磁头悬架的布线结构及其制造方法.pdf

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1、(10)申请公布号 CN 103093764 A (43)申请公布日 2013.05.08 CN 103093764 A *CN103093764A* (21)申请号 201210430657.2 (22)申请日 2012.11.01 2011-241693 2011.11.02 JP G11B 5/48(2006.01) G11B 5/84(2006.01) (71)申请人 日本发条株式会社 地址 神奈川县 (72)发明人 荒井肇 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 代理人 丁文蕴 杜德海 (54) 发明名称 磁头悬架的布线结构及其制造方法 (57) 摘要 本发。

2、明涉及一种包括挠曲件的磁头悬架的布 线结构。所述挠曲件支撑磁头并附接到给磁头施 加负载的负载梁， 所述布线结构包括形成在挠曲 件上并连接到磁头的写布线和读布线， 每个都具 有相反极性的导线。该布线结构还包括堆叠交错 部件， 堆叠交错部件具有电连接到写布线的各个 导线的段， 该段通过电绝缘层堆叠在导线上并面 对它， 从而面对的导线和段具有相反的极性。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 9 页 附图 15 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书9页 附图15页 (10)申请公布号 CN 103093764 A C。

3、N 103093764 A *CN103093764A* 1/2 页 2 1. 一种包括挠曲件的磁头悬架的布线结构， 所述挠曲件支撑用于写数据到记录介质和 从记录介质读数据的磁头并附接到给磁头施加负载的负载梁， 所述布线结构包括 ： 形成在挠曲件上并连接到磁头的写布线和读布线， 每个都具有相反极性的导线 ； 和 至少为写布线设置的堆叠交错部件， 该堆叠交错部件包括在每个段的两端处电连接到 写布线的各个导线的段， 该段通过电绝缘层堆叠在写布线的导线上并面对它， 从而面对的 导线和段具有相反的极性以在堆叠交错部件处至少交错写布线。 2. 根据权利要求 1 所述的布线结构， 其中， 挠曲件包括导电薄。

4、基材、 形成在基材上的基 底绝缘层和形成在基底绝缘层上的写布线和读布线， 电绝缘层是形成在基底绝缘层上的中 间绝缘层。 3. 根据权利要求 2 所述的布线结构， 其中， 基材具有在与堆叠交错部件相对应的位置 处的窗口， 窗口的开口率是相对于堆叠交错部件设置的。 4. 根据权利要求 1 所述的布线结构， 其中， 写布线的导线通过挠曲件的导电薄基材的 一部分形成， 堆叠交错部件的段形成在基底绝缘层上， 基底绝缘层形成于导电薄基材上并 用作电绝缘层。 5. 根据权利要求 1 所述的布线结构， 其中， 堆叠交错部件的每个段通过穿过电绝缘层 的导体电连接到写布线的相对应导线。 6. 根据权利要求 5 所。

5、述的布线结构， 其中 ： 堆叠交错部件的每个段包括面对段和设置在面对段的各个端部的第一及第二交叉段， 面对段堆叠在相反极性的导线上并面对它， 交叉段连接到相同极性的导线 ； 所述段中的一个的第一和第二交叉段分别交叉所述段中的另一个的第二和第一交叉 段 ； 每个段的第一交叉段通过导体电连接到相同极性的导线 ； 以及 每个段的第二交叉段包括导线侧的臂和面对侧的臂， 导线侧的臂形成在基底绝缘层上 并从相同极性的导线延伸， 面对侧的臂形成在中间绝缘层上并从面对段延伸， 导线侧的臂 和面对侧的臂通过导体彼此连接并交叉另一段的第一交叉段。 7. 根据权利要求 1 所述的布线结构， 其中， 堆叠交错部件的总。

6、布线宽度比设置有堆叠 交错部件的布线的总布线宽度窄。 8. 根据权利要求 7 所述的布线结构， 其中， 堆叠交错部件的每个段形成在相对应导线 的横向中心、 内侧和外侧中的一个上。 9. 一种制造权利要求 5 所述的布线结构的方法， 包括 ： 形成导线的布线步骤 ； 绝缘层形成步骤， 其在导线上形成电绝缘层并在导线上形成导体， 从而导体穿过电绝 缘层并从电绝缘层的表面露出 ； 以及 堆叠交错部件形成步骤， 其在电绝缘层上形成堆叠交错部件并将堆叠交错部件电连接 到导体。 10. 一种制造权利要求 5 所述的布线结构的方法， 包括 ： 形成导线的布线步骤 ； 在导线上形成电绝缘层的绝缘层形成步骤 ；。

