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1、(10)申请公布号 CN 104011894 A (43)申请公布日 2014.08.27 CN 104011894 A (21)申请号 201280063936.8 (22)申请日 2012.12.11 102011089687.2 2011.12.22 DE H01L 51/52(2006.01) (71)申请人 辛诺拉有限公司 地址 德国布鲁赫萨尔 (72)发明人 A于普费 H耶尔森 (74)专利代理机构 北京润平知识产权代理有限 公司 11283 代理人 李婉婉 金迪 (54) 发明名称 用于 OLEDs 和其他光电器件的有机分子 (57) 摘要 本发明涉及一种含有具有在最低的激发的单。
2、 重态 (S1) 和位于其下的三重态 (T1) 之间的小于 3000cm-1的 E(S1-T1) 值的有机发射体分子和用 于降低有机分子的系间窜跃时间常数的原子或分 子的组合物。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.06.23 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2012/075112 2012.12.11 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2013/092313 DE 2013.06.27 (51)Int.Cl. 权利要求书 4 页 说明书 13 页 附图 12 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书4页 说明。
3、书13页 附图12页 (10)申请公布号 CN 104011894 A CN 104011894 A 1/4 页 2 1. 组合物, 该组合物含有 : - 用于光的发射的有机分子, 该有机分子具有在最低的激发的单重态 (S1) 和位于其下 的三重态 (T1) 之间的小于 3000cm-1的 E(S1-T1) 值, 和 - 用于降低所述有机分子的系间窜跃时间常数到小于 300ms 的原子或分子。 2. 根据权利要求 1 所述的组合物, 其中, 用于降低发射体分子的系间窜跃时间常数的 添加的原子或分子或者部分该添加的原子或分子具有大于 1000cm-1的, 优选大于 3000cm-1 的, 特别优。
4、选大于 4000cm-1的自旋 - 轨道耦合常数。 3.根据权利要求1或2所述的组合物, 其中, 所述组合物中的所述有机分子具有在最低 的激发的单重态和位于其下的三重态之间的小于2500cm-1的, 优选小于1500cm-1的, 特别优 选小于 1000cm-1的 E(S1-T1) 值。 4. 根据权利要求 1-3 所述的组合物, 其中, 所述有机分子含有 : - 选自由芳香族、 杂芳族和共轭的双键组成的组中的至少一种共轭的有机基团 ; 和 - 至少一种具有供电子作用的化学结合的供体基团, 和 / 或 - 至少一种具有吸电子作用的化学结合的受体基团。 5. 根据权利要求 1-4 所述的组合物,。
5、 其中, 所述有机分子为式 I 或式 II 或式 III 中的 分子 其中 : D : 具有供电子性质的化学基团或者取代基, 所述取代基可以出现一次、 两次或多次, 并 且可以相同或不相同 ; A : 具有吸电子性质的化学基团或者取代基, 所述取代基可以出现一次、 两次或多次, 并 且可以相同或不相同 ; B : 含有非共轭基团或从由芳香族、 杂芳族和 / 或共轭的双键组成的共轭的有机基团形 成的基体结构。 6. 根据权利要求 1-5 所述的组合物, 其中, 所述有机分子为根据式 V 的分子 权 利 要 求 书 CN 104011894 A 2 2/4 页 3 其中 D1-D8 互相独立地为 。
6、H、 Br、 I 和 / 或表示供体 D 的基团 ; 供体基团可以相同或不相同 ; 至少存在一种供体基团 ; 其中, D1-D8 中相邻的 Di、 Dj 和 Dk 任选地为共轭的芳香环或杂芳环, 任选地包括供体 功能 ; A1-A8 互相独立地为 H、 Br、 I 和 / 或表示受体 A 的基团 ; 其中, A1-A8 中相邻的 Ai、 Aj 和 Ak 任选地为共轭的芳香环或杂芳环, 任选地包括受体 功能 ; 其中, 受体基团可以相同或不相同 ; 和 至少存在一种受体基团 ; 和 其中 Br 和 / 或 I 任选地通过烷基 (C 1 或 2) 与式 V 的有机分子结合。 7. 根据权利要求 1。
