一种低辐射镀膜玻璃及其制造方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201110403335.4

申请日:

2011.12.06

公开号:

CN103144379A

公开日:

2013.06.12

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):B32B 17/06申请公布日:20130612|||实质审查的生效IPC(主分类):B32B 17/06申请日:20111206|||公开

IPC分类号:

B32B17/06; B32B9/04; B32B15/04; C03C17/36

主分类号:

B32B17/06

申请人:

天津南玻节能玻璃有限公司; 天津南玻工程玻璃有限公司

发明人:

刘霄枫; 刘双; 王烁; 杜彦

地址:

301700 天津市武清区武清开发区福源道68号

优先权:

专利代理机构:

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人:

梁挥;尚群

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内容摘要

一种低辐射镀膜玻璃及其制造方法,包括玻璃基片和镀覆在其上的镀膜,该镀膜包括多层电介质组合层和设置在相邻的电介质组合层之间的AZO介质单元层,AZO介质单元层包括功能层和AZO介质阻隔层,AZO介质阻隔层敷设在功能层的两侧;或AZO介质单元层还包括阻隔层,阻隔层敷设在AZO介质阻隔层与功能层之间;或该AZO介质单元层包括功能层、AZO介质阻隔层和阻隔层,该阻隔层与该AZO介质阻隔层分别敷设在该功能层的两侧。制造方法包括:a、设置玻璃基片;b、在玻璃基片上镀覆电介质组合层;c、在电介质组合层上镀覆AZO介质单元层;d、在AZO介质单元层上镀覆另一电介质组合层;e、重复步骤c与步骤d。

权利要求书

权利要求书一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀覆在所述玻璃基片上的镀膜,其特征在于,所述镀膜包括多层电介质组合层和设置在相邻的所述电介质组合层之间的AZO介质单元层,所述AZO介质单元层包括功能层和AZO介质阻隔层,所述AZO介质阻隔层敷设在所述功能层的两侧;
或所述AZO介质单元层包括功能层、AZO介质阻隔层和阻隔层,所述AZO介质阻隔层分别敷设在所述功能层的两侧,所述阻隔层敷设在所述AZO介质阻隔层与所述功能层之间;
或所述AZO介质单元层包括功能层、AZO介质阻隔层和阻隔层,所述阻隔层与所述AZO介质阻隔层分别敷设在所述功能层的两侧。
如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述AZO介质阻隔层的厚度为15~20nm。
如权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述AZO介质阻隔层的AZO化学计量比为ZnOx∶AlOx=97∶3。
如权利要求1、2或3所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述电介质组合层包括底层电介质组合层、中层电介质组合层和顶层电介质组合层,所述底层电介质组合层与所述中层电介质组合层之间敷设有第一AZO介质单元层,所述中层电介质组合层和所述顶层电介质组合层之间敷设有第二AZO介质单元层,所述底层电介质组合层敷设在所述玻璃基片上。
如权利要求4所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一AZO介质单元层包括依次敷设的第一AZO介质阻隔层、第一阻隔层、第一功能层、第二阻隔层和第二AZO介质阻隔层,所述第二AZO介质单元层包括依次敷设的第三AZO介质阻隔层、第三阻隔层、第二功能层、第四阻隔层和第四AZO介质阻隔层,所述第一AZO介质阻隔层敷设在所述底层电介质组合层上,所述第三AZO介质阻隔层敷设在所述中层电介质组合层上,所述中层电介质组合层敷设在所述第二AZO介质阻隔层上,所述顶层电介质组合层敷设在所述第四AZO介质阻隔层上。
如权利要求1、2、3或5所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述底层电介质组合层的厚度为28~35nm,所述中层电介质组合层的厚度为65~70nm,所述顶层电介质组合层的厚度为25~30nm。
如权利要求6所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述功能层为银层。
如权利要求1、2、3、5或7所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述电介质组合层为TiO2、ZnSnOX、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5或Si3N4材料层中的一种或几种。
如权利要求1、2、3、5或7所述的低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述阻隔层为Ni、Ti、Cr、NiCr、NiCrOX和NiCrNX材料层中的一种或几种。
一种如权利要求1、2、3、5或7所述的低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
a、设置玻璃基片;
b、在所述玻璃基片上镀覆电介质组合层;
c、在所述电介质组合层上镀覆AZO介质单元层;
d、在所述AZO介质单元层上镀覆另一电介质组合层;
e、重复步骤c与步骤d,直到达到需要的镀膜厚度。
如权利要求10所述的低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,所述步骤c包括:
c1、在电介质组合层上镀覆一AZO介质阻隔层;
c2、在所述AZO介质阻隔层上镀覆一阻隔层;
c3、在所述阻隔层上镀覆一功能层;
c4、在所述功能层上镀覆另一阻隔层;
c5、在所述另一阻隔层上镀覆另一AZO介质阻隔层。

