晶片干燥方法和装置 【技术领域】
本发明关于一种晶片干燥方法和装置，其中待干燥晶片相对于垂直方向具有一微倾角。
背景技术
在晶片的制造过程中，一般以去离子水(DIW)清洗晶片。在以去离子水清洗晶片后，一般以异丙醇(IPA)将晶片表面水份脱水干燥。在已知的IPA干燥器10中，如图1所示，潮湿的晶片12被传送至IPA蒸气室内。IPA以氮气(N2)当成传输气体，导入蒸气干燥室15内，由底部加热器11使IPA受热蒸发为蒸气以充满在该蒸气干燥室15中。藉此，IPA的高挥发性可将晶片表面水份脱水，避免水痕，微粒及金属杂质的粘附于晶片表面上。但是，在此已知技术中，承载于晶片载器14内的部份晶片12因没入晶片载器14的沟槽内而无法完全干燥，因此对于可使用的晶片部份形成显著的影响。
在另一已知技术中，如图2所示，其为一Marangoni干燥器20，其利用IPA和去离子水表面张力的不同，将晶片21表面残留得水份吸收流回水槽，以脱水干燥。在Marangoni干燥器中，当清洗完毕后，将晶片自去离子水中缓慢拉出(图中从a位置至b位置)，以氮气23当成传输气体将IPA24吹向潮湿晶片，由于晶片表面的IPA浓度大于去离子水浓度，故表面张力减小，因此水分子被吸回水槽。但是，在该已知技术中，即使利用表面张力差，承载在晶片载器的沟槽中的晶片部份亦难以完全脱水。
一般而言，晶片的水痕限制为离晶片边缘1.5mm，而在制造晶片时，通常排除使用晶片边缘3至5mm。但是，如果欲扩大使用晶片时，由于已知技术无法完全使晶片边缘之水痕干燥，因此对于扩大使用晶片乃形成一瓶颈。
【发明内容】
有鉴于上述已知技术的缺点，亦即无法完全使晶片边缘承载于晶片载器处的部份干燥，本发明揭示一种晶片干燥方法和装置，其中晶片边缘承载于晶片载器沟槽处的部份可获得充分干燥。
为了达成上述目的，本发明揭示一种晶片干燥方法，包含：在一晶片处理箱中，将多个晶片垂直的承载于具有多个沟槽的晶片载器上；以去离子水(DIW)清洗晶片；传送含有异丙醇(IPA)蒸气的氮气至晶片处理箱内以移除在晶片上和在晶片处理箱内部表面的水份；在传送含有IPA蒸气的氮气至晶片处理箱一段时间后，传送加热氮气至晶片处理箱内以蒸发IPA和使晶片干燥；将含IPA的氮气排出晶片处理箱；和将晶片从处理箱中移出以进行晶片其它后续处理，其中该晶片相对于垂直方向具有一微倾角。
在上述晶片干燥方法中，该微倾角为约3至5度。
在上述的晶片干燥方法中，该晶片载器地承载部提供一适当斜角，以使晶片相对于晶片载器的垂直方向具有该微倾角。
在上述的晶片干燥方法中，该晶片载器的底部前端提供一垫，以使晶片载器前端垫高以提供晶片该微倾角。
在本发明的另一观点中，本发明提供一种晶片干燥装置，包含：一晶片处理箱，其中容纳一晶片载器，该晶片载器上具有多个沟槽以承载多个晶片；一蒸气产生器，其设置在处理箱上方，用以产生含IPA蒸气的氮气；一连接管，其连接在蒸气产生器和处理箱间，以传送所产生的蒸气至处理箱；和一排放管，其设置在处理箱底部，以排放蒸气，其中该晶片相对于垂直方向具有一微倾角。
在上述的晶片干燥装置中，该微倾角为约3至5度。
在上述的晶片干燥装置中，该晶片载器的承载部提供一适当斜角，以使晶片相对于晶片载器的垂直方向具有该微倾角。
在上述晶片干燥装置中，该晶片载器的底部前端提供一垫，以使晶片载器的前端垫高以提供晶片该微倾角。
在本发明的又一观点中，本发明提供一种晶片载器，其中该晶片相对于垂直方向具有一微倾角。
在上述的晶片载器中，该微倾角为约3至5度。
在上述的晶片载器中，该晶片载器的承载部提供一适当斜角，以使晶片相对于晶片载器的垂直方向具有该微倾角。
在上述的晶片载器中，该晶片载器的底部前端提供一垫，以使晶片载器的前端垫高以提供晶片该微倾角。
由下述说明伴随附图的描述，其中本发明的较佳实施例以说明例显示，可更了解本发明的上述和其它目的、特征和优点。
【附图说明】
图1为已知IPA干燥器的示意图；
图2为已知Marangoni干燥器的示意图；
图3为本发明的晶片干燥器的示意图；
图4为本发明的晶片干燥器的晶片载器的放大示意图；和
图5为本发明的晶片干燥器的另一晶片载器的放大示意图。
【具体实施方式】
以下参考图3至5说明本发明的实施例。
如图3所示，在本发明的晶片干燥装置1中，包含一晶片处理箱2，其中容纳一晶片载器3，该晶片载器3上具有多个沟槽4(见图4或5)以承载多个晶片5；一蒸气产生器6，其设置在处理箱2上方，用以产生含IPA蒸气的氮气；一加热器7用以加热含IPA的氮气；一连接管8，其连接在蒸气产生器6和处理箱2间，以传送所产生的蒸气至处理箱2；和一排放管9，其设置在处理箱2底部，以排放蒸气。
其次说明本发明的方法。
在一晶片处理箱2中，将多个晶片5垂直的承载于具有多个沟槽4的晶片载器3上，而后以去离子水(DIW)清洗晶片。而后，传送含有异丙醇(IPA)蒸气的氮气至晶片处理箱2内，以移除在晶片5上和在晶片处理箱2内部表面的水份。在传送含有IPA蒸气的氮气至晶片处理箱2一段时间后，传送加热氮气至晶片处理箱2内以蒸发IPA和使晶片5干燥。而后，将含IPA之氮气经由排放管9排出晶片处理箱2外。在完成上述步骤后，将晶片5从处理箱2中移出，以进行晶片其它后续处理。
在本发明的上述方法和装置中，如图3所示，该晶片5相对于垂直方向(如箭头A所示)具有一微倾角。
在本发明的一实施例中，该晶片载器3的晶片承载部31具有一微倾角α，以使承载在晶片载器3上的晶片5相对于晶片载器的垂直方向具有一微倾角α。
在本发明的另一实施例中，该晶片载器3的底部前端设置一垫32，以使晶片载器3提供该晶片所需的微倾角α。
较佳的，该微倾角α约为3至5度。
本发明藉由提供晶片相对于垂直方向一微倾角，没入沟槽中的晶片的边缘可获得更充分的干燥，因此对于晶片边缘的使用可提供莫大的助益。
本发明并不限于上述实施例，且于此仍可达成各种改变和修饰，但其仍属本发明的精神和范畴。因此，本发明的精神和范畴应由下述权利要求书界定的。