7、-5 所述的组合物, 其中, 所述有机分子为根据式 IV 的分子 其中 R1-R9为 H、 Br、 I 或基团, 该基团代表供体 D 和 / 或受体 A ; R1-R9中相邻的 Ri、 Rj和 Rk任选地为共轭的芳香环或杂芳环, 其中这些任选地包括供体 和 / 或受体功能 ; Br 和 / 或 I 任选地通过烷基 (C 1 或 2) 与芳香族基体结构结合 ; 和 R 不存在或者为选自由 H、 烷基、 O 和 S 组成的组。 8. 根据权利要求 1-7 所述的组合物, 其中, 用于降低发射体分子的系间窜跃时间常数 的添加的原子或分子在有机分子的发射区域或 HOMO/LUMO 区域内没有任何吸收或。
8、发射。 权 利 要 求 书 CN 104011894 A 3 3/4 页 4 9. 根据权利要求 1-8 所述的组合物, 其中, 用于降低发射体分子的系间窜跃时间常数 的添加的原子或分子选自由氪和氙惰性气体、 含溴的物质、 含碘的物质、 金属原子、 金属纳 米粒子、 金属离子钆配合物和铅配合物。 10. 根据权利要求 1-9 所述的组合物, 其中, 用于降低发射体分子的系间窜跃时间常数 的原子或分子与发射体分子之间的数值比为 1 : 0.1 至 1 : 50。 11. 根据权利要求 1-10 所述的组合物, 其中, 有机发射体分子在 T 300K 时具有小于 500ms 的, 优选小于 1ms。
9、 的, 更优选小于 10s 的, 最优选小于 1s 的发射衰减时间。 12. 根据权利要求 1-11 所述的组合物, 其中, 用于降低有机分子的系间窜跃时间常数 的原子或分子与有机分子为共价结合, 用于降低有机分子的系间窜跃时间常数的原子或分 子与有机分子的共价结合引起自旋轨道耦合的提高。 13. 根据权利要求 12 所述的组合物, 其中, 用于降低有机分子的系间窜跃时间常数与 有机分子共价结合的原子或分子为碘和 / 或溴。 14. 根据权利要求 1-13 所述的组合物, 其中, 所述组合物具有在 T 300K 下测量的至 少 30的, 优选至少 50的, 特别优选大于 80的发射量子产率。 。
10、15. 根据权利要求 1-14 所述的组合物, 其中, 所述有机分子含有至少一个氘原子。 16. 根据权利要求 1-15 所述的组合物, 其中, 所述有机分子嵌入基体或与基体交联, 其 中, 所述基体任选地含有至少一个氘原子。 17. 根据权利要求 1-16 所述的组合物, 其中, 所述基体为聚合物基体或聚合物交联基 体, 其中所述基体与有机分子共价连接。 18.根据权利要求16或17所述的组合物, 其中, 所述基体含有至少一种共价键添加物, 特别是 Br 原子或 I 原子, 所述 Br 原子或 I 原子提高自旋轨道耦合, 从而降低系间窜跃时间 常数。 19. 特别适于用于光电器件的组合物, 。
11、该组合物含有 - 基体, 该基体含有葡萄糖和 / 或海藻糖或者由葡萄糖和 / 或海藻糖组成, 和 - 根据权利要求 1-15 所述的组合物。 20. 一种组合物的应用, 该组合物含有 - 基体, 该基体含有葡萄糖和 / 或海藻糖或者由葡萄糖和 / 或海藻糖组成, 和 - 在光电器件中的根据权利要求 1-15 所述的组合物。 21. 权利要求 1-20 所述的组合物在光电器件的发射层中的应用。 22. 一种制造光电器件的方法, 其中, 使用根据权利要求 1-19 所述的组合物。 23. 一种包括根据权利要求 1-19 所述的组合物的光电器件。 24. 根据权利要求 23 所述的光电器件, 其中,。
12、 基于发射层的总重量, 所述组合物在发射 层中的比例为 0.5-100 重量, 优选为 6-30 重量。 25. 根据权利要求 23 或 24 所述的光电器件, 所述光电器件为有机发光二极管 (OLED) 的形式, 其特征在于, 发射层含有权利要求 1-19 所述的组合物, 其中, 基于发射层的总重 量, 所述组合物在发射层中的比例为 0.5-100 重量, 优选为 6-30 重量。 26. 根据权利要求 20 或 21 所述的应用, 根据权利要求 22 所述的方法, 根据权利要求 23-25 所述的光电器件, 其中, 所述光电器件为选自由有机发光二极管 (OLEDs)、 发光电化 学电池(L。
