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1、(10)申请公布号 CN 104078523 A (43)申请公布日 2014.10.01 CN 104078523 A (21)申请号 201310097610.3 (22)申请日 2013.03.25 H01L 31/048(2014.01) H01L 25/16(2006.01) H01L 23/495(2006.01) H01L 31/18(2006.01) (71)申请人 讯芯电子科技 （中山） 有限公司 地址 528437 广东省中山市火炬开发区建业 东路 9 号 (72)发明人 任飞 (54) 发明名称 聚光光电芯片封装结构及制作方法 (57) 摘要 一种聚光光电芯片封装结构， 。
2、包括光电芯片、 二极管、 上导线框架和下导线框架。 上导线框架设 置有通光孔， 其中， 光电芯片及二极管、 上导线框 架及下导线框架呈堆叠式设置， 光电芯片及二极 管设于上导线框架及下导线框架之间并与上导线 框架及下导线框架电性连接， 光电芯片与通光孔 相对设置， 以接收太阳光线。 本发明提供的聚光光 电芯片封装结构， 产品结构简洁且便于生产加工， 节省了产品的生产成本。本发明还提供了一种聚 光光电芯片封装结构的制造方法。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 4 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书4页 附图3页 。
3、(10)申请公布号 CN 104078523 A CN 104078523 A 1/2 页 2 1. 一种聚光光电芯片封装结构， 包括有光电芯片和二极管， 其特征在于， 所述聚光光电 芯片封装结构包括上导线框架和下导线框架， 所述上导线框架设置有通光孔， 其中， 所述光 电芯片及所述二极管、 所述上导线框架及所述下导线框架呈堆叠式设置， 所述光电芯片及 所述二极管设于所述上导线框架及下导线框架之间并与所述上导线框架及所述下导线框 架电性连接， 所述光电芯片与所述通光孔相对设置， 以接收太阳光线。 2. 根据权利要求 1 所述的聚光光电芯片封装结构， 其特征在于， 所述上导线框架包括 上主体、 。
4、上连接部及上接线部， 所述上连接部自所述上主体之一侧边远离所述上主体的方 向延伸， 所述上接线部自所述上连接部平行于所述上主体的方向延伸， 所述通光孔设于所 述上主体 ; 所述下导线框架包括下主体、 下连接部及下接线部， 所述下连接部自所述上主体之一 侧边远离所述下主体的方向延伸， 所述下接线部自所述下连接部平行于所述下主体的方向 延伸。 3. 根据权利要求 1 所述的聚光光电芯片封装结构， 其特征在于， 所述上导线框架及所 述下导线框架与所述光电芯片和二极管通过导电胶连接。 4. 根据权利要求 1 所述的聚光光电芯片封装结构， 其特征在于， 所述上导线框架及所 述下导线框架与所述光电芯片和二。
5、极管通过锡膏焊接。 5. 一种聚光光电芯片封装结构制造方法， 其特征在于， 包括 ： 在下导线框架点焊接材料 ； 将光电芯片和二极管设于所述下导线框架之上并通过所述焊接材料与所述下导线框 架焊连接 ； 在所述光电芯片和二极管上点焊接材料 ； 将上导线框架设置在所述光电芯片和二极管上并通过所述焊接材料与所述光电芯片 及二极管连接 ； 将所述上、 下导线框架及所述光电芯片和保护用二极管固定连接于一体以形成所述聚 光光电芯片封装结构 ； 清洗所述聚光光电芯片封装结构表面残留的焊接材料。 6. 根据权利要求 5 所述的聚光光电芯片封装结构制造方法， 其特征在于， 所述上导线 框架包括上主体、 上连接部。
