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具体实施方式

如在整个说明书中所使用，如果没有另外说明的话，下面的缩写具有以下
含义：℃＝摄氏度；g＝克；mol＝摩尔；L＝升；ca.＝大约；μm＝微米；wt
％＝重量百分比；mL＝毫升；以及μL＝微升。

“卤素”指的是氟、氯、溴和碘，“卤基”指的是氟基、氯基、溴基和碘基。
同样，“卤代”指的是氟代、氯代、溴代和碘代。“烷基”包括直链、支链和环烷
基。同样，“烯基”包括直链、支链和环烯基。“(甲基)丙烯酸酯”包括丙烯酸
酯和甲基丙烯酸酯。术语“双烯”指的是含有具有两个或更多个能够进行
Diels-Alder反应的共轭双键的部分的化合物。“双烯”包括三烯和具有4个或更
多个双键的部分，其中两个双键是共轭双键并能够进行Diels-Alder反应。“亲
双烯体”指的是含有具有至少一个能够进行Diels-Alder反应的碳碳双键的部分
的化合物。“单体”指的是任何能够聚合的化合物并且同时含有亲双烯体和双烯。
在整个说明书中，术语“底层填料”和“封装”可以交换使用，并且包括“顶部密封
(glob-tops)”。术语“底层填料”不包括注塑和其它硬塑料封装。名词指单数和复
数。

除非另有说明，所有的量是重量百分数，所有的比例是摩尔比例。所有的
数值范围包括端点在内的，并可以任何次序结合，除非这些数值范围明显限定
为加至100％。

本发明可再成型聚合树脂包括作为聚合单元的一种或多种亲双烯体和一种
或多种双烯，其中至少一种双烯含有至少一对能够进行Diels-Alder反应的共轭
双键并在共轭双键的第一和第四个碳原子上的至少有一个氢原子。在另一实施
方案中，本发明的可再成型聚合树脂包括作为聚合单元的一种或多种亲双烯体
和一种或多种双烯，其中至少一种双烯含有一个或多个键接到能够进行
Diels-Alder反应的双烯部分的每个烯碳上的氢原子。这样的树脂适用于集成电
路组件中，尤其是作为这种组件的底层填料。多种亲双烯体和双烯可以用于制
备本发明的可再成型树脂。

能够进行Diels-Alder反应的双烯含有至少两个共轭双键，并且可以含有若
干对共轭双键。用于本发明的合适的双烯是在进行或参与Diels-Alder反应的共
轭双键的第一和第四个烯碳原子上含有至少一个氢原子的双烯。这样双烯的碳
原子从双键共轭对的一端开始编号，然后经由所有双键连续编号，如下面合适
的式(I)双烯所示：

其中R¹、R²、R³和R⁴独立地选自于氢、烷基、烯基、芳基、杂原子、取代的
杂原子等。R¹和R²或R³和R⁴可以一起形成环双烯。典型的，R¹、R²、R³和
R⁴独立地选自氢、(C₁-C₂₀)烷基、(C₂-C₂₀)烯基、(C₆-C₁₂)芳基或Y，更典型的是
(C₁-C₁₂)烷基、(C₂-C₁₂)烯基、(C₆-C₁₀)芳基或Y。Y是OR⁵、NR⁶R⁷、CN、CHO、
CO²R¹、C(O)R¹、C(O)NR⁶R⁷等。R⁵是(C₁-C₁₂)烷基、(C₂-C₁₂)烯基或(C₆-C₁₀)
芳基。R⁶和R⁷独立地选自H、(C₁-C₁₂)烷基、(C₂-C₁₂)烯基和(C₆-C₁₀)芳基。当
R¹和R²一起形成环双烯时，这样的环双烯可以是脂环或杂环的。任何上述烷基、
烯基和芳基可以任选被取代。此处“取代”指的是烷基、烯基或芳基的一个或多
个氢原子被一个或多个取代基取代，所述取代基例如羟基、氰基、(C₁-C₆)烷氧
基、氨基、(C₁-C₆)烷基氨基、二(C₁-C₆)烷基氨基、苯基、(C₁-C₆)烷基芳基、卤
素、氧代(＝O)、亚氨基(＝NR⁶)、酮基(-C(＝O)R¹)、环氧化物等。