13、EECs或LECs)、 OLED传感器, 特别是从外部非密封的气体和蒸汽传感器、 光学温度 权 利 要 求 书 CN 104011894 A 4 4/4 页 5 传感器、 有机太阳能电池(OSCs)、 有机场效应晶体管、 有机二极管、 有机光电二极管和 “降频 转换” 系统组成的组。 权 利 要 求 书 CN 104011894 A 5 1/13 页 6 用于 OLEDs 和其他光电器件的有机分子 0001 本发明涉及无金属中心的特定有机染料作为发射体在 OLEDs( 有机发光二极管 ) 和其他光电器件中的应用。 背景技术 0002 当前, 由于预计短期内的大规模制造, OLED 组件已经具有。
14、经济上的重要性是显而 易见的。这类 OLED 组件主要由可以灵活并廉价地制造的有机层组成。OLED 构件可以大面 积配置为照明体, 并且以小尺寸作为显示器的像素。 0003 相比传统技术, 例如液晶显示器 (LCDs)、 等离子显示器或阴极射线管 (CRTs), OLED 具有许多优点, 例如几伏特的低的操作电压, 仅几百 nm 的薄结构, 高效自发光像素, 高 对比度和良好的分辨率, 和表现所有颜色的可能性。另外, 在 OLED 中, 施加电压直接产生光 而不仅仅是被调节。 0004 可以找到 OLED 功能的综述, 例如在 H.Yersin,Top.Curr.Chem.2004,241,1。
15、and H.Yersin,“用 磷 光 材 料 的 高 效 有 机 发 光 二 级 管 (Highly Effi cient OLEDs with Phosphorescent Materials)” ; Wiley-VCH,Weinheim,Germany,2008 中。 0005 自 从 关 于 OLEDs 的 第 一 次 被 报 道 ( 例 如 参 考 Tang et al.,Appl.Phys. Lett.1987,51,913), 这些器件尤其在所用的发射体材料上得到了进一步发展, 并且近年来 所谓的三重态发射体或其他磷光发射体吸引了特别的注意。 0006 OLEDs一般以层状结构实。
16、现。 为了更好地理解, 图1表示了OLED的基本结构。 由于 将外部电压施加到透明的铟锡氧化物 (ITO) 阳极和薄金属阴极, 阳极注入正空穴和阴极注 入负电子。这些不同的带电电荷载体穿过中间层进入发射层, 所述中间层也可以由此处未 示出的空穴或电子阻挡层组成。相反的带电电荷载体在或靠近掺杂的发射体分子相遇, 并 重组。发射体分子一般结合到由小分子组成的基体或聚合物基体 (polymer matrices)( 例 如, 以2-10重量), 基体材料的选择也是为了使空穴和电子传输。 重组产生了激子(激 发状态), 激子转移它们过量的能量到各个电致发光化合物。 然后该化合物可以被转换为一 种特殊的。
17、电子激发状态, 然后通过光发射被非常充分地并尽量避免无辐射去激活过程转换 到相应的基态。 0007 除少数例外, 电子激发态可以从适当的前体激子通过能量转移来形成, 该电子 激发态可以为单重态或三重态。由于这两种状态根据自旋统计一般占有比例为 1 : 3, 其 结果是, 从单重态的发射被称为荧光, 根据现有技术, 导致所产生的激子的最大发射只有 25。相反地, 三重态发射被称为磷光, 利用和转换所有激子和以光发射它们 ( 三重态捕获 (triplet harvesting), 使得在这种情况下的内部量子产率可以达到 100的值, 只要能 量上位于三重态之上的附加激发的单重态完全弛豫至三重态 (。
18、 系间窜跃, ISC), 并且无辐 射竞争过程仍保持无意义。因此, 根据当前现有技术, 相比纯有机单重态发射体, 三重态发 射体是更有效的电致发光体, 并且更适合于在有机发光二极管中确保高的光产率。 0008 适于三重态捕获的三重态发射体一般使用过渡金属配合物, 其中金属选自第三周 期的过渡金属。这主要涉及非常昂贵的贵金属如铱、 铂或还有金。( 参考 H.Yersin,Top. 说 明 书 CN 104011894 A 6 2/13 页 7 Curr.Chem.2004,241,1and M.A.Baldo,D.F.O Brien,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Phys. 。
