晶圆封装方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 104009052 A (43)申请公布日 2014.08.27 CN 104009052 A (21)申请号 201410067067.7 (22)申请日 2014.02.26 61/770,025 2013.02.27 US H01L 27/146(2006.01) H01L 21/683(2006.01) (71)申请人 精材科技股份有限公司 地址 中国台湾桃园县中坜市中坜工业区吉 林路 23 号 9F (72)发明人 张义民 刘国华 王奕程 张胜彦 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所 ( 普通合伙 ) 11277 代理人 刘新宇 (54) 发。

2、明名称 晶圆封装方法 (57) 摘要 一种晶圆封装方法， 包含下列步骤 ： 提供具有 多个集成电路单元的晶圆。研磨晶圆相对集成电 路单元的第一表面。提供透光载体。形成脱膜层 于透光载体的第二表面上。形成紫外光暂时粘着 层于透光载体的第二表面上或晶圆相对第一表面 的第三表面上。使用紫外光暂时粘着层粘合透光 载体的第二表面与晶圆的第三表面， 使脱膜层被 包覆于紫外光暂时粘着层中。贴合晶圆的第一表 面于紫外光胶带上。照射紫外光于透光载体相对 第二表面的第四表面， 使紫外光暂时粘着层的粘 性消失。移除位于晶圆的第三表面上的透光载体 与脱膜层。本发明的晶圆封装方法不易因翘曲而 破裂， 且可提升透光度， 。

3、使影像感测晶片感测影像 的能力提升。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 17 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图17页 (10)申请公布号 CN 104009052 A CN 104009052 A 1/2 页 2 1. 一种晶圆封装方法， 其特征在于， 包含下列步骤 ： 步骤 a ： 提供一具有多个集成电路单元的晶圆 ； 步骤 b ： 研磨该晶圆相对所述集成电路单元的一第一表面 ； 步骤 c ： 提供一透光载体 ； 步骤 d ： 形成一脱膜层于该透光载体的一第二表面上 ； 步骤 。

4、e ： 形成一紫外光暂时粘着层于该透光载体的该第二表面上或该晶圆相对该第一 表面的一第三表面上 ； 步骤 f ： 使用该紫外光暂时粘着层粘合该透光载体的该第二表面与该晶圆的该第三表 面， 使该脱膜层被包覆于该紫外光暂时粘着层中 ； 步骤 g ： 贴合该晶圆的该第一表面于一紫外光胶带上 ； 步骤 h ： 照射紫外光于该透光载体相对该第二表面的一第四表面， 使该紫外光暂时粘 着层的粘性消失 ； 以及 步骤 i ： 移除位于该晶圆的该第三表面上的该透光载体与该脱膜层。 2. 如权利要求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 移除位于该脱膜层边缘的部分该紫外光暂时粘着层。 3. 如权利要。

5、求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 该紫外光胶带位于一框体的一镂 空开口中。 4. 如权利要求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 清洗位于该晶圆的该第三表面上的该紫外光暂时粘着层。 5. 如权利要求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 形成一刮痕于紧邻该晶圆边缘的该紫外光胶带上 ； 贴合一支撑胶带于该晶圆的该第三表面与该框体上 ； 以及 移除位于该刮痕与该框体之间的部分该紫外光胶带。 6. 如权利要求 5 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 照射紫外光于该紫外光胶带， 使该紫外光胶带的粘性消失 ； 以及 移除位于该晶圆的该第一表面上的该紫外。

6、光胶带。 7. 如权利要求 6 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 切割该紫外光胶带移除后的该晶圆。 8. 如权利要求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 该透光载体的厚度介于 300 至 500m 的范围。 9. 如权利要求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 该透光载体的厚度大于该晶圆的 厚度。 10. 如权利要求 1 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 该透光载体的强度大于该晶圆的 强度。 11. 一种晶圆封装方法， 其特征在于， 包含下列步骤 ： 步骤 a ： 提供一具有多个集成电路单元与多个焊垫的晶圆 ； 步骤 b ： 提供一透光保护片 ； 步骤 c ： 形成一第。