合适和双烯包括，但不限于：丁双烯、异戊双烯、2-乙烯基-1，3-丁双烯、
1，3-己双烯、2，4-己双烯、1，3-戊双烯、呋喃、吡喃、噻吩、环戊双烯、双-环戊
双烯、三-环戊双烯、环己双烯、环庚双烯、环辛双烯和环辛三烯。其它多官能
双烯也可以使用。术语“多官能双烯”指的是化合物中含有两个或多个能够进行
Diels-Alder反应的双烯部分。例举性的多官能双烯包括双-环戊双烯，例如式(II)
所示：

其中Z是可柔曲部分，例如，但不限于：烷基、烯基、芳基、亚芳基醚、烷基
芳基、(甲基)丙烯酸部分、环氧部分和硅氧烷部分。Z也可以包括任何上述部
分的混合物。可变部分也可以进一步包括一个或多个双烯部分。尤其合适的可
柔曲部分包括聚环氧烷如聚环氧乙烷和聚环氧丙烷，聚亚芳基醚、聚亚芳基酯
和聚硅氧烷例如具有通式(-O-SiR’₂)_n的聚硅氧烷，其中n＝1-100并且更典型的
n＝10-70。

双烯通常可市购或用文献中已知的方法制备。这样的双烯可以纯化或不用
进一步纯化就可以使用。

任意合适的亲双烯体可以用于本发明。这些亲双烯体可以是直链或环状的。
典型的，亲双烯体含有一个或多个能够进行Diels-Alder反应的碳碳双键。更典
型的是，亲双烯体有一个或多个参与Diels-Alder反应的双键，其中烯碳原子上
四个取代基的至少两个是氢原子。氢原子可以都在同一个烯碳原子上，或每个
烯碳原子上有一个氢原子。合适的亲双烯体可以表示为下式：R⁸R⁹C＝CR¹⁰R¹¹，
其中R⁸是(C₁-C₂₀)烷基、(C₂-C₂₀)烯基、(C₆-C₁₂)芳基或A；R⁹、R¹⁰和R¹¹独立地
选自H或(C₁-C₂₀)烷基、(C₂-C₂₀)烯基、(C₆-C₁₂)芳基或A；其中A是吸电子基团
例如卤素、氰基、CO₂R⁸、CO₂H、C(O)NH₂、C(O)NR⁸₂；前提是R⁹、R¹⁰和
R¹¹中的至少两个是氢。

合适的亲双烯体包括，但不限于：乙烯基吡啶例如2-乙烯基吡啶或4-乙烯
基吡啶；低级烷基(C₁-C₈)取代的N-乙烯基吡啶例如2-甲基-5-乙烯基吡啶、2-乙
基-5-乙烯基吡啶、3-甲基-5-乙烯基吡啶、2，3-二甲基-5-乙烯基吡啶和2-甲基-3-
乙基-5-乙烯基吡啶；甲基取代的喹啉和异喹啉；N-乙烯基己内酰胺；N-乙烯基
丁内酰胺；N-乙烯基吡咯烷酮；乙烯基咪唑；N-乙烯基咔唑；N-乙烯基-琥珀酰
亚胺；(甲基)丙烯腈；邻、间或对氨基苯乙烯；马来酰亚胺；N-烷基马来酰亚胺；
N-乙烯基-噁唑烷酮；N，N-二甲基氨基乙基-乙烯基醚；乙基-2-氰基丙烯酸酯；
乙烯基乙腈；N-乙烯基邻苯二甲酰亚胺；N-乙烯基-吡咯烷酮例如N-乙烯基-硫
代-吡咯烷酮、3-甲基-1-乙烯基-吡咯烷酮、4-甲基-1-乙烯基-吡咯烷酮、5-甲基-1-
乙烯基-吡咯烷酮、3-乙基-1-乙烯基-吡咯烷酮、3-丁基-1-乙烯基-吡咯烷酮、3，3-
二甲基-1-乙烯基-吡咯烷酮、4，5-二甲基-1-乙烯基-吡咯烷酮、5，5-二甲基-1-乙烯
基-吡咯烷酮、3，3，5-三甲基-1-乙烯基-吡咯烷酮、4-乙基-1-乙烯基-吡咯烷酮、5-
甲基-5-乙基-1-乙烯基-吡咯烷酮和3，4，5-三甲基-1-乙烯基-吡咯烷酮；乙烯基吡
咯；乙烯基苯胺；乙烯基哌啶；苯乙烯；α-甲基苯乙烯；乙烯基甲苯；对甲基
苯乙烯；乙基乙烯基苯；乙烯基萘；乙烯基二甲苯；(甲基)丙烯酸；丙烯醛(acolein)；
(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯腈；马来酸酐；环氧丁烯；烯丙基缩水甘油醚；降
冰片烯；2，5-二氢呋喃；环己烷；环戊烷；烯烃，即具有通式C_nH_2n的化合物；
乙酸乙烯酯；乙烯基甲酰胺；氯乙烯；氟乙烯；溴乙烯；1，1-二氯乙烯；1，1-二
氟乙烯和1，1-二溴乙烯。