19、Rev.B1999,60,14422)。 0009 但是, 迄今所知的 OLEDs 中的磷光的有机金属三重态发射体, 有一个缺点, 即这 些配合物经常在电子激发态比基态具有更高的化学活性。这通常是由于金属 - 配体键 的断裂。因此, 这些发射体材料的长期稳定性在很多情况下是不足的。(T.Sajoto,P. I.Djurovich,A.B.Tamayo,J.Oxgaard,W.A.Goddard III,M.E.Thompson ; J.Am.Chem. Soc.2009,131,9813)。结果是, 致力于开发无金属中心并且具有高发射量子产率的发射体 分子, 其中, 发射体分子此外应该也将所有。
20、单重态和三重态激发子转变成光。 使用这样发射 体的 OLEDs 应该显示出高的效率, 并且使光电设备的寿命更长。 0010 总之, 可以这样描述现有技术, 即迄今已知的、 本身有效的三重态发射体具有以下 缺点 0011 - 必须使用昂贵的贵金属分子 0012 和 0013 - 这些形成在有机金属配合物上的发射体的长期稳定性在很多情况下是不足的。 发明内容 0014 出人意料地, 上述问题通过本发明可以被显著改善或解决, 其中使用具有特殊电 子结构或单重态 - 三重态能量间隔并且根据本发明通过改变发射体的直接环境来改性的 有机分子 ( 染料、 发射体分子 )。下面将用图 2 简要描述在此首次提出。
21、的 “有机发射体的单 重态捕获” 的过程。 0015 图 2a 表示典型的、 纯有机分子的 ( 简化的 ) 能级示意图, 该有机分子具有最低的 激发单重态 (S1) 和位于其下的三重态 (T1) 之间的明显大于 3000cm-1的 E(S1-T1) 的值。 0016 使用该图, 可以说明所述分子的光物理电致发光特性。 例如, 在光电构件中如发生 空穴 - 电子重组, 根据统计学平均, 导致单重态 25的占据和三重态的三个子状态 75的 占据。由于从三重态 T1到单重态 S0的发射跃迁在有机分子中由于低自旋 - 轨道耦合是强 烈自旋禁阻的, 使得到达三重态的激发态能量通常无辐射地转变成热量, 因。
22、而失去了通过 电致发光产生的光。但是, 被占据的单重态能够显示出有效的发射 ( 荧光 ), 因为这是自旋 允许的单重态 - 单重态跃迁。在本文中, 提到从 S1状态到 T1状态的无辐射弛豫过程 ( 被称 作系间窜跃 (ISC) 过程 ) 是很重要的, 也由于低自旋 - 轨道耦合被强烈地禁阻。否则将不 能观察到荧光。对于时间常数, 这意味着 1(ISC) 比在一纳秒到几纳秒的 (S1) 范围内的 荧光寿命长几个数量级。 0017 根据本发明, 可以避免现有技术中的上述缺点。这通过两个步骤的组合来实现 : 0018 I、 提供具有高发射量子产率 ( 高于 50 ) 的有机分子, 单重态 S1和三重。
23、态 T1之 间的能量差足够小使得从三重态 T1到单重态 S1的热复育 (thermal repopulation) 在室温 下是可能的, 其结果是三重态激发可以经由单重态 S1转变成光。这是根据本发明使用纯有 机分子实现的, 例如使用式 I、 II、 III、 IV 和 / 或 V 的有机分子。 0019 II、 纯有机分子的极其长的系间窜跃时间常数 (ISC) 被缩短几个数量级, 以 便实现足够快的热复育, 所谓上系间窜跃 (up-intersystem-crossing)。这可能是由于自 旋-轨道耦合的增强, 特别是通过额外引入具有高自旋轨道耦合的原子或分子。 自旋-轨道 说 明 书 CN。
24、 104011894 A 7 3/13 页 8 耦合的增加也能够由添加物到发射体分子的共价结合引起。这些效应为化学家所知的 “外 部” 或 “内部重原子效应” 。这个过程将在下面进一步解释。 0020 使用这两种策略, 也可以一起使用 - 如图 2b 所示 - 填充在电致发光激发中的三重 态和单重态激子可以被收集并经由单重态 S1被转变成光。在此首次描述的用于有机分子 的单线态捕获效应的过程, 将会在后面详细解释。 0021 因此, 在本发明中, 一方面, 提供了一种组合物, 尤其是应用于光电器件中, 所述组 合物含有 0022 - 具有在最低的激发单重态 (S1) 和位于其下的三重态 (T1。
