一种晶圆MAP显示模型及其使用方法.pdf

一种晶圆Map显示模型及其使用方法，先创建一动态链接库WaferMapDll，新建一基于CStatic的导出类CWaferMap，建立晶圆Map坐标模型，将每个晶粒视作一个点，为每个晶粒分配坐标；判断分配的坐标是否在晶圆范围，根据处于晶圆范围内的晶粒绘制出代表晶圆内晶粒的小方格，形成晶圆Map显示图；创建一用于保存晶粒信息且缩放后重绘晶粒测试情况的二进制文件，计算出每个晶粒的信息在该文件中存储地址，并将晶粒信息写入该文件；获取当前晶粒电机脉冲坐标，根据该电机脉冲坐标及晶圆中心电机脉冲坐标，计算当前晶粒的Map坐标，对Map图上显示的对应晶粒标记并存入二进制文件。本发明功能多，移植性强，灵活性高。

权利要求书一种晶圆Map显示模型，其特征在于，通过以下步骤创建：
创建一动态链接库WaferMapDll，新建一基于CStatic的导出类CWaferMap，获取用于绘图的句柄HDC，建立晶圆Map坐标模型，将每个晶粒视作一个点，以中心晶粒的Map坐标为(0，0)为每个晶粒分配坐标；
判断为每个晶粒分配的所述Map坐标是否处于晶圆范围内，并根据处于晶圆范围内的晶粒绘制出代表晶圆内晶粒的小方格，形成晶圆Map显示图；
创建一用于保存晶粒信息且缩放后重绘晶粒的测试情况的二进制文件，计算每个晶粒的信息在所述二进制文件中的存储地址，并将每个晶粒信息按计算出的所述存储地址写入在所述二进制文件中；
当晶圆放置到测试台的承片台上后，获取当前晶粒的电机脉冲坐标，根据该当前晶粒的电机脉冲坐标及晶圆中心的电机脉冲坐标，计算出当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标，根据计算出的当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标，对Map显示图上显示的对应晶粒标记并存入上述二进制文件。
根据权利要求1所述的晶圆Map显示模型，其特征在于，所述的判断所述为每个晶粒分配的Map坐标是否处于晶圆范围内的方法如下：
根据为每个晶粒分配的Map坐标利用下面公式计算晶粒中心相对晶圆中心长度坐标
Lx = Mx * Sx + Parx * 0.5 * Sx
Ly = My * Sy + Pary * 0.5 * Sy　
其中，Mx和My是为晶粒分配的Map坐标，Sx和Sy是晶粒的尺寸，Parx和Pary是晶粒分布的奇偶性，      Lx和Ly是晶粒中心相对晶圆中心的长度坐标；
根据上述长度坐标利用下面公式计算晶粒中心与晶圆中心的距离C
C= (Lx * Lx + Ly * Ly)1/2
将粒中心与晶圆中心的距离C与晶圆的半径R比较，如果C < R，则该坐标表示的晶粒在晶圆内；反之，在晶圆外。
根据权利要求1所述的晶圆Map显示模型，其特征在于，所述的小方格可按照需要绘制成不同的颜色。
根据权利要求1所述的晶圆Map显示模型，其特征在于，所述的晶粒信息由一个Byte类型的变量存储。
根据权利要求1所述的晶圆Map显示模型，其特征在于，所述的计算出每个晶粒的信息在所述文件中的存储地址的公式如下：
P = (Nx + Mx) + (Ny + My) * Nx * 2;
其中，Mx和My是为晶粒分配的Map坐标，Nx和Ny 是晶圆在晶圆Map显示图上X、Y方向的半径最多可以分布的晶粒个数，P是每个晶粒的信息在所述文件中的存储地址。
根据权利要求1所述的晶圆Map显示模型，其特征在于，所述的根据该当前晶粒的电机脉冲坐标及晶圆中心的电机脉冲坐标，计算出当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标的计算公式如下：
Mapx = (Pulx – Zx + Sx / 2) / Sx
