《半导体模块系统、半导体模块及制造半导体模块的方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体模块系统、半导体模块及制造半导体模块的方法.pdf（15页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 102810531 A (43)申请公布日 2012.12.05 CN 102810531 A *CN102810531A* (21)申请号 201210167985.8 (22)申请日 2012.05.25 13/152,338 2011.06.03 US H01L 25/07(2006.01) H01L 25/16(2006.01) H01L 23/48(2006.01) H01L 21/50(2006.01) (71)申请人 英飞凌科技股份有限公司 地址 德国瑙伊比贝尔格 (72)发明人 奥拉夫基尔施 蒂洛斯托尔泽 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限。
2、 责任公司 11240 代理人 余刚 吴孟秋 (54) 发明名称 半导体模块系统、 半导体模块及制造半导体 模块的方法 (57) 摘要 本发明涉及半导体模块系统、 半导体模块及 制造半导体模块的方法。一种半导体模块系统， 包括 ： 衬底、 至少一个半导体芯片、 以及至少两个 导电性第一连接元件。衬底具有底侧和在垂直方 向上与底侧间隔开的顶侧。至少一个半导体芯片 设置在顶侧上。第一连接元件中的每一个具有沿 垂直于垂直方向的方向从衬底的绝缘载体突出的 第一端。半导体系统进一步包括具有 N 1 个连 接器的连接系统。多个连接器中的第一个包括至 少两个导电性第二连接元件。第二连接元件中的 每一个具有第。
3、一端。第一连接元件中的每一个的 第一端可以与第二连接元件之一的第一端导电连 接。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 5 页 附图 7 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 5 页 附图 7 页 1/2 页 2 1. 一种半导体模块系统， 包括 ： 衬底， 具有底侧和在垂直方向上与所述底侧间隔开的顶侧 ； 至少一个半导体芯片， 设置在所述顶侧上 ； 至少两个的多个导电性第一连接元件， 其中， 所述第一连接元件中的每一个的第一端 沿垂直于所述垂直方向的方向从所述衬底的绝缘载体突出 ； 连接系统， 包括 N 。
4、1 个的多个连接器 ； 其中， 所述连接器中的第一个包括至少两个导电性第二连接元件， 所述第二连接元件 中的每一个具有第一端 ； 其中， 各个所述第一连接元件的第一端能与所述第二连接元件之一的第一端导电连 接。 2. 根据权利要求 1 所述的半导体模块系统， 其中， 各个所述第一连接元件的第一端通 过插塞式连接与所述第二连接元件之一的第一端导电连接。 3. 根据权利要求 1 所述的半导体模块系统， 其中， 各个所述第一连接元件被形成为在 垂直方向上的平均厚度小于 200m 的金属化层。 4. 根据权利要求 1 所述的半导体模块系统， 其中， 各个所述第一连接元件被形成为在 垂直方向上的最大厚度。
5、小于 600m 的金属化层。 5. 根据权利要求 1 所述的半导体模块系统， 其中， 所述第二连接元件的各个第一端被 形成为插座， 所述插座被配置用于容纳所述第一连接元件之一的第一端。 6. 根据权利要求 1 所述的半导体模块系统， 其中， 所述第一连接元件的各个第一端被 形成为插头。 7. 根据权利要求 1 所述的半导体模块系统， 其中， 所述第一连接元件的第一端沿所述 衬底的相对侧设置。 8. 一种半导体模块， 包括 ： 衬底， 具有底侧和在垂直方向上与所述底侧间隔开的顶侧 ； 至少一个半导体芯片， 设置在所述顶侧上 ； 至少两个的多个导电性第一连接元件， 其中， 所述第一连接元件中的每一。