25、) 的有机发射体分子, 有 机分子的 E(S1-T1)值小于3000cm-1(优选小于2500cm-1), 尤其在10cm-1和小于3000cm-1 之间, 和 0023 - 与有机分子相互作用的光学惰性原子或分子, 使得有机分子热复育的系间窜 跃时间常数, 即上系间窜跃时间常数, 降低到小于 300ms, 优选到小于 1ms, 更优选到小于 1s。在一种优选的实施方式中, 这是通过光学惰性原子或分子实现的, 其具有, 或通过具 有高的自旋 - 轨道耦合的分子组分。这可以通过自旋 - 轨道耦合常数来描述, 它应该高于 200cm-1, 优选高于 1000cm-1和更优选高于 2000cm-1,。
26、 最优选大于 4000cm-1。 0024 术语 “自旋 - 轨道耦合常数” 、“系间窜跃时间常数” 和 “上系间窜跃时间常数” 为 光物理文献中常用的专业术语, 因此为本领域技术人员所公知。 0025 具有小 E(S1-T1) 间隔的分子 0026 图 2b 表示具有小能量差的 E(S1-T1)3000cm-1的有机分子的能级图。该能量差 足够小, 从而根据 Boltzmann 分布 (Boltzmann distribution) 或根据热能 KBT 能够实现从 T1状态的 S1状态的热复育, 因此可以实现从 S1状态热激活的光发射。这个过程可以被称作 热激活 ( 延迟的 ) 荧光, 可以。
27、由等式 (1) 来简化控制 0027 Int(S1 S0)/Int(T1 S0) k(S1)/k(T1)exp(-E/kBT) (1) 0028 在等式中, Int(S1 S0)/Int(T1 S0) 为从 S1状态和 T1状态发射强度的比率。KB 为 Boltzmann 常数, T 为绝对温度。k(S1)/k(T1) 为从单重态 S1和从三重态 T1到电子基态 S0跃迁过程的速率比率。对于有机分子, 该比率通常为 106和 1010之间。根据本发明优选 为具有约 107速率比率的分子, 更优选约 109, 进一步优选为约 1010。E 表示根据图 2b 的 能量差 E2(S1-T1)。 00。
28、29 通过对热复育过程的描述, 从众多的 (populated) 三重态经由单重态 S1的发射通 道被打开。由于从 S1到 S0状态的跃迁是强烈允许的, 否则会失去的三重态激发能事实上可 以完全通过经由单重态的光发射来获取。在给定温度下, 例如在室温下, 能量差 E 越小这 种效应越显著。因此, 有机分子优选具有在最低激发单重态和位于其下的三重态之间 E E(S1-T1) 的值小于 3000cm-1, 小于 2500cm-1或 1500cm-1更好, 优选为小于 1000cm-1。 0030 这种效应通过一个数值的例子来说明。给定能量差 E 1300cm-1, 对于室温下 应用 (T 300K。
29、)kBT 210cm-1和 108的速率比率, 根据等式 (1) 获得单重态到三重态发射 强度的比率约为 2 105。这意味着单重态发射过程对于具有这些示例值的分子占有极度主 导地位。 0031 等式 (1) 的适用性需要根据本发明添加物的使用, 其提高自旋 - 轨道耦合 ( 详细 讨论参考, 例如, 下面 )。这些添加物, 即组合物的光学惰性原子或分子, 与有机发射体分子 说 明 书 CN 104011894 A 8 4/13 页 9 互相作用使得有机分子的两个状态 S1和 T1的平均 ( 热化 ) 发射寿命被强烈地降低。优选 发射寿命降低到小于 500ms, 优选降低到小于 1ms, 尤其。
30、优选降低到小于 20s, 更优选降低 到小于 10s 和最优选降低到小于 1s 的组合物。必要的是从 T1状态的热激活复育的时 间比没有热复育的磷光衰减时间 (T1) 更短 ( 例如减少五分之四 )(by factor5)。该衰减 时间 (T1) 可以在低温例如在 77K 下使用商用测量仪器很容易检测。 0032 总之, 使用这种 “有机分子的单重态捕获过程” 能够在理想情况下捕获几乎所有 的, 即最高100的激子, 并经由单重态发射将它们转变成光。 另外, 它能够降低发射衰减时 间到几秒钟, 远低于用纯有机三重态发射体的值。 因此, 发明的组合物特别适合用于光电器 件。 0033 具有上述性。
31、质的有机分子, 即具有小的单重态 - 三重态能量差 E(S1-T1), 优选为 具有下列式 I 至式 III 的有机分子 : 0034 0035 0036 在这些式 (formulae) 中, D 为具有供电子效应的化学基团或取代基 (D, 供体作 用 )。这种取代基可以出现一次, 两次或多次。它们可以是相同或不同的。 0037 A为具有吸电子性质的化学基团或取代基(A, 受体作用)。 这种取代基可以出现一 次, 两次或多次。他们可以是相同或不同的。 0038 基体结构 B 由包括例如芳香族、 杂芳族和 / 或共轭的双键组成的共轭有机基团组 成。在一种实施方式中, 基体结构也能够表示非共轭基团。