7、 以及 堆叠交错部件形成步骤， 其在电绝缘层上形成堆叠交错部件并形成导体， 从而导体穿 权 利 要 求 书 CN 103093764 A 2 2/2 页 3 过堆叠交错部件和电绝缘层并将堆叠交错部件电连接到导线。 11. 一种制造权利要求 5 所述的布线结构的方法， 包括 ： 形成第一和第二极性导线的布线步骤 ； 绝缘层形成步骤， 其在导线上形成电绝缘层并在导线上形成穿过电绝缘层的孔 ； 以及 堆叠交错部件形成步骤， 其在电绝缘层上形成堆叠交错部件并在孔中形成导体以将堆 叠交错部件电连接到导线。 12. 根据权利要求 9 所述的方法， 其中导体通过镀铜形成。 权 利 要 求 书 CN 1030。

8、93764 A 3 1/9 页 4 磁头悬架的布线结构及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及磁头悬架的布线结构以及制造该布线结构的方法， 该磁头悬架安装在 信息处理器的硬盘驱动器中， 信息处理器如计算机。 背景技术 0002 最近硬盘驱动器被要求具有大容量和高传输率且在低功耗下运行。 0003 为了满足这些需求， 尤其是， 为了实现高速数据传输， 磁头悬架必须能够处理宽带 宽。与之相关的， 公开号为 H10-124837 的日本待审专利申请披露了一种交错式布线结构。 图 22 和 23 举例说明了应用了交错式布线结构的写布线 101。写布线 101 形成于基底绝缘 层上， 包括第一极性导。

9、线 101aa 和 101ab 以及第二极性导线 101ba 和 101bb， 它们水平交错 并具有相同宽度。第一极性导线 101aa 和 101ab 的第一端通过旁路导线 101c 彼此相连， 第 二极性导线 101ba 和 101bb 的第一端通过旁路导线 101d 彼此相连。第一极性导线 101aa 和 101ab 的第二端通过电桥 101e 彼此相连， 第二极性导线 101ba 和 101bb 的第二端通过电 桥 101f 彼此相连。 0004 根据现有技术的交错式布线结构使第一和第二极性导线 101aa,101ab,101ba 和 101bb 在同一平面上交错， 因而极大地加宽了交错。

10、式布线结构的整体宽度、 限制了设计磁头 悬架的自由度。 发明内容 0005 本发明的一个目标是提供一种磁头悬架的布线结构， 能够应用交错式布线配置， 同时阻止布线结构的整体宽度的增加， 从而提高设计磁头悬架的自由度。 0006 为了实现该目标， 本发明的一个方面提供一种磁头悬架的布线结构， 包括挠曲件， 其支撑用于写数据到记录介质及从记录介质读数据的磁头并附接到给磁头施加负载的负 载梁。该布线结构包括形成在挠曲件上并连接到磁头的写布线和读布线， 每个布线都具有 相反极性的导线。该布线结构还包括至少为写布线设置的堆叠交错部件， 该堆叠交错部件 包括在每个段的两端电连接到写布线的各个导线的段。 该。

11、段通过电绝缘层堆叠在写布线的 导线上并面对它， 从而相对的导线和段具有相反的极性以至少交错在堆叠交错部件处的写 布线。 0007 本发明的该方面在堆叠交错部件处实现了交错的布线配置， 从而阻止了整体布线 宽度的增加， 保证了设计磁头悬架的自由度。 0008 本发明的另一方面提供一种制造上述方面的布线结构的方法。该方法包括 ： 形成 第一和第二极性导线的布线步骤 ； 在导线上形成电绝缘层并在导线上形成导体的绝缘层形 成步骤， 这样导体穿过电绝缘层并从电绝缘层的表面露出 ； 以及在电绝缘层上形成堆叠交 错部件并将堆叠交错部件电连接到导体的堆叠交错部件形成步骤。 0009 本发明的这个方面适当地用堆。

12、叠交错部件形成了交错的布线结构。 说 明 书 CN 103093764 A 4 2/9 页 5 附图说明 0010 图 1 是图示采用了根据本发明的第一实施例的布线结构的磁头悬架的平面图 ； 0011 图 2 是沿图 1 的线 II-II 的截面图， 图示了为根据第一实施例的磁头悬架的写布 线设置的堆叠交错部件 ； 0012 图 3 是示意性地图示图 2 的堆叠交错部件的透视图 ； 0013 图 4A 至 4D 是图示制造图 2 的布线结构的方法的截面图， 其中， 图 4A 是布线步骤， 图 4B 是绝缘层形成步骤， 图 4C 是堆叠交错部件形成步骤， 图 4D 是盖绝缘层形成步骤 ； 001。

