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1、(10)申请公布号 CN 104157754 A (43)申请公布日 2014.11.19 CN 104157754 A (21)申请号 201410317734.2 (22)申请日 2014.07.03 H01L 33/02(2010.01) H01L 33/06(2010.01) H01L 33/12(2010.01) H01L 33/00(2010.01) (71)申请人 华南理工大学 地址 510640 广东省广州市天河区五山路 381 号 (72)发明人 李国强 王文樑 刘作莲 杨为家 林云昊 周仕忠 钱慧荣 (74)专利代理机构 广州市华学知识产权代理有 限公司 44245 代理人。
2、 陈文姬 (54) 发明名称 生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱及其 制备方法 (57) 摘要 本发明公开了生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱， 包括生长在 W 衬底上的 AlN 缓冲层， 生 长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层， 生长在非掺杂 GaN层上的InGaN/GaN多量子阱 ； 所述AlN缓冲层 为在400500生长的AlN缓冲层 ； 所述非掺杂 GaN 层为在 500 700生长的非掺杂 GaN 层 ； 所 述 InGaN/GaN 多量子阱为在 700 800生长的 InGaN/GaN 多量子阱。本发明还公开了上述生长 在 W 衬底上的 InGaN/。
3、GaN 多量子阱的制备方法。 本发明具有生长工艺简单， 制备成本低廉的优点， 且制备的 InGaN/GaN 多量子阱缺陷密度低、 结晶 质量好， 光电性能好。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104157754 A CN 104157754 A 1/1 页 2 1.生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱， 其特征在于， 包括生长在W衬底上的AlN缓 冲层， 生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层， 生长在非掺杂GaN层上的InG。
4、aN/GaN多量子阱 ； 所述 AlN 缓冲层为在 400 500生长的 AlN 缓冲层 ； 所述非掺杂 GaN 层为在 500 700 生长的非掺杂 GaN 层 ； 所述 InGaN/GaN 多量子阱为在 700 800生长的 InGaN/GaN 多量 子阱。 2. 根据权利要求 1 所述的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱， 其特征在于， 所述 W 衬底以 (110) 面为外延面。 3. 根据权利要求 1 所述的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱， 其特征在于， 所述 AlN 缓冲层的厚度为 80 100nm ； 所述非掺杂 GaN 层的厚度为 2 4m ；。
5、 所述 InGaN/GaN 量子阱为 7 10 个周期的 InGaN 阱层 /GaN 垒层， 其中 InGaN 阱层的厚度为 2 3nm ； GaN 垒层的厚度为 10 13nm。 4. 生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方法， 其特征在于， 包括以下步骤 ： (1) 衬底以及其晶向的选取 ： 采用 W 衬底的 (110) 面为外延面， 晶体外延取向关系 ： AlN11-20/W001 ； (2)AlN 缓冲层的外延生长 ： 温度为 400 500、 反应室压力为 1 310-5Torr、 / 比为 50 60、 生长速度为 0.4 0.6ML/s ； 用 KrF 准分子。