32、。必要的是 A 和 B 或 D 和 B 的分 子轨道覆盖同一区域。基体结构 B 本身也能够有吸电子效应, 然后 ( 例如, 在式 I 中 ) 这种 取代能够在两边都有 D 特征。另外, 基体结构 B 本身能够具有供电子效应, 然后 ( 例如在式 I 中 ) 这种取代能够在两边都有 A 特征。 0039 式 I 至式 III 也代表分子的电子波函数在 D/B 或 B/A 区域的重叠。这种特征可以 通过下面进一步的描述的计算来确定。术语电子波函数为本领域技术人员所公知。 0040 供体 D 的示例 : 0041 -O(-)、 -NH- 烷基、 -N-( 烷基 )2-NH2、 -OH、 -O- 烷基。
33、、 -NH(CO)- 烷基、 -O(CO)、 - 烷 说 明 书 CN 104011894 A 9 5/13 页 10 基、 - 芳 基、 - 杂 环 基 -(CH) C-( 烷 基 )2、 - 吩 恶 嗪 基 (-phenoxazinyl)、 - 吩 噻嗪基 (-phenothiazinyl)、 - 咔唑基 (-carbazolyl)、 - 二氢吩嗪基 (-dihydrophenazinyl)、 -N(R )(R )(R ,R H, 烷基 , 芳基 , 卤代烷基 , 卤代芳 基 ), 所有芳基和杂环基团都可以由烷基和 / 或芳基取代, 所有烷基可以被 F、 Cl、 Br 和 / 或 I 取代。
34、。 0042 受体 A 的示例 : 0043 - 卤素、 -(CO)H、 -(CO)- 烷基、 -(CO)O- 烷基、 -(CO)OH、 -(CO)Cl、 -CF3、 -BF2、 -CN、 -S (O)2OH、 -S(O)2O- 烷基、 -NH3+、 -N( 烷基 )3+、 -NO2、 卤代烷基、 -B(R )(R )(R ,R H、 烷 基、 芳基、 卤代烷基、 卤代芳基 )。 0044 基体结构 B 的组成 : 0045 B 由包括例如芳香族、 杂芳族和 / 或共轭的双键的共轭有机基团构成。在一些实 施方式中, 分子基体结构 B 具有小于 15 个芳香环或杂芳环, 更优选为小于 10 个,。
35、 最优选小 于 7 个。该芳香环或杂芳环是化学直接连接的, 或者经由具有小于 10 个、 优选小于 6 个和 最优选小于 3 个的具有共轭的双键的烯基化学结合。在一种实施方式中, 基体结构也能够 表示非共轭基团。必要的是 A 和 B 或 D 和 B 的分子轨道覆盖同一区域。 0046 由式 I 至式 III 描述的有机分子具有在最低的激发的单重态 (S1) 和位于其下的 三重态 (T1) 之间的小于 3000cm-1, 优选小于 2500cm-1或 1500cm-1和更优选小于 1000cm-1的 E(S1-T1) 值。下面将探讨用于测量或计算 E(S1-T1) 值的过程。 0047 优选无需。
36、使用添加物, 具有从 S1状态高于 30的高的荧光量子产率的有机分子, 优选为高于50, 更优选为高于80(由商用的发射量子产率测量仪器测量)和基态S0和 激发态 S1之间的跃迁的吸收强度, 即十进摩尔消光系数, 大于 103l/molcm, 优选为 104l/ molcm, 更优选为 5104l/molcm( 由商用的吸收光谱仪测量 ) 的有机分子。 0048 另一方面, 本发明涉及选择有机分子的过程, 该有机分子具有在最低的激发的单 重态 (S1) 和位于其下的三重态 (T1) 之间的小于 3000cm-1, 优选小于 2500cm-1或 1500cm-1和 更优选小于 1000cm-1的。
37、 E(S1-T1) 值。 0049 E(S1-T1) 值的确定可以借助于现有技术中公知的计算机程序通过量子力学计 算来进行 ( 例如执行 TDDFT 算法, 例如使用商用 Gaussian09 或 ADF-Amsterdam Density Functional 软件程序 ), 或者如下面说明的根据实验来确定。对于第一方向的信息可以从 进行 DFT 计算 ( 例如, 可以使用商用 Gaussian09 或 ADF-Amsterdam Density Functional 软 件程序 ) 的相对容易地获得。在此, 例如, 前沿轨道 HOMO-2, HOMO-1, HOMO, LUMO, LUMO。
