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1、(10)申请公布号 CN 104241333 A (43)申请公布日 2014.12.24 CN 104241333 A (21)申请号 201410538312.8 (22)申请日 2014.10.13 H01L 27/32(2006.01) (71)申请人 友达光电股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行二路 1 号 (72)发明人 蔡志鸿 吕学兴 林佳桦 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 徐金国 (54) 发明名称 一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器及 其制造方法 (57) 摘要 本发明提供了一种软性主动矩阵有机发光 二极管显。
2、示器及其制造方法。该制造方法包括 ： 提供一刚性基板 ； 依序形成第一缓冲层以及第二 缓冲层于刚性基板的上方 ； 形成第一气体阻隔层 于第二缓冲层的上方 ； 形成一塑料基板于第一气 体阻隔层的上方 ； 形成第二气体阻隔层于塑料基 板的上方 ； 以及采用激光剥离制程来移除刚性基 板。相比于现有技术， 本发明将诸如氮化硅、 氧化 硅、 氮氧化硅或其它具有阻水功效的无机化合物 作为气体阻隔层并且形成于塑料基板的上下两 侧， 从而可有效阻隔外部的水气进入塑料基板内 部。本发明还在第一气体阻隔层的下方增设两个 层叠的缓冲层， 当使用激光剥离方式移除刚性基 板时， 这两个缓冲层作为激光牺牲层以确保塑料 基。
3、板不被损伤。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 5 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (10)申请公布号 CN 104241333 A CN 104241333 A 1/1 页 2 1. 一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器的制造方法， 该软性主动矩阵有机发光二 极管显示器包括一阵列基板以及位于所述阵列基板上方的有机发光二极管， 其特征在于， 该制造方法包括以下步骤 ： 提供一刚性基板 ； 依序形成一第一缓冲层以及一第二缓冲层于所述刚性基板的上方 ； 形成一第一气体阻隔层于所述第二缓冲层的上方 。
4、； 形成一塑料基板于所述第一气体阻隔层的上方 ； 形成一第二气体阻隔层于所述塑料基板的上方， 其中， 所述第一气体阻隔层和所述第 二气体阻隔层位于所述塑料基板的两侧， 以阻止水气进入所述塑料基板 ； 以及 采用激光剥离制程移除所述刚性基板。 2. 根据权利要求 1 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器的制造方法， 其特征在 于， 所述第一缓冲层为铟锡氧化物材质。 3. 根据权利要求 1 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器的制造方法， 其特征在 于， 所述第二缓冲层为铟镓锌氧化物材质。 4. 根据权利要求 1 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器的制造方法， 其特征在 于， 所述第一缓冲。
5、层的导电度大于所述第二缓冲层的导电度， 且所述第一缓冲层的被还原 力小于所述第二缓冲层的被还原力。 5. 根据权利要求 1 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器的制造方法， 其特征在 于， 所述第一气体阻隔层和所述第二气体阻隔层均为氮化硅、 氧化硅或氮氧化硅材质。 6. 根据权利要求 1 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器的制造方法， 其特征在 于， 所述塑料基板为聚酰亚胺材质。 7. 一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器， 包括一阵列基板以及位于所述阵列基板 上方的有机发光二极管， 其特征在于， 所述软性主动矩阵有机发光二极管显示器还包括 ： 一塑料基板 ； 一第一气体阻隔层， 设置于。
