有机电致发光器件及其制备方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN201310108759.7	申请日：	2013.03.29
公开号：	CN104078601A	公开日：	2014.10.01
当前法律状态：	授权	有效性：	有权
法律详情：	授权\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):H01L 51/52申请日:20130329\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L51/52; H01L51/54; H01L51/56	主分类号：	H01L51/52
申请人：	海洋王照明科技股份有限公司; 深圳市海洋王照明技术有限公司; 深圳市海洋王照明工程有限公司
发明人：	周明杰; 钟铁涛; 王平; 张振华
地址：	518000 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层
优先权：
专利代理机构：	深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232	代理人：	刘抗美;刘耿
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内容摘要

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，在所述阴极层表面设有交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层。本发明的有机电致发光器件，采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成了有效的保护，满足了封装的密封性的要求，可显著地提高OLED器件的寿命。

权利要求书

权利要求书1. 一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；其特征在于，在所述阴极层表面设有交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层；其中，所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；所述酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2中的一种，所述氧化物为MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2中的一种；所述无机阻挡层的材质为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3中的一种；所述酞菁物占所述混合阻挡层的40～60 mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的10～30mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的10～20mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于40 %。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述混合阻挡层的厚度为100nm～200nm。3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为50nm～100nm。4. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述混合阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为4~6层。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述空穴注入层的材质为MoO3按照30wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；所述空穴传输层的材质为采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂到1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)组成的掺杂混合材料；所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；所述电子注入层的材质为CsN3按照30wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料；所述阴极层的材质为采用真空蒸镀的方法依次层叠的ZnS、Ag和ZnS。6. 一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：(a) 在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；(b) 在所述阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制备混合阻挡层；接着在所述混合阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次混合阻挡层和无机阻挡层；其中，所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2中的一种，所述氧化物为MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2中的一种；所述无机阻挡层的材质为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3中的一种；所述酞菁物占所述混合阻挡层的40～60 mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的10～30mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的10～20mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于40 %。7. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述混合阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述无机阻挡层的厚度为50nm～100nm。8. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为1×10-5Pa；所述空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的蒸发速度为0.1?/s，所述发光层和电子注入层蒸发速度为0.2?/s，所述阴极层蒸发速度为1?/s。9. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，所述混合阻挡层和无机阻挡层交替次数为4~6次。10. 根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，所述真空蒸镀制备混合阻挡层时，所述真空蒸发的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述真空蒸发的蒸发速度为0.5?/s～5?/s；所述磁控溅射制备无机阻挡层时，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。