6、个的第一端 沿垂直于所述垂直方向的方向从所述衬底的绝缘载体突出 ； 连接系统， 包括 N 1 个的多个连接器 ； 其中， 所述连接器中的第一个包括至少两个导电性第二连接元件， 所述第二连接元件 中的每一个具有第一端 ； 其中各个所述第一连接元件的第一端与所述第二连接元件之一的第一端导电连接。 9. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述第一连接元件中的至少一个与所述 第二连接元件之一形成压配连接。 10. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述第二连接元件中的至少一个第一端 被形成为接触弹簧。 11. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述第一连接元件中的至。
7、少一个第一端 通过锁杆或铆钉与所述第二连接元件之一的第一端连接。 12. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述第一连接元件中的至少一个第一端 焊接或锻接至所述第二连接元件之一的第一端。 权 利 要 求 书 CN 102810531 A 2 2/2 页 3 13. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述第一连接器包括固定所述第二连接 元件的介电底座。 14.根据权利要求13所述的半导体模块， 其中， 所述第二连接元件插入和/或成型在所 述介电底座中。 15. 根据权利要求 13 所述的半导体模块， 其中 ： 所述介电底座具有下侧和在垂直方向上与所述下侧间隔开的上侧 ； 。
8、并且 所述第二连接元件中的每一个具有能在在所述上侧使用的第二端。 16. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述连接系统包括围绕所述半导体芯片 并且部分或全部通过 N 2 的多个连接器形成的框架。 17. 根据权利要求 8 所述的半导体模块， 其中， 所述衬底包括设置在所述绝缘载体上的 顶部金属化层。 18. 根据权利要求 17 所述的半导体模块， 其中， 所述半导体芯片设置在所述顶部金属 化层的背向所述绝缘载体的那一侧上。 19. 根据权利要求 17 所述的半导体模块， 其中， 在所述顶部金属化层和所述第一连接 元件之间设置有绝缘层。 20. 根据权利要求 8 所述的半导体模块，。
9、 其中， 所述第一连接元件的第一端沿所述衬底 的相对侧设置。 21. 一种制造半导体模块的方法， 包括 ： 提供衬底装置， 该衬底装置包括 ： 具有底侧和在垂直方向上与所述底侧间隔开的顶侧的衬底 ； 设置在所述顶侧上的至少一个半导体芯片 ； 至少两个的多个导电性第一连接元件， 其中， 所述连接元件中的每一个的第一端沿垂 直于所述垂直方向的方向从所述衬底的绝缘载体突出 ； 提供包括N1个的多个连接器的连接系统， 其中， 所述连接器中的第一个包括至少两 个导电性第二连接元件， 并且所述第二连接元件中的每一个具有第一端 ； 使各个所述第一连接元件的第一端与所述第二连接元件之一的第一端导电连接。 22。
10、. 根据权利要求 21 所述的方法， 其中， 将所述第二连接元件的各个第一端插入所述 第一连接元件之一的第一端。 23. 根据权利要求 21 所述的方法， 其中， 在插入步骤中， 将 N 个连接器中的每一个在垂 直于所述垂直方向的方向上推向所述衬底装置。 24. 根据权利要求 21 所述的方法， 其中， 所述第一连接元件的第一端沿所述衬底的相 对侧设置。 权 利 要 求 书 CN 102810531 A 3 1/5 页 4 半导体模块系统、 半导体模块及制造半导体模块的方法 技术领域 0001 本申请涉及一种半导体模块。 背景技术 0002 对于例如在电力电子电路中使用的电子单元的电连接器之间。