6、及上接线部， 所述上连接部自所述上主体之一侧边远离所述上 主体的方向延伸， 所述上接线部自所述上连接部平行于所述上主体的方向延伸， 所述通光 孔设于所述上主体 ; 所述下导线框架包括下主体、 下连接部及下接线部， 所述下连接部自 所述上主体之一侧边远离所述下主体的方向延伸， 所述下接线部自所述下连接部平行于所 述下主体的方向延伸。 7. 根据权利要求 5 所述的聚光光电芯片封装结构制造方法， 其特征在于， 所述焊接材 料为锡膏。 8. 根据权利要求 7 所述的聚光光电芯片封装结构制造方法， 其特征在于， 所述上、 下导 线框架与所述光电芯片和二极管通过回焊的方式焊接在一起。 9. 根据权利要求。
7、 5 所述的聚光光电芯片封装结构制造方法， 其特征在于， 所述焊接材 料为导电胶。 10. 根据权利要求 9 所述的聚光光电芯片封装结构制造方法， 其特征在于， 所述上、 下 权 利 要 求 书 CN 104078523 A 2 2/2 页 3 导线框架与所述光电芯片和二极管通过固化的方式粘连在一起。 权 利 要 求 书 CN 104078523 A 3 1/4 页 4 聚光光电芯片封装结构及制作方法 技术领域 0001 本发明涉及一种太阳能聚光发电器件， 尤其涉及一种聚光光电芯片的封装结构及 制作方法。 背景技术 0002 目前， 利用太阳能进行发电是一种流行的可再生能源技术， 而利用光学元。
8、件将太 阳能直接转换成电能的聚光太阳能技术成为太阳能发电的新趋势。 太阳能光伏发电系统是 由大量的光伏板组件组装而成， 在光伏板组件中关键的元件就是光伏芯片， 通过将光伏芯 片组装到载板上形成一个独立的聚能式太阳能接收器， 再将所述接收器配合功率控制器等 形成光伏发电装置。现有技术中， 普遍将光伏芯片组装到高导热电线路板 （DBC） 上并通过 金线来进行电性连接， 使得产品的成本过高， 且制作过程复杂。 发明内容 0003 本发明的目的是提供一种可以降低产品生产成本且制作过程简单的聚光光电芯 片封装结构及其制作方法。 0004 本发明一具体实施方式中提供的聚光光电芯片封装结构， 包括有光电芯片。
9、、 二极 管、 上导线框架和下导线框架。 上导线框架设置有通光孔， 其中， 光电芯片及二极管、 上导线 框架及下导线框架呈堆叠式设置， 光电芯片及二极管设于上导线框架及下导线框架之间并 与上导线框架及下导线框架电性连接， 光电芯片与通光孔相对设置， 以接收太阳光线。 0005 优选地， 上导线框架包括上主体、 上连接部及上接线部， 上连接部自上主体之一侧 边远离上主体的方向延伸， 上接线部自上连接部平行于上主体的方向延伸， 通光孔设于上 主体， 下导线框架包括下主体、 下连接部及下接线部， 下连接部自上主体之一侧边远离下主 体的方向延伸， 下接线部自下连接部平行于下主体的方向延伸。 0006 。
10、优选地， 上导线框架及下导线框架与光电芯片和二极管通过导电胶连接。 0007 优选地， 上导线框架及下导线框架与光电芯片和二极管通过锡膏焊接。 0008 本发明一具体实施方式中提供的聚光光电芯片封装结构制造方法包括 ： 0009 在下导线框架点焊接材料 ； 将光电芯片和二极管设于下导线框架之上并通过焊接 材料与下导线框架焊连接 ； 在光电芯片和二极管上点焊接材料 ； 将上导线框架设置在光电 芯片和二极管上并通过焊接材料与光电芯片及二极管连接 ； 将上、 下导线框架及光电芯片 和保护用二极管固定连接于一体以形成聚光光电芯片封装结构 ； 清洗聚光光电芯片封装结 构表面残留的焊接材料。 0010 优。
11、选地， 上导线框架包括上主体、 上连接部及上接线部， 上连接部自上主体之一侧 边远离上主体的方向延伸， 上接线部自上连接部平行于上主体的方向延伸， 通光孔设于上 主体 ; 下导线框架包括下主体、 下连接部及下接线部， 下连接部自上主体之一侧边远离下 主体的方向延伸， 下接线部自下连接部平行于下主体的方向延伸。 0011 优选地， 焊接材料为锡膏。 说 明 书 CN 104078523 A 4 2/4 页 5 0012 优选地， 上、 下导线框架与光电芯片和二极管通过回焊的方式焊接在一起。 0013 优选地， 焊接材料为导电胶。 0014 优选地， 上、 下导线框架与光电芯片和二极管通过固化的方。