说明书

说明书有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上以有机发光材料制作一层几十纳米厚的发光层，发光层上方设有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、且轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短的问题，因此封装技术的好坏直接影响器件的寿命。本发明的主要目的在于提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该封装技术工艺简单，防水氧能力（WVTR）强，对柔性OLED器件的寿命有显著的提高。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀。
本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；在所述阴极层表面设有交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层；其中，
所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；所述酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2中的一种，所述氧化物为MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2中的一种；
所述无机阻挡层的材质为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3中的一种；
所述酞菁物占所述混合阻挡层的40～60mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的10～30mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的10～20mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于40%。
所述混合阻挡层的厚度为100nm～200nm。
所述无机阻挡层的厚度为50nm～100nm。
所述混合阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为4～6层。
所述空穴注入层的材质为MoO3按照30wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；
所述空穴传输层的材质为采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；
所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂到1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)组成的掺杂混合材料；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；
所述电子注入层的材质为CsN3按照30wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料；
所述阴极层的材质为采用真空蒸镀的方法依次层叠的ZnS、Ag和ZnS。
本发明还包括利用上述的机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
(a)在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
(b)在所述阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制备混合阻挡层；接着在所述混合阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次制备混合阻挡层和无机阻挡层；其中，
所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，所述氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2、BaF2中的一种，所述氧化物为MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O、MnO2中的一种；
所述无机阻挡层的材质为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3中的一种；
所述酞菁物占所述混合阻挡层的40～60mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的10～30mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的10～20mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于40%。
所述无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述混合阻挡层的厚度为50nm～100nm。
在所述步骤(a)中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
在所述步骤(b)中，所述混合阻挡层和无机阻挡层交替次数为4～6次。
在所述步骤(a)中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为1×10-5Pa；所述空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的蒸发速度为所述发光层和电子注入层蒸发速度为所述阴极层蒸发速度为
与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点：本发明的有机电致发光器件，采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成了有效的保护，满足了封装的密封性的要求，可显著地提高OLED器件的寿命。
附图说明
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
本发明的有机电致发光器件为层状结构，如图1所示，该层状结构依次层叠的阳极导电基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极层107、混合阻挡层108、无机阻挡层109。
有机电致发光器件中，在上述阴极层表面设有若干层交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层。混合阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为4～6层。
混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，有机物为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2中的一种，氧化物为MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2中的一种；
无机阻挡层的材质为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3中的一种；
酞菁物占混合阻挡层的40～60mol%，氟化物占混合阻挡层的10～30mol%，氧化物占所述混合阻挡层的10～20mol%，有机物占混合阻挡层的摩尔百分比不大于40%。
混合阻挡层的厚度为100nm～200nm，无机阻挡层的厚度为50nm～100nm。
在有机电致发光器件中，阳极导电基板101的材质包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如，氧化铟锡（ITO）、掺铝氧化锌（AZO）、掺铟氧化锌（IZO）或掺氟氧化锌（FTO），这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称ITO玻璃、AZO玻璃、IZO玻璃、FTO玻璃。阳极导电基板可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板101。在实际应用中，可以在阳极导电基板101上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板101为现有技术，在此不再赘述。
有机电致发光器件中，其他功能层的材质和厚度如下：
空穴注入层的材质为MoO3按照30wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基 -N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；厚度10nm；
空穴传输层的材质为采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；厚度30nm
发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂到1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)组成的掺杂混合材料；厚度20nm；
电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；厚度10nm；
电子注入层的材质为CsN3按照30wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料；厚度20nm。
阴极层的材质采用依次层叠的ZnS、Ag和ZnS，厚度为30nm。
对上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
(a)在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为1×10-5Pa；空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的蒸发速度为发光层和电子注入层蒸发速度为阴极层蒸发速度为
(b)在阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制备混合阻挡层；接着在混合阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次制备的混合阻挡层和无机阻挡层；混合阻挡层和无机阻挡层交替次数为4～6次。
真空蒸镀制备混合阻挡层时，真空蒸发的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，真空蒸发的蒸发速度为磁控溅射制备无机阻挡层时，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
其中，混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，有机物为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，氟化物为LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2、BaF2中的一种，氧化物为MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O、MnO2中的一种；
无机阻挡层的材质为TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3中的一种；
酞菁物占混合阻挡层的40～60mol%，氟化物占混合阻挡层的10～30mol%，氧化物占混合阻挡层的10～20mol%，有机物占混合阻挡层的摩尔百分比不大于40%。
混合阻挡层的厚度为100nm～200nm，无机阻挡层的厚度为50nm～100nm。
以下以实施例1～6对本发明的有机电致发光器件及其制备步骤进行具体说明：
实施例1
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。
在本实施例中具体依次为：ITO玻璃基板、MoO3-NPB层、TCTA层、TPBI-Ir(ppy)3层、Bphen层、CsN3-Bphen层、ZnS/Ag/ZnS、CuPc-TAPC-LiF-MoO3层，TiO2层。（斜杆“/”表示层状结构，横杠“-”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的：
a)ITO玻璃基板的前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
b)空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为30wt%，厚度为10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
c)空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
d)发光层：采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
e)电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
g)阴极层的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
h)混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为CuPc（酞菁铜），另一种为有机物TAPC，第三种为LiF，第四种为MoO3，其中，CuPc所占比例为50mol%， LiF所占比例为30mol%，MoO3所占比例为16mol%，有机物TAPC所占比例为4mol%。混合阻挡层的真空度1×10-5Pa，蒸发速度厚度200nm；