在一具体实施方案中，亲双烯体是多官能单体，即含有一个以上能够进行
Diels-Alder反应的碳碳双键。这种多官能亲双烯体可以含有二、三、四或更多
个这样的碳碳双键。例举性的多官能亲双烯体包括但不限于：聚马来酰亚胺；
二乙烯基苯；非共轭链多烯例如链双烯和链三烯；双(三唑烷二酮)；双(酞嗪二
酮)；醌；双(三氰基乙烯)；马来酸或富马酸聚酯；(甲基)丙烯酸乙烯酯；(甲
基)丙烯酸烯丙酯；三乙烯基苯；二乙烯基甲苯；二乙烯基吡啶；二乙烯基萘；
二乙烯基二甲苯；二丙烯酸乙二醇酯；三羟甲基丙烷三丙烯酸酯；二乙二醇二
乙烯醚；三乙烯基环己烷；乙二醇二甲基丙烯酸酯；二乙二醇二甲基丙烯酸酯；
丙二醇二甲基丙烯酸酯；丙二醇二丙烯酸酯；三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；
二乙烯基苯；甲基丙烯酸缩水甘油酯；2，2-二甲基丙烷-1，3-二丙烯酸酯；1，3-丁
二醇二丙烯酸酯；1，3-丁二醇二甲基丙烯酸酯；1，4-丁二醇二丙烯酸酯；二乙二
醇二丙烯酸酯；二乙二醇二甲基丙烯酸酯；1，6-己二醇二丙烯酸酯；1，6-己二醇
二甲基丙烯酸酯；三丙二醇二丙烯酸酯；三乙二醇二甲基丙烯酸酯；四乙二醇
二丙烯酸酯；聚乙二醇200二丙烯酸酯；四乙二醇二甲基丙烯酸酯；聚乙二醇
二甲基丙烯酸酯；乙氧基化双酚A二丙烯酸酯；乙氧基化双酚A二甲基丙烯酸
酯；聚乙二醇600二甲基丙烯酸酯；聚(丁二醇)二丙烯酸酯；季戊四醇三丙烯酸
酯；三羟甲基丙烷三乙氧基三丙烯酸酯；甘油丙氧基三丙烯酸酯；季戊四醇四
丙烯酸酯；季戊四醇四甲基丙烯酸酯；二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯；二乙烯
基硅烷；三乙烯基硅烷；二甲基二乙烯基硅烷；二乙烯基甲基硅烷；甲基三乙
烯基硅烷；二苯基二乙烯基硅烷；二乙烯基苯基硅烷；三乙烯基苯基硅烷；二
乙烯基甲基苯基硅烷；四乙烯基硅烷；二甲基乙烯基二硅氧烷；聚(甲基乙烯
基硅氧烷)；聚(乙烯基氢化硅氧烷)；聚(苯基乙烯基硅氧烷)；四烯丙基硅烷；
1，3-二甲基四乙烯基二硅氧烷；以及1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷。

尤其适用的聚马来酰亚胺是式III和式IV的化合物：

其中Z定义如上并且n＝1-20。尤其适用的聚马来酰亚胺是式V和式VI的化合
物：

其中n＝1-100。

亲双烯体是本领域已知的或可市购，或可以用文献中已知的方法制备。例
如双-马来酰亚胺可以根据在McElhanon等， Journal of Applied Polymer
Science 85(2002)第1496-1502页公开的步骤制备。这种亲双烯体可以纯化成不
用进一步纯化即可使用。