说明书

说明书一种低辐射镀膜玻璃及其制造方法
技术领域
本发明涉及一镀膜玻璃,特别是一种镀有含AZO电介质阻隔层的具有可钢化双功能层结构的低辐射镀膜玻璃及其制造方法。
背景技术
目前,低辐射镀膜玻璃的生产方法主要有两种。一种是在线镀膜,一般是指在浮法玻璃生产过程中,在温度较高的玻璃表面按一定配比先后喷涂某些化学雾剂,使之形成具有一定低辐射功能的化合物薄膜,并使之具有较好的物理化学性能,因此一般较为适合在民用市场中推广。另一种是离线镀膜。一般是指将辐射率极低的金属银或其它金属和金属化合物按一定结构、比例通过真空磁控溅射的方式将其镀在玻璃表面的一种镀膜方式。但是,在线低辐射镀膜玻璃的辐射率较高,光学及热学性能相对于离线低辐射镀膜玻璃要相差很多,且颜色变化及遮阳性能较难控制。相对于离线低辐射镀膜,玻璃产品颜色较为单一,所以离线镀膜正逐步被市场所接受。
目前,市场上所推广的可钢化低辐射镀膜产品,主要是单银可钢化产品,一般辐射率<0.15。例如申请号为“200910238978”,名称为“镀膜玻璃及其制造方法”的中国发明专利申请所公开的镀膜玻璃,其中功能层Ag层只有一层,即其膜层结构是可钢化单银产品。对于目前市场上的可钢化热处理镀膜玻璃,绝大部分是单银结构,其辐射率较高,尤其钢化热处理后,其辐射率会出现劣化,甚至出现辐射率>0.15的现象,即已经不再是低辐射Low‑e玻璃了。而且,由于单银固有的结构特性,其颜色品种较为单一,已经很难满足现在市场需求及社会发展需要。在传统的低辐射玻璃加工过程中,为了能实现较好的隔热系数U值和选择系数Lsg(可见光透过与遮阳系数的比值),就必须增加膜层中的银层厚度来降低玻璃膜层的辐射率,以得到理想的选择系数,但是增加银层厚度就意味着可见光透过率降低,在产品性能上已经无法满足客户要求及市场需求。在此背景下,采用普通双银层结构的低辐射镀膜玻璃,不但具有较高的可见光透射率和较好的U值及选择系数Lsg,同时还保有良好的隔热性能和遮阳性能,而且辐射率一般<0.05~0.1,极大的提高了产品性能。
但是,在上述普通双银低辐射玻璃加工过程中,只能对玻璃采用先钢化后镀膜的加工方式,因为先镀膜后钢化会导致:
1、在钢化热处理过程中,玻璃结构中的碱金属及碱土金属离子活性增强,部分离子会渗透到膜层中,破坏电介质层及银层。
2、在钢化热处理过程中,高温空气中的氧气很容易渗透到膜层中,使银层部分氧化甚至全部氧化。
碱金属及碱土金属离子的渗入及氧气对银层的氧化现象,会使玻璃产生颜色变化较大且难于控制,甚至产生斑点、雾化等现象,致使玻璃辐射率性能急剧下降。因此,离线普通双银低辐射玻璃不能像在线低辐射玻璃那样,在基片上镀膜后再进行钢化等后续加工,而且与在大板玻璃基片上先镀膜后钢化的生产方式相比,先钢化后镀膜的玻璃因已具有预订尺寸及形状,故处理小片玻璃有效摆放率降低,加工效率较低,成本较高。
例如,现有技术中的可钢化热处理的双银产品,其一般结构为:玻璃/SiOx/ZnOx/Ag/NiCr/ZnO/Ag/NiCr/SnOx/SiNx,此种结构的镀膜玻璃在钢化热处理过程中,尤其温度超过600℃后,底层介质层(SiOx/ZnOx)就很难阻挡玻璃中Na+向膜层中扩散,另外,此种结构功能层Ag层虽然镶嵌在阻隔层NiCr中间,但高温时膜层间的相互扩散削弱了其阻隔效果,从而造成玻璃颜色难于控制,甚至出现斑点、雾化现象,这就给生产带来了不确定性,容易出现批量废品。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种性能稳定且具有可钢化功能层结构的低辐射镀膜玻璃及其制造方法。
为了实现上述目的,本发明提供了一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀覆在所述玻璃基片上的镀膜,其特征在于,所述镀膜包括多层电介质组合层和设置在相邻的所述电介质组合层之间的AZO介质单元层,所述AZO介质单元层包括功能层和AZO介质阻隔层,所述AZO介质阻隔层敷设在所述功能层的两侧;
或所述AZO介质单元层包括功能层、AZO介质阻隔层和阻隔层,所述AZO介质阻隔层敷设在所述功能层的两侧,所述阻隔层敷设在所述AZO介质阻隔层与所述功能层之间;
或所述AZO介质单元层包括功能层、AZO介质阻隔层和阻隔层,所述阻隔层与所述AZO介质阻隔层分别敷设在所述功能层的两侧。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述AZO介质阻隔层的厚度为15~20nm。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述AZO介质阻隔层的AZO化学计量比为ZnOx∶AlOx=97∶3。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述电介质组合层包括底层电介质组合层、中层电介质组合层和顶层电介质组合层,所述底层电介质组合层与所述中层电介质组合层之间敷设有第一AZO介质单元层,所述中层电介质组合层和所述顶层电介质组合层之间敷设有第二AZO介质单元层,所述底层电介质组合层敷设在所述玻璃基片上。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述第一AZO介质单元层包括依次敷设的第一AZO介质阻隔层、第一阻隔层、第一功能层、第二阻隔层和第二AZO介质阻隔层,所述第二AZO介质单元层包括依次敷设的第三AZO介质阻隔层、第三阻隔层、第二功能层、第四阻隔层和第四AZO介质阻隔层,所述第一AZO介质阻隔层敷设在所述底层电介质组合层上,所述第三AZO介质阻隔层敷设在所述中层电介质组合层上,所述中层电介质组合层敷设在所述第二AZO介质阻隔层上,所述顶层电介质组合层敷设在所述第四AZO介质阻隔层上。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述底层电介质组合层的厚度为28~35nm,所述中层电介质组合层的厚度为65~70nm,所述顶层电介质组合层的厚度为25~30nm。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述功能层为银层。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述电介质组合层为TiO2、ZnSnOX、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5或Si3N4材料层中的一种或几种。
上述的低辐射镀膜玻璃,其中,所述阻隔层为Ni、Ti、Cr、NiCr、NiCrOX和NiCrNX材料层中的一种或几种。
为了更好地实现上述目的,本发明还提供了一种低辐射镀膜玻璃的制造方法,其中,包括如下步骤:
a、设置玻璃基片;
b、在所述玻璃基片上镀覆电介质组合层;
c、在所述电介质组合层上镀覆AZO介质单元层;
d、在所述AZO介质单元层上镀覆另一电介质组合层;
e、重复步骤c与步骤d,直到达到需要的镀膜厚度。
上述的低辐射镀膜玻璃的制造方法,其中,所述步骤c包括:
c1、在电介质组合层上镀覆一AZO介质阻隔层;
c2、在所述AZO介质阻隔层上镀覆一阻隔层;
c3、在所述阻隔层上镀覆一功能层;
c4、在所述功能层上镀覆另一阻隔层;
c5、在所述另一阻隔层上镀覆另一AZO介质阻隔层。
本发明的技术效果在于:
1、本发明的玻璃可见光透过率较高,透过率T>65%,由于AZO新材料的引入,辐射率ε由钢化前的0.06,变为钢化后的0.04,钢化后辐射率性能不但没有劣化反而变好;
2、不仅克服了常规双银低辐射镀膜产品难以在镀膜后进行钢化热处理的不足,而且在实现可钢化的同时,还具有稳定的光学及热学性能,钢化后颜色变化较小,具有优良的机械性能,后续加工过程中不易出现外观缺陷;
3、引入了新材料AZO,其材料重量比为ZnOx∶AlOx=97∶3,此种材料不仅具有电介质材料性质,同时还具有金属特性,此材料的特性决定了它既可以作为Ag层的保护层,又可以作为介质层使用。钢化热处理后辐射率不仅不会出现劣化,而且产品辐射率还会提高0.01~0.02,辐射率的提高将直接影响产品的隔热性能。同时此材料对于膜层结构的稳定性及颜色的稳定性具有积极作用;
4、在膜层结构中以新材料AZO为基本框架,将功能层镶嵌其中间,可以实现先镀膜后钢化热处理的加工工艺方式,提高成品率;
5、实现对玻璃大板的镀膜生产,可有效地提高生产效率,降低成本。
随着现代幕墙的发展,出于美观及节能等方面考虑,普通单银结构的可钢化低辐射玻璃在光学性能已经不能满足客户及市场要求,因而越来越多的要求双银低辐射玻璃在镀膜后也可以进行钢化处理工艺。本发明可以很好地满足上述要求。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施例的镀膜玻璃结构示意图;
图2a~图2b为本发明不同实施例的AZO介质单元层结构示意图;
图3为本发明另一实施例的镀膜玻璃结构示意图;
图4为本发明一实施例的制造方法流程图。
其中,附图标记
1 玻璃基片
2 镀膜
21 电介质组合层
211 底层电介质组合层
212 中层电介质组合层
213 顶层电介质组合层
22 AZO介质单元层
221 功能层
2211 第一功能层
2212 第二功能层
222 AZO介质阻隔层
2221 第一AZO介质阻隔层
2222 第AZO介质阻隔层
2223 第三AZO介质阻隔层
2224 第四AZO介质阻隔层
223 阻隔层
2231 第一阻隔层
2232 第二阻隔层
2233 第三阻隔层
2234 第四阻隔层
a~e 步骤
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
参见图1及图2a~图2b,图1为本发明一实施例的镀膜玻璃结构示意图,图2a~图2b为本发明不同实施例的AZO介质单元层结构示意图。低辐射镀膜2玻璃,包括玻璃基片1和镀覆在所述玻璃基片1上的镀膜2,所述镀膜2包括多层电介质组合层21和设置在相邻的所述电介质组合层21之间的AZO介质单元层22,其中,AZO为掺铝氧化锌薄膜,所述AZO介质单元层22包括功能层221和AZO介质阻隔层222,所述AZO介质阻隔层222敷设在所述功能层221的两侧,其AZO介质单元层22如图2a所示,其镀膜玻璃结构可为:玻璃基片1/底层电介质组合层211/AZO介质阻隔层222/功能层221/AZO介质阻隔层222/中层电介质组合层212/AZO介质阻隔层222/功能层221/AZO介质阻隔层222/顶层电介质组合层213;
或上述AZO介质单元层22还包括阻隔层223,所述阻隔层223敷设在所述AZO介质阻隔层222与所述功能层221之间,其AZO介质单元层22如图2b所示,其镀膜玻璃结构可如图3所示;
或所述AZO介质单元层包括功能层221、AZO介质阻隔层222和阻隔层223,所述阻隔层223与所述AZO介质阻隔层222分别敷设在所述功能层221的两侧,其AZO介质单元层22如图2c所示,其镀膜玻璃结构可为:玻璃基片1/底层电介质组合层211/阻隔层223/功能层221/AZO介质阻隔层222/中层电介质组合层212/AZO介质阻隔层222/功能层221/阻隔层223/顶层电介质组合层213,或者,玻璃基片1/底层电介质组合层211/AZO介质阻隔层222/功能层221/阻隔层223/中层电介质组合层212/阻隔层223/功能层221/AZO介质阻隔层222/顶层电介质组合层213。
本实施例中,所述AZO介质阻隔层的厚度为15~20nm。所述AZO介质阻隔层的AZO化学计量比为ZnOx∶AlOx=97∶3。
参见图3,图3为本发明另一实施例的镀膜玻璃结构示意图。所述电介质组合层21包括底层电介质组合层211、中层电介质组合层212和顶层电介质组合层213,所述底层电介质组合层211与所述中层电介质组合层212之间敷设有第一AZO介质单元层22,所述中层电介质组合层212和所述顶层电介质组合层213之间敷设有第二AZO介质单元层22,所述底层电介质组合层211敷设在所述玻璃基片1上。即本实施例中,优选双功能层结构。其中,所述底层电介质组合层211的厚度为28~35nm,所述中层电介质组合层212的厚度为65~70nm,所述顶层电介质组合层213的厚度为25~30nm。
本实施例中,所述第一AZO介质单元层22包括依次敷设的第一AZO介质阻隔层2221、第一阻隔层2231、第一功能层2211、第二阻隔层2232和第二AZO介质阻隔层2222,所述第二AZO介质单元层22包括依次敷设的第三AZO介质阻隔层2223、第三阻隔层2233、第二功能层2212、第四阻隔层2234和第四AZO介质阻隔层2224,所述第一AZO介质阻隔层2221敷设在所述底层电介质组合层211上,所述第三AZO介质阻隔层2223敷设在所述中层电介质组合层212上,所述中层电介质组合层212敷设在所述第二AZO介质阻隔层2222上,所述顶层电介质组合层213敷设在所述第四AZO介质阻隔层2224上。本实施例中,所述功能层221优选为银层。即本实施例中,该低辐射镀膜玻璃的具体结构为:顺序敷设的玻璃基片1、底层电介质组合层211、第一AZO介质阻隔层2221、第一阻隔层2231、第一功能层(银层)2211、第二阻隔层2232、第二AZO介质阻隔层2222、中层电介质组合层212、第三AZO介质阻隔层2223、第三阻隔层2233、第二功能层(银层)2212、第四阻隔层2234、第四AZO介质阻隔层2224及顶层电介质组合层213。