6、激光烧蚀 AlN 靶材 ； 在 W 衬 底上生长 AlN 缓冲层 ； (3) 非掺杂 GaN 层的外延生长 ： 采用 PLD 技术外延生长， 衬底温度为 500 700， 在反 应室压力 4 510-5Torr、 / 值 40 60、 生长速度 0.6 0.8ML/s 条件下， 在步骤 (2) 得到的 AlN 缓冲层上生长非掺杂 GaN 层 ； (4)InGaN/GaN 多量子阱的外延生长 ： 采用 MBE 生长多量子阱， 在反应室压力 3 5.010-5Torr、 / 值 30 40、 生长速度 0.4 0.6ML/s 的条件下， 在步骤 (3) 得到的 非掺杂 GaN 层上生长 InGaN。
7、/GaN 多量子阱。 5. 根据权利要求 4 所述的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方法， 其特征 在于， 步骤 (2) 所述表面抛光， 具体为 ： 将 W 衬底表面用金刚石泥浆进行抛光， 配合光学显微镜观察衬底表面， 直到没有划痕 后， 再采用化学机械抛光的方法进行抛光处理。 6. 根据权利要求 4 所述的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方法， 其特征 在于， 所述 KrF 准分子激光 PLD 的能量为 1.3J/cm2， 重复频率为 30Hz， 波长为 248nm。 7. 根据权利要求 4 所述的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量。
8、子阱的制备方法， 其特征 在于， 所述AlN缓冲层的为80100nm ； 所述非掺杂GaN层层厚度为24m ； 所述InGaN/ GaN 量子阱为 7 10 个周期的 InGaN 阱层 /GaN 垒层， 其中 InGaN 阱层的厚度为 2 3nm ； GaN 垒层的厚度为 10 13nm。 权 利 要 求 书 CN 104157754 A 2 1/6 页 3 生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱及其制备方法 技术领域 0001 本发明涉及 nGaN/GaN 多量子阱及其制备方法， 特别涉及一种生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱及其制备方法。 背景技术 0002 发。
9、光二极管 (LED) 作为一种新型固体照明光源和绿色光源， 具有体积小、 耗电量 低、 环保、 使用寿命长、 高亮度、 低热量以及多彩等突出特点， 在室外照明、 商业照明以及装 饰工程等领域都具有广泛的应用。当前， 在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下， 节约能 源、 减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、 低污染、 低排放为基础的 低碳经济， 将成为经济发展的重要方向。在照明领域， LED 发光产品的应用正吸引着世人的 目光， LED 作为一种新型的绿色光源产品， 必然是未来发展的趋势， 二十一世纪将是以 LED 为代表的新型照明光源的时代。但是现阶段 LED 的应用成本较高，。
10、 发光效率较低， 这些因素 都会大大限制 LED 向高效节能环保的方向发展。 0003 III 族氮化物 GaN 在电学、 光学以及声学上具有极其优异的性质， 近几年受到广泛 关注。GaN 是直接带隙材料， 且声波传输速度快， 化学和热稳定性好， 热导率高， 热膨胀系数 低， 击穿介电强度高， 是制造高效的LED器件的理想材料。 目前， GaN基LED的发光效率现在 已经达到28并且还在进一步的增长， 该数值远远高于目前通常使用的白炽灯(约为2) 或荧光灯 ( 约为 10 ) 等照明方式的发光效率。数据统计表明， 我国目前的照明用电每年 在 4100 亿度以上， 超过英国全国一年的用电量。如果。
11、用 LED 取代全部白炽灯或部分取代荧 光灯， 可节省接近一半的照明用电， 超过三峡工程全年的发电量。 因照明而产生的温室气体 排放也会因此而大大降低。另外， 与荧光灯相比， GaN 基 LED 不含有毒的汞元素， 且使用寿 命约为此类照明工具的 100 倍。 0004 LED 要真正实现大规模广泛应用， 需要进一步提高 LED 芯片的发光效率。虽然 LED 的发光效率已经超过日光灯和白炽灯， 但是商业化 LED 发光效率还是低于钠灯 (150lm/W)， 单位流明 / 瓦的价格偏高。目前， LED 芯片的发光效率不够高， 一个主要原因是由于其蓝 宝石衬底造成的。由于蓝宝石与 GaN 的晶格失。
