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1、(10)申请公布号 CN 103531674 A (43)申请公布日 2014.01.22 CN 103531674 A (21)申请号 201310268817.2 (22)申请日 2013.06.28 2012-145449 2012.06.28 JP H01L 33/00(2010.01) H01L 21/683(2006.01) B24B 37/10(2012.01) (71)申请人 日东电工株式会社 地址 日本大阪府 (72)发明人 高桥智一 秋月伸也 杉村敏正 松村健 宇圆田大介 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所 ( 普通合伙 ) 11277 代理人 刘新宇 张。
2、会华 (54) 发明名称 LED 的制造方法 (57) 摘要 一种 LED 的制造方法， 根据本发明的实施方 式的 LED 的制造方法包括背面研磨 LED 晶圆的基 板， 该 LED 晶圆包括发光元件和基板， 其中背面研 磨包括 ： 经由双面压敏粘合片将 LED 晶圆固定到 工作台， 然后研磨基板。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 4 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (10)申请公布号 CN 103531674 A CN 103531674 A 1/1 页 2 1.一种L。
3、ED的制造方法， 所述方法包括背面研磨LED晶圆的基板， 其中所述LED晶圆包 括发光元件和所述基板， 其中， 所述背面研磨包括 ： 经由双面压敏粘合片将所述 LED 晶圆固定到工作台， 然后研 磨所述基板。 2.根据权利要求1所述的LED的制造方法， 其特征在于， 所述双面压敏粘合片在其至少 一面上包括可热剥离的压敏粘合层。 3. 根据权利要求 2 所述的 LED 的制造方法， 其特征在于， 所述双面压敏粘合片包括基体构件和形成在所述基体构件的一面上的可热剥离的压 敏粘合层， 并且 在所述可热剥离的压敏粘合层贴附到所述 LED 晶圆的状态下， 将所述 LED 晶圆固定到 所述工作台。 4. 。
4、根据权利要求 2 所述的 LED 的制造方法， 其特征在于， 所述双面压敏粘合片包括基体构件和形成在所述基体构件的一面上的可热剥离的压 敏粘合层， 并且 在所述可热剥离的压敏粘合层贴附到所述工作台的状态下， 将所述 LED 晶圆固定到所 述工作台。 5.根据权利要求2所述的LED的制造方法， 其特征在于， 所述双面压敏粘合片包括基体 构件和形成在所述基体构件的两个面上的可热剥离的压敏粘合层。 6.根据权利要求3或5所述的LED的制造方法， 其特征在于， 在另一压敏粘合片被进一 步配置在所述双面压敏粘合片和所述 LED 晶圆之间的状态下， 将所述 LED 晶圆固定到所述 工作台。 权 利 要 求。
5、 书 CN 103531674 A 2 1/6 页 3 LED 的制造方法 0001 本申请要求 2012 年 6 月 28 日提交的日本专利申请 No.2012-145449 的优先权， 该 日本专利申请的内容通过引用包含于此。 技术领域 0002 本发明涉及一种 LED 的制造方法。 背景技术 0003 至今， 在 LED 的制造中， 发光元件层叠在基板上以形成 LED 晶圆， 然后基板的发光 元件相反侧的面被研磨 （背面研磨） 以薄化基板 （例如， 日本特开 2005-150675 号公报和特 开 2002-319708 号公报） 。通常， 在经由压敏粘蜡将基板的发光元件侧的面固定到工作。
6、台的 情况下进行这种研磨。 已经经过研磨的LED晶圆还经受如下步骤 ： 例如， 加热上述蜡以剥离 LED 晶圆， 清洁粘在 LED 晶圆上的蜡， 切割 （切片） LED 晶圆以单片化成小元件片， 并且在基板 的发光元件相反侧的面上形成反射层。 0004 上述背面研磨步骤是将 LED 晶圆研磨成非常薄的步骤。因此， 在研磨期间， 存在如 下问题 ： 在 LED 晶圆中容易产生诸如破裂等损伤。另外， 还存在如下问题 ： 施加和清洁蜡需 要人工， 并且因为使用溶剂清洁蜡， 所以环境负担大。而且还存在 LED 受到清洁液的负面影 响的问题。 发明内容 0005 已经做出本发明来解决上述传统问题， 并且。