6、所述塑料基板的下方 ； 以及 一第二气体阻隔层， 设置于所述塑料基板的上方， 其中， 所述第一气体阻隔层和所述第 二气体阻隔层用以阻止水气进入所述塑料基板， 一第二缓冲层， 设置于所述第一气体阻隔层的下方 ； 以及 一第一缓冲层， 设置于所述第二缓冲层的下方， 其中， 所述软性主动矩阵有机发光二极管显示器采用激光剥离制程移除所述第一缓冲 层下方的刚性基板时， 所述第一缓冲层和所述第二缓冲层作为激光牺牲层对所述塑料基板 进行保护。 8. 根据权利要求 7 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器， 其特征在于， 所述第 一气体阻隔层和所述第二气体阻隔层均为氮化硅、 氧化硅或氮氧化硅材质。 9. 根。
7、据权利要求 7 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器， 其特征在于， 所述第 一缓冲层为铟锡氧化物材质， 所述第二缓冲层为铟镓锌氧化物材质。 10. 根据权利要求 7 所述的软性主动矩阵有机发光二极管显示器， 其特征在于， 所述第 一缓冲层的导电度大于所述第二缓冲层的导电度， 且所述第一缓冲层的被还原力小于所述 第二缓冲层的被还原力。 权 利 要 求 书 CN 104241333 A 2 1/5 页 3 一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及一种主动矩阵有机发光二极管显示技术， 尤其涉及一种软性主动矩阵 有机发光二极管显示器及其制造方法。 背景技术 。
8、0002 在现有的平板显示器中， 有机发光二极管 (Organic Light Emitting Diode， OLED) 显示器可提供宽视角、 良好的对比度和有快速的响应速度， 且相比无机发光显示器具 有更高的亮度、 更低的驱动电压， 因此逐渐受到人们的广泛关注和青睐。 0003 一般来说， OLED 显示器依驱动方式可分为被动矩阵驱动 (Passive Matrix OLED， PMOLED) 和主动矩阵驱动 (Active Matrix OLED， AMOLED) 两种。其中， PMOLED 显示器是当 数据未写入时并不发光， 只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、 成本较低、 较。
9、容 易设计， 主要适用于中小尺寸的显示器。对于 AMOLED 显示器， 该像素阵列的每一像素都有 一电容存储数据， 让每一像素皆维持在发光状态。由于 AMOLED 显示器的耗电量明显小于 PMOLED 显示器， 加上驱动方式更适合发展大尺寸与高解析度的显示器， 使得 AMOLED 显示器 成为未来发展的主要方向。 0004 此外， 软性 AMOLED 显示器为近年来国内外的各大厂商与研究单位研发的重点之 一。相较于一般的显示器， 软性 AMOLED 具备重量轻、 可挠曲、 易收藏、 便于携带等特性。概 括地说， 软性 AMOLED 主要包含软性基板 (Flexible substrate)、 。
10、缓冲层 (buffer layer)、 薄膜晶体管 (Thin Film Transistor， TFT)、 有机发光二极管与薄膜包覆层 (Thin Film Encapsulation)。其中， 水氧阻隔技术 / 薄膜封装技术为其关键之一。在现有技术的一种 软性 AMOLED 显示器架构中， 虽然在塑料基板的下方设有 PET 薄膜和阻隔层， 当组件投入高 温且经过较长时间 ( 例如 100 小时 ) 后， 塑料基板的两侧及下方仍然会有水气进入并被塑 料基板吸收， 如此一来， 接合 (bonding) 于塑料基板表面的集成芯片 (IC) 或软性电路板 (Flexible Printed Cir。
11、cuit， FPC) 上的元件极易出现与基板相分离的不良情形， 进而对组 件造成损害。 0005 有鉴于此， 如何在软性 AMOLED 显示器制造出类似玻璃封装的高信赖性的封装结 构， 以改善或消除现有技术中的上述缺陷， 提高软性 AMOLED 显示器的使用寿命， 是业内相 关技术人员亟待解决的一项课题。 发明内容 0006 针对现有技术中的软性 AMOLED 显示器在实现水氧阻隔设计时所存在的上述缺 陷， 本发明提供了一种新颖的、 可阻止水气进入塑料基板的软性 AMOLED 显示器及其制造方 法。 0007 依据本发明的一个方面， 提供了一种软性 AMOLED 显示器的制造方法， 该软性 A。