12、式粘连在一起。 0015 本发明提供的聚光光电芯片封装结构， 采用上、 下导线框的结构来将光电芯片和 二极管串联在一起， 代替传统的使用金线来进行电路串通的方式， 同时省去了对线路板的 使用， 简化了产品的生产过程同时降低了产品的生产成本。本发明提供的封装结构制造方 法， 制成简单， 制造成本低。 附图说明 0016 图 1 为本发明提供的聚光光电芯片封装结构的爆炸图。 0017 图 2 为图 1 所示的聚光光电芯片封装结构的立体图。 0018 图 3 为本发明提供的聚光光电芯片封装结构制造方法的流程图。 0019 主要元件符号说明 0020 聚光光电芯片封装结构 100 0021 二极管 3。
13、 0022 光电芯片 5 0023 焊接材料 7 0024 上导线框架 11 0025 下导线框架 13 0026 通光孔 113 0027 上连接部 1111 0028 上接线部 1113 0029 上主体 115 0030 下连接部 1311 0031 下接线部 1313 0032 下主体 133 0033 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。 具体实施方式 0034 参照图 1， 本发明一具体实施方式提供的聚光光电芯片封装结构 100， 包括有光电 芯片 5、 二极管 3、 上导线框架 11 和下导线框架 13。光电芯片 5 用于通过光伏效应 （光生伏 电效应） 将太阳能直接。
14、转换成电能。本实施方式中， 光电芯片 5 为太阳能电池。在其它实施 方式中， 光电芯片 5 可以是光电二极管组成的光电转换芯片。二极管 3 用于保护电路， 光电 芯片 5 与二极管 3 串联在一起。在上导线框架 11 上设置有通光孔 113， 通光孔 113 用于透 光， 使光电芯片 5 可以接收外来光以完成光电转换。参照图 2， 上导线框架 11、 光电芯片 5 及二极管 3、 下导线框架 13 自上而下呈叠堆式设置， 光电芯片 5 与通光孔 113 与相对设置， 使光电芯片 5 能够接收到太阳光线， 上、 下导线框架 11、 13 将光电芯片 5 与二极管 3 串联在 一起， 构成一个完整。
15、的电路。 0035 光电芯片 5 和二极管 3 通过焊接材料 7 与上、 下导线框架 11、 13 电线连接在一起。 说 明 书 CN 104078523 A 5 3/4 页 6 根据光电芯片 5 和二极管 3 的不同的耐温要求， 可以选择通过导电胶或锡膏将光电芯片 5 和二极管 3 设置于上导线框架 11 和下导线框架 13。上、 下导线框架 11、 13 分别与外部电路 电性连接， 使本发明提供的聚光光电芯片封装结构与其他电路连通， 实现特定的功能。 在本 实施例中， 上、 下导线框架 11、 13 为金属导电框架。 0036 具体地， 上导线框架 11 包括上主体 115、 上连接部 1。
16、111 及上接线部 1113， 上连接 部 1111 自上主体 115 之一侧边朝远离所述上主体 115 的方向延伸， 上接线部 1113 自所述 上连接部 1111 平行于所述上主体 115 的方向延伸。上接线部 1113 为导线焊接点与外部电 路连接。通光孔 113 设于所述上主体 115。 0037 下导线框架 13 包括下主体 133, 下连接部 1311 及下接线部 1313， 下连接部 1311 自下主体 133 之一侧边朝远离所述下主体 133 的方向延伸， 下接线部 1313 自所述下连接部 1311 平行于所述下主体 133 的方向延伸。下接线部 1313 为导线焊接点与外部。
17、电路连接。 0038 本实施方式中， 上、 下导线框架 11、 13 的上、 下主体 115、 133 均呈矩形设置。 0039 组装时， 将光电芯片 5 及二极管 3 设于下导线框架 13 的下主体 133 之上并与所述 下导线框架 13 电性连接。将所述上导线框架 11 设于所述光电芯片 5 及二极管 3 之上并与 所述光电芯片 5 及二极管 3 电性连接。所述上导线框架 11 的通光孔 113 与所述光电芯片 5 相对设置， 使得光线可以通过所述通光孔 113 直射所述光电芯片 5 以收集光线。所述上、 下导向框架 11、 13 通过所述上、 下导线框架 11、 13 的上、 下接线部 。
