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1、(10)申请公布号 CN 103417247 A (43)申请公布日 2013.12.04 CN 103417247 A *CN103417247A* (21)申请号 201310191397.2 (22)申请日 2013.05.22 13/477,948 2012.05.22 US A61B 8/00(2006.01) (71)申请人 通用电气公司 地址 美国纽约州 (72)发明人 戴志忠 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公 司 72001 代理人 柯广华 朱海煜 (54) 发明名称 超声换能器和用于制造超声换能器的方法 (57) 摘要 超声换能器 (16) 包括声学元件 (1。
2、4) 的阵列、 集成电路 (36) 和内插器 (38) 。该内插器包括用于 将声学元件电连接到集成电路的导电元件 (58) 。 这些导电元件电连接到集成电路。焊料 (46) 在声 学元件与内插器的导电元件之间接合使得内插器 的导电元件通过焊料电连接到声学元件。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 13 页 附图 9 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书13页 附图9页 (10)申请公布号 CN 103417247 A CN 103417247 A *CN103417247A* 1/1 页 2 1. 一种超声换。
3、能器 (16) , 包括 : 声学元件 (14) 的阵列 ; 集成电路 (36) ; 内插器 (38) , 其包括用于将所述声学元件电连接到所述集成电路的导电元件 (58) , 所 述导电元件电连接到所述集成电路 ; 以及 焊料 (46) , 其在所述声学元件与所述内插器的所述导电元件之间接合使得所述内插器 的所述导电元件通过所述焊料电连接到所述声学元件。 2. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述焊料 (46) 是第一焊料层 (46a) , 所 述超声换能器进一步包括第二焊料层 (46b) , 其在所述集成电路 (36) 与所述内插器 (38) 的 所述导电元件 (5。
4、8) 之间接合使得所述内插器的所述导电元件通过所述焊料电连接到所述 集成电路。 3. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述内插器 (38) 包括挠性电路或挠性 线缆中的至少一个。 4. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述声学元件 (14)包括去匹配层 (50) , 所述焊料 (46) 与所述去匹配层接合使得所述声学元件通过所述焊料电连接到所述内 插器 (38) 的所述导电元件 (58) 。 5. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述声学元件 (14) 的阵列是一维 (1D) 阵列、 1.5D 阵列、 1.75D 阵列或二。
5、维 (2D) 阵列中的一个。 6. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述焊料 (46)包括单独焊料元件 (46aa) , 每个单独焊料元件与所述声学元件的阵列的至少两个声学元件 (14) 接合。 7.如权利要求1所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述声学元件 (14) 的阵列、 所述内插器 (38) 和所述集成电路 (36) 布置在栈中, 所述内插器在所述栈内在所述集成电路与所述声学 元件的阵列之间延伸。 8. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述焊料 (46) 配置成引导信号的传送 和接收。 9. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16。