Mapy = (Puly – Zy + Sy / 2) / Sy
其中，Mapx和Mapy是当前晶粒的Map坐标，Sx和Sy是晶粒的尺寸，Pulx和Puly是获取的当前晶粒的电机脉冲坐标，Zx和Zy是晶圆中心的电机脉冲坐标。
一种权利要求1‑6所述晶圆Map显示模型的使用方法，其特征在于，
在使用本晶圆Map显示模型的系统中，首先该导入动态链接库WaferMapDll，动态或静态新建一个CWaferMap对象，设定Map对象的显示位置及视图的尺寸大小；
根据需要改变Map显示图的颜色，然后设定晶圆的类型、颜色以及片径和晶粒尺寸特征参数，调用显示晶圆Map显示图的函数；
在测试过程中，调用函数在晶圆Map显示图上显示各晶粒的测试结果；
根据需要在Map显示图对特定晶粒进行标记，包括指定晶粒的坐标与类型；
测试完成后，可根据需要调用函数保存测试结果，将该测试完成的Map图进行保存，可以存为Bmp位图格式或txt格式。

说明书一种晶圆Map显示模型及其使用方法
技术领域
本发明涉及半导体器件测试技术领域，具体涉及一种在探针测试设备中晶圆Map显示模型及其使用方法。
背景技术
在探针测试设备中，需要实时显示晶圆的信息，包括晶圆上晶粒的分布状态，晶圆是否有切边，当前正在测试的晶粒位置，以及已测试晶粒的分类级别等。　
目前，各探针测试设备的厂商均有各自的晶圆Map显示模型，基本功能相近。但该些模型功能较弱，移植性差、不够灵活以适应不同变化。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的缺点而提供一种多功能的晶圆Map显示模型及其使用方法，旨在解决现有的晶圆Map显示模型功能较弱，移植性差、不够灵活以适应不同变化的问题。
一种晶圆Map显示模型，通过以下步骤创建：
创建一动态链接库WaferMapDll，新建一基于CStatic的导出类CWaferMap，获取用于绘图的句柄HDC，建立晶圆Map坐标模型，将每个晶粒视作一个点，以中心晶粒的Map坐标为(0，0)为每个晶粒分配坐标；
判断为每个晶粒分配的所述Map坐标是否处于晶圆范围内，并根据处于晶圆范围内的晶粒绘制出代表晶圆内晶粒的小方格，形成晶圆Map显示图；
创建一用于保存晶粒信息且缩放后重绘晶粒的测试情况的二进制文件，计算出每个晶粒的信息在所述文件中的存储地址，并将计算出的晶粒信息写入所述文件；
当晶圆放置到测试台的承片台上后，获取当前晶粒的电机脉冲坐标，根据该当前晶粒的电机脉冲坐标及晶圆中心的电机脉冲坐标，计算出当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标，根据计算出的当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标，对Map显示图上显示的对应晶粒标记并存入上述二进制文件。
所述的判断所述为每个晶粒分配的Map坐标是否处于晶圆范围内的方法如下：
根据为每个晶粒分配的Map坐标利用下面公式计算晶粒中心相对晶圆中心长度坐标
Lx = Mx * Sx + Parx * 0.5 * Sx
Ly = My * Sy + Pary * 0.5 * Sy　
其中，Mx和My是为晶粒分配的Map坐标，Sx和Sy是晶粒的尺寸，Parx和Pary是晶粒分布的奇偶性，Lx和Ly是晶粒中心相对晶圆中心的长度坐标；
根据上述长度坐标利用下面公式计算晶粒中心与晶圆中心的距离C，
C= (Lx * Lx + Ly * Ly)1/2
将粒中心与晶圆中心的距离C与晶圆的半径R比较，如果C < R，则该坐标表示的晶粒在晶圆内；反之，在晶圆外。
所述的小方格可按照需要绘制成不同的颜色。
所述的晶粒信息由一个Byte类型的变量存储。
所述的计算出每个晶粒的信息在所述文件中的存储地址的公式如下：