18、1113、 1313 与外部电路实 现电连接。 0040 本实施方式中， 所述光电芯片 5 与所述二极管 3 通过导电胶固定于所述上下导线 框架 11、 13 并与上、 下导线框架 11、 13 实现电连接。在本发明的其他实施方式中， 所述光电 芯片 5 与所述二极管 3 可以通过锡膏固定于所述上、 下导线框架 11、 13 并与上、 下导线框架 11、 13 实现电连接。 0041 本发明提供的聚光光电芯片封装结构 100 用上、 下导线框架 11、 13 的结构来将光 电芯片 5 和二极管 3 串联在一起， 省去了对金线、 银胶及高导热电线路板 （DBC） 的需求， 缩 短了产品的生产工时。
19、， 节约了产品的生产成本， 使产品结构更加简洁便于产品的生产加工。 0042 参照图 3 所示， 本发明之聚光光电芯片封装结构制造方法的一具体实施例的流程 图。本发明之聚光光电芯片封装结构的制造方法用于制造上、 下导线框架 11、 13 并且将上、 下导线框架11、 13与光电芯片5和二极管3组装在一起。 聚光光电芯片封装结构制造方法， 包括如下步骤 ： 0043 在步骤 S210， 在下导线框架 13 上点焊接材料 7。如图 1 所示， 本实施例中， 导电胶 涂抹于下导线框架 13 的下主体 133。 0044 在步骤 S220， 将光电芯片 5 和二极管 3 设于下导线框架 13 的下主体。
20、 133 处， 并根 据串联电路正负极的连接要求将光电芯片 5 和二极管 3 对应的电极贴到导电胶上。 0045 在步骤 S230， 在光电芯片 5 和二极管 3 上点焊接材料 7。在本实施例中， 在光电芯 片 5 和二极管 3 上的用于连接上导线框架 11 的位置上点上涂抹导电胶。 0046 在步骤 S240， 将上导线框架 11 设置在光电芯片 5 和二极管 3 上。在本实施例中， 将上导线框架 11 的通光孔 113 与光电芯片 5 相对应， 通过导电胶将上导线框架 11 与光电 芯片 5 和二极管 3 粘贴在一起。 0047 在步骤 S250， 将上、 下导线框架 11、 13 与光电。
21、芯片 5 和二极管 3 固定连接在一起。 说 明 书 CN 104078523 A 6 4/4 页 7 在本实施例中， 由于在上述步骤中， 采用导电胶作为焊接材料将上、 下导线框架 11、 13 与光 电芯片 5 和二极管 3 连接在一起， 根据导电胶的性质， 采用相应的温度将导电胶进行固化， 使上、 下导线框架 11、 13 与光电芯片 5 和二极管 3 稳定的连接在一起。在其他实施例中， 当 采用锡膏作为焊接材料将上、 下导线框架 11、 13 与光电芯片 5 和二极管 3 连接在一起时， 根 据锡膏的性质， 采用回焊的方式将上、 下导线框架 11、 13 与光电芯片 5 和二极管 3 稳。
22、定的连 接在一起。 0048 在步骤 S260， 清洗剩余的焊接材料 7。在产品组装过程中， 会有多余的焊接材料 7 残留在上、 下导线框架11、 13的表面， 因此在产品生产的最后需要清洗剩余的焊接材料7等 杂质。 0049 本发明提供了聚光光电芯片封装结构制造方法， 通过采用纵向连接上、 下导线框 架11、 13和光电芯片5及二极管3， 无须侧向连接， 从而避免了对金线和线路板的使用， 减少 了物料的使用， 缩短了组装流程， 降低了组装的材料、 设备和加工成本。 说 明 书 CN 104078523 A 7 1/3 页 8 图 1 说 明 书 附 图 CN 104078523 A 8 2/3 页 9 图 2 说 明 书 附 图 CN 104078523 A 9 3/3 页 10 图 3 说 明 书 附 图 CN 104078523 A 10 。