6、) , 其中, 所述内插器 (38) 的所述导电元件 (58) 包括电通路、 电迹线或电接触盘中的至少一个。 10. 如权利要求 1 所述的超声换能器 (16) , 其中, 所述焊料 (46) 是第一焊料层 (46a) 并 且所述集成电路 (36) 包括电接触 (56) , 所述超声换能器进一步包括第二焊料层 (46b) , 其 在所述内插器 (38) 的所述导电元件 (58) 与所述集成电路的所述电接触之间接合使得所述 集成电路的所述电接触通过所述第二焊料层电连接到所述内插器的所述导电元件。 权 利 要 求 书 CN 103417247 A 2 1/13 页 3 超声换能器和用于制造超声换能。
7、器的方法 技术领域 0001 本文公开的主题一般来说涉及超声系统, 并且更具体地涉及超声换能器和用于制 造超声换能器的方法。 背景技术 0002 超声系统典型地包括执行各种超声扫描 (例如, 容置在探头内的超声换能器) 的超 声扫描装置 (例如, 对身体或其他体积成像) 。这些扫描装置包括传送并且接收超声信号的 声学元件。这些声学元件可布置在阵列中。由这些声学元件接收的超声信号用于生成身体 或其他体积的图像。 例如, 接收的超声信号可用于生成患者内部组织的图像, 例如但不限于 患者心脏的图像。 0003 至少一些已知的超声系统包括内插器 (例如, 挠性电路) , 其电且机械连接到声学 元件。该。
8、内插器在声学元件与热衬层或电子器件 (例如, 一个或多个集成电路) 之间延伸, 所述电子器件对超声信号执行传送和 / 或接收射束形成操作。例如, 内插器可在声学元件 与射束形成电子器件之间延伸来提供声学元件与射束形成电子器件之间的电连接。 备选地 并且例如, 内插器在声学元件与热衬层之间延伸以使声学元件机械连接到热衬层。一些已 知的内插器是将声学元件电连接到超声系统的一个或多个其他组件 (例如, RF 处理器、 存储 器、 信号处理器、 用户输入、 射束形成电子器件、 显示器和 / 或诸如此类) 的线缆。 0004 在一些已知的超声系统中, 环氧树脂用于将内插器机械连接或既机械又电连接到 声学。
9、元件。但是, 由环氧树脂提供的机械连接可能易受来自环境应力的失效的影响。例如, 由环氧树脂提供的机械连接可在超声扫描装置在一段时间内暴露于水和 / 或其他液体时 (例如, 在超声扫描装置的全部或一部分浸在水和/或另一个液体中时) 失效。 声学元件与内 插器之间的机械连接的失效可使内插器与声学元件电断开并且由此中断超声系统的操作。 发明内容 0005 在一个实施例中, 超声换能器包括声学元件的阵列、 集成电路和内插器。 该内插器 包括用于将声学元件电连接到集成电路的导电元件。这些导电元件电连接到集成电路。在 声学元件与内插器的导电元件之间接合焊料使得内插器的导电元件通过该焊料电连接到 声学元件。。
10、 0006 在另一个实施例中, 超声换能器包括声学元件的阵列、 热衬层和具有导电元件的 内插器。该内插器机械连接到热衬层。在声学元件与内插器的导电元件之间接合焊料使得 内插器的导电元件通过该焊料电连接到声学元件。 0007 在另一个实施例中, 提供用于制造超声换能器的方法。该方法包括提供声学元件 的阵列、 提供具有导电元件的内插器、 将声学元件和内插器布置在具有集成电路或热衬层 中的至少一个的栈中 ; 以及使用焊料将内插器的导电元件电连接到声学元件。 附图说明 说 明 书 CN 103417247 A 3 2/13 页 4 0008 图 1 是根据各种实施例形成的超声换能器的分解透视图。 00。
11、09 图 2 是在图 1 中示出的超声换能器的横截面图。 0010 图 3 是根据各种实施例形成的另一个超声换能器的横截面图。 0011 图 4 是图示根据各种实施例用于制造超声换能器的方法的流程图。 0012 图 5 是其中可实现各种实施例的超声系统的框图。 0013 图 6 是图示其中可实现各种实施例的有三维 (3D) 能力的小型化超声系统的图。 0014 图7是图示其中可实现各种实施例的有3D能力的手提或袖珍超声成像系统的图。 0015 图 8 是图示其中可实现各种实施例的有 3D 能力的控制台类型的超声成像系统的 图。 0016 图 9 是根据各种实施例形成的另一个超声换能器的一部分的。
12、透视图。 具体实施方式 0017 前面的简要描述以及某些实施例的下列详细描述当与附图结合阅读时将更好理 解。就图形图示各种实施例的功能框的图来说, 功能框不一定指示硬件电路之间的划分。 从而, 例如, 功能框中的一个或多个 (例如处理器或存储器) 可采用单件硬件 (例如通用信号 处理器或一块随机存取存储器, 硬盘, 或诸如此类) 或多件硬件实现。相似地, 程序可以是 独立程序, 可作为子例程包含在操作系统中, 可以是安装的软件包中的功能, 和 / 或诸如此 类。应该理解各种实施例不限于图中示出的布置和工具。 0018 如本文使用的, 以单数列举的并且具有单词 “一 (a) ” 或 “一 (an。