11、的很多电连接来说， 要求电连接器具有低电阻、 高载流容量， 并要求允许进行快速简单的连接和断开。因此， 需 要一种改进的连接系统以及改进的电连接器方法。 发明内容 0003 根据一方面， 半导体模块系统包括衬底、 至少一个半导体芯片、 以及多个 （至少两 个） 导电性第一连接元件。衬底具有底侧和沿垂直方向与底侧间隔开的顶侧。至少一个半 导体芯片设置在顶侧上。 第一连接元件中的每一个具有沿垂直于垂直方向的方向从衬底的 绝缘载体突出的第一端。半导体系统进一步包括具有多个 （N 1 个） 连接器的连接系统。 连接器的第一个包括至少两个导电性第二连接元件。第二连接元件中的每一个具有第一 端。第一连接元。
12、件中的每一个的第一端可以与第二连接元件之一的第一端导电连接。 0004 本领域的技术人员在阅读以下的详细说明并查看附图后， 将认识到其他的特征和 优点。 附图说明 0005 参照以下附图和说明能够更好地理解本发明。图中的部件不一定是按比例绘制 的， 重点应放在示出本发明的原理上。此外， 在图中， 相同的编号指的是对应的部件。在附 图中 ： 0006 图 1A 是具有连接器的功率半导体模块系统的截面图。 0007 图 1B 是图 1A 的功率半导体模块系统的顶视图。 0008 图 2A 是由图 1A 的功率半导体模块系统形成的功率半导体模块的截面图。 0009 图 2B 是图 2A 的功率半导体。
13、模块的顶视图。 0010 图 3 是具有坚固底板的功率半导体模块的截面图。 0011 图 4 是具有带组装用开口的连接器的功率半导体模块的截面图。 0012 图 5 是具有坚固底板的功率半导体模块的截面图。 0013 图 6 是具有包括压配触头 （press-fit contact） 的连接器的功率半导体模块系统 的一部分的截面图。 0014 图 7 是具有包括弹簧触头的连接器的功率半导体模块系统的一部分的截面图。 0015 图 8A 是具有通过铆接 （rivet connection） 方式连接的连接器的功率半导体模块 系统的一部分的截面图。 0016 图 8B 是完成铆接后图 8A 的功率。
14、半导体模块系统的一部分的截面图。 0017 图 9A 是具有框架的功率半导体模块系统的顶视图， 所述框架由通过形状配合连 说 明 书 CN 102810531 A 4 2/5 页 5 接 （form-fitting connection） 而彼此连接的框架元件组成。 0018 图 9B 是图 9A 的功率半导体模块系统的侧视图。 具体实施方式 0019 在以下的详细说明中， 参照了附图， 附图构成说明的一部分， 并且其中通过示例的 方式示出了实现本发明的具体实施方式。因此， 方位术语， 例如 “顶” 、“底” 、“前” 、“后” 、“前 缘” ，“后缘” 等参照所描述的图的方向进行使用。由于实。
15、施方式的部件可以定位在多个不同 的方向上， 所以方位术语用于说明性目的， 而非限制性的。要理解的是， 可采用其他实施方 式， 且可在不脱离本发明范围的情况下做出结构或逻辑上的变化。 因此， 下列详细说明不应 理解为对本发明的限制， 本发明的范围由所附的权利要求书限定。 要理解的是， 除非另有说 明， 否则本文描述的各种示例性实施方式的特征可以相互组合。 0020 现在参照图 1A， 其示出了功率半导体模块系统的截面， 图 1B 是功率半导体模块的 顶视图。图 1A 的截面沿图 1B 所示的 E-E 截取的面。功率半导体模块系统包括衬底装置 8， 以及用于电连接衬底装置 8 的多个 （N 1 个。