其中,所述电介质组合层21为TiO2、ZnSnOX、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5或Si3N4材料层中的一种或几种。如:Si3N4、ZnO组合或ZnSnOX、ZnO组合等所述阻隔层223为Ni、Ti、Cr、NiCr、NiCrOX和NiCrNX材料层中的一种或几种。如:NiCr、NiCrOX组合或Ti组合。
参见图4,图4为本发明一实施例的制造方法流程图。本发明的低辐射镀膜玻璃的制造方法,包括如下步骤:
a、设置玻璃基片1;
b、在所述玻璃基片1上镀覆电介质组合层21;
c、在所述电介质组合层21上镀覆AZO介质单元层22;
d、在所述AZO介质单元层22上镀覆另一电介质组合层21;
e、重复步骤c与步骤d,直到达到需要的镀膜2的厚度或层数。
其中,所述步骤c包括:
c1、在电介质组合层21上镀覆AZO介质阻隔层222;
c2、在所述AZO介质阻隔层222上镀覆一阻隔层223;
c3、在所述阻隔层223上镀覆一功能层221;
c4、在所述功能层221上镀覆另一阻隔层223;
c5、在所述另一阻隔层223上镀覆另一AZO介质阻隔层222。
下面以图2所示镀膜玻璃为例,采用脉冲磁控溅射方法,具体说明本发明的可钢化双银低辐射玻璃的制备过程,包括如下依次沉积各膜层的步骤:
a、清洗玻璃基片1,干燥后置于磁控溅射区;
提供玻璃基片1,并通过清洗机对玻璃基片1进行清洗、吹干处理,将玻璃基片1送入磁控溅射腔室,准备镀膜2溅射。溅射腔室的本底真空度优选为3×10‑6mbar以上。
b、中频电源加旋转阴极溅射沉积底层电介质组合层211;
在玻璃基片1上溅射镀覆底层电介质组合层211,底层电介质组合层211,由TiO2、ZnSnOX、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5和Si3N4等材料中的一种或几种构成,优选靶材材料为Si3N4,即用氮化硅层,其材料重量比为Si∶Al=90∶10,用氮气溅射,并可配选ZnAl2O4(其材料重量比为Zn∶Al=98∶2用氧气溅射)等材料,其在膜系中的作用主要是使镀膜2的膜层与玻璃基片1之间的附着力增强,增加可见光透过率,同时阻挡玻璃结构中的碱金属离子在钢化热处理过程中向膜层内部渗透,破坏膜层结构。其优选的膜层厚度为28~35nm,更优选的膜层厚度为29~33nm,最优选的膜层厚度为31~32nm。将其镀覆在玻璃基片1上。镀膜生产线设定功率为100kw~120kw,所用溅射使用工作气氛为氩气和氮气混合气体,其比例为1∶2,选配其它金属氧化物时,所用工作气氛为氩气和氧气混合气体,比例同样为1∶2,生产时工艺真空度优选为2.0×10‑3mbar~8×10‑3mbar,更优选的工艺真空度为2.5×10‑3mbar~3.5×10‑3mbar。
c1、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一AZO介质阻隔层2221;
第一AZO介质阻隔层2221,采用化学计量比为ZnO/Al2O3=97∶3的熔铸式靶材,所用功率为15kw~25kw,用纯氩气Ar气体溅射,气体流量为1000~1300sccm。此种材料兼具电介质层及阻隔层特性,本身具有金属性,完全可以替代阻隔层,而且对可见光只有很少的吸收,镀膜玻璃在钢化热处理后可以将透过率至少提高到70%以上,同时其本身在高温热处理过程中具有极强的耐氧化作用,进一步防止钠离子的渗入,保证了玻璃膜层结构的稳定性及颜色的稳定性。将其镀覆在底层电介质组合层211上,优选的膜层厚度为15~20nm,更优选的膜层厚度为17~19nm。
c2、直流电源加脉冲溅射沉积第一阻隔层2231;
第一阻隔层2231,可采用材料Ni、Ti、Cr、NiCr、NiCrOX和NiCrNX中的一种或几种构成。优选的材料为NiCr,其化学组成为Ni∶Cr=90∶10,所用工作气体为纯氩气Ar气体溅射,溅射功率为0.3kw~1kw,气体流量为1000~1200sccm。并可配选Ti等材料,优选膜层厚度为0~1.5nm,更优选的膜层厚度为0.8~1.2nm,最优选膜层厚度为1~1.1nm。将其镀覆在第一AZO介质阻隔层2221上。此第一阻隔层2231为配选层,其主要作用为调节透过率,同时在溅镀过程中可以防止因靶材位置关系而产生串气现象的发生,防止功能层221Ag层在溅镀过程中氧化,从而确保膜层结构的稳定性。
c3、直流电源加脉冲溅射沉积第一功能(银层)2211;
该第一功能层2211优选为银层,主要用于反射太阳光波段的长波辐射,降低镀膜玻璃的辐射率,从而提高镀膜玻璃的隔热效果,同时用于调节玻璃的颜色。优选的银层膜层厚度是8~13nm,更优选的膜层厚度为10~11nm。将其镀覆在第一层阻隔层上。溅射功率为3kw~4kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1200sccm。
c4、直流电源加脉冲溅射沉积第二阻隔层2232;
第二阻隔层2232,优选材料为NiCr,优选的膜层厚度为0~1nm,更优选的膜层厚度为0.5~0.7nm。溅射功率为0.3kw~0.8kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1200sccm。将其镀覆在第一层功能层Ag层上。其组成及功用同第一阻隔层2231。
c5、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二AZO介质阻隔层2222;
第二AZO介质阻隔层2222,膜层厚度、组成及功用与第一AZO介质阻隔层2221相同,所用功率为15kw~25kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1300sccm,将其镀覆在第二阻隔层2232上。
d、中频电源加旋转阴极溅射沉积中层电介质组合层212;
中层电介质组合层212,由TiO2、ZnSnOX、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5和Si3N4等材料中的一种或几种构成,优选材料为Si3N4,并可配选ZnAl2O4、Nb2O5等材料,优选的膜层厚度为65~70nm,更优选的膜层厚度为67~68nm,所用功率为220kw~220kw,工作气氛为氩气和氮气混合气体,其比例为1∶2,选配其它金属氧化物时,所用工作气氛为氩气和氧气混合气体,比例为500sccm∶1000sccm。该中层电介质组合层212主要调节可见光光谱范围,使膜层具有合适的透过率,同时配合其它膜层调节颜色。将该中层电介质组合层212镀覆在第二AZO介质阻隔层2222上。
ec1、中频电源加旋转阴极溅射沉积第三AZO介质阻隔层2223;
第三AZO介质阻隔层2223,膜层厚度及功用与第一AZO介质阻隔层2221相同,,所用功率为15kw~25kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1300sccm将其镀覆在中层电介质组合层212上。
ec2、直流电源加脉冲溅射沉积第三阻隔层2233;
第三层阻隔层,优选材料为NiCr,并可配选Ti等材料,优选的膜层厚度为0~1nm,更优选的膜层厚度为0.5~0.7nm,溅射功率为0.3kw~0.8kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1200sccm,其组成及功用同第一阻隔层2231。将此阻隔层镀覆在第三层AZO电介质阻隔层上。
ec3、直流电源加脉冲溅射沉积第二银层2212;
在第三阻隔层2233上镀覆第二层银层,以直流电源加脉冲溅射沉积,溅射功率为4kw~4.5kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1200sccm。此层功用同第一功能层2211,同时配合第一层银层,在可见光范围内可以实现更宽的减反射带宽,减反射效果更好,防止光污染的产生。而且通过两层Ag层的叠加,在太阳光光谱范围内,对波长较长的红外线反射得到更大的提高,增加隔热保温效果。优选的银膜层厚度为9~14nm,更优选的膜层厚度为10~12nm。
ec4、直流电源加脉冲溅射沉积第四阻隔层2234;
在第二层银层上镀覆第四阻隔层2234,以直流电源加脉冲溅射沉积,溅射功率为1kw~1.5kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1200sccm,优选材料为NiCr,可配选Ti等材料,优选的膜层厚度为0~4nm,更优选的膜层厚度为1.5nm~2.5nm。其组成及功用同第一阻隔层2231。将此阻隔层镀覆在第二层Ag层上。
ec5、中频电源加旋转阴极溅射沉积第四AZO介质阻隔层2224;
在第四阻隔层2234上镀覆第四AZO介质阻隔层2224,所用功率为15kw~25kw,所用工作气体为纯氩气Ar,气体流量为1000~1300sccm,该膜层厚度、组成及功用同第一AZO介质阻隔层2221,将其镀覆在第四阻隔层2234上。
ed、中频电源加旋转阴极溅射沉积顶层电介质组合层213。
顶层电介质组合层213,由TiO2、ZnSnOX、SnO2、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5和Si3N4等材料中的一种或几种构成,优选材料为Si3N4,即用氮化硅层,若选用多种材料组合时,需将TiO2、或Si3N4放置在最外层。所用功率为90kw~100kw,工作气氛为氩气和氮气混合气体,其比例为1∶2,选配其它金属氧化物时,所用工作气氛为氩气和氧气混合气体,比例为500sccm∶1000sccm。优选的膜层厚度为25~30nm,更优选的膜层厚度为25~27nm。将此层镀覆在第四层AZO电介质阻隔层上。顶层电介质组合层213主要作用除可以起到减反射作用,同时可以提高膜系的抗腐蚀、抗机械和抗温变性能。对整个膜层具有保护作用,保证膜层稳定性。
在各膜层按顺序镀覆完成后,本实施例中的低辐射镀膜玻璃在后续加工中可承受磨边工艺的加工,磨边时玻璃边部不会产生划伤或脱膜现象;可承受680~700℃的高温钢化热处理加工工艺,钢化后膜层表面无外观缺陷;同时,本发明的低辐射玻璃在钢化热处理工艺后,可承受中空纯水洗刷3次以上而不会产生不可接受的划伤、脱膜等外观缺陷。故本发明的可钢化双银低辐射玻璃的膜层结构稳定,理化性能及机械性能优良。
在光学性能方面,本发明实施例单片颜色如下表一。在本发明实施例中,镀膜玻璃的光学性能为美国Hunter lab公司生产的Color QuestXE光学仪器测定,颜色参数为按国际惯例对色度空间的定义。
表一
  单片外观颜色  玻璃面反射色  膜层面反射色  透射色  Y  小于6  小于7  大于65  L*  小于28.5  小于32  大于85  a*  ‑0.7~‑1.5  ‑8.5~‑9.8  ‑3.8~‑4.2  b*  ‑8.0~‑9.0  ‑2.0~‑3.5  0.5~1.0
本发明镀膜2玻璃辐射率ε=0.03~0.06,玻璃面反射很低(<6%),不会对环境造成光污染,颜色偏于蓝色色调,能够被大众客户所接受,十分有利于市场推广。
另外,该实施例玻璃,钢化后颜色变化较小,具体对光学性能的影响如下:
玻璃可将光透过率变化ΔT<10%,优选ΔT<5%;
玻璃面可见光反射率变化值ΔR<3.0%;
玻璃面可见光颜色坐标a*变化值Δa*<0.8,优选Δa*<0.5;
玻璃面可见光颜色坐标b*变化值Δb*<1.5,优选Δb*<1.0;
玻璃辐射率ε变化值Δε<0.02,最重要的是,对于一般的可钢化低辐射玻璃,钢化后与钢化前玻璃的辐射率会劣化,即辐射率变大,但本发明实施例的低辐射玻璃,钢化后的辐射率反而比钢化前的辐射率低0.01~0.02,即玻璃性能变好。这与膜层结构中AZO的引入有关。
将本实施例中镀膜玻璃与6mm普通白玻合成中空后(中空厚度12mm,填充气体为空气),测得玻璃中部对流传递系数U=1.601~1.656W/m2.k,优选的U=1.601~1.629W/m2.k,遮阳系数Sc=0.368~0.381,中空可见光透过率Tvis=55.6%~65.1%,优选的Tvis=60.6%~65%。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

