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1、(10)申请公布号 CN 104157714 A (43)申请公布日 2014.11.19 CN 104157714 A (21)申请号 201410323443.4 (22)申请日 2014.07.08 H01L 31/054(2014.01) H01L 31/0352(2006.01) H01L 31/0392(2006.01) (71)申请人 苏州大学 地址 215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路 199 号 (72)发明人 吴绍龙 李孝峰 詹耀辉 张程 尚爱雪 (74)专利代理机构 北京市科名专利代理事务所 ( 特殊普通合伙 ) 11468 代理人 程美琼 (54) 发明名称 一种非。
2、晶 / 微晶硅叠层太阳能电池 (57) 摘要 本发明公开了一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能 电池， 该电池的顶电池采用纳米光栅结构化的非 晶硅薄膜层， 并且纳米光栅结构间隙内填充有透 明绝缘层， 而中间反射层为类光子晶体结构化且 具有波长选择性反射 / 透射功能的选择性反射 层 ； 类光子晶体结构是指将两种不同折射率的介 质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构， 准 周期性是指介质绝大部分层的排列呈周期性， 只 在靠近整个晶体表面的 n 层介质的尺寸逐渐减 小， n N/10， N 为类光子晶体结构的总层数。本 发明通过将顶电池构筑为纳米光栅结构， 使整个 电池具有良好的光减反效应， 结合中间反。
3、射层的 波长选择性反射 / 透射功能， 较大幅度地提高了 非晶硅层的光吸收， 同时保证微晶硅层的光吸收 不受影响， 以此来提高电池的转换效率。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (10)申请公布号 CN 104157714 A CN 104157714 A 1/1 页 2 1. 一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 包括玻璃基底， 及依次叠置其上作为前电极的 前透明导电层、 顶电池、 中间反射层、 作为底电池的微晶硅薄膜层、 作为背电极的背透明导 电层和背反。
4、射层， 其特征在于所述顶电池采用纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层， 并且所述 纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层， 而所述中间反射层为类光子晶体结构化且具有波 长选择性反射 / 透射功能的选择性反射层 ； 所述类光子晶体结构是指将两种不同折射率的 介质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构， 所述准周期性是指介质绝大部分层的排列 呈周期性， 只在靠近整个晶体表面的 n 层介质的尺寸逐渐减小， n N/10， N 为类光子晶体 结构的总层数。 2. 根据权利要求 1 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述前透明 导电层为 FTO 层、 AZO 层或 ITO 层， 并且该前透明导电层。
5、的厚度为 100 700nm。 3. 根据权利要求 1 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于透明绝缘层 为氧化硅层、 氮化硅层、 氧化铝层或氮化铝层。 4. 根据权利要求 1 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述选择性 反射层的厚度为 500 5000nm。 5. 根据权利要求 1 或 4 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述 选择性反射层的类光子晶体结构采用下述任意两种透明导电介质交替层叠排布而成 ： AZO、 ITO 和 FTO。 6. 根据权利要求 1 或 4 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述选 择性。