13、4 图 5A 至 5D 是对应于图 4A 至 4D 的透视图， 仅图示了堆叠交错部件处的布线 ； 0015 图 6A 至 6F 是图示图 4A 至 4D 的方法的变形的截面图， 其中， 图 6A 是布线步骤， 图 6B 是绝缘层形成步骤， 图 6C 至 6E 是堆叠交错部件形成步骤， 图 6D 中， 制作孔为了露出导 线， 图 6F 是盖绝缘层形成步骤 ； 0016 图 7A 至 7D 是图示图 4A 至 4D 的方法的另一变形的截面图， 其中， 图 7A 是布线步 骤， 图 7B 是绝缘层形成步骤， 图 7C 是堆叠交错部件形成步骤， 图 7D 是盖绝缘层形成步骤 ； 0017 图 8A 和。

14、 8B 是图示根据第一实施例的布线结构的传输损耗和频率之间的关系的 图， 其中， 图 8A 是常规图， 为具有堆叠交错部件的布线的传输损耗 （GMAX） ， 图 8B 是图 8A 的 图的局部放大图 ； 0018 图 9 是图示根据本发明的第一实施例的第一变形的磁头悬架的写布线的堆叠交 错部件的截面图 ； 0019 图 10 是图示根据第一变形的导线宽度比和传输损耗下降 （DIP） 之间的关系的图 ； 0020 图 11 是图示根据本发明的第一实施例的第二变形的磁头悬架的写布线的堆叠交 错部件的截面图 ； 0021 图 12 是图示根据第二变形的导线宽度比和传输损耗下降 （DIP） 之间的关系。

15、的图， 其中， 区段 45BA 和 43BA 以及导线 27 和 29 每个间隔 15m ； 0022 图 13 是图示根据本发明的第一实施例的第三变形的磁头悬架的写布线的堆叠交 错部件的截面图 ； 0023 图 14 是图示根据第三变形的导线宽度比和传输损耗下降之间的关系的图， 其中， 区段 45CA 和 43CA 之间的间隔比导线 27 和 29 之间的间隔宽， 其外边缘对准 ； 0024 图15A至15C是图示为根据本发明的第一实施例的布线结构设置的窗口的出现或 不出现的透视图， 其中， 图 15A 没有窗口， 图 15B 具有窗口率为 50% 的窗口， 图 15C 具有窗口 率为 10。

16、0% 的窗口 ； 0025 图 16 是图示根据第一实施例的窗口率和传输损耗下降之间的关系的图 ； 0026 图 17 是图示根据第一实施例的布线宽度比和带宽之间的关系的图， 其中布线长 度为 30mm ； 0027 图 18 是图示根据第一实施例的布线宽度比和阻抗之间的关系的图， 其中布线长 度为 30mm ； 0028 图 19 是图示根据第一实施例的阻抗和带宽之间的关系的图， 其中布线长度为 30mm ； 0029 图 20 是图示为根据本发明的第二实施例的磁头悬架的写布线设置的堆叠交错部 件的截面图 ； 说 明 书 CN 103093764 A 5 3/9 页 6 0030 图 21A。

17、 至 21D 是制造图 20 的布线结构的方法的截面图， 其中， 图 21A 至 21C 是布 线步骤， 图 21D 是堆叠交错部件形成步骤 ； 0031 图 22 是图示根据现有技术的水平交错式布线结构的透视图 ； 0032 图 23 是图示图 22 的现有技术的电路图。 具体实施方式 0033 将解释本发明的实施例。每个实施例实现磁头悬架的堆叠式和交错式布线结构， 同时阻止布线的宽度的增加， 从而保证设计磁头悬架的自由度。 0034 将参考附图详细解释本发明的第一实施例。 0035 图 1 是图示应用了根据本发明的第一实施例的布线结构的磁头悬架的平面图。 0036 在图 1 中， 磁头悬架。

18、 1 包括负载梁 3、 基座 5 和挠曲件 7。 0037 负载梁 3 将负载施加到用来写数据到记录介质和从记录介质中读数据的磁头 21。 负载梁 3 具有刚性部件 9 和弹性部件 11。刚性部件 9 用例如薄不锈钢钢板制造， 该钢板具 有例如大约 100 微米的厚度。 0038 弹性部件 11 与刚性部件 9 分离， 并用例如弹性薄不锈钢轧制钢板制造。弹性部件 11 的弹簧常数比刚性部件的低， 而且是精确的。弹性部件 11 的厚度是例如大约 40 微米。 弹性部件 11 的第一端通过例如激光焊接固定到刚性部件 9 的后端。弹性部件 11 的第二端 与加强板 13 形成一体。 0039 基座 。