7、本发明具有如下目的 ： 提供一种环境 负担小的 LED 的制造方法， 该方法简单并且能够通过防止对 LED 晶圆的损伤而高产量地制 造 LED。 0006 根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括 ： 背面研磨LED晶圆的基板， 其中所 述 LED 晶圆包括发光元件和所述基板， 0007 其中， 所述背面研磨包括 ： 经由双面压敏粘合片将所述 LED 晶圆固定到工作台， 然 后研磨所述基板。 0008 在本发明的实施方式中， 所述双面压敏粘合片在其至少一面上包括可热剥离的压 敏粘合层。 0009 在本发明的实施方式中， 所述双面压敏粘合片包括基体构件和形成在所述基体构 件的一面上的可热剥离的。
8、压敏粘合层， 并且在所述可热剥离的压敏粘合层贴附到所述 LED 晶圆的状态下， 将所述 LED 晶圆固定到所述工作台。 0010 在本发明的实施方式中， 所述双面压敏粘合片包括基体构件和形成在所述基体构 件的一面上的可热剥离的压敏粘合层， 并且在所述可热剥离的压敏粘合层贴附到所述工作 台的状态下， 将所述 LED 晶圆固定到所述工作台。 0011 在本发明的实施方式中， 所述双面压敏粘合片包括基体构件和形成在所述基体构 件的两个面上的可热剥离的压敏粘合层。 说 明 书 CN 103531674 A 3 2/6 页 4 0012 在本发明的实施方式中， 在另一压敏粘合片被进一步配置在所述双面压敏。
9、粘合片 和所述 LED 晶圆之间的状态下， 将所述 LED 晶圆固定到所述工作台。 0013 根据本发明， 在背面研磨步骤中， 在经由双面压敏粘合片将 LED 晶圆固定到工作 台之后， 研磨 LED 晶圆。采用这种方式， 可以防止 LED 晶圆受到损伤而高产量地制造 LED。 此外， 根据本发明， 不必使用蜡来固定 LED 晶圆， 因此不必施加和清洁蜡。因此， 可以简单地 制造 LED。此外， 可以避免使用诸如溶剂的清洁液， 因此可以环境负担小地简单地制造 LED。 此外， 可以防止由于清洁液导致的对 LED 的有害影响。 附图说明 0014 在附图中 ： 0015 图 1 的 （A） 至 （。
10、D） 是示出根据本发明的实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤的示意图 ； 0016 图 2 是在根据本发明的实施方式的 LED 的制造方法中使用的 LED 晶圆的示意性截 面图 ； 0017 图 3A 至图 3C 是示出根据本发明的另一实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤的示意图 ； 0018 图 4A 至图 4C 是示出根据本发明的又一实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤的示意图 ； 0019 图 5A 至图 5C 是示出根据本发明的再一实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤的示意图 ； 0020 图 6A 至图 6C 是示出根据本发明的还一实施。
11、方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤的示意图 ； 0021 图 7A 至图 7E 是示出根据本发明的还一实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤之后的各步骤的示意图 ； 以及 0022 图 8A 至图 8E 是示出根据本发明的还一实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤之后的各步骤的示意图。 具体实施方式 0023 A. 背面研磨步骤 0024 本发明的 LED 的制造方法包括研磨 LED 晶圆的基板的背面研磨步骤， 该 LED 晶圆 包括发光元件和基板。 0025 图 1 的 （A） 至 （D） 是示出根据本发明的实施方式的 LED 的制造方法中的背面研磨 步骤的示意。