双烯的混合物也可用于本发明。同样的，亲双烯体的混合物也可用于本发
明。典型的，优选多官能双烯。也优选多官能亲双烯体。更典型的是，多官能
双烯和多官能亲双烯体同时使用。与使用不是多官能的双烯或亲双烯体相比，
多官能双烯和多官能亲双烯体的同时使用得到了更多网络互穿。

通常，本发明的可再成型树脂是通过一种或多种双烯与一种或多种亲双烯
体的Diels-Alder聚合制备的，其中至少一种双烯含有至少一对能够进行
Diels-Alder反应的共轭双键，并且在共轭双键的第一和第四个碳原子含有至少
一个氢原子。双烯部分和亲双烯体部分的比例典型的是1∶1，但也可以是
0.75∶1-1∶0.75。这种反应可以在纯态进行，即没有溶剂，或在溶剂的存在下进行。
当这种反应在纯态进行时，至少一种反应物典型的是液体，或者反应物被加热
到足以使一种或多种反应物熔融的温度，并且聚合反应在此熔融相进行。许多
溶剂适用于本发明的Diels-Alder反应。例举性的溶剂包括，但不限于：醇类例
如甲醇、乙醇、丙醇和丁醇；酰胺类例如N，N-二甲基乙酰胺和N，N-二甲基甲酰
胺(“DMF”)；醚类例如四氢呋喃(“THF”)；和二甲基亚砜(“DMSO”)。

一种或多种双烯和一种或多种亲双烯体以及任选的溶剂以任意次序混合来
制备底层填料组合物。该组合物可以直接使用也可以进行预聚合。术语“预聚合”
指的是部分聚合，其增加了组合物中组分的分子量和组合物的粘度。这种预聚
合的组合物然后可以进一步聚合。通常，本发明的Diels-Alder聚合可以在高温
(即高于室温)、高压(即高于大气压)，或高温高压下进行。典型的，本发明
的Diels-Alder聚合可以在60℃-250℃的温度下进行，更典型的是75℃-225℃。
具体反应条件取决于选择的具体双烯和亲双烯体。

作为底层填料合适的也可以是聚环硅氧烷。尤其适用的聚环硅氧烷是式
VII所示化合物：

其中a＝1-20；b＝Y的化合价；R是O、(C₁-C₁₂)亚烷基、(C₁-C₃)亚烷氧基、
亚芳基和亚芳氧基；并且Y是H、OH、(SiE_c)_d和

每个E独立地是R、H、O、OH、(C₁-C₁₂)烷基、(C₂-C₁₂)烯基、芳基和(C₁-C₁₂)
烷氧基；c＝0-3；d＝1-100；并且a’＝1-20。典型的，a＝2-8。更典型的，R是(C₂-C₈)
亚烷基。典型的，b＝1-4。在另一实施方式中，d＝2-80。这种聚环硅氧烷可以用
很多方法制备，例如在国际专利申请WO94/02536(Buese等)描述的方法。

通常，作为底层填料的可再成型硅氧烷可以通过pKa小于0，优选≤-3，更
有选≤-5，典型为-9的酸性催化剂、含有一种或多种上述多官能硅氧烷单元的一
种或多种聚环硅氧烷和一种或多种聚硅氧烷的混合物反应来制备，该聚硅氧烷
选自于线性聚二甲基硅氧烷、含有6-50个硅-氧键的聚二甲基环硅氧烷、聚二
甲基硅氧烷和非硅氧烷有机聚合物的线性或环状嵌段共聚物，以及式
Si(R¹²)(R¹³)O的硅氧烷的线性或环状无规共聚物，其中R¹²和R¹³不同并选自于
H、(C₁-C₁₈)烷基、(C₂-C₁₈)烯基、(C₆-C₁₀)芳基和羟基(C₁-C₁₈)烷基。该反应可以
在纯态或在有机溶剂中进行。合适的聚二甲基硅氧烷包括，但不限于：具有式
CH₃(Si(CH₃)₂O)_nCH₃的那些，其中n＝1-100,000或更高，典型的n＝10-250。例
举性的聚二甲基环硅氧烷包括，但不限于：具有式(-Si(CH₃)₂O-)_m的化合物，其
中m＝3-25，典型的m＝4-12。聚硅氧烷组分也可以由聚二甲基硅氧烷和非硅氧
烷有机聚合物的线性或环状嵌段共聚物组成，非硅氧烷有机聚合物例如：聚亚
烷基、聚亚芳基、聚酯、聚醚、聚酰胺、聚酰亚胺、聚氨基甲酸脂和聚脲。这
些共聚物中，二甲基硅氧基单体单元(-Si(CH₃)₂O)和非二甲基硅氧基单体单元的
比例在1∶1-100,000∶1的范围内。