12、配高达 17， 导致外延 GaN 薄膜过程中形 成很高的位错密度， 从而降低了材料的载流子迁移率， 缩短了载流子寿命， 进而影响了 GaN 基器件的性能。其次， 由于室温下蓝宝石热膨胀系数 (6.6310-6/K) 较 GaN 的热膨胀系数 (5.610-6/K) 大， 两者间的热失配度约为 -18.4， 当外延层生长结束后， 器件从外延生长 的高温冷却至室温过程会产生很大的压应力， 容易导致薄膜和衬底的龟裂。再次， 由于蓝 宝石的热导率低 (100时为 0.25W/cmK)， 很难将芯片内产生的热量及时排出， 导致热量积 累， 使器件的内量子效率降低， 最终影响器件的性能。 此外， 由于蓝宝。
13、石是绝缘体， 不能制作 垂直结构半导体器件。 因此电流在器件中存在横向流动， 导致电流分布不均匀， 产生较多热 量 , 很大程度上影响了 GaN 基 LED 器件的电学和光学性质。 0005 因此迫切需要寻找一种热导率高、 可以快速地将 LED 节区的热量传递出来的材料 作为衬底。而金属 W 作为外延氮化物的衬底材料， 具有三大其独特的优势。第一， 金属 W 有 说 明 书 CN 104157754 A 3 2/6 页 4 很高的热导率， W的热导率为1.74W/cmK， 可以将LED芯片内产生的热量及时的传导出， 以降 低器件的节区温度， 一方面提高器件的内量子效率， 另一方面有助于解决器件。
14、散热问题。 第 二， 金属 W 可以作为生长 GaN 基垂直结构的 LED 器件的衬底材料， 可直接在衬底上镀阴极材 料， P-GaN 上镀阳极材料， 使得电流几乎全部垂直流过 GaN- 基的外延层， 因而电阻下降， 没 有电流拥挤， 电流分布均匀， 电流产生的热量减小， 对器件的散热有利 ； 另外， 可以将阴极材 料直接镀在金属衬底上， 不需要通过腐蚀P-GaN层和有源层将电极连在N-GaN层， 这样充分 利用了有源层的材料。第三， 金属 W 衬底材料相对其他衬底， 价格更便宜， 可以极大地降低 器件的制造成本。正因为上述诸多优势， 金属衬底现已被尝试用作 III 族氮化物外延生长 的衬底材。
15、料。 0006 但是金属 W 衬底在高温下化学性质不稳定， 当外延温度高于 600的时候， 外延氮 化物会与金属衬底之间发生界面反应， 严重影响了外延薄膜生长的质量。 III族氮化物外延 生长的先驱研究者、 著名科学家 Akasaki 等人就曾尝试应用传统的 MOCVD 或者 MBE 技术直 接在化学性质多变的衬底材料上外延生长氮化物， 结果发现薄膜在高温下外延相当困难。 发明内容 0007 为了克服现有技术的上述缺点与不足， 本发明的目的在于提供一种生长在 W 衬底 上的 InGaN/GaN 多量子阱， 具有生长工艺简单， 制备成本低廉的优点， 且制备的 InGaN/GaN 多量子阱缺陷密度。
16、低、 结晶质量好， 光电性能好。 0008 本发明的目的还在于提供上述生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方 法。 0009 本发明的目的通过以下技术方案实现 ： 0010 生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱， 包括生长在 W 衬底上的 AlN 缓冲层， 生长 在 AlN 缓冲层上的非掺杂 GaN 层， 生长在非掺杂 GaN 层上的 InGaN/GaN 多量子阱 ； 所述 AlN 缓冲层为在 400 500生长的 AlN 缓冲层 ； 所述非掺杂 GaN 层为在 500 700生长的非 掺杂 GaN 层 ； 所述 InGaN/GaN 多量子阱为在 700 80。
17、0生长的 InGaN/GaN 多量子阱。 0011 所述 W 衬底以 (110) 面为外延面。 0012 所述 AlN 缓冲层的厚度为 80 100nm ； 所述非掺杂 GaN 层的厚度为 2 4m ； 所 述 InGaN/GaN 量子阱为 7 10 个周期的 InGaN 阱层 /GaN 垒层， 其中 InGaN 阱层的厚度为 2 3nm ； GaN 垒层的厚度为 10 13nm。 0013 生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方法， 包括以下步骤 ： 0014 (1) 衬底以及其晶向的选取 ： 采用 W 衬底的 (110) 面为外延面， 晶体外延取向关 系 ： AlN11。