12、图。此外， 图 2 是 LED 晶圆 100 的示意性截面图。LED 晶圆 100 包括基板 110 和 发光元件 120。基板 110 由任意适当的材料制成。用于构成基板 110 的材料的示例包括 ： 蓝 宝石、 SiC、 GaAs、 GaN 和 GaP。当采用的 LED 晶圆由诸如那些硬和脆的材料制成的情况下， 显著地得到本发明的效果 （也就是， 防止 LED 晶圆 100 受到损伤） 。发光元件 120 包括缓冲 层 1、 n 型半导体层 2、 发光层 3、 p 型半导体层 4、 透明电极 5 和电极 6、 7。发光层 3 包括 ： 例 如， 氮化镓系化合物 （例如， GaN、 AlGa。
13、N 和 InGaN） 、 磷化镓系化合物 （例如， GaP 和 GaAsP） 、 砷 化镓系化合物 （例如， GaAs、 AlGaAs 和 AlGaInP） 和氧化锌 （ZnO） 系化合物。注意， 尽管未示 说 明 书 CN 103531674 A 4 3/6 页 5 出， 但是发光元件 120 可以包括任意其它适当的构件。 0026 在本发明的 LED 的制造方法中， 首先， 如图 1 的 （A） 所示， 经由双面压敏粘合片 200 将 LED 晶圆 100 固定到工作台 300。此时， LED 晶圆 100 以使得基板 110 朝向外侧 （向上） 的 方式被固定。随后， 如图 1 的 （B。
14、） 所示， LED 晶圆 100 的基板 110 被研磨。利用这种研磨， 基板 110 能够被薄化到期望的厚度。已经经过研磨的基板 110 的厚度优选地是 10m 至 500m， 更优选地是 50m 至 300m， 最优选地是 80m 至 150m。此外， 采用的 LED 晶圆 100 的直径优选地是 2 英寸或更大， 更优选地是 3 英寸或更大， 最优选地是 4 英寸或更大。 不特别地限定LED晶圆100的直径的上限， 但是在实际使用中， 直径是例如大约12英寸。 在 本发明的 LED 的制造方法中， 双面压敏粘合片 200 还具有保护 LED 晶圆 100 的功能， 因此可 以防止 LED。
15、 晶圆 100 在研磨期间受到损伤。此外， 能够如上所述地防止 LED 晶圆 100 受到 损伤， 因此能够处理比传统的 LED 晶圆大的大尺寸 （例如， 4 英寸或更大） LED 晶圆， 并且因此 能够高产量地制造 LED。随后， 如图 1 的 （C） 或图 1 的 （D） 所示， 从工作台 300 剥离 LED 晶 圆 100。此时， 可以仅从工作台 300 剥离 LED 晶圆 100 而将双面压敏粘合片 200 留在工作台 300 上 （图 1 的 （C） ） ， 或者可以从工作台 300 剥离 LED 晶圆和双面压敏粘合片 （图 1 的 （D） ） 。 优选地， 如图 1 的 （D） 。
16、所示， 从工作台 300 剥离 LED 晶圆和双面压敏粘合片。采用这种方式， 当 LED 晶圆 100 从工作台 300 剥离时， 可以防止 LED 晶圆 100 受到损伤。 0027 只要可以得到本发明的效果， 可以使用任意适当的双面压敏粘合片作为双面压敏 粘合片 200。在本实施方式中， 如图 1 的 （A） 至 （D） 所示， 采用的双面压敏粘合片 200 包括 基体构件 220 和形成在基体构件 220 两面上的压敏粘合层 210。作为用于构成基体构件 的材料， 可以采用， 例如 ： 诸如聚乙烯、 聚丙烯、 聚丁烯、 聚丁二烯和聚甲基戊烯等的聚烯烃 ； 和聚氯乙烯、 聚氯乙烯共聚物、 。
17、聚对苯二甲酸乙二醇酯、 聚对苯二甲酸丁二醇酯、 聚氨酯、 乙 烯 - 乙酸乙烯酯共聚物、 乙烯 -（甲基） 丙烯酸共聚物、 乙烯 -（甲基） 丙烯酸酯共聚物、 聚苯 乙烯、 聚碳酸酯、 聚酰亚胺和氟系树脂。作为基体构件的形态， 可以采用， 例如 ： 膜、 纺布和 无纺布。另外， 基体构件可以是纸或者金属箔。作为用于构成压敏粘合剂层的材料， 可以采 用， 例如 ： 橡胶系树脂、 丙烯酸系树脂、 硅酮系树脂和聚酰亚胺系树脂。 0028 在本发明的另一实施方式中， 作为双面压敏粘合片， 使用在双面压敏粘合片的至 少一面上包括可热剥离的压敏粘合层的双面压敏粘合片。在本说明书中， 包括可热剥离的 压敏粘。