合适的酸性催化剂包括，但不限于：三氟甲磺酸、硝基三氟甲基苯磺酸、
三氟甲基苯磺酸、五氟苯磺酸、2，2，2-三氟乙磺酸、硝基苯磺酸、二硝基苯磺酸、
氟代苯磺酸、硝基氟代苯磺酸、硝基三氟甲磺酸和苯二磺酸。典型的，基于反
应混合物的总重，反应混合物中的酸性催化剂以0.05-0.5wt％的量存在。可以预
计，超出这个范围的酸性催化剂的量也可以使用。

当加入酸性催化剂时，催化剂可以以多种方式分散，例如振荡或搅拌。反
应可以在大气压下进行，尽管这样，较高或较低的压力也可以采用。反应温度
可以在较大的范围变化。典型的，反应温度是室温，但也可以是室温到100℃或
更高的范围。

通常，本发明的聚环硅氧烷底层填料组合物仅仅在使用前制备，或混合并
在低温下储存，直到使用。聚环硅氧烷首先与任何一种或多种聚硅氧烷混合，
该聚硅氧烷选自线性聚二甲基硅氧烷、含有6-50个硅-氧键的聚二甲基环硅氧
烷、聚二甲基硅氧烷和非硅氧烷有机聚合物的线性或环状嵌段共聚物、以及式
Si(R¹⁰)(R¹¹)O硅氧烷的线性或环状无规共聚物，其中R¹⁰和R¹¹不同并选自于H、
(C₁-C₁₈)烷基、(C₂-C₁₈)烯基、(C₆-C₁₀)芳基和羟基(C₁-C₁₈)烷基。然后聚环硅氧烷
底层填料组合物与酸性催化剂混合。紧接着，该组合物以任何合适方法施加到
IC组件，例如下面所述。

在另一个实施方案中，本发明的底层填料组合物可以含有一种或多种粘合
剂，其包括一种或多种聚环硅氧烷的Diels-Alder反应产物。任意合适的双烯或
亲双烯体可以分别与含有一个或多个亲双烯体部分或双烯部分的聚环硅氧烷反
应。例举性的含有亲双烯体部分的聚环硅氧烷包括，但不限于：含有乙烯基、
烯丙基、苯乙烯基以及任何其它能够进行Diels-Alder反应的碳碳双键的化合物。
例举性的含有双烯部分的聚环硅氧烷包括，但不限于：含有环戊双烯基、丁双
烯基、呋喃基和任何其它能够进行Diels-Alder反应的共轭碳碳双键的化合物。
由于其能够改变底层填充材料的许多性质，例如CTE，这些Diels-Alder聚环硅
氧烷反应产物尤其有用。

本发明底层填料组合物可以任选含有一种或多种添加剂，例如助流剂、着色
剂、触变剂、填料等。可以选择填料以提供一种具有预期CTE和导热性的固化
底层填料。合适的填料包括，但不限于：SiO₂、Al₂O₃、BN、AlN、SiC、ZrW₂O₈、
ZrV₂O₇、金刚石和类金刚石材料。这些材料是本领域已知的。典型的，填料用于
本发明的底层填料组合物中。由于其降低最终固化膜的CTE，人们希望较高量
的填料用于底层填料组合物中。通常，底层填料组合物中填料以最高达90％的体
积存在。填料典型的以10-90％的体积含量使用，更典型的以20-80％的体积含
量使用，还典型的以50-75％体积含量使用。合适的助流剂包括表面活性剂。使
用时，表面活性剂典型的以0.01-1wt％的量存在，更典型的以0.1-0.5wt％的量
存在。这些填料在施加底层填充材料到IC组件的步骤之前加入到底层填料组合
物中。