7、一间隔层与一第二间隔层于该透光保护片的一第一表面上 ； 步骤 d ： 形成一永久粘着层与一暂时粘着层分别于该第一间隔层相对该透光保护片的 权 利 要 求 书 CN 104009052 A 2 2/2 页 3 一第二表面上与该第二间隔层相对该透光保护片的一第三表面上 ； 步骤 e ： 粘合该永久粘着层与该暂时粘着层于该晶圆上， 使该暂时粘着层覆盖于该晶 圆的一焊垫上， 其中每一该集成电路单元由该第一间隔层围绕， 且该第一间隔层由该第二 间隔层围绕 ； 步骤 f ： 切割位于该第一间隔层与该第二间隔层之间的该透光保护片 ； 以及 步骤 g ： 移除覆盖该焊垫的该第二间隔层与连接该第二间隔层的部分该。

8、透光保护片。 12. 如权利要求 11 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 该步骤 g 包含 ： 照射紫外光于该暂时粘着层， 使该暂时粘着层的粘性消失。 13. 如权利要求 11 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 该步骤 g 包含 ： 浸泡该暂时粘着层于一液体， 使该暂时粘着层的粘性消失。 14. 如权利要求 11 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 电性连接一导线于该晶圆的该焊垫上。 15. 如权利要求 11 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 形成一穿孔于该焊垫与该晶圆背对该透光保护片的一第四表面之间 ； 以及 电性连接一导线于该晶圆的该焊垫与位于该第四表面的一球。

9、栅阵列， 其中该导线穿入 该穿孔中。 16. 如权利要求 11 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 还包含 ： 蚀刻该晶圆的边缘， 使该晶圆的该焊垫露出， 并于该晶圆的边缘形成一斜面 ； 以及 电性连接一导线于该晶圆的该焊垫与该晶圆的一球栅阵列， 其中该导线抵靠于该斜面 上。 17. 如权利要求 11 所述的晶圆封装方法， 其特征在于， 每一该集成电路单元为影像感 测元件。 权 利 要 求 书 CN 104009052 A 3 1/7 页 4 晶圆封装方法 技术领域 0001 本发明是有关一种晶圆封装方法。 背景技术 0002 当制作影像感测器的晶片 ( 例如 CMOS) 时， 通常会将光学玻。

10、璃片覆盖于晶圆 (wafer)的表面， 用以保护晶圆， 使灰尘不易附着于晶圆的影像感测区。 然而， 当晶圆切割后 形成的晶片使用于电子产品时， 因电子产品通常在对齐晶片的壳体上会设置透光片， 而透 光片与晶片表面上的光学玻璃片具有相似的保护功能。 0003 当晶圆的表面不具有光学玻璃片时， 虽然可提升透光度， 使晶圆切割后的晶片感 测影像的能力提升， 但因晶圆的厚度很薄 ( 例如 150m)， 要移动已形成球栅阵列的晶圆是 相当困难的。举例来说， 具有光学玻璃片的晶圆在研磨减薄后， 接着经由球栅阵列 (Ball Grid Array ； BGA) 制程， 于晶圆相对光学玻璃片的表面形成球栅阵列。

11、。之后， 会将具有光学 玻璃片的晶圆放到铁框的胶带上， 最后才进行切割光学玻璃片与晶圆的制程。光学玻璃片 可提供晶圆支撑力， 使晶圆不易因翘曲而破裂。 然而， 当晶圆的表面不具有光学玻璃片而放 置晶圆于铁框时， 容易因翘曲而破裂或不易准确放置于铁框的胶带上。 0004 另一方面， 当晶圆的表面具有光学玻璃片时， 位于晶圆边缘的焊垫的上表面需与 导线电性连接， 因此焊垫的上方区域不可由光学玻璃片遮盖。 如此一来， 在光学玻璃片粘合 于晶圆(例如Dam On Glass ； DOG)之后的制程， 经过切割制程或经过化学液体的制程时， 均 会污染或腐蚀晶圆的焊垫， 使晶圆的良率下降。 发明内容 00。