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1、(10)申请公布号 CN 103144379 A (43)申请公布日 2013.06.12 CN 103144379 A *CN103144379A* (21)申请号 201110403335.4 (22)申请日 2011.12.06 B32B 17/06(2006.01) B32B 9/04(2006.01) B32B 15/04(2006.01) C03C 17/36(2006.01) (71)申请人 天津南玻节能玻璃有限公司 地址 301700 天津市武清区武清开发区福源 道 68 号 申请人 天津南玻工程玻璃有限公司 (72)发明人 刘霄枫 刘双 王烁 杜彦 (74)专利代理机构 北京。

2、律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 代理人 梁挥 尚群 (54) 发明名称 一种低辐射镀膜玻璃及其制造方法 (57) 摘要 一种低辐射镀膜玻璃及其制造方法, 包括玻 璃基片和镀覆在其上的镀膜, 该镀膜包括多层电 介质组合层和设置在相邻的电介质组合层之间的 AZO 介质单元层, AZO 介质单元层包括功能层和 AZO 介质阻隔层, AZO 介质阻隔层敷设在功能层的 两侧 ; 或 AZO 介质单元层还包括阻隔层, 阻隔层敷 设在 AZO 介质阻隔层与功能层之间 ; 或该 AZO 介 质单元层包括功能层、 AZO 介质阻隔层和阻隔层, 该阻隔层与该 AZO 介质阻隔层分别敷设在该功能 层的两。

3、侧。制造方法包括 : a、 设置玻璃基片 ; b、 在 玻璃基片上镀覆电介质组合层 ; c、 在电介质组合 层上镀覆 AZO 介质单元层 ; d、 在 AZO 介质单元层 上镀覆另一电介质组合层 ; e、 重复步骤 c 与步骤 d。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 9 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书9页 附图3页 (10)申请公布号 CN 103144379 A CN 103144379 A *CN103144379A* 1/2 页 2 1. 一种低辐射镀膜玻璃, 包括玻璃基片和镀覆在所述玻璃基片上的镀膜。

4、, 其特征在于, 所述镀膜包括多层电介质组合层和设置在相邻的所述电介质组合层之间的 AZO 介质单元 层, 所述 AZO 介质单元层包括功能层和 AZO 介质阻隔层, 所述 AZO 介质阻隔层敷设在所述功 能层的两侧 ; 或所述 AZO 介质单元层包括功能层、 AZO 介质阻隔层和阻隔层, 所述 AZO 介质阻隔层分 别敷设在所述功能层的两侧, 所述阻隔层敷设在所述 AZO 介质阻隔层与所述功能层之间 ; 或所述 AZO 介质单元层包括功能层、 AZO 介质阻隔层和阻隔层, 所述阻隔层与所述 AZO 介质阻隔层分别敷设在所述功能层的两侧。 2. 如权利要求 1 所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在。