i)无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成TiO2膜，无机阻挡层的本底真空度1×10-5Pa，厚度100nm。制备时，通入Ar的流量为10sccm，CH4的流量20sccm；
j)交替重复上述步骤h)和i)6次。
实施例2
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。
在本实施例中具体依次为：ITO玻璃基板、MoO3-NPB层、TCTA层、TPBI-Ir(ppy)3层、Bphen层、CsN3-Bphen层、ZnS/Ag/ZnS层、ZnPc-NPB-CeF2-V2O5层，MgO层。（斜杆“/”表示层状结构，横杠“-”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的：
a)ITO玻璃基板的前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
b)空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为30wt%，厚度为10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
c)空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
d)发光层：采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
e)电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
g)阴极层的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
h)混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为ZnPc（酞菁锌），另一种为NPB，第三种为CeF2，第四种为V2O5，ZnPc所占比例为40mol%，NPB所占比例为35mol%，CeF2所占比例为15mol%，V2O5所占比例为10mol%，混合阻挡层的真空度5×10-5Pa，蒸发速度厚度150nm；
i)无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成MgO膜，无机阻挡层的本底真空度1×10-5Pa，厚度50nm。制备时，通入Ar的流量为5sccm，CH4的流量15sccm；
j)交替重复上述步骤h)和i)5次。
实施例3
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。
在本实施例中具体依次为：ITO玻璃基板、MoO3-NPB层、TCTA层、TPBI-Ir(ppy)3层、Bphen层、CsN3-Bphen层、ZnS/Ag/ZnS、FePc-Alq3-MgF2-WO3层，SiO2层。（斜杆“/”表示层状结构，横杠“-”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的：
a)ITO玻璃基板的前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
b)空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为30wt%，厚度为10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
c)空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
d)发光层：采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
e)电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入 Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
g)阴极层的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
h)混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为FePc（酞菁铁），另一种为Alq3，第三种为MgF2，第四种为WO3，FePc所占比例为60mol%，Alq3所占比例为10mol%MgF2所占比例为10mol%，WO3所占比例为20mol%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度厚度200nm；
i)无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成SiO2膜，无机阻挡层的本底真空度1×10-5Pa，厚度70nm。制备时，通入Ar的流量为7sccm，CH4的流量10sccm；
j)交替重复上述步骤h)和i)6次。
实施例4
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。
在本实施例中具体依次为：ITO玻璃基板、MoO3-NPB层、TCTA层、TPBI-Ir(ppy)3层、Bphen层、CsN3-Bphen层、ZnS/Ag/ZnS、CoPc-m-MTDATA-AlF3-Cs2O层，ZrO2层。（斜杆“/”表示层状结构，横杠“-”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的：
a)ITO玻璃基板的前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
b)空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为30wt%，厚度为10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
c)空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
d)发光层：采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
e)电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
g)阴极层的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
h)混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为CoPc（酞菁钴），另一种为m-MTDATA，第三种为AlF3，第四种为Cs2O，CoPc所占比例为50mol%，m-MTDATA所占比例为15mol%，AlF3所占比例为20mol%，Cs2O所占比例为15mol%，混合阻挡层的真空度5×10-5Pa，蒸发速度厚度150nm；
i)无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成ZrO2膜，无机阻挡层的本底真空度5×10-5Pa，厚度100nm，制备时，通入Ar流量10sccm，CH4流量20sccm；
j)交替重复上述步骤h)和i)4次。
实施例5
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。
在本实施例中具体依次为：ITO玻璃基板、MoO3-NPB层、TCTA层、TPBI-Ir(ppy)3层、Bphen层、CsN3-Bphen层、ZnS/Ag/ZnS、MnPc-BCP-CaF2-Ni2O层，ZnO层。（斜杆“/”表示层状结构，横杠“-”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的：
a)ITO玻璃基板的前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
b)空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为30wt%，厚度为10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
c)空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
d)发光层：采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
e)电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
g)阴极层的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
h)混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为MnPc（酞菁锰），另一种为BCP，第三种为CaF2，第四种为Ni2O，MnPc所占比例为55mol%，BCP所占比例为15mol%CaF2所占比例为15mol%，Ni2O所占比例为15mol%，混合阻挡层的厚度150nm，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
i)无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成ZnO膜，无机阻挡层的本底真空度5×10-5Pa，厚度80nm。制备时，通入Ar的流量为5sccm，CH4的流量20sccm；
j)交替重复上述步骤h)和i)6次。
实施例6
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为：
阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。
在本实施例中具体依次为：ITO玻璃基板、MoO3-NPB层、TCTA层、TPBI-Ir(ppy)3层、Bphen层、CsN3-Bphen层、ZnS/Ag/ZnS、NiPc-TPBi-BaF2-MnO2层，Al2O3层。（斜杆“/”表示层状结构，横杠“-”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的：
a)ITO玻璃基板的前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基板的厚度为100nm；
b)空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入NPB中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为30wt%，厚度为10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
c)空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
d)发光层：采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂浓度5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
e)电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度30wt%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
g)阴极层的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
h)混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为NiPc（酞菁镍），另一种为TPBi，第三种为BaF2，第四种为MnO2，NiPc所占比例为60mol%，TPBi所占比例为19mol%，BaF2所占比例为16mol%，MnO2所占比例为15mol%，混合阻挡层的真空度1×10-3Pa，蒸发速度厚度150nm；
i)无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成Al2O3膜，无机阻挡层的本底真空度1×10-3Pa，厚度70nm。制备时，通入Ar的流量为7sccm，CH4的流量13sccm；
j)交替重复上述步骤h)和i)6次。
性能测试
对以上实施例1～6对本发明的有机电致发光器件进行防水氧能力（WVTR）和透射率测试，可以从下表1中看到，其防水氧能力达到10－4g/m2/day以上的性能，由其制作的OLED发光器件，寿命也达到了平均4800小时以上。
表1
实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6WVTR(g/m2/day)6.0E-46.3E-46.7E-47.2E-47.5E-48.2E-4透光率63％64％65％67％68％69％寿命（小时）494549104883484548204800
由此可见，本发明的有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法，存在以下的优点：
1.本发明的有机电致发光器件，采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成了有效的保护，满足了封装的密封性的要求，可显著地提高OLED器件的寿命。其防水氧能力达到了10－4g/m2/day，由其制作的OLED发光器件，寿命也达到了平均4800小时以上,封装面透光率达到63%以上。
2.本发明的有机电致发光器件的制备方法制备工艺简单、易大面积制备，该技术特别适用于柔性OLED器件的应用，解决了柔性OLED面临的封装问题，促进了柔性OLED产品的发展。
上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。