12、05 本发明的一技术态样为一种晶圆封装方法。 0006 根据本发明一实施方式， 一种晶圆封装方法包含下列步骤 ： (a) 提供具有多个集 成电路单元的晶圆。(b) 研磨晶圆相对集成电路单元的第一表面。(c) 提供透光载体。(d) 形成脱膜层于透光载体的第二表面上。(e) 形成紫外光暂时粘着层于透光载体的第二表面 上或晶圆相对第一表面的第三表面上。(f) 使用紫外光暂时粘着层粘合透光载体的第二表 面与晶圆的第三表面， 使脱膜层被包覆于紫外光暂时粘着层中。 (g)贴合晶圆的第一表面于 紫外光胶带上。 (h)照射紫外光于透光载体相对第二表面的第四表面， 使紫外光暂时粘着层 的粘性消失。(i) 移除位。

13、于晶圆的第三表面上的透光载体与脱膜层。 0007 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含移除位于脱膜层边缘的部分紫 外光暂时粘着层。 0008 在本发明一实施方式中， 上述紫外光胶带位于框体的镂空开口中。 0009 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含清洗位于晶圆的第三表面上的 紫外光暂时粘着层。 0010 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含 ： 形成刮痕于紧邻晶圆边缘的 紫外光胶带上。贴合支撑胶带于晶圆的第三表面与框体上。移除位于刮痕与框体之间的部 说 明 书 CN 104009052 A 4 2/7 页 5 分紫外光胶带。 0011 在本发明一实施方式中， 上。

14、述晶圆封装方法还包含 ： 照射紫外光于紫外光胶带， 使 紫外光胶带的粘性消失。移除位于晶圆的第一表面上的紫外光胶带。 0012 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含切割紫外光胶带移除后的晶 圆。 0013 在本发明一实施方式中， 上述透光载体的厚度介于 300 至 500m 的范围。 0014 在本发明一实施方式中， 上述透光载体的厚度大于晶圆的厚度。 0015 在本发明一实施方式中， 上述透光载体的强度大于晶圆的强度。 0016 在本发明上述实施方式中， 晶圆可不具有光学玻璃片， 但可由透光载体提供支撑 力， 使晶圆贴合于框体的紫外光胶带时， 不易因翘曲而破裂， 且能准确贴合于框体。

15、的紫外光 胶带上。当晶圆贴合于框体的紫外光胶带后， 因透光载体通过紫外光暂时粘着层粘合于晶 圆上， 且紫外光暂时粘着层可通过照射紫外光而使其粘性消失， 因此可于晶圆上移除透光 载体。 此外， 当不具有光学玻璃片的晶圆切割后， 晶圆所形成的影像感测晶片可应用于电子 产品。 由于影像感测晶片的表面不具有光学玻璃片， 因此可提升透光度， 使影像感测晶片感 测影像的能力提升。 0017 本发明的另一技术态样为一种晶圆封装方法。 0018 根据本发明一实施方式， 一种晶圆封装方法包含下列步骤 ： (a) 提供具有多个集 成电路单元与多个焊垫的晶圆。(b) 提供透光保护片。(c) 形成第一间隔层与第二间隔。

16、层 于透光保护片的第一表面上。(d) 形成永久粘着层与暂时粘着层分别于第一间隔层相对透 光保护片的第二表面上与第二间隔层相对透光保护片的第三表面上。(e) 粘合永久粘着层 与暂时粘着层于晶圆上， 使暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上， 其中每一集成电路单元由第 一间隔层围绕， 且第一间隔层由第二间隔层围绕。 (f)切割位于第一间隔层与第二间隔层之 间的透光保护片。(g) 移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光保护片。 0019 在本发明一实施方式中， 上述步骤 (g) 包含照射紫外光于紫外光暂时粘着层， 使 紫外光暂时粘着层的粘性消失。 0020 在本发明一实施方式中， 上述步骤 (g)。