5、于, 所述 AZO 介质阻隔层的厚度为 15 20nm。 3.如权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述AZO介质阻隔层的AZO化学 计量比为 ZnOx AlOx 97 3。 4.如权利要求1、 2或3所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述电介质组合层包括底 层电介质组合层、 中层电介质组合层和顶层电介质组合层, 所述底层电介质组合层与所述 中层电介质组合层之间敷设有第一 AZO 介质单元层, 所述中层电介质组合层和所述顶层电 介质组合层之间敷设有第二 AZO 介质单元层, 所述底层电介质组合层敷设在所述玻璃基片 上。 5.如权利要求4所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述。

6、第一AZO介质单元层包括依 次敷设的第一 AZO 介质阻隔层、 第一阻隔层、 第一功能层、 第二阻隔层和第二 AZO 介质阻隔 层, 所述第二 AZO 介质单元层包括依次敷设的第三 AZO 介质阻隔层、 第三阻隔层、 第二功能 层、 第四阻隔层和第四AZO介质阻隔层, 所述第一AZO介质阻隔层敷设在所述底层电介质组 合层上, 所述第三 AZO 介质阻隔层敷设在所述中层电介质组合层上, 所述中层电介质组合 层敷设在所述第二 AZO 介质阻隔层上, 所述顶层电介质组合层敷设在所述第四 AZO 介质阻 隔层上。 6.如权利要求1、 2、 3或5所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述底层电介质组合。

7、层 的厚度为 28 35nm, 所述中层电介质组合层的厚度为 65 70nm, 所述顶层电介质组合层 的厚度为 25 30nm。 7. 如权利要求 6 所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述功能层为银层。 8. 如权利要求 1、 2、 3、 5 或 7 所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述电介质组合层 为 TiO2、 ZnSnOX、 SnO2、 ZnO、 SiO2、 Ta2O5、 BiO2、 Al2O3、 ZnAl2O4、 Nb2O5或 Si3N4材料层中的一种 或几种。 9. 如权利要求 1、 2、 3、 5 或 7 所述的低辐射镀膜玻璃, 其特征在于, 所述阻隔层为 Ni、 Ti。

8、、 Cr、 NiCr、 NiCrOX和 NiCrNX材料层中的一种或几种。 10. 一种如权利要求 1、 2、 3、 5 或 7 所述的低辐射镀膜玻璃的制造方法, 其特征在于, 包 括如下步骤 : a、 设置玻璃基片 ; b、 在所述玻璃基片上镀覆电介质组合层 ; c、 在所述电介质组合层上镀覆 AZO 介质单元层 ; d、 在所述 AZO 介质单元层上镀覆另一电介质组合层 ; 权 利 要 求 书 CN 103144379 A 2 2/2 页 3 e、 重复步骤 c 与步骤 d, 直到达到需要的镀膜厚度。 11. 如权利要求 10 所述的低辐射镀膜玻璃的制造方法, 其特征在于, 所述步骤 c 。

9、包括 : c1、 在电介质组合层上镀覆一 AZO 介质阻隔层 ; c2、 在所述 AZO 介质阻隔层上镀覆一阻隔层 ; c3、 在所述阻隔层上镀覆一功能层 ; c4、 在所述功能层上镀覆另一阻隔层 ; c5、 在所述另一阻隔层上镀覆另一 AZO 介质阻隔层。 权 利 要 求 书 CN 103144379 A 3 1/9 页 4 一种低辐射镀膜玻璃及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及一镀膜玻璃, 特别是一种镀有含 AZO 电介质阻隔层的具有可钢化双功 能层结构的低辐射镀膜玻璃及其制造方法。 背景技术 0002 目前, 低辐射镀膜玻璃的生产方法主要有两种。 一种是在线镀膜, 一般是指在浮法。

10、 玻璃生产过程中, 在温度较高的玻璃表面按一定配比先后喷涂某些化学雾剂, 使之形成具 有一定低辐射功能的化合物薄膜, 并使之具有较好的物理化学性能, 因此一般较为适合在 民用市场中推广。另一种是离线镀膜。一般是指将辐射率极低的金属银或其它金属和金属 化合物按一定结构、 比例通过真空磁控溅射的方式将其镀在玻璃表面的一种镀膜方式。但 是, 在线低辐射镀膜玻璃的辐射率较高, 光学及热学性能相对于离线低辐射镀膜玻璃要相 差很多, 且颜色变化及遮阳性能较难控制。相对于离线低辐射镀膜, 玻璃产品颜色较为单 一, 所以离线镀膜正逐步被市场所接受。 0003 目前, 市场上所推广的可钢化低辐射镀膜产品, 主要。

11、是单银可钢化产品, 一般辐射 率 0.15。例如申请号为 “200910238978” , 名称为 “镀膜玻璃及其制造方法” 的中国发明 专利申请所公开的镀膜玻璃, 其中功能层 Ag 层只有一层, 即其膜层结构是可钢化单银产 品。对于目前市场上的可钢化热处理镀膜玻璃, 绝大部分是单银结构, 其辐射率较高, 尤其 钢化热处理后, 其辐射率会出现劣化, 甚至出现辐射率 0.15 的现象, 即已经不再是低辐 射 Low-e 玻璃了。而且, 由于单银固有的结构特性, 其颜色品种较为单一, 已经很难满足现 在市场需求及社会发展需要。在传统的低辐射玻璃加工过程中, 为了能实现较好的隔热系 数 U 值和选择。

12、系数 Lsg( 可见光透过与遮阳系数的比值 ), 就必须增加膜层中的银层厚度来 降低玻璃膜层的辐射率, 以得到理想的选择系数, 但是增加银层厚度就意味着可见光透过 率降低, 在产品性能上已经无法满足客户要求及市场需求。 在此背景下, 采用普通双银层结 构的低辐射镀膜玻璃, 不但具有较高的可见光透射率和较好的 U 值及选择系数 Lsg, 同时还 保有良好的隔热性能和遮阳性能, 而且辐射率一般 0.05 0.1, 极大的提高了产品性能。 0004 但是, 在上述普通双银低辐射玻璃加工过程中, 只能对玻璃采用先钢化后镀膜的 加工方式, 因为先镀膜后钢化会导致 : 0005 1、 在钢化热处理过程中,。

13、 玻璃结构中的碱金属及碱土金属离子活性增强, 部分离 子会渗透到膜层中, 破坏电介质层及银层。 0006 2、 在钢化热处理过程中, 高温空气中的氧气很容易渗透到膜层中, 使银层部分氧 化甚至全部氧化。 0007 碱金属及碱土金属离子的渗入及氧气对银层的氧化现象, 会使玻璃产生颜色变化 较大且难于控制, 甚至产生斑点、 雾化等现象, 致使玻璃辐射率性能急剧下降。 因此, 离线普 通双银低辐射玻璃不能像在线低辐射玻璃那样, 在基片上镀膜后再进行钢化等后续加工, 而且与在大板玻璃基片上先镀膜后钢化的生产方式相比, 先钢化后镀膜的玻璃因已具有预 订尺寸及形状, 故处理小片玻璃有效摆放率降低, 加工效。

14、率较低, 成本较高。 说 明 书 CN 103144379 A 4 2/9 页 5 0008 例如, 现有技术中的可钢化热处理的双银产品, 其一般结构为 : 玻璃 /SiOx/ZnOx/ Ag/NiCr/ZnO/Ag/NiCr/SnOx/SiNx, 此种结构的镀膜玻璃在钢化热处理过程中, 尤其温度超 过 600后, 底层介质层 (SiOx/ZnOx) 就很难阻挡玻璃中 Na+ 向膜层中扩散, 另外, 此种结 构功能层 Ag 层虽然镶嵌在阻隔层 NiCr 中间, 但高温时膜层间的相互扩散削弱了其阻隔效 果, 从而造成玻璃颜色难于控制, 甚至出现斑点、 雾化现象, 这就给生产带来了不确定性, 容 。

15、易出现批量废品。 发明内容 0009 本发明所要解决的技术问题是提供一种性能稳定且具有可钢化功能层结构的低 辐射镀膜玻璃及其制造方法。 0010 为了实现上述目的, 本发明提供了一种低辐射镀膜玻璃, 包括玻璃基片和镀覆在 所述玻璃基片上的镀膜, 其特征在于, 所述镀膜包括多层电介质组合层和设置在相邻的所 述电介质组合层之间的 AZO 介质单元层, 所述 AZO 介质单元层包括功能层和 AZO 介质阻隔 层, 所述 AZO 介质阻隔层敷设在所述功能层的两侧 ; 0011 或所述 AZO 介质单元层包括功能层、 AZO 介质阻隔层和阻隔层, 所述 AZO 介质阻隔 层敷设在所述功能层的两侧, 所述。