12、MOLED 显示器包括一阵列基板以及位于所述阵列基板上方的有机发光二极管， 其中该制造 方法包括以下步骤 ： 说 明 书 CN 104241333 A 3 2/5 页 4 0008 提供一刚性基板 ； 0009 依序形成一第一缓冲层以及一第二缓冲层于所述刚性基板的上方 ； 0010 形成一第一气体阻隔层 (fi rst gas barrier layer) 于所述第二缓冲层的上方 ； 0011 形成一塑料基板于所述第一气体阻隔层的上方 ； 0012 形成一第二气体阻隔层(second gas barrier layer)于所述塑料基板的上方， 其 中， 所述第一气体阻隔层和所述第二气体阻隔层位。
13、于所述塑料基板的两侧， 以阻止水气进 入所述塑料基板 ； 以及 0013 采用激光剥离 (Laser Lift Off， LLO) 制程移除所述刚性基板。 0014 在其中的一实施例， 所述第一缓冲层为铟锡氧化物 (Indium Tin Oxide， ITO) 材 质。 0015 在其中的一实施例， 所述第二缓冲层为铟镓锌氧化物 (Indium Gallium Zinc Oxide， IGZO) 材质。 0016 在其中的一实施例， 所述第一缓冲层的导电度大于所述第二缓冲层的导电度， 且 所述第一缓冲层的被还原力小于所述第二缓冲层的被还原力。 0017 在其中的一实施例， 所述第一气体阻隔层和。
14、所述第二气体阻隔层均为氮化硅 (SiNx)、 氧化硅 (SiOx) 或氮氧化硅 (SiOxNy) 材质。 0018 在其中的一实施例， 所述塑料基板为聚酰亚胺 (Polyimide) 材质。 0019 依据本发明的另一个方面， 提供了一种软性 AMOLED 显示器， 包括一阵列基板以及 位于所述阵列基板上方的有机发光二极管， 其中， 所述软性 AMOLED 显示器还包括 ： 0020 一塑料基板 ； 0021 一第一气体阻隔层 (fi rst gas barrier layer)， 设置于所述塑料基板的下方 ； 以 及 0022 一第二气体阻隔层 (second gas barrier lay。
15、er)， 设置于所述塑料基板的上方， 其中， 所述第一气体阻隔层和所述第二气体阻隔层用以阻止水气进入所述塑料基板， 0023 一第二缓冲层， 设置于所述第一气体阻隔层的下方 ； 以及 0024 一第一缓冲层， 设置于所述第二缓冲层的下方， 0025 其中， 所述软性 AMOLED 显示器采用激光剥离 (Laser Lift Off， LLO) 制程移除所 述第一缓冲层下方的刚性基板时， 所述第一缓冲层和所述第二缓冲层作为激光牺牲层对所 述塑料基板进行保护。 0026 在其中的一实施例， 所述第一气体阻隔层和所述第二气体阻隔层均为氮化硅 (SiNx)、 氧化硅 (SiOx) 或氮氧化硅 (SiO。
16、xNy) 材质。 0027 在其中的一实施例， 所述第一缓冲层为铟锡氧化物 (Indium Tin Oxide， ITO) 材 质， 所述第二缓冲层为铟镓锌氧化物 (Indium Gallium Zinc Oxide， IGZO) 材质。 0028 在其中的一实施例， 所述第一缓冲层的导电度大于所述第二缓冲层的导电度， 且 所述第一缓冲层的被还原力小于所述第二缓冲层的被还原力。 0029 采用本发明的软性 AMOLED 显示器及其制造方法， 首先提供一刚性基板， 然后依序 形成层叠的一第一缓冲层以及一第二缓冲层于刚性基板的上方， 并且设置一第一气体阻隔 层和一第二气体阻隔层于塑料基板的两侧， 。
17、藉由该第一气体阻隔层和该第二气体阻隔层来 阻止水气进入该塑料基板的内部， 最后采用激光剥离制程移除刚性基板从而形成该软性 说 明 书 CN 104241333 A 4 3/5 页 5 AMOLED 显示器。相比于现有技术， 本发明将诸如氮化硅、 氧化硅、 氮氧化硅或其它具有阻水 功效的无机化合物形成于塑料基板的上下两侧， 从而可有效阻隔外部的水气进入塑料基板 内部。 此外， 本发明还在第一气体阻隔层的下方增设两个层叠的缓冲层， 当使用激光剥离方 式移除刚性基板时， 这两个缓冲层作为激光牺牲层以确保塑料基板不被损伤。 附图说明 0030 读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式以后， 将会更清楚。