18、合层的双面压敏粘合片在下文中还被称为 “可热剥离的双面压敏粘合片” 。当可热 剥离的压敏粘合层的面的粘合度通过加热降低或消失时， 能够剥离可热剥离的双面压敏粘 合片。利用可热剥离的双面压敏粘合片， 在研磨期间 LED 晶圆被充分地固定， 并且在研磨之 后， 能够容易地剥离 LED 晶圆。结果， 能够更显著地防止 LED 晶圆受到损伤。此外， 能够容 易地设计自动化步骤。如图 3A 至图 3C、 图 4A 至图 4C 和图 5A 至图 5C 所示， 可热剥离的双 面压敏粘合片 200 、 200 中的每一个均包括基体构件 220 和可热剥离的压敏粘合层 211。 可热剥离的压敏粘合层 211 包。
19、括 ： 例如， 粘合剂或压敏粘合剂， 以及发泡剂。当通过加热使 发泡剂发泡或者膨胀时， 可热剥离的双面压敏粘合片 200 被剥离。可以使用任意适当的粘 合剂 （压敏粘合剂） 作为上述粘合剂 （压敏粘合剂） ， 并且粘合剂的示例包括 ： 丙烯酸系粘合 剂 （压敏粘合剂） 、 橡胶系粘合剂 （压敏粘合剂） 和苯乙烯 - 共轭二烯嵌段共聚物系粘合剂 （压 敏粘合剂） 。可以使用任意适当的发泡剂作为上述发泡剂。发泡剂的示例包括 ： 诸如碳酸 铵、 碳酸氢铵、 碳酸氢钠、 亚硝酸胺、 硼氢化钠和叠氮化物等的无机发泡剂 ； 以及诸如氯氟烷 说 明 书 CN 103531674 A 5 4/6 页 6 烃、。
20、 偶氮系化合物、 肼系化合物、 氨基脲系化合物、 三唑系化合物和 N- 亚硝基系化合物等的 有机发泡剂。这种可热剥离的双面压敏粘合片的细节在日本特开平 5-043851 号公报、 特开 平 2-305878 号公报和特开昭 63-33487 号公报中说明， 上述文献的内容以引用的形式并入 本说明书。 0029 当可热剥离的双面压敏粘合片被用作上述的双面压敏粘合片时， 如图 3A 至图 3C 和图 4A 至图 4C 所示可热剥离的双面压敏粘合片可以在基体构件 220 的一面上包括可热剥 离的压敏粘合层211， 或者如图5A至图5C所示可热剥离的双面压敏粘合片可以在基体构件 220 的两面上包括可。
21、热剥离的压敏粘合层 211。 0030 在图 3A 至图 3C 中示出的实施方式中， 可热剥离的双面压敏粘合片 200 在基体构 件220的一面上包括可热剥离的双面压敏粘合层211， 并且LED晶圆100在可热剥离的压敏 粘合层 211 贴附到 LED 晶圆 100（实质上， 贴附到发光元件 120） 的状态下被固定到工作台 300。在可热剥离的双面压敏粘合片 200 的可热剥离的压敏粘合层 211 相反侧的面 （也就 是， 工作台 300 侧的面） 上， 可以设置压敏粘合层 210， 并且压敏粘合层 210 侧贴附到工作台 300（图 3A） 。在图 3A 至图 3C 中示出的实施方式中， 。
22、基板 110 被研磨 （图 3B） ， 此后， 进行加 热使得LED晶圆100以可热剥离的压敏粘合层的面作为起点从可热剥离的双面压敏粘合片 200 剥离 （图 3C） 。根据本实施方式， 能够防止 LED 晶圆 100 在研磨期间受到损伤。此外， 利用一次操作 （加热） ， 能够剥离 LED 晶圆 100。 0031 在图 4A 至图 4C 中示出的实施方式中， 可热剥离的双面压敏粘合片 200 在基体构 件220的一个面上包括可热剥离的压敏粘合层211， 并且在可热剥离的压敏粘合层211贴附 到工作台 300 的状态下 LED 晶圆 100 被固定到工作台 300。在可热剥离的双面压敏粘合片。
23、 200 的可热剥离的压敏粘合层 211 相反侧的面 （也就是， LED 晶圆 100 侧的面） 上， 可以设置 压敏粘合层 210， 并且压敏粘合层 210 侧贴附到 LED 晶圆 100（图 4A） 。在图 4A 至图 4C 示 出的实施方式中， 基板 110 被研磨 （图 4B） ， 此后， 进行加热使得包括 LED 晶圆 100 和可剥离 的双面压敏粘合片 200 的层叠体以可热剥离的压敏粘合层作为起点从工作台 300 剥离 （图 4C） 。在本实施方式中， 此后， 可剥离的双面压敏粘合片 200 从 LED 晶圆 100 剥离。可热剥 离的双面压敏粘合片 200 可以紧随在背面研磨步。