P = (Nx + Mx) + (Ny + My) * Nx * 2;
其中，Mx和My是为晶粒分配的Map坐标，Nx和Ny 是晶圆在晶圆Map显示图上X、Y方向的半径最多可以分布的晶粒个数，P是每个晶粒的信息在所述文件中的存储地址。
所述的根据该当前晶粒的电机脉冲坐标及晶圆中心的电机脉冲坐标，计算出当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标的计算公式如下：
Mapx = (Pulx – Zx + Sx / 2) / Sx
Mapy = (Puly – Zy + Sy / 2) / Sy
其中，Mapx和Mapy是当前晶粒的Map坐标，Sx和Sy是晶粒的尺寸，Pulx和Puly是获取的当前晶粒的电机脉冲坐标，Zx和Zy是晶圆中心的电机脉冲坐标。
本发明所述的晶圆Map模型，能够直观的显示晶粒在晶圆上的分布情况，并可动态的表示晶圆的测试情况，可以保存测试结果，并具有编辑、缩放等扩展功能；同时，该模型使用方便，能灵活的插入到各种结构的软件系统中，作出适当修改后，还可以被其他需要使用晶圆Map显示模型的设备软件利用。
本发明所述的晶圆Map显示模型的使用方法，包括以下步骤：
在使用本晶圆Map显示模型的系统中，首先该导入动态链接库WaferMapDll，动态或静态新建一个CWaferMap对象，设定Map对象的显示位置及视图的尺寸大小；
根据需要改变Map显示图的颜色，然后设定晶圆的类型、颜色以及片径和晶粒的尺寸等特征参数，调用显示晶圆Map显示图的函数； 
在测试过程中，调用函数在晶圆Map显示图上显示各晶粒的测试结果；
根据需要在Map显示图对特定晶粒进行标记，包括指定晶粒的坐标与类型；
测试完成后，可根据需要调用函数保存测试结果，将该测试完成的Map图进行保存，可以存为Bmp位图格式或txt格式。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明提供的晶圆Map显示模型，实现了丰富的功能，包括：①准确显示晶粒在晶圆的分布状态；②丰富的配置功能，如颜色、形状、比例等；③可任意编辑测试范围；④结果保存功能等。
2、利用本发明，可以对探针台的运动和测试情况进行实时的模拟显示，方便操作人员了解设备的工作状态，并能直观的显示晶圆的测试结果。
3、本发明的模型封装在动态链接库中，对于使用本发明的系统来说，该模块的升级很方便，不会影响到系统的其他部分。另外，也不限制系统使用何种编程语言，具有很好的灵活性。本发明功能多，移植性强，灵活性高，适用于在探针测试设备中的晶圆测试技术。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的晶圆Map显示模型的使用流程图。
图2所示为本发明提供的圆形的晶圆Map显示图的示意图；
图3所示为本发明提供的环形的晶圆Map显示图的示意图；
图4所示为本发明提供的矩形的晶圆Map显示图的示意图；
图5所示为本发明提供的在圆形的晶圆Map显示图进行晶粒标记的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。
本发明利用可配置的参数，绘制晶圆Map显示图来模拟晶圆上的晶粒分布，该晶圆Map显示图的颜色、形状、大小均可设置。
本发明模型封装到动态链接库中，使该模型的升级方便，不影响使用该模型的系统的其他部分。另外，也不限制系统使用何种编程语言，可供不同的语言灵活调用。使用时，只需要在需要使用该模型的系统中包含动态链接库，新建一个Map类的对象，调用相关函数即可实时模拟显示晶圆的测试状态。
本发明所述的晶圆Map显示模型的创建过程步骤如下：