资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 104078601 A (43)申请公布日 2014.10.01 CN 104078601 A (21)申请号 201310108759.7 (22)申请日 2013.03.29 H01L 51/52(2006.01) H01L 51/54(2006.01) H01L 51/56(2006.01) (71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址 518000 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦 A 座 22 层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司 (72)发明人周明杰钟铁涛王平张振华 (74)专利代理机构深圳市隆天联鼎知识。

2、产权代理有限公司 44232 代理人刘抗美刘耿 (54) 发明名称有机电致发光器件及其制备方法 (57) 摘要本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，在所述阴极层表面设有交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层。本发明的有机电致发光器件，采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对有机电致。

3、发光器件的有机功能材料及电极形成了有效的保护，满足了封装的密封性的要求，可显著地提高 OLED 器件的寿命。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页说明书 10 页附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请权利要求书2页说明书10页附图1页 (10)申请公布号 CN 104078601 A CN 104078601 A 1/2 页 2 1. 一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；其特征在于，在所述阴极层。

4、表面设有交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层；其中，所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；所述酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺、 8- 羟基喹啉铝、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、 4,7二苯基1,10邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 -2- 基 ) 苯中的一种，所述氟化物为 LiF、 CeF2、 MgF2、 AlF3、 CaF2或 BaF2中的一种，所述。

5、氧化物为 MoO3、 V2O5、 WO3、 Cs2O、 Ni2O 或 MnO2中的一种；所述无机阻挡层的材质为 TiO2、 MgO、 SiO2、 ZrO2、 ZnO 或 Al2O3中的一种；所述酞菁物占所述混合阻挡层的4060 mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的10 30mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的 10 20mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于 40 %。 2. 根据权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述混合阻挡层的厚度为 100nm 200nm。 3. 根据权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡。

6、层的厚度为 50nm 100nm。 4. 根据权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述混合阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为 46 层。 5. 根据权利要求 1 所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述空穴注入层的材质为 MoO3按照 30wt% 的掺杂浓度掺杂入 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺中组成的掺杂混合材料；所述空穴传输层的材质为采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺；所述发光层的材质为三（2- 苯基吡啶）合铱按照 5wt% 的掺杂浓度掺杂到 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1。

7、H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 组成的掺杂混合材料；所述电子传输层的材质为 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉；所述电子注入层的材质为 CsN3按照 30wt% 的掺杂浓度掺入 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉中组成的混合材料；所述阴极层的材质为采用真空蒸镀的方法依次层叠的 ZnS、 Ag 和 ZnS。 6. 一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤： (a) 在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层； (b) 在所述阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制。

8、备混合阻挡层；接着在所述混合阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次混合阻挡层和无机阻挡层；其中，所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺、 8- 羟基喹啉铝、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、 4,7二苯基1,10邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯权利要求书 CN 104078601 A 。

9、2 2/2 页 3 并咪唑 -2- 基 ) 苯中的一种，所述氟化物为 LiF、 CeF2、 MgF2、 AlF3、 CaF2或 BaF2中的一种，所述氧化物为 MoO3、 V2O5、 WO3、 Cs2O、 Ni2O 或 MnO2中的一种；所述无机阻挡层的材质为 TiO2、 MgO、 SiO2、 ZrO2、 ZnO 或 Al2O3中的一种；所述酞菁物占所述混合阻挡层的4060 mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的10 30mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的 10 20mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于 40 %。 7. 根据权利要求 6 所述的制备。

10、方法，其特征在于，所述混合阻挡层的厚度为 100nm 200nm ；所述无机阻挡层的厚度为 50nm 100nm。 8. 根据权利要求 6 所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤 (a) 中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为 110-5Pa ；所述空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的蒸发速度为 0.1/s，所述发光层和电子注入层蒸发速度为 0.2/s，所述阴极层蒸发速度为 1/s。 9. 根据权利要求 6 所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤 (b) 中，所述混合阻挡层和无机阻挡层交替次数为。

