
9、意图 ； 0018 图 2- 图 3 为本发明一实施例中对半导体晶圆进行测量的示意图。 具体实施方式 0019 下面将结合示意图对本发明的测量方法进行更详细的描述， 其中表示了本发明的 优选实施例， 应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明， 而仍然实现本发明的 有利效果。 因此， 下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道， 而并不作为对本 发明的限制。 0020 为了清楚， 不描述实际实施例的全部特征。 在下列描述中， 不详细描述公知的功能 和结构， 因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开 发中， 必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标， 例。
10、如按照有关系统或有关商业的 限制， 由一个实施例改变为另一个实施例。 另外， 应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费 时间的， 但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。 0021 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。 根据下面说明和权利要 求书， 本发明的优点和特征将更清楚。 需说明的是， 附图均采用非常简化的形式且均使用非 精准的比例， 仅用以方便、 明晰地辅助说明本发明实施例的目的。 0022 请参考图 2， 在本实施例中， 提出了一种测量方法， 包括步骤 ： 0023 定义半导体晶圆 100 上待检测点 110 的个数 ； 0024 根据不同的工艺要求， 可以定义多个的待检。
11、测点 110， 例如 6 个、 12 个等， 定义的 待检测点 110 个数越多， 测量出的数据越准确， 相应的， 测量时间也就越久， 因此， 待检测点 110 的个数可以由不同需求来定义。 0025 将所述待检测点 110 均匀分布在晶圆同心圆 120 上， 所述晶圆同心圆 120 与所述 半导体晶圆 100 共圆心 ； 0026 根据不同待检测点 110 的个数， 可以将待检测点 110 平均分配至一个或者多个所 述晶圆同心圆 120 上， 这样所述半导体晶圆 100 的自转角度更大， 方便设备实现， 若自转过 小， 一方面设备不易于实现， 另一方面可能会导致偏差较大。 0027 当测量同。
12、一晶圆同心圆上的待检测点110时， 测量完一待检测点110之后， 所述半 导体晶圆 100 自转预定角度到达下一待检测点 110。 0028 如图 2 所示， 第一晶圆同心圆 121 上均与分别有 6 个待检测点 110， 两个待检测点 110之间存在第一角度1为60度， 因此在测试完第一个待检测点110后， 所述半导体晶圆 只需按照圆心自转 1， 即 60 度便能够到达下一个待检测点 110 进行检测。 说 明 书 CN 104465431 A 4 3/3 页 5 0029 若待检测点 110 的个数较多， 例如 18 个， 如图 3 所示， 此时可以在第一晶圆同心圆 121 上均匀设置 6。
13、 个待检测点 110， 在第二晶圆同心圆 122 上均匀设置 12 个待检测点 110， 当位于第一晶圆同心圆 121 上的待检测点 110 被检测完时， 所述半导体晶圆 100 平移至第 二晶圆同心圆122上的待检测点110再继续进行检测， 此时也仅需多平移一次 ； 在对所述第 二晶圆同心圆 122 上的待检测点 110 进行检测时， 检测完一个待检测点 110 之后， 只需所述 半导体晶圆 100 自转 2， 即 30 度便能够到达下一个待检测点 110 上。 0030 在本实施例中， 所述半导体晶圆100设置于一检测台 （图未示出） 上， 所述检测台带 动所述半导体晶圆100进行自转或平。
14、移 ； 所述半导体晶圆100的表面形成有薄膜， 所述测量 方法用于测量所述薄膜的厚度 ； 所述测量方法采用光学法测量薄膜的厚度 ； 所述光学法采 用的光为椭圆偏正光。 0031 综上， 在本发明实施例提供的测量方法中， 将待检测点平均分布于晶圆同心圆上， 在对一待检测点检测完毕后， 只需通过半导体晶圆自转一定角度便能够达到下一待检测 点， 并对其进行检测， 无需半导体晶圆进行多次位移， 因此能够降低测量时间， 提高生产效 率。 0032 上述仅为本发明的优选实施例而已， 并不对本发明起到任何限制作用。任何所属 技术领域的技术人员， 在不脱离本发明的技术方案的范围内， 对本发明揭露的技术方案和 技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动， 均属未脱离本发明的技术方案的内容， 仍 属于本发明的保护范围之内。 说 明 书 CN 104465431 A 5 1/2 页 6 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104465431 A 6 2/2 页 7 图 3 说 明 书 附 图 CN 104465431 A 7 。