19、5 具有位于并通过例如激光焊接固定于加强板 13 上的基板 15。 0040 加强板 13 加强基板 15， 从而形成基座 5。基座 5 附接到绕着主轴被驱动的托架的 臂。 0041 挠曲件 7 包括用导电薄板制造的基材 17， 导电薄板比如弹性薄不锈钢轧制钢板 （SST） ， 该钢板具有大约 15 至 30 微米的厚度。在基材 17 上， 布线图 19 穿过基底绝缘层 35 而形成， 该绝缘层下文再解释。 0042 布线图 19 包括写布线 19a 和读布线 19b。每个写布线 19a 和读布线 19b 都包括第 一极性导线和第二极性导线， 它们是相反极性的导线。 也就是说， 第一极性是正极。

20、性和负极 性中的一个， 而第二极性是其中的另一个。写布线 19a 和读布线 19b 中的导线有时被称为 “轨迹” 。根据第一实施例， 写布线 19a 设置为具有堆叠交错部件 31。 0043 挠曲件 7 通过例如激光焊接固定在负载梁 3 的刚性部件 9 上。布线图 19 的第一 端电连接到磁头 21， 布线图 19 的第二端延伸到基座 5 的外部。也就是说， 写和读布线 19a 和 19b 形成在挠曲件 7 上并连接到磁头 21， 每个都具有相反极性的导线。 0044 挠曲件 7 具有支撑用于磁头 21 的滑块的悬臂舌 23。 0045 磁头21具有写元件和读元件， 写元件比如磁感应换能器， 。

21、读元件比如MR元件、 GMR 元件或者 TuMR 元件， 以提高读灵敏度。 0046 将详细解释具有根据第一实施例的布线结构的堆叠交错部件 31 的挠曲件 7 的堆 叠结构。 0047 图 2 是沿图 1 的线 II-II 的截面图， 图示了具有堆叠交错部件 31 的堆叠结构， 图 3 是示意性地图示具有堆叠交错部件 31 的堆叠结构的透视图。 0048 在磁头悬架 1 的布线结构中， 挠曲件 7 的写布线 19a 在基材 17 上有第一极性导线 说 明 书 CN 103093764 A 6 4/9 页 7 （轨迹） 27、 具有与第一极性导线 27 相反极性的第二极性导线 （轨迹） 29 和。

22、作为堆叠结构的 堆叠交错部件 31。 0049 基材 17 具有穿过基材 17 形成的窗口 33。窗口 33 具有宽度 H 和长度 L（图 15） ， 并形成来增加阻抗以及加宽带宽。窗口 33 的宽度 H 被设为大于写布线 19a 的宽度， 其长度 L 被设为与堆叠交错部件 31 相对应。也就是说， 窗口 33 形成在与堆叠交错部件 31 相对应 的位置处。窗口 33 相对于堆叠交错部件 31 的开口率或窗口率是可调的， 从而调节将在下 文解释的阻抗、 带宽和传输损耗下降。根据第一实施例， 窗口 33 相对于堆叠交错部件 31 的 开口率 （窗口率） 是 100%（图 15） 。 0050 在。

23、基材17上形成基底绝缘层35。 基底绝缘层35是用挠性绝缘树脂制成的电绝缘 层， 挠性绝缘树脂如聚酰亚胺， 具有大约 5 至 20 微米的厚度。在基底绝缘层 35 上， 形成具 有相反极性的导线 27 和 29。 0051 在基底绝缘层 35 上的中间绝缘层 37 是用挠性绝缘树脂形成的电绝缘层， 挠性绝 缘树脂例如聚酰亚胺。在中间绝缘层 37 上形成堆叠交错部件 31。在图 2 中， 堆叠交错部 件 31 的布线宽度等于具有相反极性的导线 27 和 29 的布线宽度。堆叠交错部件 31 的端部 连接到导线 27 和 29。堆叠交错部件 31 包括相对于导线 27 和 29 交替的面对的段 4。

24、3a 和 45a， 这样彼此面对的面对段 43a（45a） 和导线 29（27） 具有相反的极性。 0052 堆叠交错部件 31 的端部和导线 27 和 29 之间的连接用穿过中间绝缘层 37 而形成 的导体 39a,39b,41a 和 41b 来实施。 0053 堆叠交错部件 31 包括面对段 43a 和 45a 以及交叉段 43b,43c,45b 和 45c。面对段 43a 和一对交叉段 43b 和 43c 形成电连接到第一极性导线 27 的第一极性段。面对段 45a 和 一对交叉段 45b 和 45c 形成电连接到第二极性导线 29 的第二极性段。也就是说， 堆叠交错 部件 31 包括在。

25、每个段的两端电连接到写布线 19a 的各个导线 27 和 29 的段。 0054 第一极性的面对段43a堆叠在相反极性的第二极性的导线29上并面对它， 中间绝 缘层 37 插入在它们之间。第二极性的面对段 45a 堆叠在相反极性的第一极性的导线 27 上 并面对它， 中间绝缘层 37 插入在它们之间。第一极性的交叉段 43b 和 43c 在面对段 43a 的 端部和相同极性的导线 27 之间伸展。第二极性的交叉段 45b 和 45c 在面对段 45a 的端部 和相同极性的导线 29 之间伸展。也就是说， 交叉段 43b 和 43c（45b 和 45c） 设置在面对段 43a （45a） 的各个。