17、 包含浸泡紫外光暂时粘着层于液体， 使紫 外光暂时粘着层的粘性消失。 0021 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含电性连接导线于晶圆的焊垫 上。 0022 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含 ： 形成穿孔于焊垫与晶圆背对 透光保护片的第四表面之间。电性连接导线于晶圆的焊垫与位于第四表面的球栅阵列， 其 中导线穿入穿孔中。 0023 在本发明一实施方式中， 上述晶圆封装方法还包含 ： 蚀刻晶圆的边缘， 使晶圆的焊 垫露出， 并于晶圆的边缘形成斜面。 电性连接导线于晶圆的焊垫与晶圆的球栅阵列， 其中导 线抵靠于斜面上。 0024 在本发明一实施方式中， 上述每一集成电路单元。

18、为影像感测元件。 0025 在本发明上述实施方式中， 透光保护片通过第一间隔层上的永久粘着层与第二间 隔层上的紫外光暂时粘着层粘合于晶圆上， 且紫外光暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上。如 此一来， 在透光保护片粘合于晶圆之后的制程， 例如经过切割制程或经过化学液体的制程 说 明 书 CN 104009052 A 5 3/7 页 6 时， 透光保护片与第二间隔层可避免焊垫遭到污染或腐蚀， 而可提升晶圆的良率。此外， 第 一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片可通过切割而分开， 当紫外光暂时粘着层的粘性 消失 ( 例如照射紫外光或浸泡液体 ) 时， 便可移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔 层的部分透。

19、光保护片， 使焊垫露出， 增加打线制程的便利性。 附图说明 0026 图 1 绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。 0027 图 2 绘示图 1 的透光载体粘合于晶圆时的示意图。 0028 图 3A 绘示图 2 的透光载体粘合于晶圆后的示意图。 0029 图 3B 绘示图 3A 的另一实施方式的示意图。 0030 图 4 绘示图 3A 的部分紫外光暂时粘着层移除后的示意图。 0031 图 5 绘示图 4 的晶圆贴合于紫外光胶带后的示意图。 0032 图 6 绘示图 5 的透光载体照射紫外光时的示意图。 0033 图 7 绘示图 6 的透光载体移除时的示意图。 0034 图 8 绘示。

20、图 7 的紫外光暂时粘着层清洗后且于紫外光胶带形成刮痕时的示意图。 0035 图 9 绘示图 8 的晶圆贴合支撑胶带时的示意图。 0036 图 10 绘示图 9 的部分紫外光胶带移除后且翻转框体后的示意图。 0037 图 11 绘示图 10 的紫外光胶带照射紫外光时的示意图。 0038 图 12 绘示图 11 的紫外光胶带移除后的示意图。 0039 图 13 绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。 0040 图 14 绘示图 13 的透光保护片粘合于晶圆时的示意图。 0041 图 15 绘示图 14 的永久粘着层与紫外光暂时粘着层粘合于晶圆后的示意图。 0042 图 16 绘示图 1。

21、5 的第一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片切割后的示意图。 0043 图 17 绘示图 16 的部分透光保护片移除后且焊垫电性连接导线后的示意图。 0044 图 18 绘示图 16 的部分透光保护片移除后且晶圆的边缘蚀刻后的示意图。 0045 图 19 绘示图 18 的焊垫电性连接导线后的示意图。 具体实施方式 0046 以下将以图式揭露本发明的多个实施方式， 为明确说明起见， 许多实务上的细节 将在以下叙述中一并说明。然而， 应了解到， 这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就 是说， 在本发明部分实施方式中， 这些实务上的细节是非必要的。 此外， 为简化图式起见， 一 些现有惯用的结构与。

22、元件在图式中将以简单示意的方式绘示。 0047 图 1 绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。首先步骤 S1 中， 提供 具有多个集成电路单元的晶圆。接着在步骤 S2 中， 研磨晶圆相对集成电路单元的第一表 面。之后步骤 S3 中， 提供透光载体。接着在步骤 S4 中， 形成脱膜层于透光载体的第二表面 上。之后在步骤 S5 中， 形成紫外光暂时粘着层于透光载体的第二表面上或晶圆相对第一表 面的第三表面上。接着在步骤 S6 中， 使用紫外光暂时粘着层粘合透光载体的第二表面与晶 圆的第三表面， 使脱膜层被包覆于紫外光暂时粘着层中。之后在步骤 S7 中， 贴合晶圆的第 一表面于紫外光胶带上。