步骤1：创建一个动态链接库WaferMapDll，新建一个基于CStatic的导出类CWaferMap，获取用于绘图的句柄HDC，建立晶圆Map的坐标模型，将每个晶粒视作一个点，为其分配坐标。中心的晶粒Map坐标为(0，0)，其余晶粒的Map坐标可根据其与中心晶粒的位置关系推算出来。
步骤2：根据公式1、2，依次判断上步骤推算出来的晶粒Map坐标是否处于晶圆范围内，并根据处于晶圆范围内的晶粒绘制出代表晶圆内的晶粒的小方格，形成晶圆Map显示图。该小方格可按照需要绘制成不同的颜色。计算公式如下：
根据为晶粒分配的Map坐标计算长度坐标
    公式1：Lx = Mx * Sx + Parx * 0.5 * Sx
Ly = My * Sy + Pary * 0.5 * Sy
其中：Mx和My是为晶粒分配的Map坐标，Sx和Sy是晶粒的尺寸，Parx和Pary是晶粒分布的奇偶性，Lx和Ly是晶粒中心相对晶圆中心的长度坐标；
计算晶粒中心与晶圆中心的距离C，
公式2：C= (Lx * Lx + Ly * Ly)1/2
将粒中心与晶圆中心的距离C与晶圆的半径R比较，如果C < R，则该坐标表示的晶粒在晶圆内；反之，在晶圆外；
步骤3：创建一个二进制文件，用于保存晶粒的信息，该文件用于缩放后重绘晶粒的测试情况。所述的晶粒信息由一个Byte类型的变量存储，根据公式3计算出每个晶粒的信息在文件中的存储地址P，将晶粒信息写入文件。计算公式如下：
公式3：P = (Nx + Mx) + (Ny + My) * Nx * 2;
其中：Mx和My是为晶粒分配的Map坐标，Nx和Ny 是晶圆在晶圆Map显示图上X、Y方向的半径最多可以分布的晶粒个数，P是每个晶粒的信息在所述文件中的存储地址。
步骤4：当晶圆放置到测试台的承片台上后，该晶圆Map显示模型能够获取当前晶粒的电机脉冲坐标，而晶圆中心的电机脉冲坐标是已知的，可以根据公式4计算出当前晶粒在晶圆Map显示图上的Map坐标，根据测试结果，对Map图显示上的对应晶粒标记颜色，并存入上述二进制文件。
计算公式如下：
公式4：Mapx = (Pulx – Zx + Sx / 2) / Sx
Mapy = (Puly – Zy + Sy / 2) / Sy
其中：Mapx和Mapy是当前晶粒的Map坐标，Sx和Sy是晶粒的尺寸，Pulx和Puly是获取的当前晶粒的电机脉冲坐标，Zx和Zy是晶圆中心的电机脉冲坐标。
制成后的晶圆Map显示模型的显示图，参见图2~4所示，可以是图2所示的圆形，可以图4所示的矩形，也可是图3所示环形，在圆形的显示图上进行晶粒标记的情况参见图5所示，该图5中圆形显示图的上端位置用三角形标注的小方格表示标记的晶粒位置情况。
由于CWaferMap类提供一系列的接口函数供外部调用，只用在需要使用该模型的软件系统中包含WaferMapDll动态库，然后新建一个CwaferMap类的对象，调用其相关的接口函数，就可以实现对Map模型的控制。
下面，对使用本发明所述的晶圆Map显示模型进行说明如下。
参见图1所示，本发明所述的晶圆Map显示模型的使用流程图，包括以下步骤：
在使用本晶圆Map显示模型的系统中，首先该导入动态链接库WaferMapDll，动态或静态新建一个CWaferMap对象，设定Map对象的显示位置及视图的尺寸大小；
根据需要改变Map显示图的颜色，然后设定晶圆的类型、颜色以及片径和晶粒的尺寸等特征参数，调用显示晶圆Map显示图的函数； 
在测试过程中，调用函数在晶圆Map显示图上显示各晶粒的测试结果；
根据需要在Map显示图对特定晶粒进行标记，包括指定晶粒的坐标与类型；
测试完成后，可根据需要调用函数保存测试结果，将该测试完成的Map图进行保存，可以存为Bmp位图格式或txt格式。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。