16、） 连接器 6。衬底装置 8 包括具有绝缘载体 20 的衬底 2、 任选的顶部金属化层 21、 以及任选的底部金属化层 22。绝缘载体 20 使顶部金属 化层 21 与底部金属化层 22 电绝缘。 0021 为了允许对功率半导体芯片1进行充分的冷却， 低传热阻力是绝缘载体20的重要 属性。因此， 绝缘载体 20 的材料和厚度必须满足功率半导体模块的要求。例如， 绝缘载体 20 可以是陶瓷， 使得衬底 2 形成陶瓷衬底。例如， 绝缘载体 20 可包括下列材料中的一种或 由下列材料中的一种组成 ： 氧化铝 （Al2O3） 、 氮化铝 （AlN） 、 氮化硅 （Si3N4） 。然后， 例如， 绝缘 。
17、载体 20 中的一个、 一些或全部的厚度可以在 0.2mm 至 2mm 之间。在一些实施方式中， 衬底 2 中的至少一个可以是直接覆铜衬底 （DCB 衬底） 、 或直接覆铝衬底 （DAB 衬底） 、 或活性金属钎 焊衬底 （AMB 衬底） 。 0022 衬底 2 具有底侧 2b 和在垂直方向 v 上与底侧 2b 间隔开的顶侧 2a。至少一个半 导体芯片 1， 例如 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） 、 IGBT（绝缘栅双极晶体管） 、 J-FET（结型场效应晶体管） 、 二极管或晶闸管设置在衬底 2 的顶侧 2a 上。 0023 衬底装置8进一步包括多个用于电连接衬底装置8的至少两。
18、个导电性第一连接元 件 3。第一连接元件 3 中的每一个可具有第一端 31， 各个连接元件 3 在第一端 31 沿垂直于 垂直方向 v 的方向从绝缘载体 20 突出。为了使一个、 一些或所有连接元件 3 与顶部金属化 层 21 电绝缘， 可以将第一绝缘层 91 设置在顶部金属化层 21 和第一连接元件 3 之间便于绝 缘。任选地， 第二绝缘层 92 可以设置在第一连接元件 3 的背向衬底 2 的那一侧上。在图 1B 中， 第二金属化层 92 被去掉， 顶部金属化层 21 的轮廓用虚线表示。 0024 连接器 6 中的第一个包括至少两个导电性第二连接元件 4。第二连接元件 4 中的 每一个具有第。
19、一端 41 和第二端 42。第一连接元件 3 中的每一个在第一端 31 可以与第二连 接元件 4 之一的对应第一端 41 导电连接。在图 1B 中可以看到， 在连接器 6 中， 可以将两个 以上第二连接元件 4 固定在公共底座 5 上， 例如介电底座 （dielectric mounting） （例如塑 料底座） 上。为了将一个、 两个或更多个第二连接元件 4 紧固在底座 5 中， 可以将各自的第 二连接元件 4 插入 （insert） 预制底座 5 中和 / 或成型 （mold） 在底座 5 中。 0025 连接器 6 用于允许将衬底装置 8 简单地电气连接至外围设备， 例如带线。在功 说 。
20、明 书 CN 102810531 A 5 3/5 页 6 率半导体模块的组装状态下， 功率半导体模块的外部电连接由第二连接元件 4 的第二 端 42 实现。为此， 在功率半导体模块的组装状态下， 可以从功率半导体模块的外侧使用 （accessible） 第二连接元件 4 的第二端 42。例如， 一个、 两个、 多于两个或所有第二连接元 件 4 的第二端 42 可以在各自底座 5 的上侧 5a 进行使用， 由此上侧 5a 在垂直方向 v 上与底 座 5 的下侧 5b 间隔一定距离。例如， 一个、 两个、 多于两个或所有第二连接元件 4 的第二端 42 可以在底座 5 的上侧 5a 从底座 5 突。