23、。接着在步骤 S8 中， 照射紫外光于透光载体相对第二表面的第四表 说 明 书 CN 104009052 A 6 4/7 页 7 面， 使紫外光暂时粘着层的粘性消失。最后在步骤 S9 中， 移除位于晶圆的第三表面上的透 光载体与脱膜层。在以下叙述中， 将说明上述各步骤的具体实施方式。 0048 图 2 绘示图 1 的透光载体 110 粘合于晶圆 140 时的示意图。图 3A 绘示图 2 的透光 载体 110 粘合于晶圆 140 后的示意图。同时参阅图 2 与图 3A， 晶圆 140 具有多个集成电路 单元 146 与球栅阵列 141， 且晶圆 140 相对集成电路单元 146 的第一表面 14。

24、4 已研磨完成。 也就是说， 此晶圆 140 已是经球栅阵列 (BGA) 制程后的晶圆。脱膜层 120 与紫外光暂时粘 着层 130 形成于透光载体 110 的第二表面 112 上， 且紫外光暂时粘着层 130 也形成于晶圆 140 相对第一表面 144 的第三表面 142 上。当透光载体 110 以方向 D1 移动至晶圆 140 后， 紫外光暂时粘着层130会粘合透光载体110的第二表面112与晶圆140的第三表面142， 且 脱膜层 120 会被包覆于紫外光暂时粘着层 130 中。 0049 在本实施方式中， 虽然紫外光暂时粘着层 130 可分别涂布于透光载体 110 与晶圆 140 上，。

25、 但在其他实施方式中， 紫外光暂时粘着层 130 可涂布于透光载体 110 和晶圆 140 的 其中一个便可， 不以限制本发明。此外， 透光载体 110 可以为玻璃板， 其厚度例如介于 300 至 500m 的范围， 且透光载体 110 的厚度大于晶圆 140 的厚度， 或透光载体 110 的强度大 于晶圆 140 的强度。晶圆 140 的材质可以包含硅。晶圆 140 的厚度可介于 100 至 200m 的范围。紫外光暂时粘着层 130 被紫外光照射时， 会失去粘性。 0050 在图 2 中， 集成电路单元 146 由紫外光暂时粘着层 130 遮蔽， 为求简洁清楚， 集成 电路单元 146 未。

26、绘示于图 3A 至图 12。 0051 图3B绘示图3A的另一实施方式的示意图。 同时参阅图2与图3B， 图2的晶圆140 的第三表面142可不涂布紫外光暂时粘着130， 且脱膜层120与紫外光暂时粘着层130上可 贴附一光学玻璃片 (optical glass)116。接着， 可于光学玻璃片 116 相对紫外光暂时粘着 层 130 的表面上设置间隔元件 (dam)118， 当透光载体 110 移动至晶圆 140 的第三表面 142 时， 光学玻璃片 116 随间隔元件 118 固定于晶圆 140 的第三表面 142 上， 形成如图 3B 所示 的结构。在以下叙述中， 由于图 3A 与图 3B。

27、 的后续制程相同， 因此仅以图 3A 为例作为说明。 0052 图 4 绘示图 3A 的部分紫外光暂时粘着层 130 移除后的示意图。图 5 绘示图 4 的 晶圆 140 贴合于紫外光胶带 152 后的示意图。同时参阅图 4 与图 5， 为了后续移除透光载 体 110 制程的方便， 可使用化学或物理方式将位于脱膜层 120 边缘的部分紫外光暂时粘着 层 130 移除， 使脱膜层 120 的边缘露出。接着， 晶圆 140 的第一表面 144 便可贴合于紫外光 胶带 152 上， 使晶圆 140 的球栅阵列 141 由紫外光胶带 152 保护。在本实施方式中， 紫外光 胶带 152 位于框体 15。