18、-20/W001 ； 金属 W(0001) 衬底与 AlN(0001) 间的晶格失配度较低， 保证了衬 底与外延之间的晶格匹配， 能生长出高质量的 AlN 缓冲层。 0015 (2) 对衬底进行表面抛光、 清洗以及退火处理。 0016 (3)AlN 缓冲层的外延生长 ： 温度为 400 500、 反应室压力为 1 310-5Torr、 / 比为 50 60、 生长速度为 0.4 0.6ML/s ； 用 KrF 准分子激光烧蚀 AlN 靶材 ； 在 W 衬 底上生长 AlN 缓冲层 ； 在 400 500生长缓冲层， 可以有效的抑制衬底和薄膜之间的界面 反应， 同时为外延生长提供足够多的生长能量。
19、。 0017 (4) 非掺杂 GaN 层的外延生长 ： 采用 PLD 技术外延生长， 衬底温度为 500 700， 说 明 书 CN 104157754 A 4 3/6 页 5 在反应室压力 4 510-5Torr、 / 值 40 60、 生长速度 0.6 0.8ML/s 的条件下， 在 步骤 (3) 得到的 AlN 缓冲层上生长非掺杂 GaN 层。 0018 (5)InGaN/GaN 多量子阱的外延生长 ： 采用 MBE 生长多量子阱， 在反应室压力 3 5.010-5Torr、 / 值 30 40、 生长速度 0.4 0.6ML/s 条件下， 在步骤 (4) 得到的非 掺杂 GaN 层上生。
20、长 InGaN/GaN 多量子阱。 0019 步骤 (2) 所述表面抛光， 具体为 ： 0020 将 W 衬底表面用金刚石泥浆进行抛光， 配合光学显微镜观察衬底表面， 直到没有 划痕后， 再采用化学机械抛光的方法进行抛光处理。 0021 步骤 (2) 所述清洗， 具体为 ： 0022 将 W 衬底放入去离子水中室温下超声清洗 3 5 分钟， 去除 W 衬底表面粘污颗粒， 再依次经过盐酸、 丙酮、 乙醇洗涤， 去除表面有机物， 用高纯干燥氮气吹干。 0023 步骤 (2) 所述退火， 具体为 ： 0024 将 W 衬底放在压强为 210-10Torr 的 UHV-PLD 的生长室内， 在 850。
21、 950下高温 烘烤 1 2h 以除去衬底表面的污染物， 然后空冷至室温。 0025 所述 KrF 准分子激光 PLD 的能量为 1.3J/cm2， 重复频率为 30Hz， 波长为 248nm。 0026 所述 AlN 缓冲层的为 80 100nm ； 所述非掺杂 GaN 层层厚度为 2 4m ； 所述 InGaN/GaN 量子阱为 7 10 个周期的 InGaN 阱层 /GaN 垒层， 其中 InGaN 阱层的厚度为 2 3nm ； GaN 垒层的厚度为 10 13nm。80 100nm 厚的 AlN 缓冲层提供形核的中心， 为接下 来外延生长高质量 GaN 薄膜奠定基础。 0027 与现有。
22、技术相比， 本发明具有以下优点和有益效果 ： 0028 (1)本发明使用了金属W作为衬底， 用过生长AlN缓冲层可以获得岛状的AlN为外 延高质量的GaN薄膜提供形核中心， 有利于沉积高质量低缺陷的GaN薄膜， 有望极大的提高 了 LED 的发光效率。 0029 (2) 本发明使用了 W 作为衬底， W 衬底容易获得， 价格便宜， 有利于降低生产成本。 0030 (3) 本发明采用 MBE 和 PLD 结合的方法， 生长出低温高质量的 GaN 基薄膜， 制备出 高质量的大功率 LED 外延片。应用 MBE 生长有源层， 其他层的外延则采用低温的 PLD 技术， 这样在较低的温度下就可以完成薄膜。
23、的生长， 避免了高温界面反应， 为制备高质量低缺陷 的薄膜提供了保障。 0031 (4)本发明制备出了高质量的InGaN/GaN多量子阱， 可以作为生长GaN基垂直结构 的 LED 器件， 使得电流几乎全部垂直流过 GaN- 基的外延层， 因而电阻下降， 没有电流拥挤， 电流分布均匀， 电流产生的热量减小， 对器件的散热有利提高了载流子的辐射复合效率， 可 大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、 发光二极管及太阳能电池的效率。 0032 (5) 本发明制备采用热导率较高的金属 W 作为衬底， 能够迅速地将器件内的热量 传导出来， 一方面提高器件的内量子效率， 另一方面助于解决器件散热问题， 有利。