6、反射层的类光子晶体结构采用下述任意两种透明绝缘介质交替层叠排布而成 ： SiO2、 MgF2、 ZnS、 Al2O3、 Si3N4和 AlN ； 并且该类光子晶体结构的上、 下表面均沉积有透明导电介质 并埋栅处理形成隧道结电连接顶电池和底电池， 所述沉积的透明导电介质选自下述之一 ： AZO、 ITO 和 FTO。 7. 根据权利要求 1 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述背透明 导电层为 FTO 层、 AZO 层或 ITO 层， 并且其厚度为 40 120nm。 8. 根据权利要求 1 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述背反射 层为 Ag、 A。
7、l、 Au、 Ti、 Ni 或 Pd 层， 并且背反射层的厚度为 100 500nm。 9. 根据权利要求 1 所述的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其特征在于所述作为底 电池的微晶硅薄膜层的厚度为 1.5 4m。 权 利 要 求 书 CN 104157714 A 2 1/6 页 3 一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池 技术领域 0001 本发明涉及一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池。 背景技术 0002 发展高效太阳能电池需要保证电池在宽光谱内具有良好的光吸收， 同时在光电转 换过程中具有较低的热损失， 基于上述要求发展出了多结太阳能电池。与单结薄膜电池相 比， 叠层多结薄膜太阳能电池。
8、因具有较高的转化效率越来越被人们重视和应用， 理论和实 验都证明了硅薄膜叠层结构的电池能实现较高的转换效率。但与块状的单晶体硅电池相 比， 目前的硅薄膜叠层结构的转换效率还是偏低， 如何进一步提高叠层薄膜太阳能电池的 转化效率成为研究的热点。对于非晶 / 微晶硅薄膜叠层太阳能电池， 由于非晶硅层对应的 少子寿命较短， 且厚的非晶硅层存在明显的光致衰退效应， 故其厚度一般在150350nm之 间， 而微晶硅具有较高的少子寿命， 为充分吸收入射光， 其厚度可以在数 m 或更大。然而， 对于多结串联电池， 其短路电流等于电流密度最小一结电池所对应值， 即在非晶 / 微晶叠 层太阳能电池中微晶的厚度不。
9、用太大， 一般在 1.5 3m 之间。 0003 如何提高有限体积的非晶硅层的光吸收成为了提高非晶 / 微晶硅叠层太阳能电 池转换效率的关键。在非晶 / 微晶硅叠层结构内引入中间反射层成为了一种提高电池转 化效率的技术手段， 中国专利 ( 申请号 ： 201010045857.7)一种具有中间掺杂层结构的非 晶 / 微晶硅叠层太阳电池及其制造方法 在非晶硅的 n 型层和微晶硅的 p 型层中间沉积了 n+-ZnO:Al/p+-c-Si:H 的掺杂中间层， 该电池利用 ZnO:Al 的重掺杂 n+型半导体特征及其 良好的导电性和陷光作用， 做成 n+-ZnO:Al/p+-c-Si:H 薄膜结构的重。
10、掺杂 n+p+隧道结， 既 能提高光生载流子收集效率问题， 又能实现叠层电池内部陷光， 提高电池对入射光的吸收 效率。中国专利 ( 申请号 ： 201110288177.2) 利用二氧化硅中间层制作高效率双结硅薄膜 太阳能电池 和中国专利 ( 申请号 ： 201110282533.X)新型中间层金属氧化物制作高效率 双结硅薄膜太阳能电池 则在顶层硅薄膜与底层硅薄膜之间分别引入二氧化硅和金属氧化 物层， 以反射透过顶层电池的太阳光而再次被顶层硅薄膜吸收， 最终增加顶层电池的光吸 收。然而这些专利所采用的中间层都不具有光波选择性， 因此无论是对非晶硅有效的短波 (800nm以下)还是对微晶硅有效而。
11、对非晶硅无效的长波(800nm以上)都被反射了， 容易造 成微晶硅的光吸收不足， 从而不利于提高叠层太阳能电池的最终转换效率。 0004 将中间反射层调制成选择性反射层是一种有效提高非晶 / 微晶硅叠层太阳能电 池转换效率的办法。中国专利 ( 申请号 ： 201220416451.X) 一种非晶 / 微晶硅叠层薄膜太 阳能电池 在顶电池的本征层和n型层之间设有一维光子晶体结构的中间反射层， 该反射层 对不同光波进行选择性的反射， 即短波被反射， 长波透过， 增大非晶硅光吸收的同时而不明 显影响微晶硅的光吸收。 然而， 入射光在该叠层结构表面的整体反射偏高， 导致非晶硅层光 吸收的提高幅度有限。。