26、端部。相反极性的交叉段 43b 和 45c 彼此交叉， 相反极性的交叉段 43c 和 45b 彼此交叉。 0055 这样， 段通过中间绝缘层 37 堆叠在导线 27 和 29 上并面对着它们， 从而使得面对 的导线 27（29） 和段具有相反的极性， 以在堆叠交错部件 31 处交错写布线 19a。 0056 堆叠交错部件 31 的交叉配置在需要时是可调的。 0057 交叉段 43b 通过导体 39a 电连接到导线 27， 交叉段 45b 通过导体 41a 电连接到导 线 29。 0058 交叉段 43c 具有面对侧的臂 43ca 和导线侧的臂 43cb， 交叉段 45c 具有面对侧的 臂 45。

27、ca 和导线侧的臂 45cb。面对侧的臂 43ca 与形成在中间绝缘层 37 上的面对段 43a 是 一体的， 面对侧的臂 45ca 与形成在中间绝缘层 37 上的面对段 45a 是一体的。导线侧的臂 43cb与形成在基底绝缘层35上的导线27是一体的， 导线侧的臂45cb与形成在基底绝缘层 35 上的导线 29 是一体的。 说 明 书 CN 103093764 A 7 5/9 页 8 0059 面对侧的臂 43ca 和导线侧的臂 43cb 的端部通过导体 39b 彼此电连接。面对侧的 臂 45ca 和导线侧的臂 45cb 的端部通过导体 41b 彼此电连接。结果， 交叉段 43b 和 45c。

28、 彼 此交叉， 交叉段 43c 和 45b 彼此交叉。 0060 中间绝缘层 37 用盖绝缘层 47 来覆盖， 盖绝缘层为由挠性绝缘树脂制成的电绝缘 层， 挠性绝缘树脂比如聚酰亚胺。盖绝缘层 47 的厚度大约是 1 至 20 微米。盖绝缘层 47 覆 盖堆叠交错部件 31 的表面， 从而保护它不受外力。 0061 将参照图4A至4D以及图5A至5D来解释制造根据第一实施例的布线结构的方法， 其中， 图 4A 是布线步骤， 图 4B 是绝缘层形成步骤， 图 4C 是堆叠交错部件形成步骤， 图 4D 是 盖绝缘层形成步骤。图 5A 至 5D 是仅图示了与图 4A 至 4D 相应的布线的透视图。 0。

29、062 在图4A和5A中， 布线步骤S1在基底绝缘层35上通过例如镀铜来形成导线 （轨迹） 27 和 29。与此同时， 导线侧的臂 43cb 和 45cb 分别与导线 27 和 29 一体成形。 0063 在图 4B 和 5B 中， 绝缘层形成步骤 S2 在具有导线 27 和 29 的基底绝缘层 35 上形 成中间绝缘层 37。由此， 绝缘层 37 形成在导线 27 和 29 上。绝缘层 37、 孔 39aa,41aa 中的 导体 39a,39b,41a 和 41b 等也通过镀铜形成。虽然图 4B 仅图示了用于导体 39a 和 41a 的 孔 39aa 和 41aa， 但是用于导体 39b 和。

30、 41b 的孔也形成了。这些孔形成为穿过中间绝缘层 37。导体 39a,41a,39b 和 41b 分别形成在导线 27 和 29 以及导线侧的臂 43cb 和 45cb 上， 这样导体就穿过中间绝缘层 37 并从中间绝缘层 37 的表面露出。根据该实施例， 导体露出 来以与中间绝缘层 37 的表面基本齐平。 0064 在图 4C 和 5C 中， 堆叠交错部件形成步骤 S3 在中间绝缘层 37 上形成堆叠交错部 件 31， 并将堆叠交错部件 31 电连接到导体。也就是说， 步骤 S3 通过例如在中间绝缘层 37 上镀铜形成面对段 43a 和 45a、 交叉段 43b 和 45b 和面对侧的臂 。

31、43ca 和 45ca。交叉段 43b 和 45b 分别连接到导线 27 和 29 上的导体 39a 和 41a。面对侧的臂 43ca 和 45ca 分别连接 到导线侧的臂 43cb 和 45cb 上的导体 39b 和 41b。 0065 图 4C 图示了交叉段 43b 和 45b 与导体 39a 和 41a 之间的连接， 因此， 从位置上而 言， 不同于图 2， 图 2 在没有导体出现的位置图示了导线 27 和 29 以及面对段 43a 和 45a。 0066 在图4D和5D中， 盖绝缘层形成步骤S4在中间绝缘层37上形成盖绝缘层47， 从而 覆盖堆叠交错部件 31 的表面。 0067 将参。