11、46 次。 10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，所述真空蒸镀制备混合阻挡层时，所述真空蒸发的真空度为110-5Pa110-3Pa，所述真空蒸发的蒸发速度为 0.5/s 5/s ；所述磁控溅射制备无机阻挡层时，真空度为 110-5Pa 110-3Pa。权利要求书 CN 104078601 A 3 1/10 页 4 有机电致发光器件及其制备方法技术领域 0001 本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。背景技术 0002 有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种。

12、电流型半导体发光器件。其典型结构是在 ITO 玻璃上以有机发光材料制作一层几十纳米厚的发光层，发光层上方设有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。 0003 OLED 器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、且轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术， OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了 OLED 的产业化进程，使得 OLED 产业的成长速度惊人，目前已经到达了大。

13、规模量产的前夜。 0004 柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短的问题，因此封装技术的好坏直接影响器件的寿命。本发明的主要目的在于提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该封装技术工艺简单，防水氧能力（WVTR）强，对柔性 OLED 器件的寿命有显著的提高。发明内容 0005 本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的。

14、侵蚀。 0006 本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；在所述阴极层表面设有交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层；其中， 0007 所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；所述酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为 N,N- 二苯基-N,N-二(1-萘基)-1,1-联苯-4,4-二胺、 8-羟基喹啉铝、 4,4,4-三(N-3。

15、-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、 4,7二苯基1,10邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 -2- 基 ) 苯中的一种，所述氟化物为 LiF、 CeF2、 MgF2、 AlF3、 CaF2或 BaF2中的一种，所述氧化物为 MoO3、 V2O5、 WO3、 Cs2O、 Ni2O 或 MnO2中的一种； 0008 所述无机阻挡层的材质为 TiO2、 MgO、 SiO2、 ZrO2、 ZnO 或 Al2O3中的一种； 0009 所述酞菁物占所述混合阻挡层的 40 60mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的 1030mol%，所述氧化物占所述混合阻挡层的1020mo。

16、l%，所述有机物占所述混合阻挡层说明书 CN 104078601 A 4 2/10 页 5 的摩尔百分比不大于 40%。 0010 所述混合阻挡层的厚度为 100nm 200nm。 0011 所述无机阻挡层的厚度为 50nm 100nm。 0012 所述混合阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为 4 6 层。 0013 所述空穴注入层的材质为 MoO3按照 30wt% 的掺杂浓度掺杂入 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺中组成的掺杂混合材料； 0014 所述空穴传输层的材质为采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺； 00。

17、15 所述发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱按照5wt%的掺杂浓度掺杂到1,3,5-三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 组成的掺杂混合材料； 0016 所述电子传输层的材质为 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉； 0017 所述电子注入层的材质为CsN3按照30wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料； 0018 所述阴极层的材质为采用真空蒸镀的方法依次层叠的 ZnS、 Ag 和 ZnS。 0019 本发明还包括利用上述的机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤： 0020 (a) 在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用。

18、真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层； 0021 (b) 在所述阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制备混合阻挡层；接着在所述混合阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次制备混合阻挡层和无机阻挡层；其中， 0022 所述混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，所述有机物为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺、 8- 羟基喹啉铝、。

19、4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、 4,7二苯基1,10邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 -2- 基 ) 苯中的一种，所述氟化物为 LiF、 CeF2、 MgF2、 AlF3、 CaF2、 BaF2中的一种，所述氧化物为 MoO3、 V2O5、 WO3、 Cs2O、 Ni2O、 MnO2中的一种； 0023 所述无机阻挡层的材质为 TiO2、 MgO、 SiO2、 ZrO2、 ZnO 或 Al2O3中的一种； 0024 所述酞菁物占所述混合阻挡层的 40 60mol%，所述氟化物占所述混合阻挡层的 1030mol%，所述氧化物占所。

20、述混合阻挡层的1020mol%，所述有机物占所述混合阻挡层的摩尔百分比不大于 40%。 0025 所述无机阻挡层的厚度为 100nm 200nm ；所述混合阻挡层的厚度为 50nm 100nm。 0026 在所述步骤 (a) 中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为 110-5Pa，蒸发速度为 0027 在所述步骤 (b) 中，所述混合阻挡层和无机阻挡层交替次数为 4 6 次。 0028 在所述步骤 (a) 中，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为。

21、110-5Pa ；所述空穴注入层、空穴传输层和电子传输层的蒸发速度为所述发光层和电子注入层蒸发速度为所述阴极层蒸发速度为说明书 CN 104078601 A 5 3/10 页 6 0029 与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点：本发明的有机电致发光器件，采用掺杂酞菁物和氟化物的有机物作为混合阻挡层，使膜层热稳定性高，平整度好，有利于无机物在其上面成膜，可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对有机电致发光器件的有机功能材料及电极形成了有效的保护，满足了封装的密封性的要求，可显著地提高 OLED 。