13、) ” 在前的元件或步 骤应该理解为不排除复数个所述元件或步骤, 除非这样的排除明确地规定。此外, 对 “一个 实施例” 的引用不意在解释为排除也包含列举的特征的另外的实施例的存在。 此外, 除非对 相反情况的明确规定,“包括” 或 “具有” 具有特定性质的一个元件或多个元件的实施例可包 括不具有该性质的另外的元件。 0019 各种实施例提供超声换能器和用于制造超声换能器的方法。 根据各种实施例的超 声换能器包括声学元件阵列和内插器。该内插器包括导电元件。焊料与内插器的导电元件 接合以将内插器电连接到声学元件阵列。 0020 至少一些实施例的技术效果是使用焊料在超声换能器的各种组件之间提供连接。
14、, 其中该连接具有预定机械强度, 其便于防止连接被切断, 例如经由对水和 / 或其他液体的 暴露。至少一些实施例的技术效果是使用焊料在超声换能器的各种组件之间提供连接, 其 中该连接具有较快的固化时间和 / 或较好的结合强度。至少一些实施例的技术效果是提供 一种超声换能器, 其可以以更少的时间制造、 对温度变化具有较好的健壮性和 / 或对浸在 水和 / 或其他液体中具有较好的健壮性。 0021 图 1 是根据各种实施例形成的超声换能器 16 的一部分的分解透视图。图 2 是该 超声换能器 16 的未分解的横截面图。超声换能器 16 包括声学元件 14 的阵列、 集成电路 36 和内插器 38,。
15、 其将声学元件 14 电连接到集成电路 36。超声换能器 16 还可包括镜头 40、 衬 底 42 和 / 或散热装置 44。衬底 42 可以是用于降低背部声能的相对高的声衰减材料。如将 在下文更详细描述的, 内插器 38 使用焊料 46 电连接到声学元件 14 和 / 或集成电路 36。焊 料 46 还使内插器 38 机械连接到声学元件 14 和 / 或集成电路 36。为了清楚起见, 焊料 46 未在图 1 中示出。 说 明 书 CN 103417247 A 4 3/13 页 5 0022 在示范性实施例中, 镜头 40、 声学元件 14 的阵列、 内插器 38、 集成电路 36、 衬底 4。
16、2 和散热装置 44 布置在栈中, 如可以在图 1 和 2 中看到的。在该栈内, 内插器 38 在集成电路 36 与声学元件 14 之间延伸。除图示的栈外或作为图示的栈的备选, 可提供镜头 40、 声学元 件 14、 内插器 38、 集成电路 36、 衬底 42 和散热装置 44 的其他相对布置。 0023 可采用许多尺寸布置声学元件 14。例如, 声学元件 14 布置在一维 (1D) 阵列、 1.5D 阵列、 1.75 阵列、 二维 (2d) 阵列和 / 或诸如此类中。还可使用多种几何形状。 0024 每个声学元件 14 包括声学层 48, 其配置成生成声能并且将其传送到身体或其他 体积内并。
17、且接收来自身体或其他体积的反向散射声信号来形成并且显示图像。声学层 48 可具有任意值的声阻抗, 例如但不限于在近似 3MRayl 与近似 35MRayl 之间。声学层 48 可 包括电极 (未示出) 。声学层 48 可以是任何类型的声学层, 其由任意一种或多种材料形成, 例如但不限于压电陶瓷 (例如, 锆钛酸铅 (PZT) 、 铌酸铅镁 - 钛酸铅 (PMN-PT) 和 / 或诸如此 类) 、 压电复合物、 压电晶体、 压电单晶体、 压电聚合物和 / 或诸如此类。在一些实施例中, 声 学层 48 可包括一个材料或两个或以上不同材料的多于一个子层。也就是说, 在一些实施例 中, 声学层 48 。
18、可包括相同材料的多个子层, 而在其他实施例中, 声学层 48 可包括不同材料 的多个层。 0025 除声学层 48 外, 每个声学元件 14 可包括一个或多个其他层。例如, 每个声学元件 14 可包括一个或多个匹配层 (未示出) 、 一个或多个导电膜层 (未示出) 和 / 或一个或多个去 匹配层 (未示出) 。每个声学元件 14 总体上可包括任何数量的层。在示范性实施例中, 每个 声学元件 14 包括去匹配层 50 和三个匹配层 52。但是, 每个声学元件 14 可包括任何数量的 去匹配层 50 并且可包括任何数量的匹配层 52。 0026 去匹配层 50 具有相对高的声阻抗和钳制声学层 48。