24、骤之后剥离， 或者可以在进行了预定的后 处理 （例如， 反射层形成步骤） 之后剥离。根据本实施方式， 能够防止 LED 晶圆 100 在研磨期 间并且在研磨之后的处理期间受到损伤， 此外， 可以防止可热剥离的双面压敏粘合片 200 被剥离之后粘合剂残留在 LED 晶圆 100 上。 0032 在图 5A 至图 5C 中示出的实施方式中， 可热剥离的双面压敏粘合片 200 在基体 构件 220 的两面上包括可热剥离的压敏粘合层 211（图 5A） 。在图 5A 至图 5C 中示出的实 施方式中， 基板 110 被研磨 （图 5B） ， 此后， 进行加热使得 LED 晶圆 100 和可热剥离的双面。
25、压 敏粘合片 200 分别地以可热剥离的压敏粘合层的面为起点被剥离 （图 5C） 。根据本实施方 式， 能够防止 LED 晶圆 100 在研磨期间受到损伤。此外， 利用一次操作 （加热） ， LED 晶圆 100 能够被剥离。此外， 在 LED 晶圆 100 被剥离的同时， 可热剥离的双面压敏粘合片 200 能够 从工作台 300 剥离。根据本实施方式， 当多个 LED 晶圆顺序地经受背面研磨步骤时， 能够持 续地并且有效率地处理多个 LED 晶圆。 0033 此外， 如图6A所示， 根据本发明的还一实施方式， 在另一压敏粘合片400进一步被 配置在可热剥离的双面压敏粘合片 200 和 LED。
26、 晶圆 100 之间的状态下， LED 晶圆 100 被固 说 明 书 CN 103531674 A 6 5/6 页 7 定到工作台300。 具体地， 另一压敏粘合片400可以配置在可热剥离的双面压敏粘合片200 的可热剥离的压敏粘合层211和LED晶圆100的发光元件120之间。 在本实施方式中， 基体 100 被研磨 （图 6B） ， 此后， 进行加热使得包括 LED 晶圆 100 和另一压敏粘合片 400 的层叠体 以可热剥离的压敏粘合层的面作为起点从可热剥离的双面压敏粘合片 200 剥离 （图 6C） 。 在本实施方式中， 此后， 另一压敏粘合片 400 从 LED 晶圆 100 剥离。
27、。另一压敏粘合片 400 可 以紧随在背面研磨步骤之后剥离或者可以在进行了预定的后处理 （例如， 反射层形成步骤） 之后剥离。根据本实施方式， 能够防止 LED 晶圆 100 在研磨期间并且在研磨之后的处理期 间受到损伤， 此外， 可以防止粘合剂残留在 LED 晶圆 100 上。 0034 可以使用任何适当的压敏粘合片作为另一压敏粘合片 400。另一压敏粘合片 400 包括 ： 例如， 基体构件 420 和在基体构件 420 的一个面上形成的压敏粘合层 410。作为用于 构成基体构件 420 和压敏粘合层 410 的材料， 可以使用与上述双面压敏粘合片 200 的材料 类似的材料。 0035 。
28、注意， 参考图 6A 至图 6C， 已经对如下的实施方式做出了说明 ： 在该实施方式中， 使 用在基体构件220的一面上包括可热剥离的压敏粘合层211的可热剥离的双面压敏粘合片 200 。另外， 毋庸赘言， 也可以使用在基体构件 220 的两面上均包括可热剥离的压敏粘合层 211 的可热剥离的双面压敏粘合片 200 。 0036 如上所述， 对于常规必须的用于固定 LED 晶圆的蜡在本发明的 LED 的制造方法中 不是必须的。因此， 根据本发明， 不必施加和清洁蜡， 能够简单地制造 LED。此外， 可以避免 诸如溶剂等的清洁液的使用， 因此可以环境负担小地简单地制造 LED。此外， 可以防止由。
29、于 清洁液导致的对 LED 的有害影响。 0037 B. 其它步骤 （在背面研磨步骤之后的步骤） 0038 已经经过背面研磨步骤的 LED 晶圆 100 （其中基板 110 已经如上所述地被研磨） 还 经受如下的后处理的步骤， 包括 ： 例如， 切割LED晶圆100以单片化成小元件片的步骤 （切片 步骤） ， 和在基板的发光元件相反侧的面上形成反射层的步骤 （反射层形成步骤） 。 0039 图 7A 至图 7E 是示出根据本发明的还一实施方式的 LED 的制造方法的各步骤的示 意图。 0040 在本实施方式中， 如图 7A 和图 7B 所示， 已经经过背面研磨步骤的 LED 晶圆 100 经 。