28、0 的镂空开口 154 中， 但并不以限制本发明。紫外光胶带 152 照射紫 外光时， 紫外光胶带 152 的粘性会消失。 0053 图 6 绘示图 5 的透光载体 110 照射紫外光 L 时的示意图。图 7 绘示图 6 的透光载 体 110 移除时的示意图。同时参阅图 6 与图 7， 紫外光灯具 160 朝向透光载体 110， 且照射 紫外光 L 于透光载体 110 相对第二表面 112 的第四表面 114， 紫外光 L 可穿过透光载体 110 而照射到紫外光暂时粘着层 130， 使紫外光暂时粘着层 130 的黏性消失。如此一来， 便能以 方向 D2 移除位于晶圆 140 的第三表面 142。

29、 上的透光载体 110 与脱膜层 120， 如图 7 所示。 待透光载体 110 移除后， 可清洗位于晶圆 140 的第三表面 142 上的紫外光暂时粘着层 130。 如此一来， 通过紫外光暂时粘着层 130 的应用， 可让移除 (de-bond) 透光载体 110 的制程于 球栅阵列制程后执行。 说 明 书 CN 104009052 A 7 5/7 页 8 0054 图 8 绘示图 7 的紫外光暂时粘着层 130 清洗后且于紫外光胶带 152 形成刮痕 156 时的示意图。图 9 绘示图 8 的晶圆 140 贴合支撑胶带 180 时的示意图。同时参阅图 8 与图 9， 紧邻晶圆 140 边缘。

30、的紫外光胶带 152 可由刀具 170 形成刮痕 156。接着可贴合支撑胶带 180 于晶圆 140 的第三表面 142 与框体 150 上。 0055 图 10 绘示图 9 的部分紫外光胶带 152 移除后且翻转框体 150 后的示意图。同时 参阅图 9 与图 10， 由于晶圆 140 已由支撑胶带 180 贴合于第三表面 142， 因此当框体 150 翻 转 180 度时， 晶圆 140 便可被支撑胶带 180 支撑。此时， 紫外光胶带 152 因具有刮痕 156， 因 此可轻易将位于刮痕 156 与框体 150 之间的部分紫外光胶带 152 移除， 如图 10 所示。 0056 图 11。

31、 绘示图 10 的紫外光胶带 152 照射紫外光 L 时的示意图。图 12 绘示图 11 的 紫外光胶带 152 移除后的示意图。同时参阅图 11 与图 12， 紫外光灯具 160 照射紫外光 L 于 紫外光胶带 152， 使紫外光胶带 152 的黏性消失。如此一来， 便可移除位于晶圆 140 的第一 表面 144 上的紫外光胶带 152， 如图 12 所示。接着， 紫外光胶带 152 移除后的晶圆 140 便可 通过刀具切割而于支撑胶带180形成多个影像感测晶片， 例如前照式或背照式的CMOS影像 感测晶片。 0057 与现有技术相较， 此晶圆封装方法的晶圆可不具有光学玻璃片， 但可由透光载。

32、体 提供支撑力， 使晶圆贴合于框体的紫外光胶带时， 不易因翘曲而破裂， 且能准确贴合于框体 的紫外光胶带上。当晶圆贴合于框体的紫外光胶带后， 因透光载体通过紫外光暂时粘着层 粘合于晶圆上， 且紫外光暂时粘着层可通过照射紫外光而使其粘性消失， 因此可于晶圆上 移除透光载体。 也就是说， 通过紫外光胶带的应用， 可让移除透光载体的制程于球栅阵列制 程后执行。 此外， 当不具有光学玻璃片的晶圆切割后， 晶圆所形成的影像感测晶片可应用于 电子产品。 由于影像感测晶片的表面不具有光学玻璃片， 因此可提升透光度， 使影像感测晶 片感测影像的能力提升。 0058 图 13 绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装。

33、方法的流程图。首先步骤 S1 中， 提 供具有多个集成电路单元与多个焊垫的晶圆。之后在步骤 S2 中， 提供透光保护片。接着在 步骤 S3 中， 形成第一间隔层与第二间隔层于透光保护片的第一表面上。之后在步骤 S4 中， 形成永久粘着层与暂时粘着层分别于第一间隔层相对透光保护片的第二表面上与第二间 隔层相对透光保护片的第三表面上。接着在步骤 S5 中， 粘合永久粘着层与暂时粘着层于晶 圆上， 且暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上， 其中每一集成电路单元由第一间隔层围绕， 且第 一间隔层由第二间隔层围绕。之后在步骤 S6 中， 切割位于第一间隔层与第二间隔层之间的 透光保护片。最后在步骤 S7 中， 。