19、 的功能, 因此大部分声能将传 送到换能器的前部。 然而, 相对少量的背面声能仍可能存在并且反射回到前面, 其可以在从 由超声换能器采集的超声信号生成的超声图像中引起伪像。因此, 衬底层 42 通常优先为相 对高的声衰减材料来使背面声能降低。衬底层 42 可具有任何厚度, 例如但不限于, 在近似 1mm 与近似 5mm 之间。因此, 声能的大部分从声学层 48 的正面反射出。去匹配层 50 可具有 任意值的声阻抗, 例如但不限于在近似 40MRayl 与近似 120MRayl 之间、 在近似 60MRayl 与 近似 100MRayl 之间和 / 或大于近似 70MRayl。在一些实施例中, 。
20、去匹配层 50 具有高于声学 层 48 的声阻抗的声阻抗。去匹配层 50 可具有相对良好的热导率, 其可以携带或传输由声 学层 48 生成的热到超声换能器 16 的背面和散热装置 44。 0027 去匹配层 50 可以是任何类型的去匹配层, 其由任何一种或多种材料形成, 例如但 不限于, 碳化合物材料 (例如, 锆、 钨、 硅、 钛、 碳化钽和 / 或诸如此类) 和 / 或诸如此类。去匹 配层 50 可具有任何厚度, 这可取决于超声换能器 16 的频率。去匹配层 50 的厚度的示例包 括, 但不限于, 在近似 50m 与近似 350m 之间。去匹配层 50 可使用任何适合的方法、 结 构、 过。
21、程、 部件和 / 或诸如此类 (例如但不限于, 使用具有小于近似 5m 的示范性厚度的环 氧树脂) 而叠层到声学层 48。 0028 在一些实施例中, 用导电金属涂层 (未示出) 和 / 或另一个导电体来涂覆去匹配层 50。该导电涂层可便于去匹配层 50 与焊料 46 之间的电连接。可使用任何适合的方法、 结 构、 过程、 部件和 / 或诸如此类用导电涂层来涂覆去匹配层 50。在去匹配层 50 上形成导电 涂层的一个示例是首先用 Ni 或 Cr 材料溅射作为种子层 (例如, 小于近似 0.1m) 并且然后 说 明 书 CN 103417247 A 5 4/13 页 6 添加金层 (例如, 小于。
22、近似 1m) 。然后可在外部上用 Ni (例如, 小于近似 5m) 和金 (例如, 小于近似 0.2m) 来电镀或电解金层来防止氧化。 0029 在一些实施例中, 并且除匹配层 50 上的导电涂层之外或作为去匹配层 50 上的导 电涂层的备选, 声学元件 14 可提供有电接触 (未示出) , 其具有除导电涂层外的任何其他结 构。声学元件 14 的这样的电接触可以是, 但不限于, 焊料盘、 焊料凸点、 柱凸点、 电镀凸点和 / 或诸如此类。 0030 匹配层 52 便于可在声学元件 14 与患者之间存在的阻抗差异的匹配。可提供任何 数量的匹配层 52。每个匹配层 52 可具有任意值的声阻抗, 例。
23、如但不限于, 在近似 2 MRayl 与近似 15 MRayl 之间和 / 或小于近似 10MRayl。在一些实施例中, 每个匹配层 52 具有小 于声学层 48 的声阻抗的声阻抗。在一些实施例中, 提供多个匹配层 52, 其提供从声学层 48 的声阻抗逐渐减小。 例如, 在一些实施例中, 提供三个匹配层52, 其中最接近声学层48的匹 配层 52 是近似 15 MRayl, 接着的匹配层 52 是近似 8MRayl, 并且最远离声学层 48 的匹配层 52 是近似 3MRayl。 0031 每个匹配层 52 可以是任何类型的匹配层, 其由任何一种或多种材料形成, 例如但 不限于, 填充的环氧。
24、树脂、 金属浸渍的的石墨、 玻璃陶瓷和 / 或诸如此类。每个匹配层 52 可 以是导电或非导电的。当匹配层 52 是非导电的时, 匹配层 52 可包括在其上的导电膜层 (未 示出) 。一个或多个匹配层 52(和 / 或其上的导电膜层) 可对对应的声学元件 14 提供电接 地连接。每个匹配层 52 可具有任何厚度并且匹配层 52 可具有任何组合厚度。匹配层 52 的组合厚度的示例包括, 但不限于, 在谐振频率处近似四分之一波长 (1/4) 的厚度。 0032 集成电路 36 可以是任何类型的集成电路, 例如但不限于, 专用集成电路 (ASIC) 和 / 或诸如此类。超声系统 (例如, 在图 5 。