21、出。尽管第二端 42 设计成分叉的压配连接器， 但其 他设计如锻接接触件 （weld contact） 、 螺钉接触件等。 0026 为了使连接器 6 的所有第二连接元件 4 与衬底装置 8 电连接， 可以将各自的连接 器6沿图1A和1B中用箭头表示的垂直于垂直方向v的方向向衬底装置8推动， 使得第二连 接元件 4 中的每一个的第一端 41 与第一连接元件 3 之一的对应第一端 31 电接触。从而， 连接器 6 的第二连接元件 4 的第一端 41 和第一连接元件 3 的对应第一端 31 之间的一个、 两个、 多于两个或全部连接可以是插塞式连接。例如， 连接器 6 的第二连接元件 4 的第一端 。
22、41 中的每一端可以形成为适用于容纳第一连接元件 3 之一的对应第一端 31 的插座。相应 地， 第一连接元件 3 的各个第一端 31 可以形成为插头。 0027 根据一个实施方式， 第一连接元件 3 可以形成为金属化层或可以由金属化层形 成。例如， 这样的金属化层沿垂直方向 v 可以具有厚度 d3， 就各自的第一连接元件 3 而言， 平均厚度 d3 大于 50m 和 / 或小于 200m。然后， 这样的金属化层沿垂直方向 v 可以具有 小于 600m 的最大厚度 d3max。为了实现低电阻， 第一连接元件 3 可以由铜或具有至少 90 重量 % 的铜的合金构成。 0028 衬底装置 8 可以。
23、根据 PLIT 技术 （PLIT= 电源层互连技术） 进行制造。为此， 在第 一步骤中， 衬底 2 可以设置并配备至少一个功率半导体芯片 1。然后， 被形成为连续层的第 一绝缘层 91 可以在第二步骤中沉积在衬底 2 和功率半导体芯片 1 的背向衬底 2 的底侧 2b 的侧面上， 并且在随后的第三步骤中被图案化以获得第一绝缘层 91。第一绝缘层 91 在功 率半导体芯片 1 的顶侧 1a 上方和顶部金属化层 21 的某些部分的上方具有开口或切口， 使 得功率半导体芯片 1 和顶部金属化层 21 的顶侧接触通过开口和 / 或切口实现。然后， 在随 后的第四步骤中， 金属层可以设置在第一绝缘层 9。
24、1 的上方以便制造第一连接元件 3。金属 层可以被预加工成结构化金属片 （例如引线框） 或连续金属片， 或者例如以结构化或连续方 式作为沉积层沉积在第一绝缘层 91 和开口或切口上方。例如， 用沉积工艺如 PVD（物理气 相沉积） 或 CVD（化学气相沉积） 工艺制造沉积层。第一连接元件 3 还可以被预加工成单一 部件， 安装在各自的目标位置。 在用沉积工艺制造金属层的情况下， 在沉积工艺之前提供载 体。载体允许将形成第一端 31 的材料沉积， 并且在要制造的金属层的底侧 （即金属层面向 衬底 2 的一侧） 上支撑第一端 31。完成沉积工艺后， 至少部分移除载体， 以便释放载体材料 的第一端 。
25、31。例如， 可以给要移除的部分打孔并拆除。利用用于载体的、 对第一连接元件 3 的材料没有较强的粘附性的材料可以使拆除过程更方便。 移除载体的另一种可能性是对于 沉积金属层和衬底 2 选择性蚀刻载体。至少部分地移除载体的步骤可以在第五步骤之前或 之后， 在第五步骤中第二绝缘层 92 沉积在第一连接元件 3 之上。 0029 代替提供并随后图案化连续层， 图案化层可以直接用图案化方式制造， 例如通过 打印技术或通过将预加工元件提供并连接至层下方。例如， 第一连接元件 3 可以设置成金 属带， 焊接或导电粘附在相应功率半导体芯片 1 的顶侧 1a 上和 / 或顶部金属化层 21 的相 说 明 书。
26、 CN 102810531 A 6 4/5 页 7 应部分上， 即， 在第一绝缘层 91 中的开口或切口区域。 0030 现在参照图 2A， 示出了组装状态下的图 1A 和 1B 的功率半导体模块系统， 也就是 说， 所有连接器 6 与衬底装置 8 的第一连接元件 3 电连接。在组装状态下， 至少一个半导体 芯片 1 和衬底装置 2 可以被框架包围。在图 1A、 1B、 2A、 2B 的实施方式中， 框架一部分由连 接器 6 结合至少一个桥接元件 7 构成。这样的桥接元件 7 用于使框架完整。例如， 桥接元 件 7 可以由与底座 5 相同的材料构成。在其他实施方式中， 框架可以仅由连接器 6 。