34、移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光 保护片。在以下叙述中， 将说明上述各步骤的具体实施方式。 0059 图 14 绘示图 13 的透光保护片 210 粘合于晶圆 260 时的示意图。图 15 绘示图 14 的永久粘着层 250 与暂时粘着层 240 粘合于晶圆 260 后的示意图。同时参阅图 14 与图 15， 晶圆 260 具有集成电路单元 264 与焊垫 262。第一间隔层 220 与第二间隔层 230 形成于透 光保护片 210 的第一表面 212 上， 且第二间隔层 230 紧邻透光保护片 210 的边缘。此外， 永 久粘着层 250 形成于第一间隔层 220 相对透光。

35、保护片 210 的第二表面 222 上， 且暂时粘着 层 240 形成于第二间隔层 230 相对透光保护片 210 的第三表面 232 上。当透光保护片 210 以方向 D3 移动时， 第一间隔层 220 上的永久粘着层 250 与第二间隔层 230 上的暂时粘着层 240 可粘合于晶圆 260。此时， 暂时粘着层 240 覆盖于晶圆 260 的焊垫 262 上， 且第一间隔 说 明 书 CN 104009052 A 8 6/7 页 9 层 220 位于第二间隔层 230 与晶圆 260 的集成电路单元 264 之间。也就是说， 集成电路单 元 264 由第一间隔层 220 围绕， 且第一间隔。

36、层 220 由第二间隔层 230 围绕。 0060 在本实施方式中， 透光保护片210可以为玻璃板， 其厚度例如为300至500m。 晶 圆 260 的材质可以包含硅。集成电路单元 264 为影像感测元件。暂时粘着层 240 可以包含 照射紫外光会失去粘性的材料， 或浸泡液体会失去粘性的材料， 依制造者需求而定。 永久粘 着层 250 可以包含环氧树脂。 0061 图 16 绘示图 15 的第一间隔层 220 与第二间隔层 230 之间的透光保护片 210 切割 后的示意图。透光保护片 210 粘合于晶圆 260 后 ( 见图 15)， 可通过刀具切割位于第一间隔 层220与第二间隔层230之。

37、间的透光保护片210， 使第一间隔层220上的透光保护片210与 第二间隔层 230 上的透光保护片 210 之间具有间隙。此外， 刀具还可切割图 15 的晶圆 260 与透光保护片 210 靠近第二间隔层 230 外侧 ( 即远离第一间隔层 220 的一侧 ) 的位置， 如 图 16 所示。此时， 可照射紫外光于暂时粘着层 240 或浸泡暂时粘着层 240 于液体 ( 例如 50 至 100的热水 )， 使暂时粘着层 240 的黏性消失。如此一来， 便可移除覆盖焊垫 262 的第 二间隔层 230 与连接第二间隔层 230 的部分透光保护片 210， 使晶圆 260 的焊垫 262 露出。 。

38、0062 图 17 绘示图 16 的部分透光保护片 210 移除后且焊垫 262 电性连接导线 272、 274 后的示意图。待第二间隔层 230( 见图 16) 与其上的透光保护片 210( 见图 16) 移除后， 可 电性连接导线 272 于晶圆 260 的焊垫 262 上。此外， 焊垫 262 与晶圆 260 背对透光保护片 210 的第四表面 268 之间可形成穿孔 276。接着可将导线 274 穿入穿孔 276 中， 并使导线 274 电性连接于晶圆 260 的焊垫 262 与位于第四表面 268 的球栅阵列 266。图 17 的结构可 以为前照式或背照式的 CMOS 影像感测晶片。。