12、 发明内容 说 明 书 CN 104157714 A 3 2/6 页 4 0005 本发明目的是 ： 针对上述存在的不足， 对非晶 / 微晶硅薄膜叠层电池进行结构改 进， 即在纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层与微晶硅薄膜层之间引入具有波长选择性反射 / 透射功能的选择性反射层， 使得整个电池结构具有光减反效应， 结合选择性反射层的作用 能较大幅度地提高非晶硅薄膜层的光吸收， 同时保证微晶硅薄膜层具有充足的光吸收 ( 即 微晶硅薄膜层产生的光电流密度不小于非晶硅薄膜层产生的光电流密度 )， 以此来提高非 晶 / 微晶硅叠层太阳能电池的转换效率。 0006 本发明的技术方案是 ： 一种非晶 / 微晶硅。
13、叠层太阳能电池， 包括玻璃基底， 及依次 叠置其上作为前电极的前透明导电层、 顶电池、 中间反射层、 作为底电池的微晶硅薄膜层、 作为背电极的背透明导电层和背反射层， 其特征在于所述顶电池采用纳米光栅结构化的非 晶硅薄膜层， 并且所述纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层， 而所述中间反射层为类光 子晶体结构化且具有波长选择性反射 / 透射功能的选择性反射层 ； 所述类光子晶体结构是 指将两种不同折射率的介质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构， 所述准周期性是指 介质绝大部分层的排列呈周期性， 只在靠近整个晶体表面的 n 层介质的尺寸逐渐减小 ( 尺 寸减小的介质可以是两种中的一种， 也可以两种。
14、都减小)， nN/10， N为类光子晶体结构的 总层数。 0007 类光子晶体结构的周期数即指对应的尺寸。尺寸的减小， 可以是两种介质中的任 一种或两种都减小。总之就是在靠近整个晶体表面的介质， 其厚度不再是周期性的而有逐 渐减小趋势。 0008 进一步的， 本发明中所述前透明导电层为 FTO(SnO2:F) 层 AZO(ZnO:Al) 层或 ITO(In2O3:Sn) 层， 并且该前透明导电层的厚度为 100 700nm。 0009 进一步的， 本发明中透明绝缘层为氧化硅层、 氮化硅层、 氧化铝层或氮化铝层。 0010 进一步的， 本发明中所述选择性反射层的厚度为 500 5000nm。 0。
15、011 需要指出， 本发明中的选择性反射层具有透明导电功能， 其在具备良好的波长选 择性反射 / 透射功能的同时， 还承担电连接顶、 底电池的作用。故用于构筑选择性反射层的 材料必须具有透明性。对于一类导电性良好的透明介质 ( 如 AZO、 ITO 和 FTO)， 可以任选其 中两种交替层叠排布构筑类光子晶体结构， 并且这样形成的类光子晶体结构直接构成隧道 结电连接顶、 底电池。 0012 若采用导电性欠佳透明绝缘介质(如SiO2、 MgF2、 ZnS、 Al2O3、 Si3N4和AlN)交替层叠 排布构筑类光子晶体结构， 那么还需要在结构的上、 下表层沉积一层薄的透明导电层 ( 如 AZO、。
16、 ITO 和 FTO)， 并使得此两层保持良好的电相通而形成隧道结电连接顶、 底电池， 可通过 在选择性反射层内部埋栅的办法来实现。 0013 进一步的， 本发明中所述背透明导电层为 FTO(SnO2:F) 层 AZO(ZnO:Al) 层或 ITO(In2O3:Sn) 层， 并且其厚度为 40 120nm。 0014 进一步的， 本发明中所述背反射层为 Ag、 Al、 Au、 Ti、 Ni 或 Pd 层， 并且背反射层的 厚度为 100 500nm。 0015 进一步的， 本发明中所述作为底电池的微晶硅薄膜层的厚度为 1.5 4m。 0016 本发明中需要明确的概念 ：【类光子晶体结构】 这是。
17、一类结构与光子晶体结构相似 的， 具体为由不同折射率的介质准周期性排列而成的人工微结构。 在本发明中， 准周期性是 指介质绝大部分层的排列是周期性的(尺寸固定)， 只是靠近整个结构表面的若干层(小于 说 明 书 CN 104157714 A 4 3/6 页 5 总层数的10， 但不特指多少层)的周期有所减小， 也即对于靠近表面的若干层(其中泛指 两种介质中的某种或两种 ) 的尺寸逐渐越小。类光子晶体与光子晶体相比， 波长选择性反 射 / 透射的性能有较大提升。 0017 本发明的优点是 ： 0018 本发明提供的这种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池， 其主要技术特点之一即在作为 顶电池的非晶硅薄。