24、于提高 LED 器件的寿命。 0033 (6)本发明采用了低温外延技术在W衬底上先生长一层80100nm的低温AlN缓 冲层。在低温下能保证 W 衬底的稳定性， 减少 W 离子的挥发造成的晶格失配和剧烈界面反 应， 从而为下一步的高质量外延层打下良好基础。 0034 (7) 本发明可广泛应用于半导体激光器、 发光二极管及太阳能电池等领域， 便于推 说 明 书 CN 104157754 A 5 4/6 页 6 广应用。 附图说明 0035 图 1 为本发明的实施例 1 制备的 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的界面示意图。 0036 图 2 为本发明的实施例 1 制备的非掺杂 GaN 。
25、薄膜 (GaN(0002) 的 XRD 图谱。 0037 图 3 为本发明的实施例 1 制备的 InGaN/GaN 多量子阱的 PL 图谱。 0038 图 4 为本发明的实施例 1 制备的 InGaN/GaN 多量子阱的 EL 图谱。 具体实施方式 0039 下面结合实施例， 对本发明作进一步地详细说明， 但本发明的实施方式不限于此。 0040 实施例 1 0041 本实施例的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方法， 其包括以下步 骤 ： 0042 (1) 衬底以及其晶向的选取 ： 外延衬底采用 W 衬底， 以 (110) 面为外延面， 选择 的晶体外延取向关系 ： Al。
26、N(0001)/W(110)， AlN11-20/W001。金属 W(0001) 衬底与 AlN(0001) 间的晶格失配度较低， 保证了衬底与外延之间的晶格匹配， 能生长出高质量的 AlN 薄膜。 0043 (2) 衬底表面抛光、 清洗以及退火处理 ： 0044 所述衬底表面抛光， 具体为 ： 0045 首先将 W 衬底表面用金刚石泥浆进行抛光， 配合光学显微镜观察， 直到衬底表当 面没有划痕后， 再采用化学机械抛光的方法对衬底再进行抛光处理， 已达到要求。 0046 所述衬底表面抛光， 具体为 ： 0047 将衬底W放在压强为210-10Torr的超真空PLD的生长室内， 在850下高温烘。
27、烤 1h以除去衬底表面的污染物。 然后空冷至室温。 该退火处理可使衬底获得原子级平整的表 面。 0048 所述清洗， 具体为 ： 0049 将衬底放入去离子水中室温下超声清洗3分钟， 去除W衬底表面粘污颗粒， 再依次 经过盐酸、 丙酮、 乙醇洗涤， 去除表面有机物 ； 清洗后的衬底用高纯干燥氮气吹干。 0050 (3)AlN 缓冲层的外延生长 ： 将衬底温度升至 400， 反应室压力为 110-5Torr、 / 比为 50、 生长速度为 0.4ML/s ； 用能量为 1.3J/cm2以及重复频率为 30Hz 的 KrF 准分 子激光 ( 248nm， t 20ns) 的条件下生长厚度为 80n。
28、m 的 AlN 缓冲层。 0051 (4)非掺杂GaN层的外延生长 ： 采用PLD外延生长， 将衬底温度升至500， 在反应 室压力 410-5Torr、 / 值 40、 生长速度 0.6ML/s 条件下， 生长 GaN 薄膜。在步骤 (3) 得 到的 GaN 缓冲层上生长厚度为 2m 的非掺杂 GaN 薄膜。 0052 (5)InGaN/GaN 多量子阱的外延生长 ： 采用 MBE 生长多量子阱， 在反应室压力 310-5Torr、 / 值 30、 生长速度 0.4ML/s 条件下， 在步骤 (4) 得到的 n 型掺杂 GaN 薄膜 上生长 InGaN/GaN 多量子阱 ； 所述 InGaN。
29、/GaN 量子阱为 7 个周期的 InGaN 阱层 /GaN 垒层， 其中 InGaN 阱层的厚度为 2nm， GaN 垒层的厚度为 10nm。 0053 如图 1 所示， 本实施例制备的生长在金属 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱， 包括生 说 明 书 CN 104157754 A 6 5/6 页 7 长在金属 W 衬底 10 上的 AlN 缓冲层 11， 生长在 AlN 缓冲层 11 上的非掺杂 GaN 层 12， 生长 在非掺杂 GaN 层 12 上的 InGaN/GaN 量子阱 13。 0054 图 2 为本实施例制备的非掺杂 GaN 薄膜的 XRD 图谱。从 X 射线回摆曲。