38、+1 和 LUMO+2显示电荷转移特性的倾向以预期关于分子的最低激发能态。 这些性质会在下面的段 落中描述。 0050 能量差 E(S1-T1), 尤其是由式 I 至式 III 描述的有机分子可以在量子力学上近 似地通过乘以因子 2 的所谓的交换积分来描述。后者的值直接取决于 B 的 D 侧上的区域内 的分子轨道与 B 的 A( 式 I) 侧上的区域内的分子轨道的重叠。因此, 交换积分的值是由在 D-B 区 ( 式 II) 或 A-D 区 ( 式 III) 与在 B 区域中的波函数的重叠来确定。由于 D 和 A 的 上述的性质, 这些分子轨道分布在不同的空间区域上 ( 在 或 *分子轨道上部分。
39、离域 )。 这意味着, 不同分子轨道之间的电子跃迁代表电荷转移(CT)过程或分子内CT介入的过程。 目标小的交换积分和由此小的能量差 E(S1-T1) 可以由有机分子来实现, 其具有关于最低 说 明 书 CN 104011894 A 10 6/13 页 11 激发分子轨道相应的CT特征, 其中, 从S0到S1的用于电子跃迁的十进摩尔消光系数也在于 上述定义的优选范围。换句话说, E(S1-T1) 可以通过有机分子的给电子和吸电子取代基 / 基团的强度来改变。由于这些光物理 ( 量子力学 ) 性质, 根据本发明的能量差 E(S1-T1) 能够达到小于 3000cm-1或小于 2500cm-1或小。
40、于 1500cm-1或小于 1000cm-1。 0051 根据实验可以如下完成 E(S1-T1) 值的确定 : 0052 对于给定的有机分子, 使用上述简化的等式 (1) 的简单方式可以确定能量间隔 E(S1-T1) E。变换得出 : 0053 InInt(S1 S0/lnt(T1 S0) Ink(S1)/k(T1)-(E/kB)(1/T) (2) 0054 可以使用任意商用的分光光度计进行强度Int(S1S0和lnt(T1S0)的测量。 对 在不同温度下测量的 ( 取对数的 ) 强度比率 InInt(S1 S0/lnt(T1 S0) 相对于绝度温 度 T 的倒数绘制图形, 通常得出直线。测量。
41、在室温 (300K) 至 77K 或者至 4.2K 的温度范围 内进行, 其中借助于低温恒温器调节温度。由 ( 校正的 ) 光谱确定强度, 其中 Int(S1 S0) 和 lnt(T1 S0) 分别代表一体化的荧光带强度和磷光带强度, 该强度可以借助于设置有分 光光度计的程序的方法确定。可以容易地确定每次跃迁 ( 带强度 ), 因为三重态带相比于 单重态带处于更低的能量出现并且强度随着温度降低增加。所述测量在不含氧的稀释溶 液 ( 约 10-2mol L-1) 中或在由相应分子形成的薄膜上或在掺杂有相应分子的膜上进行。如 果使用溶液作为样品, 推荐使用在低温下形成玻璃的溶剂或溶剂混合物, 所述。
42、溶剂如 2- 甲 基 -THF、 THF( 四氢呋喃 ) 或脂族烃。如果使用薄膜作为样品, 适合使用比有机发射体分子 具有更大的单重态和三重态能量的基体, 例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。 该薄膜可以由溶 液来施加。如下面描述的, 尤其重要的是, 待分析的分子与各种添加物一起使用。 0055 直线的斜率为 -E/kB, 利用 kB 1.38010-23JK-1 0.695cm-1K-1, 可以直接确定 能量间隔。 0056 等价方法显示也可以通过发射衰减时间温度的依赖性来确定 E(S1-T1)。 0057 对 E(S1-T1) 的值的简单、 近似的估计还可以通过记录低温 ( 例如使用低温恒温。
43、 器条件下的 77K 或 4.2K) 下的荧光和磷光光谱来进行。E(S1-T1) 的值接近荧光带和磷光 带的高能坡侧面 (slop flanks) 之间的能量差。 0058 有机分子的CT特征越显著, 作为溶剂极性的函数的电子跃迁能量改变就越大(参 考, 例 如 J.B.Birks, Photophysics of Aromatic Molecules,Wiley-Interscience,Londo n1970 ; E.Lippert,Z Naturforsch.10a(1955)541)。例如, 通过简单测量提供的发射能量的 显著的极性依赖性的证据已经表明了 CT- 跃迁的存在和较小的 E。