18、膜层上进行了纳米光栅结构化处理， 二则是使得中间反射层因其类光子 晶体结构而具有波长选择性反射 / 透射功能， 具备的优点如下 ： 0019 1) 非晶 / 微晶硅叠层电池， 利用顶层的非晶硅薄膜层吸收短波段， 底层的微晶硅 薄膜层吸收长波段的太阳光， 可以实现宽太阳光谱内的高吸收， 减少太阳能电池的热损失。 0020 2) 非晶硅薄膜层的纳米光栅结构化处理可以使得整个叠层结构具有光减反效应， 可以保证整个叠层结构在宽入射角度范围内具有较高的光吸收。此外， 非晶硅薄膜层的光 栅结构带来的多次光反射 / 散射和光耦合效应可以有效增加非晶硅薄膜层中的光吸收。 0021 3) 在不影响微晶硅薄膜层光。
19、吸收的前提下， 具有波长选择性反射 / 透射功能的选 择性反射层可以进一步增加非晶硅在 550 800nm 波段的光吸收， 并减少所需非晶硅体积 而缓解非晶硅的光致衰退效应， 使得整个叠层结构具有较高转换效率。 0022 总结来说， 本发明在纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层与微晶硅薄膜层之间引入具 有波长选择性反射 / 透射功能的选择性反射层， 使得整个电池结构具有光减反效应， 结合 选择性反射层的作用能较大幅度地提高非晶硅薄膜层的光吸收， 同时保证微晶硅薄膜层具 有充足的光吸收 ( 即微晶硅薄膜层产生的光电流密度不小于非晶硅薄膜层产生的光电流 密度 )， 以此来提高非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池。
20、的转换效率。 附图说明 0023 下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述 ： 0024 图 1 为本发明提出的非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池的示意图 ； 0025 图 2 为一维、 二维和三维纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层的结构并列比较示意 图 ； 0026 图 3 为类一维、 二维和三维光子晶体结构并列比较示意图 ； 0027 图 4 为类一维光子晶体结构的选择性反射层埋栅制备流程图 ； 0028 图 5 为一维光子晶体和类一维光子晶体的反射谱和透射谱 ； 0029 图 6 为平面非晶 / 微晶硅薄膜叠层太阳能电池和一维纳米光栅结构化非晶 / 微晶 硅叠层太阳能电池分别在有 / 无嵌入选择性。
21、反射层的情况下， 最大短路电流密度随入射角 度的变化情况示意图。 0030 1、 玻璃基底 ； 2、 前透明导电层 ； 3、 非晶硅薄膜层 ； 31、 透明绝缘层 ； 4、 中间反射层 ； 5、 微晶硅薄膜层 ； 6、 背透明导电层 ； 7、 背反射层 ； 8、 入射光。 具体实施方式 0031 实施例 1 ： 如图 1 所示为本发明提供的一种非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池的具体 实施例， 其采用玻璃基底 1( 厚度 600nm)， 所述玻璃基底 1 上依次叠置作为前电极的前透明 导电层 2(400nm 厚的 FTO 层， 也即 SnO2:F 层 )、 作为顶电池的非晶硅薄膜层 3(a-Si:。
22、H， 厚度 说 明 书 CN 104157714 A 5 4/6 页 6 385nm)、 中间反射层 4(WSIRL)、 作为底电池的微晶硅薄膜层 5(c-Si:H， 4m 厚 )、 作为背 电极的背透明导电层 6(60nm 厚的 AZO 层， 也即 ZnO ： Al 层 ) 和背反射层 7(250nm 厚的 Ag 层 )。 0032 本实施例中所述顶电池采用一维纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层 3( 一维纳米光 栅结构见图2中a所示， 其参数如下 ： 周期为500nm， 宽度W为260nm， 厚度H为385nm)， 并 且所述纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层 31( 本实施例中采用 SiO2层。