30、受反射层形成步骤。具体地， LED 晶圆 100 以 LED 晶圆 100 的基板 110 侧向上的方式放置在 工作台 300 上 （图 7A） 。此后， 反射层 500 形成在基板 110 的外侧 （图 7B） 。通过形成反射层 500， 能够增加从发光元件 120 提取的光的量。只要来自于发光元件 120 的光可以被令人满 意地反射， 可以使用任意适当的材料作为构成反射层 500 的材料。用于构成反射层 500 的 材料的示例包括 ： 诸如铝、 银、 金、 钯、 铂、 铑和钌等的金属。例如， 由金属制成的反射层 500 可以通过例如气相沉积法 （例如， 有机金属化学气相沉积法 （MOCVD。
31、 法） ） 形成。优选地， 例如 由 SiO2、 TiO2、 ZrO2和 / 或 MgF2制成的底层形成在 LED 晶圆 100 的基板 110 的外侧， 然后由 金属制成的反射层 500 通过气相沉积法形成。 0041 在形成反射层 500 之后， 如图 7C 至 7E 所示， 形成有反射层 500 的 LED 晶圆 100 经 受切片步骤。具体地， LED 晶圆 100 被保持在切片带 600 上 （图 7C） 。此后， 在厚度方向上 半切割 LED 晶圆 100（实质上是基板 110） （图 7D） 。此后， 扩展 （expand） 切片带 600 使得 形成有反射层 500 的 LED。
32、 晶圆 100 从作为起点的切割部被分离以得到单片化成小元件片的 说 明 书 CN 103531674 A 7 6/6 页 8 LED700（图 7E） 。 0042 参考图 7D 和图 7E， 已经对如下的实施方式做出了说明 ： 在该实施方式中， 半切割 LED晶圆100以便从作为起点的切割部分离LED晶圆100 （划线切片） 。 除了划线切片之外， 还 可以采用任意适当的方法作为切割 LED 晶圆的方法。其它方法的示例包括 ： 在整个厚度方 向切割 LED 晶圆以通过扩展而单片化成小元件片的方法， 和仅激光切割 LED 晶圆的厚度方 向上的中央部以从作为起点的切割部分离 LED 晶圆的方法。
33、 （隐形切片 （stealth dicing） ） 。 0043 参考图 7A 至图 7E， 已经对如下的实施方式做出了说明 ： 在该实施方式中， 在用于 分离的切割部形成之前， 进行反射层形成步骤。可以如上所述在切割部形成之前进行反射 层形成步骤， 或者可以如图 8A 至图 8E 所示在切割部形成之后进行反射层形成步骤。在图 8A至图8E中示出的本发明的实施方式中， 已经经过背面研磨步骤的LED晶圆100保持在切 片带 600 上 （图 8A） ， 此后， 半切割 LED 晶圆 100 （图 8B） 。随后， 如上所述地形成有切割部的 LED 晶圆 100 经受反射层形成步骤。也就是， LE。
34、D 晶圆 100 以发光元件 120 侧向下的方式放 置在工作台 300 上。并且反射层 500 形成在 LED 晶圆 100 的基板 110 侧 （图 8C） 。随后， 形 成有反射层 500 的 LED 晶圆 100 以形成有切割部的一侧向上的方式再次保持在切片带 600 上 （图 8D） 。因而， LED 晶圆 100 从作为起点的切割部被分离， 以由此得到单片化成小元件片 的 LED700（图 8E） 。 0044 当已经经过背面研磨步骤的 LED 晶圆包括双面压敏粘合片 （例如， 图 1 的 （D） 和图 4C） 时， 在后处理中， 双面压敏粘合片可以在任意适当的时刻被剥离。例如， 。
35、可以是， 具有双 面压敏粘合片的 LED 晶圆保持在切片带上， 其后剥离双面压敏粘合片。然后， 进行图 8A 至 图 8E 示出的操作。 说 明 书 CN 103531674 A 8 1/4 页 9 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 103531674 A 9 2/4 页 10 图 3C 说 明 书 附 图 CN 103531674 A 10 3/4 页 11 图 4C 图 5C 说 明 书 附 图 CN 103531674 A 11 4/4 页 12 图 6C 图 7A 图 7B 图 7C 图 7D 图 7E 图 8A 图 8B 图 8C 图 8D 图 8E 说 明 书 附 图 CN 103531674 A 12 。