32、考图 6A 至 6F 解释图 4A 至 4D 和图 5A 至 5D 中说明的方法的变形， 其中， 图 6A 是布线步骤， 图 6B 是绝缘层形成步骤， 图 6C 至 6E 是堆叠交错部件形成步骤， 图 6F 是盖绝 缘层形成步骤。 0068 图 6A 的布线步骤 S11、 图 6B 的绝缘层形成步骤 S12、 图 6C 至 6E 的堆叠交错部件 形成步骤 S13 至 S15 和图 6F 的盖绝缘层形成步骤 S16 分别对应于图 4A 的布线步骤 S1、 图 4B 的绝缘层形成步骤 S2、 图 4C 的堆叠交错部件形成步骤 S3 和图 4D 的盖绝缘层形成步骤 S4。布线步骤 S11 和盖绝缘层。

33、形成步骤 S16 与布线步骤 S1 和盖绝缘层形成步骤 S4 基本相 同。 0069 在图6B中， 绝缘层形成步骤S12不形成孔。 在图6D中， 步骤S14形成孔39ab， 41ab 等， 孔穿过堆叠交错部件 31 和电绝缘层， 即交叉段 43b 和 45b、 面对侧的臂 43ca 和 45ca、 中 间绝缘层 37 并到达导线 27 和 29 以及导线侧的臂 43cb 和 45cb。虽然图 6D 仅图示了用于 导体 39a 和 41a 的孔， 但是用于导体 39b 和 41b 的孔也形成了。在图 6E 中， 步骤 S15 通过 说 明 书 CN 103093764 A 8 6/9 页 9 例。

34、如像图 5 一样的镀铜在孔 39ab,41ab 等中形成导体 39a,41a,39b 和 41b。 0070 将参考图 7A 至 7D 解释图 4A 至 4D 和图 5A 至 5D 中说明的方法的另一变形， 其中， 图 7A 是布线步骤， 图 7B 是绝缘层形成步骤， 图 7C 是堆叠交错部件形成步骤， 图 7D 是盖绝 缘层形成步骤。 0071 图 7A 的布线步骤 S21、 图 7B 的绝缘层形成步骤 S22、 图 7C 的堆叠交错部件形成步 骤 S23 和图 7D 的盖绝缘层形成步骤 S24 分别对应于图 4A 的布线步骤 S1、 图 4B 的绝缘层形 成步骤 S2、 图 4C 的堆叠交。

35、错部件形成步骤 S3 和图 4D 的盖绝缘层形成步骤 S4。布线步骤 S21 和盖绝缘层形成步骤 S24 与布线步骤 S1 和盖绝缘层形成步骤 S4 基本相同。 0072 在图 7B 中， 绝缘层形成步骤 S22 在导线 27 和 29 上形成穿过中间绝缘层 37 的孔 39ac， 41ac等。 虽然图7B仅图示了用于导体39a和41a的孔， 但是用于导体39b和41b的孔 也形成了。在图 7C 中， 步骤 S23 通过例如像图 5 一样的镀铜在孔内形成导体 39a,39b,41a 和 41b， 并一起形成堆叠交错部件 31（尤其是其段） 。 0073 也就是说， 步骤 S23 在中间绝缘层 。

36、37 上通过镀铜形成面对段 43a 和 45a、 交叉 段 43b 和 45b、 面对侧的臂 43ca 和 45ca。与此同时， 导体 39a,41a,39b 和 41b 形成在孔 39ac,41ac 等内。因此， 步骤 S23 将堆叠交错部件 31 电连接到导线 27 和 29。 0074 将解释本发明的第一实施例的效果。 0075 根据第一实施例的磁头悬架 1 的布线结构包括挠曲件 7， 其支撑用于写数据到记 录介质及从记录介质中读数据的磁头 21 并附接到施加负载到磁头 21 的负载梁 3。 0076 布线结构具有形成在挠曲件 7 上并电连接到磁头 21 的写布线 19a 和读布线 19。

37、b， 每个布线具有相反极性的导线。 0077 挠曲件 7 具有导电薄基材 17、 形成在基材 17 上的基底绝缘层 35 和形成在基底绝 缘层 35 上的写布线 19a 和读布线 19b。布线 19a 设置有堆叠交错部件 31。堆叠交错部件 31 包括形成在中间绝缘层 37 上的面对段 43a 和 45a， 中间绝缘层 37 形成在基底绝缘层 35 上。面对段 43a 和 45b 是在每个段的两端处电连接到各自的导线 27 和 29 的段。面对段 43a 和 45b 通过中间绝缘层 37 堆叠在导线 27 和 29 上并面对它们， 这样彼此面对的导线和 面对段具有相反极性以在堆叠交错部件 31。