39、 0063 在以下叙述中， 将提供另一种的导线设置方式， 可节省形成穿孔 276 的制程成本。 0064 图 18 绘示图 16 的部分透光保护片 210 移除后且晶圆 260 的边缘蚀刻后的示意 图。待第二间隔层 230( 见图 16) 与其上的透光保护片 210( 见图 16) 移除后， 可蚀刻晶圆 260 的边缘， 使晶圆 260 的焊垫 262 露出， 并于晶圆 260 的边缘形成斜面 269。 0065 图 19 绘示图 18 的焊垫 262 电性连接导线 282、 284 后的示意图。待斜面 269 形成 后， 可电性连接导线 282 于晶圆 260 的焊垫 262 上， 并电性连。

40、接导线 284 于晶圆 260 的焊垫 262 与晶圆 260 的球栅阵列 266， 且导线 284 抵靠于斜面 269 上。 0066 与现有技术相较， 此晶圆封装方法的透光保护片通过第一间隔层上的永久粘着层 与第二间隔层上的暂时粘着层粘合于晶圆上， 且暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上。如此一 来， 在透光保护片粘合于晶圆之后的制程， 例如经过切割制程或经过化学液体的制程时， 透 光保护片与第二间隔层可避免焊垫遭到污染或腐蚀， 而可提升晶圆的良率。 此外， 第一间隔 层与第二间隔层之间的透光保护片可通过切割而分开， 当暂时粘着层的粘性消失 ( 例如照 射紫外光或浸泡液体 ) 时， 便可移除覆盖焊。

41、垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光 保护片， 使焊垫露出， 增加打线制程的便利性。 0067 以上所述仅为本发明较佳实施例， 然其并非用以限定本发明的范围， 任何熟悉本 项技术的人员， 在不脱离本发明的精神和范围内， 可在此基础上做进一步的改进和变化， 因 此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。 说 明 书 CN 104009052 A 9 7/7 页 10 0068 附图中符号的简单说明如下 ： 0069 110 ： 透光载体 112 ： 第二表面 0070 114 ： 第四表面 116 ： 光学玻璃 0071 118 ： 间隔元件 120 ： 脱膜层 0072 1。

42、30 ： 紫外光暂时粘着层 140 ： 晶圆 0073 141 ： 球栅阵列 142 ： 第三表面 0074 144 ： 第一表面 146 ： 集成电路单元 0075 150 ： 框体 152 ： 紫外光胶带 0076 154 ： 镂空开口 156 ： 刮痕 0077 160 ： 紫外光灯具 170 ： 刀具 0078 180 ： 支撑胶带 210 ： 透光保护片 0079 212 ： 第一表面 220 ： 第一间隔层 0080 222 ： 第二表面 230 ： 第二间隔层 0081 232 ： 第三表面 240 ： 暂时粘着层 0082 250 ： 永久粘着层 260 ： 晶圆 0083 2。

43、62 ： 焊垫 264 ： 集成电路单元 0084 266 ： 球栅阵列 268 ： 第四表面 0085 269 ： 斜面 272 ： 导线 0086 274 ： 导线 276 ： 穿孔 0087 282 ： 导线 284 ： 导线 0088 D1 ： 方向 D2 ： 方向 0089 D3 ： 方向 L ： 紫外光 0090 S1 ： 步骤 S2 ： 步骤 0091 S3 ： 步骤 S4 ： 步骤 0092 S5 ： 步骤 S6 ： 步骤 0093 S7 ： 步骤 S8 ： 步骤 0094 S9 ： 步骤。 说 明 书 CN 104009052 A 10 1/17 页 11 图 1 说 明 书。

44、 附 图 CN 104009052 A 11 2/17 页 12 图 2 图 3A 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 12 3/17 页 13 图 3B 图 4 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 13 4/17 页 14 图 5 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 14 5/17 页 15 图 6 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 15 6/17 页 16 图 7 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 16 7/17 页 17 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 17 8/17 页 18 图。

45、 10 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 18 9/17 页 19 图 11 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 19 10/17 页 20 图 12 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 20 11/17 页 21 图 13 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 21 12/17 页 22 图 14 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 22 13/17 页 23 图 15 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 23 14/17 页 24 图 16 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 24 15/17 页 25 图 17 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 25 16/17 页 26 图 18 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 26 17/17 页 27 图 19 说 明 书 附 图 CN 104009052 A 27 。