16、阻隔层敷设在所述 AZO 介质阻隔层与所述功能层之间 ; 0012 或所述 AZO 介质单元层包括功能层、 AZO 介质阻隔层和阻隔层, 所述阻隔层与所述 AZO 介质阻隔层分别敷设在所述功能层的两侧。 0013 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述 AZO 介质阻隔层的厚度为 15 20nm。 0014 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述 AZO 介质阻隔层的 AZO 化学计量比为 ZnOx AlOx 97 3。 0015 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述电介质组合层包括底层电介质组合层、 中层电 介质组合层和顶层电介质组合层, 所述底层电介质组合层与所述中层电介质组合层之间敷 设有第。

17、一 AZO 介质单元层, 所述中层电介质组合层和所述顶层电介质组合层之间敷设有第 二 AZO 介质单元层, 所述底层电介质组合层敷设在所述玻璃基片上。 0016 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述第一 AZO 介质单元层包括依次敷设的第一 AZO 介质阻隔层、 第一阻隔层、 第一功能层、 第二阻隔层和第二AZO介质阻隔层, 所述第二AZO介 质单元层包括依次敷设的第三 AZO 介质阻隔层、 第三阻隔层、 第二功能层、 第四阻隔层和第 四 AZO 介质阻隔层, 所述第一 AZO 介质阻隔层敷设在所述底层电介质组合层上, 所述第三 AZO 介质阻隔层敷设在所述中层电介质组合层上, 所述中层电介质。

18、组合层敷设在所述第二 AZO 介质阻隔层上, 所述顶层电介质组合层敷设在所述第四 AZO 介质阻隔层上。 0017 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述底层电介质组合层的厚度为 28 35nm, 所述 中层电介质组合层的厚度为 65 70nm, 所述顶层电介质组合层的厚度为 25 30nm。 0018 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述功能层为银层。 0019 上述的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述电介质组合层为 TiO2、 ZnSnOX、 SnO2、 ZnO、 SiO2、 Ta2O5、 BiO2、 Al2O3、 ZnAl2O4、 Nb2O5或 Si3N4材料层中的一种或几种。 0020 上述。

19、的低辐射镀膜玻璃, 其中, 所述阻隔层为 Ni、 Ti、 Cr、 NiCr、 NiCrOX和 NiCrNX材 料层中的一种或几种。 0021 为了更好地实现上述目的, 本发明还提供了一种低辐射镀膜玻璃的制造方法, 其 说 明 书 CN 103144379 A 5 3/9 页 6 中, 包括如下步骤 : 0022 a、 设置玻璃基片 ; 0023 b、 在所述玻璃基片上镀覆电介质组合层 ; 0024 c、 在所述电介质组合层上镀覆 AZO 介质单元层 ; 0025 d、 在所述 AZO 介质单元层上镀覆另一电介质组合层 ; 0026 e、 重复步骤 c 与步骤 d, 直到达到需要的镀膜厚度。 0。

20、027 上述的低辐射镀膜玻璃的制造方法, 其中, 所述步骤 c 包括 : 0028 c1、 在电介质组合层上镀覆一 AZO 介质阻隔层 ; 0029 c2、 在所述 AZO 介质阻隔层上镀覆一阻隔层 ; 0030 c3、 在所述阻隔层上镀覆一功能层 ; 0031 c4、 在所述功能层上镀覆另一阻隔层 ; 0032 c5、 在所述另一阻隔层上镀覆另一 AZO 介质阻隔层。 0033 本发明的技术效果在于 : 0034 1、 本发明的玻璃可见光透过率较高, 透过率 T 65, 由于 AZO 新材料的引入, 辐 射率 由钢化前的 0.06, 变为钢化后的 0.04, 钢化后辐射率性能不但没有劣化反而。

21、变好 ; 0035 2、 不仅克服了常规双银低辐射镀膜产品难以在镀膜后进行钢化热处理的不足, 而 且在实现可钢化的同时, 还具有稳定的光学及热学性能, 钢化后颜色变化较小, 具有优良的 机械性能, 后续加工过程中不易出现外观缺陷 ; 0036 3、 引入了新材料 AZO, 其材料重量比为 ZnOx AlOx 97 3, 此种材料不仅具 有电介质材料性质, 同时还具有金属特性, 此材料的特性决定了它既可以作为 Ag 层的保护 层, 又可以作为介质层使用。 钢化热处理后辐射率不仅不会出现劣化, 而且产品辐射率还会 提高0.010.02, 辐射率的提高将直接影响产品的隔热性能。 同时此材料对于膜层结。

22、构的 稳定性及颜色的稳定性具有积极作用 ; 0037 4、 在膜层结构中以新材料 AZO 为基本框架, 将功能层镶嵌其中间, 可以实现先镀 膜后钢化热处理的加工工艺方式, 提高成品率 ; 0038 5、 实现对玻璃大板的镀膜生产, 可有效地提高生产效率, 降低成本。 0039 随着现代幕墙的发展, 出于美观及节能等方面考虑, 普通单银结构的可钢化低辐 射玻璃在光学性能已经不能满足客户及市场要求, 因而越来越多的要求双银低辐射玻璃在 镀膜后也可以进行钢化处理工艺。本发明可以很好地满足上述要求。 0040 以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述, 但不作为对本发明的限定。 附图说明 0041。

23、 图 1 为本发明一实施例的镀膜玻璃结构示意图 ; 0042 图 2a 图 2b 为本发明不同实施例的 AZO 介质单元层结构示意图 ; 0043 图 3 为本发明另一实施例的镀膜玻璃结构示意图 ; 0044 图 4 为本发明一实施例的制造方法流程图。 0045 其中, 附图标记 0046 1 玻璃基片 0047 2 镀膜 说 明 书 CN 103144379 A 6 4/9 页 7 0048 21 电介质组合层 0049 211 底层电介质组合层 0050 212 中层电介质组合层 0051 213 顶层电介质组合层 0052 22 AZO 介质单元层 0053 221 功能层 0054 2。

24、211 第一功能层 0055 2212 第二功能层 0056 222 AZO 介质阻隔层 0057 2221 第一 AZO 介质阻隔层 0058 2222 第 AZO 介质阻隔层 0059 2223 第三 AZO 介质阻隔层 0060 2224 第四 AZO 介质阻隔层 0061 223 阻隔层 0062 2231 第一阻隔层 0063 2232 第二阻隔层 0064 2233 第三阻隔层 0065 2234 第四阻隔层 0066 a e 步骤 具体实施方式 0067 下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述 : 0068 参见图1及图2a图2b, 图1为本发明一实施例的镀膜玻璃结。

25、构示意图, 图2a 图 2b 为本发明不同实施例的 AZO 介质单元层结构示意图。低辐射镀膜 2 玻璃, 包括玻璃基 片 1 和镀覆在所述玻璃基片 1 上的镀膜 2, 所述镀膜 2 包括多层电介质组合层 21 和设置在 相邻的所述电介质组合层 21 之间的 AZO 介质单元层 22, 其中, AZO 为掺铝氧化锌薄膜, 所述 AZO 介质单元层 22 包括功能层 221 和 AZO 介质阻隔层 222, 所述 AZO 介质阻隔层 222 敷设 在所述功能层 221 的两侧, 其 AZO 介质单元层 22 如图 2a 所示, 其镀膜玻璃结构可为 : 玻璃 基片 1/ 底层电介质组合层 211/A。

26、ZO 介质阻隔层 222/ 功能层 221/AZO 介质阻隔层 222/ 中 层电介质组合层 212/AZO 介质阻隔层 222/ 功能层 221/AZO 介质阻隔层 222/ 顶层电介质组 合层 213 ; 0069 或上述 AZO 介质单元层 22 还包括阻隔层 223, 所述阻隔层 223 敷设在所述 AZO 介 质阻隔层 222 与所述功能层 221 之间, 其 AZO 介质单元层 22 如图 2b 所示, 其镀膜玻璃结构 可如图 3 所示 ; 0070 或所述 AZO 介质单元层包括功能层 221、 AZO 介质阻隔层 222 和阻隔层 223, 所述 阻隔层 223 与所述 AZO。