18、地了解本发明的 各个方面。其中， 0031 图 1 示出现有技术中的一种软性 AMOLED 显示器的结构组成示意图 ； 0032 图 2 示出图 1 的软性 AMOLED 显示器对所承载的刚性基板进行激光剥离的状态示 意图 ； 0033 图3示出依据本发明的一实施方式的软性AMOLED显示器的制造方法的流程框图 ； 以及 0034 图 4A 至图 4G 示出图 3 的软性 AMOLED 显示器的制造方法的制程步骤分解示意图。 具体实施方式 0035 为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备， 可参照附图以及本发明的下述 各种具体实施例， 附图中相同的标记代表相同或相似的组件。 然而， 本领域。
19、的普通技术人员 应当理解， 下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。 此外， 附图仅仅用于 示意性地加以说明， 并未依照其原尺寸进行绘制。 0036 图 1 示出现有技术中的一种软性 AMOLED 显示器的结构组成示意图。图 2 示出图 1 的软性 AMOLED 显示器对所承载的刚性基板进行激光剥离的状态示意图。 0037 参照图 1， 现有的软性 AMOLED 显示器包括一阵列基板 (Array substrate)100、 一塑料基板 (plastic substrate)102、 一阻隔层 (barrier layer)104、 一 PET 薄膜层 106、 一顶部阻隔层 (。
20、Top barrier layer)108、 一薄膜封装层 (Thin Film Encapsulation layer)110、 一有机发光二极管 OLED 和一偏光板 (Polarizer)112。 0038 具体地， 有机发光二极管 OLED 位于阵列基板 100 的上方， 且有机发光二极管的周 围已完全被薄膜封装层 110 所封装。顶部阻隔层 108 位于阵列基板 100 与塑料基板 102 之 间， 主要用来阻挡塑料基板 102 内部可能的水气进入到阵列基板 100。在此， 阻隔层 108 位 于塑料基板 102 的上方， 其相对于塑料基板 102 的位置为顶部， 故亦称为顶部阻隔层。
21、。PET 薄膜层 106 设置于塑料基板 102 的下方， 且阻隔层 104 设置于 PET 薄膜层 106 的下方。 0039 如前所述， 当组件投入高温且经过较长时间 ( 例如 100 小时 ) 后， 塑料基板 102 的两侧及下方会有水气进入， 并且这些水气被塑料基板 102 所吸收， 如此一来， 接 合 (bonding) 于塑料基板 102 表面的集成芯片 (IC) 或软性电路板 (Flexible Printed Circuit， FPC) 的元件极易出现与基板相分离的不良情形， 进而对组件造成损害。 0040 进一步参照图2， 在塑料基板102的下方设置一刚性基板114， 使用该。
22、刚性基板114 作为承载衬底， 以方便软性 AMOLED 显示器的各种制程操作。然而， 当使用激光剥离 (Laser Lift Off， LLO) 方式移除刚性基板 114 时， 也容易造成外部的水气进入塑料基板 102 的内 部。 说 明 书 CN 104241333 A 5 4/5 页 6 0041 为了解决现有技术中的上述缺陷或不足， 本发明提供了一种新的软性 AMOLED 显 示器架构及其制造方法。图 3 示出依据本发明的一实施方式的软性 AMOLED 显示器的制造 方法的流程框图。图 4A 至图 4G 示出图 3 的软性 AMOLED 显示器的制造方法的制程步骤分 解示意图。 004。
23、2 参照图 3， 在该实施方式的软性 AMOLED 显示器制造方法中， 首先执行步骤 S101， 提供一刚性基板 200， 诸如玻璃基板 ( 如图 4A 所示 )。在步骤 S103 中， 形成一第一缓冲层 (fi rst buffer layer)202于刚性基板200的上方， 然后形成一第二缓冲层(second buffer layer)204 于第一缓冲层 202 的上方 ( 如图 4B 和图 4C 所示 )。在一具体实施例， 第一缓 冲层 202 为铟锡氧化物 (Indium Tin Oxide， ITO) 材质。第二缓冲层 204 为铟镓锌氧化物 (Indium Gallium Zin。