38、 处交错写布线 19。 0078 相应地， 布线结构通过堆叠交错部件 31 形成交错的布线结构， 以阻止写布线 19a 的整体布线宽度的增加， 从而保证设计磁头悬架 1 的自由度。 0079 如图 4A 至 4D 和 5A 至 5D 所示的根据第一实施例的磁头悬架 1 的布线结构的制 造方法包括 ： 形成与导线侧的臂 43cb 和 45cb 一体的导线 27 和 29 的布线步骤 S1 ； 绝缘层 形成步骤 S2， 其在导线 27 和 29 上形成中间绝缘层 37、 以及在导线 27 和 29 和导线侧的臂 43cb 和 45cb 上的导体 39a,41a,39b 和 41b， 从而导体 39。

39、a,41a,39b 和 41b 穿过中间绝缘层 37 并从中间绝缘层 37 的表面露出 ； 堆叠交错部件形成步骤 S3， 其形成堆叠交错部件 31， 即 中间绝缘层 37 上的面对段 43a 和 45a、 交叉段 43b 和 45b 和面对侧的臂 43ca 和 45ca， 从而 交叉段 43b 和 45b 连接到导线 27 和 29 上的导体 39a 和 41a， 面对侧的臂 43ca 和 45ca 连接 到导线侧的臂 43cb 和 45cb 上的导体 39b 和 41b ； 以及形成覆盖中间绝缘层 37 的盖绝缘层 47 的盖绝缘层形成步骤 S4。 0080 该方法适当地形成了堆叠交错部件 。

40、31。 0081 根据第一实施例， 堆叠交错部件 31 的布线宽度等于包括如图 2 所示的导线 27 和 说 明 书 CN 103093764 A 9 7/9 页 10 29 的写布线 19a 的布线宽度。这种配置展示了在图 8A 和 8B 的图中所示的传输损耗和频 率的特性， 其中， 图 8A 是常规图， 图 8B 是图 8A 的图的局部放大图。在图 8A 和 8B 中， 纵坐 标表示传输损耗， 横坐标表示频率， 特性曲线 49 表示具有相应于导线 27 和 29 的导线而没 有堆叠交错部件 31 的标准布线， 特性曲线 51 表示具有堆叠交错部件 31 的第一实施例的布 线。 0082 在。

41、图 8A 和 8B 中， 标准布线的曲线 49 是平滑的， 而根据第一实施例的布线的曲线 51 包括传输损耗下降 51a。 0083 下降 51a 起无意识的过滤器或使带宽变窄的作用。 0084 为了解决这个问题， 将参考图 9-14 来解释第一实施例的第一至第三变形。 0085 图 9 是图示根据本发明的第一实施例的第一变形的磁头悬架的写布线的堆叠交 错部件的截面图， 图 10 是图示根据第一实施例的第一变形的布线宽度比和传输损耗下降 之间的关系的图。 0086 图 11 是图示根据本发明的第一实施例的第二变形的磁头悬架的写布线的堆叠交 错部件的截面图， 图 12 是图示根据第一实施例的第二。

42、变形的布线宽度比和传输损耗下降 之间的关系的图。 0087 图 13 是图示根据本发明的第一实施例的第三变形的磁头悬架的写布线的堆叠交 错部件的截面图， 图 14 是图示根据第一实施例的第三变形的布线宽度比和传输损耗下降 之间的关系的图。 0088 图9中图示的第一变形的与图2中图示的第一实施例的相对应的部件用相同的附 图标记或者相同的附图标记加 “A” 来表示。图 11 中图示的第二变形的与图 2 相应的部件 用相同的附图标记或者相同的附图标记加 “B” 来表示。图 13 中图示的第三变形的与图 2 相应的部件用相同的附图标记或者相同的附图标记加 “C” 来表示。 0089 在图 9、 11。

43、 和 13 的第一至第三变形中的每个中， 堆叠交错部件 31A（31B,31C） 的 面对段 43Aa（43Ba， 43Ca） 和 45Aa（45Ba,45Ca） 的整体布线宽度比导线 27 和 29 的整体布 线宽度窄。 0090 根据图 9 的第一变形， 堆叠交错部件 31A 的面对段 43Aa 和 45Aa 形成在导线 27 和 29 的横向中心侧上。 0091 根据图 11 的第二变形， 堆叠交错部件 31B 的面对段 43Ba 和 45Ba 形成在导线 27 和 29 的横向内侧上。 0092 根据图 13 的第三变形， 堆叠交错部件 31C 的面对段 43Ca 和 45Ca 形成在。