25、中示出的超声系统 10) 的各种组件可包括在集成电 路 36 内。在示范性实施例中, 集成电路 36 包括超声系统 10 的传送器 12 (在图 5 中示出) 、 接收器 18(在图 5 中示出) 和射束形成电子器件 20(在图 5 中示出) 。 0033 集成电路 36 包括内插器侧 54 和沿该内插器侧 54 延伸的多个电接触 56。集成电 路 36 可包括电迹线、 电通路和 / 或便于执行集成电路 36 的各种组件的操作和功能的其他 电路。集成电路 36 的电接触 56 配置成电连接到内插器 38 的对应导电元件 58 以在集成电 路 36 与内插器 38 之间建立电连接, 如将在下文描。
26、述的。电接触 56 在图 1 和 2 中示出为焊 料盘。但是, 每个电接触 56 可另外或备选地包括任何其他结构, 例如但不限于, 焊料凸点、 柱凸点、 电镀凸点和 / 或诸如此类。 0034 集成电路 36 的电接触 56 可包括多个不同类型的连接, 例如但不限于, 传感器盘、 信号输入 / 输出 (I/O) 、 电力、 控制功能、 相对高的电压连接、 相对低的噪声连接和 / 或诸如 此类。例如, 在本文示出的电接触 56 是传感器盘, 其通过内插器 38 电连接到对应的声学元 件 14。集成电路 36 的电接触 56 可进一步包括以下电接触 (未示出) : 其代表除传感器盘以 外的其他功能。
27、 (例如但不限于, 信号输入 / 输出 (I/O) 、 电力、 控制功能和 / 或诸如此类) 并 且其使用焊料 46 以与在下文描述并且在本文关于传感器盘图示的大致上相似的方式电连 接到内插器 38。 0035 内插器 38 包括衬底 60 和导电元件 58。衬底 60 包括相对侧 62 和 64。侧 62 面向 声学元件 14, 而侧 64 面向集成电路 36 的内插器侧 54。导电元件 58 由衬底 60 托住并且包 括电接触 66a 和 66b。导电元件 58 的电接触 66a 沿衬底 60 的侧 62 延伸用于电连接到声学 说 明 书 CN 103417247 A 6 5/13 页 7。
28、 元件 14。导电元件 58 的电接触 66b 沿衬底 60 的侧 64 延伸用于电连接到集成电路 36 的电 接触 56。在示范性实施例中, 电接触 66a 具有与电接触 66b 的样式和间距相同的样式和间 距。备选地, 电接触 66a 和 66b 具有不同的样式和间距。例如在其中声学元件 14 的阵列具 有与集成电路 36 的电接触 56 不同的样式和 / 或间距的实施例中。 0036 在示范性实施例中, 导电元件 58 是一件元件, 其包括电接触 66a 和 66b 以及通过 衬底 60 从对应的电接触 66a 延伸到对应的电接触 66b 的内部段 68。另外或备选地, 导电元 件 58。
29、 中的一个或多个包括延伸到衬底 60 内的电通路 (未示出) 、 在衬底 60 的侧 62 上、 侧 64 上和 / 或内层 (未示出) 上延伸的电迹线 (未示出) 和 / 或其他电路。例如, 在一些实施例中, 导电元件 58 的电接触 66a 和 66b 是分立结构, 其通过内插器 38 的一个或多个电迹线而机 械和电连接在一起。此外, 并且例如, 在一些实施例中, 导电元件 58 包括导电通路并且导电 元件 58 的对应电接触 66a 和 66b 是导电通路的焊料盘。电接触 66a 和 66b 各自可以是任 何类型的电接触, 其具有任何结构, 例如但不限于, 焊料盘 (如在本文中图示的) 。
30、、 焊料凸点、 柱凸点、 电镀凸点和 / 或诸如此类。导电元件 58 各自可由任何一种或多种材料构造, 例如 但不限于, 金属、 导电环氧树脂、 银环氧树脂和 / 或诸如此类。尽管电接触 66a 和 66b 各自 示出为在相应的侧 62 和 64 上向外延伸, 每个电接触 66a 和 66b 备选地可与相应的侧 62 和 64 齐高或相对于相应的侧 62 和 64 凹陷。 0037 内插器 38 的衬底 60 可由任何一种或多种材料构造。衬底 60 的材料的示例包括, 但不限于, 相对低的声阻抗材料 (例如, 小于近似 10 MRayl 的声阻抗) 、 有机材料、 聚酰亚胺 (例如, Kapt。
31、on) 和 / 或诸如此类。衬底 60 示出为仅包括单层, 但衬底 60 可包括任何数量 的层。在一些实施例中, 衬底 60 一般来说是柔性的, 使得内插器 38 是柔性电路 (有时称为 “挠性电路” ) 。内插器 38 可具有声阻抗, 例如但不限于, 小于近似 10 MRayl 和 / 或在近似 2 MRayl 与近似 15 MRayl 之间。 0038 在一些实施例中, 内插器 38 是将超声换能器 16 电连接到超声系统 (例如, 在图 5 中示出的超声系统 10) 的其他组件的线缆。例如, 内插器 38 可以是以下的线缆 : 其在超声 换能器 16 与 RF 处理器 22(在图 5 中。