27、 介质阻隔层 222 分别敷设在所述功能层 221 的两侧, 其 AZO 介质单 元层 22 如图 2c 所示, 其镀膜玻璃结构可为 : 玻璃基片 1/ 底层电介质组合层 211/ 阻隔层 223/功能层221/AZO介质阻隔层222/中层电介质组合层212/AZO介质阻隔层222/功能层 221/ 阻隔层 223/ 顶层电介质组合层 213, 或者, 玻璃基片 1/ 底层电介质组合层 211/AZO 介 说 明 书 CN 103144379 A 7 5/9 页 8 质阻隔层 222/ 功能层 221/ 阻隔层 223/ 中层电介质组合层 212/ 阻隔层 223/ 功能层 221/ AZO 。

28、介质阻隔层 222/ 顶层电介质组合层 213。 0071 本实施例中, 所述 AZO 介质阻隔层的厚度为 15 20nm。所述 AZO 介质阻隔层的 AZO 化学计量比为 ZnOx AlOx 97 3。 0072 参见图 3, 图 3 为本发明另一实施例的镀膜玻璃结构示意图。所述电介质组合层 21 包括底层电介质组合层 211、 中层电介质组合层 212 和顶层电介质组合层 213, 所述底层 电介质组合层 211 与所述中层电介质组合层 212 之间敷设有第一 AZO 介质单元层 22, 所述 中层电介质组合层 212 和所述顶层电介质组合层 213 之间敷设有第二 AZO 介质单元层 2。

29、2, 所述底层电介质组合层 211 敷设在所述玻璃基片 1 上。即本实施例中, 优选双功能层结构。 其中, 所述底层电介质组合层 211 的厚度为 28 35nm, 所述中层电介质组合层 212 的厚度 为 65 70nm, 所述顶层电介质组合层 213 的厚度为 25 30nm。 0073 本实施例中, 所述第一 AZO 介质单元层 22 包括依次敷设的第一 AZO 介质阻隔层 2221、 第一阻隔层 2231、 第一功能层 2211、 第二阻隔层 2232 和第二 AZO 介质阻隔层 2222, 所述第二 AZO 介质单元层 22 包括依次敷设的第三 AZO 介质阻隔层 2223、 第三阻。

30、隔层 2233、 第二功能层 2212、 第四阻隔层 2234 和第四 AZO 介质阻隔层 2224, 所述第一 AZO 介质阻隔层 2221敷设在所述底层电介质组合层211上, 所述第三AZO介质阻隔层2223敷设在所述中层 电介质组合层212上, 所述中层电介质组合层212敷设在所述第二AZO介质阻隔层2222上, 所述顶层电介质组合层 213 敷设在所述第四 AZO 介质阻隔层 2224 上。本实施例中, 所述功 能层221优选为银层。 即本实施例中, 该低辐射镀膜玻璃的具体结构为 : 顺序敷设的玻璃基 片 1、 底层电介质组合层 211、 第一 AZO 介质阻隔层 2221、 第一阻隔。

31、层 2231、 第一功能层 ( 银 层 )2211、 第二阻隔层 2232、 第二 AZO 介质阻隔层 2222、 中层电介质组合层 212、 第三 AZO 介 质阻隔层 2223、 第三阻隔层 2233、 第二功能层 ( 银层 )2212、 第四阻隔层 2234、 第四 AZO 介 质阻隔层 2224 及顶层电介质组合层 213。 0074 其中, 所述电介质组合层 21 为 TiO2、 ZnSnOX、 SnO2、 ZnO、 SiO2、 Ta2O5、 BiO2、 Al2O3、 ZnAl2O4、 Nb2O5或 Si3N4材料层中的一种或几种。如 : Si3N4、 ZnO 组合或 ZnSnOX、。

32、 ZnO 组合等 所述阻隔层 223 为 Ni、 Ti、 Cr、 NiCr、 NiCrOX和 NiCrNX材料层中的一种或几种。如 : NiCr、 NiCrOX组合或 Ti 组合。 0075 参见图4, 图4为本发明一实施例的制造方法流程图。 本发明的低辐射镀膜玻璃的 制造方法, 包括如下步骤 : 0076 a、 设置玻璃基片 1 ; 0077 b、 在所述玻璃基片 1 上镀覆电介质组合层 21 ; 0078 c、 在所述电介质组合层 21 上镀覆 AZO 介质单元层 22 ; 0079 d、 在所述 AZO 介质单元层 22 上镀覆另一电介质组合层 21 ; 0080 e、 重复步骤 c 与。

33、步骤 d, 直到达到需要的镀膜 2 的厚度或层数。 0081 其中, 所述步骤 c 包括 : 0082 c1、 在电介质组合层 21 上镀覆 AZO 介质阻隔层 222 ; 0083 c2、 在所述 AZO 介质阻隔层 222 上镀覆一阻隔层 223 ; 0084 c3、 在所述阻隔层 223 上镀覆一功能层 221 ; 0085 c4、 在所述功能层 221 上镀覆另一阻隔层 223 ; 说 明 书 CN 103144379 A 8 6/9 页 9 0086 c5、 在所述另一阻隔层 223 上镀覆另一 AZO 介质阻隔层 222。 0087 下面以图 2 所示镀膜玻璃为例, 采用脉冲磁控溅。

34、射方法, 具体说明本发明的可钢 化双银低辐射玻璃的制备过程, 包括如下依次沉积各膜层的步骤 : 0088 a、 清洗玻璃基片 1, 干燥后置于磁控溅射区 ; 0089 提供玻璃基片1, 并通过清洗机对玻璃基片1进行清洗、 吹干处理, 将玻璃基片1送 入磁控溅射腔室, 准备镀膜 2 溅射。溅射腔室的本底真空度优选为 310-6mbar 以上。 0090 b、 中频电源加旋转阴极溅射沉积底层电介质组合层 211 ; 0091 在玻璃基片1上溅射镀覆底层电介质组合层211, 底层电介质组合层211, 由TiO2、 ZnSnOX、 SnO2、 ZnO、 SiO2、 Ta2O5、 BiO2、 Al2O3。

35、、 ZnAl2O4、 Nb2O5和 Si3N4等材料中的一种或几种构 成, 优选靶材材料为Si3N4, 即用氮化硅层, 其材料重量比为SiAl9010, 用氮气溅射, 并可配选ZnAl2O4(其材料重量比为ZnAl982用氧气溅射)等材料, 其在膜系中的作 用主要是使镀膜2的膜层与玻璃基片1之间的附着力增强, 增加可见光透过率, 同时阻挡玻 璃结构中的碱金属离子在钢化热处理过程中向膜层内部渗透, 破坏膜层结构。其优选的膜 层厚度为 28 35nm, 更优选的膜层厚度为 29 33nm, 最优选的膜层厚度为 31 32nm。将 其镀覆在玻璃基片1上。 镀膜生产线设定功率为100kw120kw, 。

36、所用溅射使用工作气氛为 氩气和氮气混合气体, 其比例为 1 2, 选配其它金属氧化物时, 所用工作气氛为氩气和氧 气混合气体, 比例同样为 1 2, 生产时工艺真空度优选为 2.010-3mbar 810-3mbar, 更优选的工艺真空度为 2.510-3mbar 3.510-3mbar。 0092 c1、 中频电源加旋转阴极溅射沉积第一 AZO 介质阻隔层 2221 ; 0093 第一 AZO 介质阻隔层 2221, 采用化学计量比为 ZnO/Al2O3 97 3 的熔铸式靶 材, 所用功率为 15kw 25kw, 用纯氩气 Ar 气体溅射, 气体流量为 1000 1300sccm。此种 材。

37、料兼具电介质层及阻隔层特性, 本身具有金属性, 完全可以替代阻隔层, 而且对可见光只 有很少的吸收, 镀膜玻璃在钢化热处理后可以将透过率至少提高到 70以上, 同时其本身 在高温热处理过程中具有极强的耐氧化作用, 进一步防止钠离子的渗入, 保证了玻璃膜层 结构的稳定性及颜色的稳定性。将其镀覆在底层电介质组合层 211 上, 优选的膜层厚度为 15 20nm, 更优选的膜层厚度为 17 19nm。 0094 c2、 直流电源加脉冲溅射沉积第一阻隔层 2231 ; 0095 第一阻隔层 2231, 可采用材料 Ni、 Ti、 Cr、 NiCr、 NiCrOX和 NiCrNX中的一种或几种 构成。 。