23、， 厚度 385nm)。 0033 本实施例中所述中间反射层4为类光子晶体结构化且具有波长选择性反射/透射 功能的中间反射层 4( 总厚度为 2610nm)。结合图 3 中 a 和图 4 所示， 该中间反射层 4 由上 至下的层数分布如下 ： 顶层是 20nm 厚的 ZnO:Al 层， 然后依次是 150nm 厚的 MgF2层、 20nm 厚 的 ZnS 层、 150nm 厚的 MgF2层、 30nm 厚的 ZnS 层、 150nm 厚的 MgF2层， 接着是 10 次交替层叠 排布的 “40nm 厚的 ZnS 层 /150nm 厚的 MgF2层” ， 然后是 20nm 厚的 ZnS 层、 1。
24、50nm 厚的 MgF2 层， 最后底层是 20nm 厚的 ZnO:Al 层。将顶层与底层的两层 ZnO:Al 层做成埋栅结构而保持 电连接， 形成电连接顶、 底电池的隧道结。 0034 本实施例的上述非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池的制备方法步骤如下 ： 0035 1) 在玻璃基底 1 上沉积一层 600nm 厚的 SnO2:F 透明导电层 2， 作为前电极 ； 0036 2) 在 SnO2:F 透明导电层 2 表面依次沉积 p/i/n 型非晶硅薄膜层 3(a-Si ： H)， 总厚 度为 385nm， 作为顶电池 ； 0037 3) 将非晶硅薄膜层 3( 平面 ) 刻蚀成一维周期性纳米光栅结。
25、构， 厚度 H 为 385nm， 周期 为 500nm， 宽度 W 为 260nm ； 0038 4) 在一维非晶硅纳米光栅结构的间隙均匀填充满 SiO2透明绝缘层 31， 厚度 385nm， 防止各纳米结构化的非晶硅层间有电接触 ； 0039 5) 沉积类一维光子晶体结构且具有波长选择性反射 / 透射功能的中间反射层 4， 过程如图 4 所示 ： (1) 在顶电池 ( 非晶硅薄膜层 3， a-Si ： H) 底部沉积一层 2650nm 厚的透明 导电层AZO层， 再利用电子束刻蚀技术刻蚀此透明导电层， 得到一维稀疏光栅结构(周期为 5m、 宽度为 200nm、 高度为 2630nm)， 底部。
26、保留 20nm 厚的透明导电层 AZO 层。(2) 依次交 替沉积 MgF2和 ZnS 薄膜， 具体分别为 150nm 厚的 MgF2层、 20nm 厚的 ZnS 层、 150nm 厚的 MgF2 层、 30nm 厚的 ZnS 层、 150nm 厚的 MgF2层、 10 次交替层叠排布的 40nm 厚的 ZnS 层 /150nm 厚 的 MgF2层、 20nm 厚的 ZnS 层、 150nm 厚的 MgF2层。(3) 离子束刻蚀使得整个结构表面平整， 即肖平突出处。(4) 再次沉积一层 20nm 厚的透明导电层 AZO 层。从而制得被填埋在透明导 电隧道结内部的具有波长选择性反射 / 透射功能。
27、的中间反射层 4。 0040 6) 分别沉积 p/i/n 型微晶硅薄膜 5， 总厚度为 4m， 作为底电池 ； 0041 7) 沉积 60nm 厚的 ZnO:Al 背透明导电层 6， 作为背电极 ； 0042 8) 沉积 250nm 厚的 Ag 薄膜作为背反射层 7 ； 0043 9) 在前电极与背电极层分别引出导电， 连接至负载或电池测试系统， 完成非晶 / 微晶硅叠层太阳能电池的制备， 实际试验时入射光 8 从玻璃基底上部射入。 0044 以实施例 1 为例 ： 结合图 5 所示， 虚线曲线为 40nm 厚的 ZnS 层和 150nm 厚的 MgF2 层交替排列14次而成的一维光子晶体结构。
28、对应的反射谱和透射谱， 实线曲线为实施例1中 类一维光子晶体结构(即将第一、 二和三层ZnS薄膜的厚度分别由40nm减至0、 20和30nm, 并将最后一层 ZnS 薄膜的厚度由 40nm 减至 20nm， 其他不变 ) 对应的反射谱和透射谱。从图 说 明 书 CN 104157714 A 6 5/6 页 7 5 中可知， 一维光子晶体在 530 700nm 波段内具有接近 100的反射率， 而在 700nm 以上 波段的反射谱和透射谱则存在明显振荡， 这导致 700nm 以上波段内的整体反射偏高， 整体 透射偏低 ； 类一维光子晶体保持了 530 700nm 波段内接近 100的反射率， 而。
29、在 700nm 以 上波段的反射谱振荡与透射谱振荡却受到了明显的抑制， 这使得 700nm 以上波段内的整体 反射较低， 整体透射较高。 可见， 类一维光子晶体结构相对于一维光子晶体结构具有更好的 波长选择性反射和透射功效， 故本发明中使用类一维光子晶体结构来构建具有波长选择性 反射 / 透射功能的中间反射层 4( 也即本发明中的选择性反射层 )。 0045 仍以实施例 1 为例 ： 图 6 比较了不含选择性反射层的平面非晶 / 微晶硅薄膜叠层 太阳能电池 (S1)、 不含选择性反射层的一维纳米光栅结构化非晶 / 微晶硅薄膜叠层太阳能 电池(S2)、 含有选择性反射层的平面非晶/微晶硅薄膜叠层。