32、示出) 、 存储器 24(在图 5 中示出) 、 信号处理器 26(在 图 5 中示出) 、 用户输入 30(在图 5 中示出) 、 存储器 32(在图 5 中示出) 和 / 或显示系统 28 (在图 5 中示出) 之间提供信号、 接地、 控制和 / 电力连接。在一些实施例 (其中内插器 38 是 线缆和柔性电路) 中, 内插器 38 是扁平柔性线缆, 其有时称为 “扁平挠性电路” 、“扁平柔性 导体线缆” 、“挠性线缆” 、“线缆挠性电路” 和 / 或 “柔性扁平线缆” 。 0039 现在只参考图 2, 在示范性实施例中, 内插器 38 使用焊料 46 电连接到声学元件 14 的阵列和集成电。
33、路 36。更具体地, 焊料 46 的层 46a 与内插器 38 的导电元件 58 以及声学 元件 14 的去匹配层 50 接合。因此, 内插器 38 和声学元件 14 的阵列通过焊料 46 的层 46a 而电连接在一起。相似地, 焊料 46 的层 46b 与内插器 38 的导电元件 58 以及集成电路 36 的电接触 56 接合。因此, 内插器 38 和集成电路 36 通过焊料 46 的层 46b 而电连接在一起。 内插器 38 从而将声学元件 14 的阵列电连接到集成电路 36。因为集成电路 36 的电接触 56 可包括多个不同类型的连接 (例如, 相对高的电压连接和相对低的噪声连接) , 。
34、焊料层46b可 用于将集成电路 36 的多个不同类型的连接电连接到内插器 38。焊料 46 的层 46a 在本文可 称为 “第一焊料层” , 而焊料 46 的层 46b 在本文可称为 “第二焊料层” 。 0040 如可以在图2中看到的, 焊料46的每个层46a和46b包括多个单独焊料元件46aa 说 明 书 CN 103417247 A 7 6/13 页 8 和 46bb。首先参考在声学元件 14 与内插器 38 之间延伸的焊料 46 的层 46a, 每个单独焊料 元件46aa在内插器38的一个或多个对应的电接触66a与一个或多个对应的声学元件14的 去匹配层 50 之间接合。也就是说, 每个。
35、单独焊料元件 46aa 采用电连接而与对应的一个或 多个电接触 66a 接合并且与对应的一个或多个去匹配层 50 接合。在其中导电涂层包括在 去匹配层 50 上的实施例中, 焊料元件 46aa 与对应的一个或多个去匹配层 50 的导电涂层接 合。每个单独焊料元件 46aa 在内插器 38 的对应的一个或多个电接触 66a 与对应的一个或 多个声学元件 14 之间提供沿导电轴 70 的电路径。因此, 内插器 38 的电接触 66a 通过焊料 46 的层 46a 的单独焊料元件 46aa 电连接到声学元件 14。单独焊料元件 46aa 在方向 A 和 B 的两个方向上沿导电轴 70 引导电能。因此。
36、, 焊料层 46a 配置成引导信号的传送和接收。 0041 焊料 46 的层 46a 对于任何数量的电接触 66a 和对于任何数量的声学元件 14 可包 括任何数量的单独焊料元件 46aa。例如, 无论由单独焊料元件 46aa 所接合的声学元件 14 的数量是否与由单独焊料元件 46aa 所接合的电接触 66a 的数量相同, 每个单独焊料元件 46aa 可与任何数量的声学元件 14 接合并且与任何数量的电接触 66a 接合。在一些实施例 中, 每个单独焊料元件 46aa 与至少两个声学元件 14 接合。每个单独焊料元件 46aa 可具有 沿导电轴 70 的任何厚度, 例如但不限于, 小于近似 。
37、75m 和 / 或小于近似 25m。 0042 现在参考在内插器 38 与集成电路 36 之间延伸的焊料 46 的层 46b, 每个单独焊料 元件 46bb 在在内插器 38 的一个或多个对应的电接触 66b 与集成电路 36 的一个或多个对 应的电接触56之间接合。 也就是说, 每个单独焊料元件46bb采用电连接而与对应的一个或 多个电接触 66b 接合并且与对应的一个或多个电接触 56 接合。每个单独焊料元件 46bb 在 内插器 38 的对应的一个或多个电接触 66b 与对应的一个或多个电接触 56 之间提供沿导电 轴 70 的电路径。因此, 内插器 38 的电接触 66b 通过焊料 4。