22、器件的寿命。附图说明 0030 图 1 是本发明有机电致发光器件的结构示意图。具体实施方式 0031 以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。 0032 本发明的有机电致发光器件为层状结构，如图 1 所示，该层状结构依次层叠的阳极导电基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层 106、阴极层 107、混合阻挡层 108、无机阻挡层 109。 0033 有机电致发光器件中，在上述阴极层表面设有若干层交替层叠的混合阻挡层和无机阻挡层。混合阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数为 4 6 层。 0034 混合阻挡层的材质。

23、为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，有机物为N,N-二苯基-N,N-二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺、 8- 羟基喹啉铝、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基氨基 ) 三苯胺、 4,7 二苯基 1,10 邻菲罗啉或 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯中的一种，氟化物为 LiF、 CeF2、 MgF2、 AlF3、 CaF2或 BaF2中的一种，氧化物为 MoO3、 V2O5、 WO3、 Cs2O、 Ni2O 或 MnO。

24、2中的一种； 0035 无机阻挡层的材质为 TiO2、 MgO、 SiO2、 ZrO2、 ZnO 或 Al2O3中的一种； 0036 酞菁物占混合阻挡层的 40 60mol%，氟化物占混合阻挡层的 10 30mol%，氧化物占所述混合阻挡层的 10 20mol%，有机物占混合阻挡层的摩尔百分比不大于 40%。 0037 混合阻挡层的厚度为 100nm 200nm，无机阻挡层的厚度为 50nm 100nm。 0038 在有机电致发光器件中，阳极导电基板 101 的材质包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如，氧化铟锡。

25、（ITO）、掺铝氧化锌（AZO）、掺铟氧化锌（IZO）或掺氟氧化锌（FTO），这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称 ITO 玻璃、 AZO 玻璃、 IZO 玻璃、 FTO 玻璃。阳极导电基板可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板101。在实际应用中，可以在阳极导电基板 101 上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板 101 为现有技术，在此不再赘述。 0039 有机电致发光器件中，其他功能层的材质和厚度如下： 0040 空穴注入层的材质为 MoO3按照 30wt% 的掺杂浓度掺杂入。

26、N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺中组成的掺杂混合材料；厚度 10nm ； 0041 空穴传输层的材质为采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺；厚度 30nm 0042 发光层的材质为三（2- 苯基吡啶）合铱按照 5wt% 的掺杂浓度掺杂到 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 组成的掺杂混合材料；厚度 20nm ；说明书 CN 104078601 A 6 4/10 页 7 0043 电子传输层的材质为 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉；厚度 10nm ； 0044 电子。

27、注入层的材质为 CsN3按照 30wt% 的掺杂浓度掺入 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉中组成的混合材料；厚度 20nm。 0045 阴极层的材质采用依次层叠的 ZnS、 Ag 和 ZnS，厚度为 30nm。 0046 对上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤： 0047 (a) 在清洗干净的阳极导电基板的阳极导电层上，采用真空蒸镀的方法依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层； 0048 空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层真空蒸镀制备时，真空度为 110-5Pa ；空穴注入层、。

28、空穴传输层和电子传输层的蒸发速度为发光层和电子注入层蒸发速度为阴极层蒸发速度为 0049 (b) 在阴极层上，首先，采用真空蒸镀的方法制备混合阻挡层；接着在混合阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；随后，依次交替层叠若干次制备的混合阻挡层和无机阻挡层；混合阻挡层和无机阻挡层交替次数为 4 6 次。 0050 真空蒸镀制备混合阻挡层时，真空蒸发的真空度为 110-5Pa 110-3Pa，真空蒸发的蒸发速度为磁控溅射制备无机阻挡层时，真空度为 110-5Pa 110-3Pa。 0051 其中，混合阻挡层的材质为酞氰物、有机物、氟化物与氧化物组成的混合物。

29、；酞氰物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍中的一种，有机物为 N,N- 二苯基 -N,N- 二 (1- 萘基 )-1,1- 联苯 -4,4- 二胺、 8- 羟基喹啉铝、 4,4,4- 三 (N-3- 甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、 4,7二苯基1,10邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 -2- 基 ) 苯中的一种，氟化物为 LiF、 CeF2、 MgF2、 AlF3、 CaF2、 BaF2中的一种，氧化物为 MoO3、 V2O5、 WO3、 Cs2O、 Ni2O、 MnO2中的一种； 0052 无机阻挡层的材质为 TiO2、 MgO、。