可以使用任何合适的方法将本发明的底层填料组合物施加到IC组件中。
合适的方法包括利用毛细流动、非流动技术和晶片涂敷技术。

底层填料通常通过使用毛细管力施加。具有焊球的芯片(die)(或IC)与其
上已经形成压焊区焊盘的衬底对准。然后组件送入“回流炉”以熔化焊球并将芯
片连接到衬底上。从炉中取出并冷却后，液态底层填料通过分配针(注射器或
管)分配，材料通过毛细管力流进芯片和衬底之间。然后组件置于炉中，直到
底层填充材料已固化。此处固化也可以通过使用加热板、热风器、加热灯和其
它合适方式来完成。固化阶段可以花费几分钟到几小时，取决于材料以及固化
条件。

图1提供了毛细流动底层填料应用的示意图。根据图1，具有焊球(或凸
点)10的芯片(或IC)5安装在载体衬底15上，由此界定了载体衬底15和芯
片5之间的缝隙7。载体衬底15置于加热器20(如在80℃-90℃)。用于施加底
层填充材料30的分配针(或管)25邻近缝隙7。然后材料30通过毛细流动流
进缝隙7。

典型地，非流动底层填料在其没有完全固化之前以液体形式施加到载体衬
底(如印刷电路板或封装)上。然后具有焊球的芯片(或IC)压制在衬底上，
代替液体底层填料。整个组件送入炉中，在此焊料重熔与衬底形成电接触；同
时或在额外的步骤，底层填料固化为组件提供了机械强度。

图2提供了一种非流动底层填料方法的示意图。根据图2，底层填充材料30
从分配针25施加到具有焊盘35的载体衬底15上。具有焊球10的芯片5施加到载
体衬底15上，这样焊盘35和焊球10对齐，形成了IC预组件40。然后加热IC预
组件40使焊料重熔，并固化底层填充材料30以提供最终IC组件45。

在单个的芯片(或IC)被分开之前，施加于晶片的底层填料典型地施加到
晶片。典型地，首先形成焊球。然后，或者施加液态底层填料并使其变平(例
如通过旋涂)，或者干膜底层填料被层压在晶片的凸起的表面(亦即，具有焊球
的表面)上。在干膜底层填充材料的情况下，需要部分除去底层填充材料以重
新暴露焊球。在分开过程中，可以使用保护层保持材料的洁净。已经具有焊球
和其上具有底层填充材料的芯片然后置于载体衬底上，再热处理以重熔焊料并
固化底层填充材料。

本发明的底层填充材料也具有作为芯片粘结剂的功能，亦即它们促进芯片
或IC与载体衬底的附着。本发明进一步的优点是提供的底层填充材料可再成型
或再加工，这使得IC可以从IC组件中拆下。这种IC拆卸可以通过将底层填
充材料加热到足以熔化或至少部分解聚该底层填料的温度来实现。这种加热可
以任选在溶剂的存在下进行。更进一步的优点是本发明的底层填充材料是自修
复的。此处“自修复”指的是，对于在底层填充材料中的小缺陷，例如裂纹，可
以通过材料本身修复。这种“自修复”可以在加热下发生，例如利用在含有该IC
组件的电子器件的正常使用中产生的热。为了达到自修复，底层填充材料需要
在聚合物和组成聚合物的单体内具有一定的柔曲性和一定的反应性，使得底层
填充材料在使用中能够部分解聚和再聚合以修复某些缺陷，例如裂纹。本发明
的底层填料组合物具有这样的柔曲性。

更进一步的优点是本发明的组合物能够用于形成器件包封剂，例如顶部密
封。在这些器件中，本发明的组合物被施加到整个器件中然后固化。这种顶部
密封通常用于电子封装或光电子封装，包括发光二极管和转发器。