38、6 的层 46b 的单独焊料元件 46bb 电连接到集成电路 36。单独焊料元件 46bb 在方向 A 和 B 的两个方向上沿导电轴 70 引导电 能。因此, 焊料层 46b 配置成引导信号的传送和接收。 0043 焊料 46 的层 46b 对于任何数量的电接触 66b 和对于任何数量的电接触 56 可包括 任何数量的单独焊料元件46bb。 例如, 无论由单独焊料元件46bb所接合的电接触56的数量 是否与由单独焊料元件 46bb 所接合的电接触 66b 的数量相同, 每个单独焊料元件 46bb 可 与任何数量的电接触 56 接合并且与任何数量的电接触 66b 接合。每个单独焊料元件 46bb。
39、 可具有沿导电轴 70 的任何厚度, 例如但不限于, 小于近似 50m 和 / 或小于近似 25m。当 焊料在例如适当的压力和温度的限制环境下固化时, 可能需要均匀地控制厚度并且必须足 够薄使得对超声信号路径的影响被最小化。 可以处理焊接和组装步骤, 例如但不限于, 通过 工业标准设备, 例如在半导体工业中使用的取和放设备。 0044 焊料 46 的层 46a 和 46b 分别在内插器 38 与声学元件 14 之间以及内插器 38 与集 成电路 36 之间提供机械连接。在一些实施例中, 粘合剂 (未示出) 在内插器 38 的基底 60 与 声学元件 14 之间延伸以在基底 60 与声学元件 1。
40、4 之间提供机械连接 (除由焊料层 46a 提供 的电接触 66a 与声学元件 14 之间的机械连接外) 。此外, 在一些实施例中, 粘合剂 (未示出) 在内插器 38 的基底 60 与集成电路 36 之间延伸以在基底 60 与集成电路 36 之间提供机械 连接 (除由焊料层 46b 提供的电接触 66a 与电接触 56 之间的机械连接外) 。除粘合剂外或 作为粘合剂的备选, 在一些实施例中, 任何其他结构、 紧固件、 部件和 / 或诸如此类可用于 将内插器 38 机械连接到声学元件 14 的阵列和 / 或集成电路 36。 说 明 书 CN 103417247 A 8 7/13 页 9 004。
41、5 在对焊料层 46b 的备选中, 集成电路 36 的电接触 56 可使用各向异性导电的导电 粘合剂 (未示出) 电连接到内插器 38 的电接触 66b。也就是说, 在一些实施例中, 超声换能 器 16 不包括焊料 46 的层 46b。关于 “各向异性导电” , 其意指导电粘合剂至少沿导电轴 70 引导电能, 但不沿相对于导电轴 70 在非零角度取向的至少一个其他轴引导电能。 0046 图 3 是根据各种实施例形成的另一个超声换能器 116 的横截面图。图 3 图示一实 施例, 其中超声换能器 116 包括热衬层 136。超声换能器 116 包括声学元件 114 的阵列、 内 插器 138 和。
42、热衬层 136。超声换能器 116 还可包括镜头 140、 衬底 142 和 / 或散热装置 144。 如将在下文更详细描述的, 内插器 138 使用焊料 146 电连接到声学元件 114。焊料 146 还将 内插器 138 机械连接到声学元件 114。 0047 在示范性实施例中, 镜头 140、 声学元件 114 的阵列、 内插器 138、 热衬层 136、 衬底 142 和散热装置 144 布置在栈中, 如可以在图 3 中看到的。在该栈内, 内插器 138 在热衬层 136 与声学元件 114 之间延伸。除图示的栈外或作为图示的栈的备选, 还可提供镜头 140、 声学元件 114、 内插。
43、器 138、 热衬层 136、 衬底 142 和散热装置 144 的其他相对布置。 0048 可采用许多尺寸布置声学元件 114。例如, 声学元件 114 可布置在一维 (1D) 阵列、 1.5D 阵列、 1.75D 阵列、 二维 (2d) 阵列和 / 或诸如此类中。还可使用多种几何形状。在示 范性实施例中, 每个声学元件 114 包括声学层 148、 去匹配层 150 和三个匹配层 152。但是, 每个声学元件 114 可包括任何数量的去匹配层 150 并且可包括任何数量的匹配层 152。内 插器138对于由单独声学元件114形成的特定几何形状用作通过多通道线缆到外部通道的 电连接。超声换能。