30、SiO2、 ZrO2、 ZnO 或 Al2O3中的一种； 0053 酞菁物占混合阻挡层的 40 60mol%，氟化物占混合阻挡层的 10 30mol%，氧化物占混合阻挡层的 10 20mol%，有机物占混合阻挡层的摩尔百分比不大于 40%。 0054 混合阻挡层的厚度为 100nm 200nm，无机阻挡层的厚度为 50nm 100nm。 0055 以下以实施例 1 6 对本发明的有机电致发光器件及其制备步骤进行具体说明： 0056 实施例 1 0057 本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为： 0058 阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、。

31、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。 0059 在本实施例中具体依次为： ITO玻璃基板、 MoO3-NPB层、 TCTA层、 TPBI-Ir(ppy)3层、 Bphen 层、 CsN3-Bphen 层、 ZnS/Ag/ZnS、 CuPc-TAPC-LiF-MoO3层， TiO2层。（斜杆 “/” 表示层状结构，横杠 “-” 表示相互掺杂。） 0060 上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的： 0061 a)ITO 玻璃基板的前处理：丙酮清洗乙醇清洗去离子水清洗乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗 5 分钟，然后用氮气。

32、吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的 ITO 玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电说明书 CN 104078601 A 7 5/10 页 8 层表面的功函数； ITO 玻璃基板的厚度为 100nm ； 0062 b) 空穴注入层的制备：将 MoO3掺杂入 NPB 中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为 30wt%，厚度为 10nm，真空度为 110-5Pa，蒸发速度为 0063 c) 空穴传输层的制备：采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 30nm。

33、； 0064 d) 发光层：采用 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2- 苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)，掺杂浓度 5%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0065 e) 电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 10nm ； 0066 f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度 30wt。

34、%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0067 g) 阴极层的制备：阴极采用 ZnS/Ag/ZnS，厚度为 100nm，真空度 110-5Pa，蒸发速度 0068 h) 混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为 CuPc（酞菁铜），另一种为有机物 TAPC，第三种为 LiF，第四种为 MoO3，其中， CuPc 所占比例为 50mol%， LiF 所占比例为 30mol%， MoO3所占比例为 16mol%，有机物 TAPC 所占比例为 4mol%。混合阻挡层的真空。

35、度 110-5Pa，蒸发速度厚度 200nm ； 0069 i) 无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成 TiO2膜，无机阻挡层的本底真空度 110-5Pa，厚度 100nm。制备时，通入 Ar 的流量为 10sccm， CH4的流量 20sccm ； 0070 j) 交替重复上述步骤 h) 和 i)6 次。 0071 实施例 2 0072 本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为： 0073 阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。 0074 在本实施例中具体依次为： I。

36、TO玻璃基板、 MoO3-NPB层、 TCTA层、 TPBI-Ir(ppy)3层、 Bphen 层、 CsN3-Bphen 层、 ZnS/Ag/ZnS 层、 ZnPc-NPB-CeF2-V2O5层， MgO 层。（斜杆 “/” 表示层状结构，横杠 “-” 表示相互掺杂。） 0075 上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的： 0076 a)ITO 玻璃基板的前处理：丙酮清洗乙醇清洗去离子水清洗乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗 5 分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的 ITO 玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量。

37、，提高导电层表面的功函数； ITO 玻璃基板的厚度为 100nm ； 0077 b) 空穴注入层的制备：将 MoO3掺杂入 NPB 中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为 30wt%，厚度为 10nm，真空度为 110-5Pa，蒸发速度为 0078 c) 空穴传输层的制备：采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺（TCTA）作为空穴说明书 CN 104078601 A 8 6/10 页 9 传输材料，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 30nm ； 0079 d) 发光层：采用 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基。

38、) 苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2- 苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)，掺杂浓度 5%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0080 e) 电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 10nm ； 0081 f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度 30wt%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0082 g) 阴极层的制备：阴极采。

39、用 ZnS/Ag/ZnS，厚度为 100nm，真空度 110-5Pa，蒸发速度 0083 h) 混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为 ZnPc（酞菁锌），另一种为 NPB，第三种为 CeF2，第四种为 V2O5， ZnPc 所占比例为 40mol%， NPB 所占比例为 35mol%， CeF2所占比例为 15mol%， V2O5所占比例为 10mol%，混合阻挡层的真空度 510-5Pa，蒸发速度厚度 150nm ； 0084 i) 无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成 MgO 膜，。