30、太阳能电池(S3)和含有选择性 反射层的一维纳米光栅结构化非晶 / 微晶硅薄膜叠层太阳能电池 (S4) 的理论上最大短路 电流密度随入射角度的变化情况。 其中， S1和S2叠层电池中连接顶电池与底电池的隧道结 为 40nm 厚度的 ZnO:Al ； 平面非晶硅的厚度为 200nm ； 微晶硅薄膜厚度为 4m ； 一维纳米光 栅结构化非晶硅的周期为500nm， 宽度为260nm,厚度为385nm ； 选择性反射层为类一维光子 晶体结构， 由调整一维光子晶体中某些高折射率层的厚度而得到， 即调整 40nm 厚的 ZnS 和 150nm 厚的 MgF2交替 14 次叠层结构中的第一、 二、 三和最后。
31、一层 ZnS 的厚度分别减至 0nm、 20nm、 30nm 和 20nm。从中可知， 对于入射光 8 垂直入射 ( 入射角度为 0 ) 时， S1、 S2、 S3 和 S4 对应的最大电流密度分别为 10.97mA/cm2、 12.88mA/cm2、 12.57mA/cm2和 15.09mA/cm2； 随 着入射角度的增加， 各叠层电池对应的电流密度开始时都有一段相对平稳期， 然后进入快 速衰减期 (60 )。为定量分析入射角度的影响， 我们比较了入射角度由 0增加至 60 时， 电流密度衰减百分比， 得到 S1、 S2、 S3 和 S4 的衰减比分别为 4.72、 3.53、 11.93和。
32、 2.95。由以上分析可以肯定本发明设计的非晶 / 微晶叠层电池结构的光捕获特性和入射 角度响应性能明显优于其他设计 (S1 S3)。 0046 实施例 2 0047 其结构参见图1图3所示， 与实施例1的不同之处在于 ： 将平面的非晶硅薄膜层 3 加工成二维纳米光栅形貌， 如图 2 中 b 所示， 其它同实施例 1。 0048 实施例 3 0049 其结构参见图1图3所示， 与实施例1的不同之处在于 ： 将平面的非晶硅薄膜层 3 加工成三维纳米光栅形貌， 如图 2 中 c 所示， 其它同实施例 1。 0050 实施例 4 0051 其结构参见图 1 图 3 所示， 与实施例 1 的不同之处在。
33、于 ： 中间反射层 4 使用类 三维光子晶体结构 ( 如图 3 中 c 所示 )， 即镶嵌生长在 ITO 透明导电薄膜中的反相蛋白石 (inverted opal)， 其它同实施例 1。 0052 因在具体实施二维光子晶体 ( 如图 3 中 b 所示 ) 时， 技术难度大， 而三维光子晶体 却相对容易。 故在本实施例中采用现行技术实现可控生长的反相蛋白石类三维光子晶体来 构建具有波长选择性反射 / 透射功能的中间反射层 4。 0053 实施例 5 0054 其结构参见图1图3所示， 与实施例1的不同之处在于 ： 将平面的非晶硅薄膜层 3 加工成二维纳米光栅形貌， 如图 2 中 b 所示。且具有。
34、波长选择性反射 / 透射功能的中间反 说 明 书 CN 104157714 A 7 6/6 页 8 射层 4 使用类三维光子晶体结构， 如图 3 中 c 所示， 即镶嵌生长在 ITO 透明导电薄膜中的反 相蛋白石， 其它同实施例 1。 0055 实施例 6 0056 其结构参见图1图3所示， 与实施例1的不同之处在于 ： 将平面的非晶硅薄膜层 3 加工成三维纳米光栅形貌， 如图 2 中 c 所示。且具有波长选择性反射 / 透射功能的中间反 射层 4 使用类三维光子晶体结构， 如图 3 中 c 所示， 即镶嵌生长在 ITO 透明导电薄膜中的反 相蛋白石， 其它同实施例 1。 0057 此外， 应当理解， 虽然本说明书按照实施方式加以描述， 但并非每个实施方式仅包 含一个独立的技术方案， 说明书的这种叙事方式仅仅是为清楚可见， 本领域技术人员应当 将说明书作为一个整体， 各实例中的技术方案也可以适当组合， 形成本领域技术人员可以 理解的其他实施方式。 说 明 书 CN 104157714 A 8 1/3 页 9 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 104157714 A 9 2/3 页 10 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 104157714 A 10 3/3 页 11 图 6 说 明 书 附 图 CN 104157714 A 11 。