44、器的声学元件 114 使用多通道线缆连接到系统。 0049 内插器 138 包括基底 160 和导电元件 158。基底 160 包括相对侧 162 和 164。热 衬层 136 在内插器 138 的侧 164 上机械连接到内插器 138, 如可以在图 3 中看到的。导电 元件 158 由衬底 160 托住并且包括电接触 166。导电元件 158 的电接触 166 沿基底 160 的 侧 162 延伸用于电连接到声学元件 114。在一些实施例中, 基底 160 一般来说是柔性的, 使 得内插器 38 是柔性电路 (有时称为 “挠性电路” ) 。此外, 在一些实施例中, 内插器 38 是以下 的线。
45、缆 : 其将超声换能器 116 电连接到超声系统 (例如, 在图 5 中示出的超声系统 10) 的其 他组件。在一些实施例 (其中内插器 138 是线缆和柔性电路) 中, 内插器 138 是扁平柔性线 缆, 其有时称为 “扁平挠性电路” 、“扁平柔性导体线缆” 、“挠性线缆” 、“线缆挠性电路” 和 / 或 “柔性扁平线缆” 。 0050 如上文简要描述的, 内插器 138 使用焊料 146 电连接到声学元件 114 的阵列。具 体地, 焊料 146 的层 146a 与内插器 138 的导电元件 158 以及声学元件 114 的去匹配层 150 接合。焊料 146 的层 146a 包括多个单独。
46、焊料元件 146aa。每个单独焊料元件 146aa 在内插 器 138 的一个或多个对应的电接触 166 与一个或多个对应的声学元件 114 的去匹配层 150 之间接合。也就是说, 每个单独焊料元件 146aa 采用电连接而与对应的一个或多个电接触 166接合并且与对应的一个或多个去匹配层150接合。 在其中导电涂层包括在去匹配层150 上的实施例中, 焊料元件 146aa 与对应的一个或多个去匹配层 150 的导电涂层接合。每个 单独焊料元件 146aa 在内插器 138 的对应的一个或多个电接触 166 与对应的一个或多个声 学元件 114 之间提供电路径。因此, 内插器 138 的电接。
47、触 166 通过焊料 146 的层 146a 的单 独焊料元件 146aa 电连接到声学元件 114。焊料层 146a 配置成引导信号的传送和接收。 0051 图4是图示根据各种实施例用于制造超声换能器的方法200的流程图。 该方法200 说 明 书 CN 103417247 A 9 8/13 页 10 的示例使用包括制造在图 1、 2 和 5 中示出的超声换能器 16 或在图 3 中示出的超声换能器 116。该方法 200 包括在 202 提供声学元件 (例如, 在图 1、 2 和 5 中示出的声学元件 14 或在 图 3 中示出的声学元件 114) 的阵列。在一些实施例中, 在 202 提。
48、供声学元件作为单个连续 构件 (例如, 单个连续板) 。在其他实施例中, 在 202 提供声学元件作为多个独立的单独声学 元件或作为多个独立的声学元件组。 0052 在 204, 方法 200 包括提供内插器 (例如, 在图 1 和 2 中示出的内插器 38 或在图 3 中示出的内插器 138) , 其中该内插器包括多个导电元件 (例如, 在图 1 和 2 中示出的导电元 件 58 或在图 3 中示出的导电元件 158) 。该方法 200 可包括在 206 将声学元件的阵列和内 插器布置在具有集成电路 (例如, 在图 1 和 2 中示出的集成电路 26) 和 / 或热衬层 (例如, 在 图 3。
49、 中示出的热衬层 136) 的栈中。内插器可包括面向声学元件的阵列的侧和面向集成电 路和 / 或热衬层的侧, 其中这些侧可以是相同的侧或相对的侧。例如当布置在具有声学元 件的阵列和集成电路和 / 或热衬层的栈内时, 内插器具有面向声学元件的阵列的侧和面向 集成电路和 / 或热衬层的相对侧。此外并且例如, 当内插器未布置在栈内时, 内插器的相同 侧可面向声学元件的阵列和集成电路和 / 或热衬层或内插器的不同侧可面向声学元件的 阵列和集成电路和 / 或热衬层。 0053 在 208, 方法 200 包括使用焊料 (例如, 在图 2 中示出的焊料 46 或在图 3 中示出的 焊料 146) 将内插器的导电元件电连接到声学元件的阵列。在 208 将内插器电连接到声学 元件的阵列可包括在 208a 将焊料施加到声学元件和 / 或内插器的导电元件。在一些实施 例中, 在 208a 将焊料施加到声学元件和 / 或导电元件包括在 208aa 使用模板将焊料施加到 声学元件和 / 或导电元件, 如将在下文更详细描述的。 0054 在 208b, 方法 200 。