30、线中可以看 到， GaN 的 FWHM 值低于 0.1 ； 表明在 W(0001) 面上外延生长出了高质量高质量的非掺杂 GaN 薄膜。 0055 图 3 为本实施例制备的 InGaN/GaN 多量子阱的 PL 图谱。从图中测试表明 GaN 的 光致发光波长在 462nm， FWHM 是 22.5nm， 显示出良好的光电性能。 0056 图4为本实施例制备的LED外延片的EL图谱。 从图中看出发光波长是463nm， FWHM 是 22nm， 显示出优异的电学性能。 0057 实施例 2 0058 本实施例的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱的制备方法， 其包括以下步 骤 ： 0。
31、059 (1) 衬底以及其晶向的选取 ： 外延衬底采用 W 衬底， 以 (110) 面为外延面， 选择 的晶体外延取向关系 ： AlN(0001)/W(110)， AlN11-20/W001。金属 W(0001) 衬底与 AlN(0001) 间的晶格失配度较低， 保证了衬底与外延之间的晶格匹配， 能生长出高质量的 AlN 薄膜。 0060 (2) 衬底表面抛光、 清洗以及退火处理 ： 0061 所述衬底表面抛光， 具体为 ： 0062 首先将 W 衬底表面用金刚石泥浆进行抛光， 配合光学显微镜观察， 直到衬底表当 面没有划痕后， 再采用化学机械抛光的方法对衬底再进行抛光处理， 已达到要求。 0。
32、063 所述衬底表面抛光， 具体为 ： 0064 将衬底W放在压强为210-10Torr的超真空PLD的生长室内， 在950下高温烘烤 2h以除去衬底表面的污染物。 然后空冷至室温。 该退火处理可使衬底获得原子级平整的表 面。 0065 所述清洗， 具体为 ： 0066 将衬底放入去离子水中室温下超声清洗5分钟， 去除W衬底表面粘污颗粒， 再依次 经过盐酸、 丙酮、 乙醇洗涤， 去除表面有机物 ； 清洗后的衬底用高纯干燥氮气吹干。 0067 (3)AlN 缓冲层的外延生长 ： 将衬底温度升至 500， 反应室压力为 310-5Torr、 / 比为 60、 生长速度为 0.6ML/s ； 用能量。
33、为 1.3J/cm2以及重复频率为 30Hz 的 KrF 准分 子激光 ( 248nm， t 20ns) 的条件下生长厚度为 100nm 的 GaN 缓冲层。 0068 (4)非掺杂GaN层的外延生长 ： 采用PLD外延生长， 将衬底温度升至700， 在反应 室压力 510-5Torr、 / 值 60、 生长速度 0.8ML/s 条件下， 生长 GaN 薄膜。在步骤 (3) 得 到的 GaN 缓冲层上生长厚度为 4m 的非掺杂 GaN 薄膜。 0069 (5)InGaN/GaN 多量子阱的外延生长 ： 采用 MBE 生长多量子阱， 在反应室压力 510-5Torr、 / 值 60、 生长速度 。
34、0.6ML/s 条件下， 在步骤 (4) 得到的 n 型掺杂 GaN 薄膜 上生长 InGaN/GaN 多量子阱 ； 所述 InGaN/GaN 量子阱为 10 个周期的 InGaN 阱层 /GaN 垒层， 其中 InGaN 阱层的厚度为 3nm， GaN 垒层的厚度为 13nm。 0070 本实施例制备的生长在 W 衬底上的 InGaN/GaN 多量子阱无论是在光电性质上， 还 是在缺陷密度、 结晶质量都具有非常好的性能， 测试数据与实施例 1 相近， 在此不再赘述。 说 明 书 CN 104157754 A 7 6/6 页 8 0071 上述实施例为本发明较佳的实施方式， 但本发明的实施方式并不受所述实施例的 限制， 其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、 修饰、 替代、 组合、 简化， 均应为等效的置换方式， 都包含在本发明的保护范围之内。 说 明 书 CN 104157754 A 8 1/2 页 9 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104157754 A 9 2/2 页 10 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 104157754 A 10 。