38、优选的材料为NiCr, 其化学组成为NiCr9010, 所用工作气体为纯氩气Ar气 体溅射, 溅射功率为0.3kw1kw, 气体流量为10001200sccm。 并可配选Ti等材料, 优选 膜层厚度为 0 1.5nm, 更优选的膜层厚度为 0.8 1.2nm, 最优选膜层厚度为 1 1.1nm。 将其镀覆在第一 AZO 介质阻隔层 2221 上。此第一阻隔层 2231 为配选层, 其主要作用为调 节透过率, 同时在溅镀过程中可以防止因靶材位置关系而产生串气现象的发生, 防止功能 层 221Ag 层在溅镀过程中氧化, 从而确保膜层结构的稳定性。 0096 c3、 直流电源加脉冲溅射沉积第一功能 。

39、( 银层 )2211 ; 0097 该第一功能层 2211 优选为银层, 主要用于反射太阳光波段的长波辐射, 降低镀膜 玻璃的辐射率, 从而提高镀膜玻璃的隔热效果, 同时用于调节玻璃的颜色。 优选的银层膜层 厚度是 8 13nm, 更优选的膜层厚度为 10 11nm。将其镀覆在第一层阻隔层上。溅射功 率为 3kw 4kw, 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1200sccm。 说 明 书 CN 103144379 A 9 7/9 页 10 0098 c4、 直流电源加脉冲溅射沉积第二阻隔层 2232 ; 0099 第二阻隔层 2232, 优选材料为 NiCr, 优选的膜层厚度。

40、为 0 1nm, 更优选的膜层厚 度为 0.5 0.7nm。溅射功率为 0.3kw 0.8kw, 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1200sccm。将其镀覆在第一层功能层 Ag 层上。其组成及功用同第一阻隔层 2231。 0100 c5、 中频电源加旋转阴极溅射沉积第二 AZO 介质阻隔层 2222 ; 0101 第二 AZO 介质阻隔层 2222, 膜层厚度、 组成及功用与第一 AZO 介质阻隔层 2221 相 同, 所用功率为 15kw 25kw, 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1300sccm, 将 其镀覆在第二阻隔层 2232 上。 0102 。

41、d、 中频电源加旋转阴极溅射沉积中层电介质组合层 212 ; 0103 中层电介质组合层 212, 由 TiO2、 ZnSnOX、 SnO2、 ZnO、 SiO2、 Ta2O5、 BiO2、 Al2O3、 ZnAl2O4、 Nb2O5和 Si3N4等材料中的一种或几种构成, 优选材料为 Si3N4, 并可配选 ZnAl2O4、 Nb2O5等材 料, 优选的膜层厚度为 65 70nm, 更优选的膜层厚度为 67 68nm, 所用功率为 220kw 220kw, 工作气氛为氩气和氮气混合气体, 其比例为 1 2, 选配其它金属氧化物时, 所用工 作气氛为氩气和氧气混合气体, 比例为 500sccm。

42、 1000sccm。该中层电介质组合层 212 主 要调节可见光光谱范围, 使膜层具有合适的透过率, 同时配合其它膜层调节颜色。 将该中层 电介质组合层 212 镀覆在第二 AZO 介质阻隔层 2222 上。 0104 ec1、 中频电源加旋转阴极溅射沉积第三 AZO 介质阻隔层 2223 ; 0105 第三AZO介质阻隔层2223, 膜层厚度及功用与第一AZO介质阻隔层2221相同, , 所 用功率为 15kw 25kw, 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1300sccm 将其镀覆 在中层电介质组合层 212 上。 0106 ec2、 直流电源加脉冲溅射沉积第三阻隔层 2。

43、233 ; 0107 第三层阻隔层, 优选材料为 NiCr, 并可配选 Ti 等材料, 优选的膜层厚度为 0 1nm, 更优选的膜层厚度为 0.5 0.7nm, 溅射功率为 0.3kw 0.8kw, 所用工作气体为纯氩 气Ar, 气体流量为10001200sccm, 其组成及功用同第一阻隔层2231。 将此阻隔层镀覆在 第三层 AZO 电介质阻隔层上。 0108 ec3、 直流电源加脉冲溅射沉积第二银层 2212 ; 0109 在第三阻隔层 2233 上镀覆第二层银层, 以直流电源加脉冲溅射沉积, 溅射功率为 4kw 4.5kw, 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1200s。

44、ccm。此层功用同第一 功能层 2211, 同时配合第一层银层, 在可见光范围内可以实现更宽的减反射带宽, 减反射效 果更好, 防止光污染的产生。而且通过两层 Ag 层的叠加, 在太阳光光谱范围内, 对波长较长 的红外线反射得到更大的提高, 增加隔热保温效果。 优选的银膜层厚度为914nm, 更优选 的膜层厚度为 10 12nm。 0110 ec4、 直流电源加脉冲溅射沉积第四阻隔层 2234 ; 0111 在第二层银层上镀覆第四阻隔层 2234, 以直流电源加脉冲溅射沉积, 溅射功率为 1kw 1.5kw, 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1200sccm, 优选材料为 。

45、NiCr, 可配选 Ti 等材料, 优选的膜层厚度为 0 4nm, 更优选的膜层厚度为 1.5nm 2.5nm。其组 成及功用同第一阻隔层 2231。将此阻隔层镀覆在第二层 Ag 层上。 0112 ec5、 中频电源加旋转阴极溅射沉积第四 AZO 介质阻隔层 2224 ; 0113 在第四阻隔层 2234 上镀覆第四 AZO 介质阻隔层 2224, 所用功率为 15kw 25kw, 说 明 书 CN 103144379 A 10 8/9 页 11 所用工作气体为纯氩气 Ar, 气体流量为 1000 1300sccm, 该膜层厚度、 组成及功用同第一 AZO 介质阻隔层 2221, 将其镀覆在第。

46、四阻隔层 2234 上。 0114 ed、 中频电源加旋转阴极溅射沉积顶层电介质组合层 213。 0115 顶层电介质组合层 213, 由 TiO2、 ZnSnOX、 SnO2、 ZnO、 SiO2、 Ta2O5、 BiO2、 Al2O3、 ZnAl2O4、 Nb2O5和 Si3N4等材料中的一种或几种构成, 优选材料为 Si3N4, 即用氮化硅层, 若选用多种材 料组合时, 需将 TiO2、 或 Si3N4放置在最外层。所用功率为 90kw 100kw, 工作气氛为氩气 和氮气混合气体, 其比例为 1 2, 选配其它金属氧化物时, 所用工作气氛为氩气和氧气混 合气体, 比例为 500sccm。

47、 1000sccm。优选的膜层厚度为 25 30nm, 更优选的膜层厚度为 25 27nm。将此层镀覆在第四层 AZO 电介质阻隔层上。顶层电介质组合层 213 主要作用 除可以起到减反射作用, 同时可以提高膜系的抗腐蚀、 抗机械和抗温变性能。 对整个膜层具 有保护作用, 保证膜层稳定性。 0116 在各膜层按顺序镀覆完成后, 本实施例中的低辐射镀膜玻璃在后续加工中可承受 磨边工艺的加工, 磨边时玻璃边部不会产生划伤或脱膜现象 ; 可承受 680 700的高温钢 化热处理加工工艺, 钢化后膜层表面无外观缺陷 ; 同时, 本发明的低辐射玻璃在钢化热处理 工艺后, 可承受中空纯水洗刷 3 次以上而。

48、不会产生不可接受的划伤、 脱膜等外观缺陷。故本 发明的可钢化双银低辐射玻璃的膜层结构稳定, 理化性能及机械性能优良。 0117 在光学性能方面, 本发明实施例单片颜色如下表一。 在本发明实施例中, 镀膜玻璃 的光学性能为美国Hunter lab公司生产的Color QuestXE光学仪器测定, 颜色参数为按国 际惯例对色度空间的定义。 0118 表一 0119 单片外观颜色 玻璃面反射色 膜层面反射色 透射色 Y 小于 6 小于 7 大于 65 L* 小于 28.5 小于 32 大于 85 a* -0.7 -1.5 -8.5 -9.8 -3.8 -4.2 b* -8.0 -9.0 -2.0 -3.5 0.5 1.0 0120 本发明镀膜 2 玻璃辐射率 0.03 0.06, 玻璃面反射很低 ( 6 ), 不会对 环境造成光污染, 颜色偏于蓝色色调, 能够被大众客户所接受, 十分有利于市场推广。 0121 另外, 该实施例玻璃, 钢化后颜色变化较小, 具体对光学性能的影响如下 : 01。

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