40、无机阻挡层的本底真空度 110-5Pa，厚度 50nm。制备时，通入 Ar 的流量为 5sccm， CH4的流量 15sccm ； 0085 j) 交替重复上述步骤 h) 和 i)5 次。 0086 实施例 3 0087 本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为： 0088 阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。 0089 在本实施例中具体依次为： ITO玻璃基板、 MoO3-NPB层、 TCTA层、 TPBI-Ir(ppy)3层、 Bphen 层、 CsN3-Bphen 层、 Zn。

41、S/Ag/ZnS、 FePc-Alq3-MgF2-WO3层， SiO2层。（斜杆 “/” 表示层状结构，横杠 “-” 表示相互掺杂。） 0090 上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的： 0091 a)ITO 玻璃基板的前处理：丙酮清洗乙醇清洗去离子水清洗乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗 5 分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的 ITO 玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数； ITO 玻璃基板的厚度为 100nm ； 0092 b) 空穴注入层的制备：将 MoO3掺杂入 NP。

42、B 中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为 30wt%，厚度为 10nm，真空度为 110-5Pa，蒸发速度为 0093 c) 空穴传输层的制备：采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 30nm ； 0094 d) 发光层：采用 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2- 苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)，掺杂浓度 5%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0095 e) 电。

43、子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉（Bphen）说明书 CN 104078601 A 9 7/10 页 10 作为电子传输层，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 10nm ； 0096 f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度 30wt%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0097 g) 阴极层的制备：阴极采用 ZnS/Ag/ZnS，厚度为 100nm，真空度 110-5Pa，蒸发速度 0098 h) 混合阻挡层的制作：采用真空蒸。

44、发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为 FePc（酞菁铁），另一种为 Alq3，第三种为 MgF2，第四种为 WO3， FePc 所占比例为 60mol%， Alq3所占比例为 10mol%MgF2所占比例为 10mol%， WO3所占比例为 20mol%，真空度 110-5Pa，蒸发速度厚度 200nm ； 0099 i) 无机阻挡层的制作：采用磁控溅射的方法制作成 SiO2膜，无机阻挡层的本底真空度 110-5Pa，厚度 70nm。制备时，通入 Ar 的流量为 7sccm， CH4的流量 10sccm ； 0100 j)。

45、交替重复上述步骤 h) 和 i)6 次。 0101 实施例 4 0102 本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次为： 0103 阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、混合阻挡层、无机阻挡层。 0104 在本实施例中具体依次为： ITO玻璃基板、 MoO3-NPB层、 TCTA层、 TPBI-Ir(ppy)3层、 Bphen 层、 CsN3-Bphen 层、 ZnS/Ag/ZnS、 CoPc-m-MTDATA-AlF3-Cs2O 层， ZrO2层。（斜杆 “/” 表示层状结构，横杠 “-” 表示相互掺杂。）。

46、 0105 上述有机电致发光器件是采用如下步骤制备的： 0106 a)ITO 玻璃基板的前处理：丙酮清洗乙醇清洗去离子水清洗乙醇清洗，所述清洗均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗 5 分钟，然后用氮气吹干，再用烘箱烤干待用；对洗净后的 ITO 玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数； ITO 玻璃基板的厚度为 100nm ； 0107 b) 空穴注入层的制备：将 MoO3掺杂入 NPB 中作为空穴注入材料，掺杂的浓度为 30wt%，厚度为 10nm，真空度为 110-5Pa，蒸发速度为 0108 c) 空穴传输层的。

47、制备：采用 4,4,4- 三（咔唑 -9- 基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 30nm ； 0109 d) 发光层：采用 1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯（TPBI）作为主体材料，客体材料采用三（2- 苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)，掺杂浓度 5%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0110 e) 电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层 4,7- 二苯基 -1,10- 菲罗啉（Bphen）作为电子传输层，真空度 110-5Pa，蒸。

48、发速度蒸发厚度 10nm ； 0111 f)电子注入层的制备：以Bphen电子注入层主体材料，作为将CsN3掺入Bphen中，掺杂浓度 30wt%，真空度 110-5Pa，蒸发速度蒸发厚度 20nm ； 0112 g) 阴极层的制备：阴极采用 ZnS/Ag/ZnS，厚度为 100nm，真空度 110-5Pa，蒸发速度说明书 CN 104078601 A 10 8/10 页 11 0113 h) 混合阻挡层的制作：采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层混合阻挡层，混合阻挡层为四种物质掺杂共蒸制作，一种为 CoPc（酞菁钴），另一种为 m-MTDATA，第三种为 AlF3，第四种为 Cs2O， CoPc 所占比例为 50mol%， m-MTDATA 所占比例为 15mol%， AlF3所占比例为 20mol%， Cs2O 所占比例为 15mol%，混合阻挡层的真空度 510-5Pa，蒸发速度厚度 150nm ； 0114 i) 无。

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