24、c Oxide， IGZO) 材质。较佳地， 第一缓冲层 202 的导电度大于第二缓 冲层 204 的导电度， 且第一缓冲层 202 的被还原力小于第二缓冲层 204 的被还原力。此外， 第一缓冲层 202 和 / 或第二缓冲层 204 还可具有一预先设定的图案。 0043 在步骤S105中， 形成一第一气体阻隔层(fi rst gas barrier layer)206于第二缓 冲层 204 的上方 ( 如图 4D 所示 )。接着执行步骤 S107， 形成一塑料基板 208 于第一气体阻 隔层 206 的上方 ( 如图 4E 所示 )。例如， 该塑料基板 208 采用聚酰亚胺 (Polyim。
25、ide) 材质 制作而成。在步骤 S109 中， 形成一第二气体阻隔层 (second gas barrier layer)210 于塑 料基板 208 的上方， 然后形成一阵列基板 212 于第二气体阻隔层 210 的上方 ( 如图 4F 所 示 )。如此一来， 藉由第一气体阻隔层 206 和第二气体阻隔层 210 设置于塑料基板 208 的两 侧， 以有效地阻止水气进入塑料基板 208。在一具体实施例， 第一气体阻隔层 206 和第二气 体阻隔层 210 均为氮化硅 (SiNx)、 氧化硅 (SiOx)、 氮氧化硅 (SiOxNy) 材质或其它具有阻水 功能的无机化合物。之后， 再设置有机。
26、发光二极管 OLED 于阵列基板 212 的上方并利用薄膜 封装层(Thin Film Encapsulation Layer)214将其周围进行完全封装， 偏光板216形成于 阵列基板 212 的上方。 0044 最后执行步骤 S111， 采用激光剥离 (Laser Lift Off， LLO) 制程移除刚性基板 200， 如图 4G 所示。 0045 本领域的技术人员应当理解， 结合图 4G 还可揭露依据本发明的软性 AMOLED 显示 器的一示意性实施例。更详细地， 本发明的软性 AMOLED 显示器包括一阵列基板 212 以及位 于阵列基板212上方的有机发光二极管OLED。 并且， 。
27、该软性AMOLED显示器还包括一塑料基 板208、 一第一气体阻隔层(fi rst gas barrier layer)206、 一第二气体阻隔层(second gas barrier layer)210、 一第一缓冲层202和一第二缓冲层204。 其中， 第一气体阻隔层206和 第二气体阻隔层 210 分别设置于塑料基板 210 的底部和顶部， 藉由该第一气体阻隔层 206 和第二气体阻隔层 210 阻止水气进入塑料基板 210。第一缓冲层 202 和第二缓冲层 204 层 叠于第一气体阻隔层206的下方， 当采用激光剥离(Laser Lift Off， LLO)制程移除第一缓 冲层 202。
28、 下方的刚性基板 200 时， 第一缓冲层 202 和第二缓冲层 204 作为激光牺牲层对塑 料基板 208 进行保护。 0046 采用本发明的软性 AMOLED 显示器及其制造方法， 首先提供一刚性基板， 然后依序 形成层叠的一第一缓冲层以及一第二缓冲层于刚性基板的上方， 并且设置一第一气体阻隔 层和一第二气体阻隔层于塑料基板的两侧， 藉由该第一气体阻隔层和该第二气体阻隔层来 阻止水气进入该塑料基板的内部， 最后采用激光剥离制程移除刚性基板从而形成该软性 说 明 书 CN 104241333 A 6 5/5 页 7 AMOLED 显示器。相比于现有技术， 本发明将诸如氮化硅、 氧化硅、 氮氧。
29、化硅或其它具有阻水 功效的无机化合物形成于塑料基板的上下两侧， 从而可有效阻隔外部的水气进入塑料基板 内部。 此外， 本发明还在第一气体阻隔层的下方增设两个层叠的缓冲层， 当使用激光剥离方 式移除刚性基板时， 这两个缓冲层作为激光牺牲层以确保塑料基板不被损伤。 0047 上文中， 参照附图描述了本发明的具体实施方式。 但是， 本领域中的普通技术人员 能够理解， 在不偏离本发明的精神和范围的情况下， 还可以对本发明的具体实施方式作各 种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。 说 明 书 CN 104241333 A 7 1/5 页 8 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104241333 A 8 2/5 页 9 图 3 说 明 书 附 图 CN 104241333 A 9 3/5 页 10 图 4A 图 4B 图 4C 图 4D 说 明 书 附 图 CN 104241333 A 10 4/5 页 11 图 4E 图 4F 说 明 书 附 图 CN 104241333 A 11 5/5 页 12 图 4G 说 明 书 附 图 CN 104241333 A 12 。