以下实施例用于说明本发明的其它不同方面，但在任何方面不应视为对本

发明范围的限制。

                           实施例1

呋喃(0.3mol)(“双烯”)和环氧丁烯(0.3mol)(“亲双烯体”)的底层填料混合物
在烧瓶中混合。搅拌混合物然后加入到分配注射器中。

具有焊球的芯片与具有如上所定义的焊盘的印刷电路板衬底对准。组件然
后送入“回流炉”以熔化焊球并将芯片连接到衬底上。从炉中取出并冷却后，底
层填料混合物从注射器中分配，并且材料通过毛细管力拉动进入芯片和衬底的
缝隙中。组件然后放进炉中，直到底层填充材料固化。

                           实施例2

底层填料组合物通过在烧瓶中混合2-乙烯基-1，3-丁双烯(0.41mol)(“双烯”)
和化合物A(n＝3)(0.40mol)(“亲双烯体”)而制备。然后搅拌混合物15分钟。

底层填料组合物通过旋涂施加在具有附着在未分开芯片的每个耦合焊盘上
的焊球的晶片上。底层填料然后加热固化。然后在芯片的分开过程中，涂敷保
护层以保持材料的洁净。分开之后，除去保护层并将分开的芯片置于5×5cm的
FR4衬底上，以形成IC组件，然后热处理以重熔焊料并完成底层填料的固化。

                       实施例3-16

重复实施例1的步骤，除了使用下面的双烯和亲双烯体，以及任选的溶剂。

                         实施例17-30

重复实施例2中的步骤，除了使用下面的双烯和亲双烯体，以及任选的溶
剂。

                         实施例31

具有焊球的芯片与具有如上所定义的焊盘的印刷电路板衬底对准。组件然
后送入“回流炉”以熔化焊球并将芯片连接到衬底上。从炉中取出并冷却后，将
1.93g八甲基环四硅氧烷、0.01g三-(2-七甲基环四硅氧烷-乙基)甲基硅烷和0.6g
气相法硅石填料的混合物的底层填料组合物与5μL三氟甲磺酸通过注射器快速
分配，并且底层填料组合物通过毛细管力进入芯片和衬底的缝隙中。底层填料
组合物快速固化，不过在内部保持相对低的粘度。

                           实施例32

重复实施例31的步骤，除了底层填料组合物是0.19g 1，3，5，7-四-(2-七甲基
环四硅氧烷-基-乙基)-1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷和14.81g八甲基环四硅氧烷与
1μL三氟甲磺酸的混合物。

                           实施例33

重复实施例31的步骤，除了底层填料组合物是0.27g 1，1，3，3-四-(2-七甲基
环四硅氧烷-基-乙基)-1，3-二甲基二硅氧烷和14.73g八甲基环四硅氧烷与1μL三
氟甲磺酸的混合物。

                           实施例34

重复实施例31的步骤，除了底层填料组合物是0.08g三-(2-七甲基环四硅
氧烷-基-乙基)甲基硅烷和14.92g八甲基环四硅氧烷与2μL三氟甲磺酸的混合
物。

                           实施例35    

重复实施例31的步骤，除了底层填料组合物是030g 1，3-二-{(2-[三-(2-七甲
基环四-硅氧烷-基-乙基)]-甲硅烷基乙基}-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和14.70g八甲
基环四硅氧烷与2μL三氟甲磺酸的混合物。

                           实施例36

一种焊接掩膜8层(环氧树脂玻璃)印刷电路板于155℃下置于凝胶板上，
允许加热到一定温度。实施例2中的底层填料组合物施加到电路板上并将IC置
于底层填料组合物的顶部使其粘附于电路板上。然后电路板从凝胶盘移开使其
冷却至室温。由于底层填料组合物在室温下形成交联固体，IC将保持粘附于电
路板上。然后电路板重新引入到热凝胶板并加热1分钟。随后，由于粘合结构
恢复到其未交联的液体形态，IC可以很容易地从电路板移开。然后IC借助于
仍然存在的粘性膜回贴到电路板的原始位置，进而将电路板从凝胶板上移去并
冷却至室温。

                         实施例37

实施例2中的2个IC组件从1.3米高落向地面，机械撞击在每个IC组件
固化的底层填充材料上产生可见的缺陷。第一个IC组件重新加热至少1小时。
重新加热以后，检验底层填料，没有发现可见的缺陷。第二个IC组件连接在试
验装置并经受正常工作状态至少12小时。使用后，检验IC组件，没有发现可
见的缺陷。