44、导线 27 和 29 的横向外侧上。 0093 第一至第三变形的其余配置与图 1 至 3 的第一实施例相同。 0094 将参考图 10、 12 和 14 的图解释每个变形的布线宽度比和传输损耗下降之间的关 系。在每个图中， 纵坐标表示传输损耗下降， 横坐标表示布线宽度比。 “布线宽度比” 是面对 段 43Aa（43Ba， 43Ca） 和 45Aa（45Ba,45Ca） 的整体布线宽度与导线 27 和 29 的整体布线宽 度的比。 0095 可以考虑优选 0.1dB 或更低的传输损耗下降。图 9 和 10 的第一变形展示了在 45-70% 的布线宽度比处， 图 11 和 12 的第二变形在 30。

45、-65% 的布线宽度比处， 图 13 和 14 的 第三变形在 50-70% 的布线宽度比处， 传输损耗下降是 0.1dB 或更低。相应地， 这些布线宽 说 明 书 CN 103093764 A 10 8/9 页 11 度比对各自的变形而言是优选的。 0096 如果允许更大的传输损耗下降， 布线宽度比的优选范围也会更宽。 0097 传输损耗下降还可以通过改变窗口 33 相对于堆叠交错部件 31 的开口率 （窗口率） 而调整。图 15A 至 15C 是图示为根据本发明的第一实施例的布线结构设置的窗口 33 的出 现或不出现的透视图， 其中， 图 15A 没有窗口， 图 15B 具有开口率为 50。

46、% 的窗口， 图 15C 具有 开口率为 100% 的窗口。 0098 图 16 是图示窗口率和传输损耗下降之间的关系的图。 0099 如图16所示， 100%的窗口率展示了最小的传输损耗下降。 最好是根据所需特性选 择窗口率。 0100 第一实施例的第一至第三变形相对于导线 27 和 29 不同地布置了面对段 43Aa （43Ba， 43Ca） 和 45Aa（45Ba,45Ca） ， 相应地， 展示了不同的带宽。 0101 图 17 是图示布线宽度比和带宽之间的关系的图， 图 18 是图示布线宽度比和阻抗 之间的关系的图， 图19是图示阻抗和带宽之间的关系的图。 在图17中， 纵坐标表示带宽。

47、， 横 坐标表示布线宽度比。在图 18 中， 纵坐标表示阻抗， 横坐标表示布线宽度比。在图 19 中， 纵坐标表示带宽， 横坐标表示阻抗。 0102 与图 17 的带宽相关， 图 11 的将堆叠交错部件 31B 的面对段 43Ba 和 45Ba 布置在 导线 27 和 29 的横向内侧上的第二变形的特性曲线 53 显示了最窄的带宽， 图 9 的将堆叠交 错部件 31A 的面对段 43Aa 和 45Aa 布置在导线 27 和 29 的横向中心侧的第一变形的特性曲 线 55 显示了中间的带宽， 图 13 的将堆叠交错部件 31C 的面对段 43Ca 和 45Ca 设置在导线 27 和 29 的横向。

48、外侧的第三变形的特性曲线 57 显示了最宽的带宽。 0103 与图18的阻抗相关， 第二变形的特性曲线53显示了最高的阻抗， 第三变形的特性 曲线 57 显示了中间的阻抗， 第一变形的特性曲线 55 显示了最低的阻抗。 0104 在图 19 的相同阻抗下， 第三变形的特性曲线 57 显示了最宽的带宽。 0105 考虑到布线中的校正误差， 采取中心侧布置的图9的第一变形的特性曲线55是最 优选的。 0106 根据所需特性， 可以选择面对段对 43Aa 和 45Aa、 43Ba 和 45Ba 以及 43Ca 和 45Ca 中的一种布置。 0107 将参考图 20-21 详细解释本发明的第二实施例。。

49、 0108 图 20 是图示根据本发明的第二实施例的为磁头悬架的写布线设置的堆叠交错部 件的截面图。图 20 中与图 2 的第一实施例相对应的部件用相同的附图标记加 “D” 来表示。 0109 根据第二实施例， 写布线 19Da 的相反极性的导线 27D 和 29D 用挠曲件 7D 的导电 薄基材 17D 的一部分来形成。 0110 基底绝缘层 35D 是形成在基材 17D 上的电绝缘层， 在基底绝缘层 35D 上形成了堆 叠交错部件 31D。堆叠交错部件 31D 的端部电连接到导线 27D 和 29D。堆叠交错部件 31D 包括分别面对导线 29D 和 27D 的面对段 43Da 和 45Da， 以及与第一实施例相同的其他元件。 0111 第二实施例与第一实施例的不同在于第二实施例部分地使用挠曲件 7D 的基材 17D 来形成导线 27D 和。