44、(S1-T1) 值。 0059 并且, 减少无辐射过程(速率)是很重要的, 因为它导致发射体分子的发射量子产 率的提高。 0060 - 例如, 在本发明的一种实施方式中, 发射体分子的质子部分或全部地由氘替代。 0061 - 在一个任选的实施方式中, 使光电器件的基体氘化或部分氘化可以在特定情况 下导致发射量子产率的明显提高。 0062 - 用于减少无辐射过程的另一种方法, 例如, 为了提高发射体分子的发射量子 产率, 包括通过选择例如聚合物基体或交联聚合物基体或半结晶的基体形成尽可能刚性 的直接环境。聚合物交联的策略为本领域技术人员所公知 ( 参考, 例如 C.A.Zuniga,S. Bar。
45、low,S.R.Marder ; Chem.Materials2011,23,658-681)。 葡萄糖-海藻糖满足在实施例中 说 明 书 CN 104011894 A 11 7/13 页 12 所使用的基体对这种刚性的需求。 0063 添加物 / 系间窜跃时间常数的降低 0064 优选的有机分子仅由如 C、 H、 N、 O、 F、 S、 K、 Na 的轻的原子构成。这种有机分子的 电子单重态和三重态基本上由 和 *分子轨道之间的跃迁产生, 如已经提到的, 这类有 机分子的有效自旋 - 轨道耦合 (SOC) 很小, 使得从 S1状态到能级更低的 T1状态 ( 下系间窜 跃 (down-inte。
46、rsystem crossing) 以及反方向从 T1状态向 S1状态 ( 上系间窜跃 ) 的弛豫 跃迁强烈地被禁阻或几乎不出现。 0065 根据本发明, 这不再存在禁阻 : 有机分子 ( 发射体分子 ), 尤其是式 I、 II 和 III 以 及根据式 IV 和 V 的有机分子可以例如掺杂入光电器件中、 或基体材料中, 例如 OLED 发射层 中。根据本发明, 将光学惰性的原子或分子 ( 所谓的 “添加物” ) 混入到这种基体中, 用于降 低有机分子的系间窜跃时间常数。这些光学惰性的原子或分子具有显著的高自旋 - 轨道耦 合 (SOC)( 原子或分子单元的 SOC 常数大于 1000cm-1。
47、, 进一步参考下面给出的说明 )。这些 添加物例如以大约对应或高于发射体分子浓度的浓度引入。 也可以例如使用有机发射体分 子的两倍至十倍高的浓度的添加物。一般来说, 有机发射体分子和光学惰性的原子或分子 之间的数量比为 1 : 0.1 至 1 : 5 或 1 : 10, 优选 1 : 0.2 至 1 : 5, 更优选 1 : 1。因此得出分布概 率, 即至少一个具有高 SOC 的添加物粒子 / 添加物分子位于发射体分子附近。由此诱导了 外部 SOC, 其强烈地加速了系间窜跃的过程, 即相应地缩短了该系间窜越时间常数。这引起 从 S1状态至 T1状态的非常快的弛豫, 并同样引起根据等式 (1) 。
48、的非常快的热复育。因此可 以实现有机分子的单重态捕获效应。 0066 根据本发明, 可以通过合适的 SOC 增大的取代基来改变基体 ; 例如, 基体聚合物可 以含有化学结合的 Br 或 I 原子, 因此, 基体吸收了该添加物的功能。同样地, 发射体分子可 以含有例如化学结合的 Br 或 I 原子或其他取代基增大 SOC。在这些特殊情况下, 添加物的 量可以大大减小或添加物的加入可以在有利的条件下完全省去。 0067 因此, 在一种本发明的实施方式中, 涉及一种组合物, 该组合物包括具有在最低的 激发单重态 (S1) 和位于其下的三重态 (T1) 之间的在 3000cm-1以下 ( 优选为小于 。
49、2500cm-1) 的 E(S1-T1) 用于发射光的有机分子, 和用于降低有机分子的上系间窜跃时间常数到 300ms 的光学惰性原子或光学惰性分子, 其中, 所述光学惰性原子或光学惰性分子通过化学 键结合到基体上, 特别是到聚合物基体上。 0068 添加物的实例是 : 0069 惰性气体 ( 特别优选的 ) : 0070 氪 (Kr), 但更优选氙 (Xe)。 0071 这些气体在光电构件的制造过程中导入用于形成发射层的掺杂有发射体分子的 基体中。在本文中确保在气体压力为 1 个大气压 (1013.25hPa) 时的气体饱和度和任选地 在升高的气体压力下直至约 3 个大气压 ( 约 300kPa), 例如约 2 个大气压 ( 约 。