27、组装而 成， 由此每个连接器 6 配备有至少一个第二连接元件 4。为了形成稳定的自撑式框架， 框架 元件 （即所有连接器 6 和所有桥接元件 7） 可以通过合适的接合方法彼此直接相连， 例如通 过将框架元件的相邻元件直接粘附、 螺接或嵌合在一起。 0031 现在参照图 3， 图 3 示出了一种功率半导体模块， 其与图 2A 和 2B 的功率半导体模 块的不同之处在于该模块还包括坚固底板 （solid base plate） 10。底板 10 的厚度可以为 0.1mm至20mm， 具有低热阻以允许将至少一个功率半导体芯片1产生的废热排至散热器 （未 示出） ， 该散热器可以连接至底板 10 的背。
28、向至少一个功率半导体芯片 1 的一侧。例如， 底板 10 可以由铜或铝等金属制成或由具有至少铜和铝之一的合金制成。在其他实施方式中， 底 板 10 可以由 MMC 材料 （MMC= 金属基复合材料） 制成。底板 10 可以通过焊接 （solder） 、 烧结 或粘合而机械接合至衬底 2 的底侧 2b。可以在连接器 6 与衬底装置 8 连接之前或之后， 将 底板 10 接合至衬底 2。 0032 图4示出了一种功率半导体模块， 其与图2A的功率半导体模块的不同之处在于连 接器 6 的底座 5 配备有任选的安装法兰 51。这样的安装法兰 51 可进一步包括插入螺钉或 另一种安装工具的安装开口 52。
29、。二者择一地或者另外地， 桥接元件 7 可以配备有任选包括 安装开口的安装法兰。 0033 与图 2A 的功率半导体模块的另一不同之处在于在衬底装置 8 的背向衬底 2 的底 侧 2b 的一侧上设置任选的盖板 12。 0034 与图 4 的功率半导体模块相比， 图 5 所示的功率半导体模块还具有底板 10。底板 10可以与图3的功率半导体模块的底板10一样， 由相同的材料制成、 可以具有相同的厚度、 并且可以以相同的方式与衬底 2 接合。如图 5 所示， 底板 10 可以具有任选的安装开口 11。 在图 5 的实施方式中， 安装开口 11 与法兰 51 的安装开口 52 对准。 0035 现在。
30、参照图 6， 图 6 示出了功率半导体模块系统的一部分， 该功率半导体模块系 统被解释为第一连接元件 3 的第一端 31 和第二连接元件 4 的第一端 41 之间压配连接 （press-fit connection） 的功率半导体模块。通过将第一连接元件 3 的第一端 31 插入由 第二连接元件 4 的第一端 41 形成的插座， 并在垂直于垂直方向 v 的方向朝衬底装置 8 按压 连接器 6， 第一连接元件 3 的第一端 31 通过压配连接可靠地保持在插座中。这样的压配连 接可以被设计用于形成冷锻接连接或接触锻接连接。 0036 图7的功率半导体模块系统与参照图6解释的功率半导体模块系统的不同。
31、之处在 于第二连接元件 42 的第一端 41 被形成为接触弹簧。将第一连接元件 3 的第一端 31 插入 连接器6之后， 接触弹簧被预拉伸 （pretension） ， 从而分别在第一和第二连接元件3和4之 间构成紧密的电接触。 0037 在图 8A 的实施方式中， 第一连接元件 3 的第一端 31 具有安装孔 33， 在第一连接 元件 3 的第一端 31 插入连接器 6 并垂直于垂直方向 v 将连接器 6 压向衬底装置 8 的第一 说 明 书 CN 102810531 A 7 5/5 页 8 步骤 （见标有 “1” 的箭头） 后， 该安装孔与对应第二连接元件 4 的第一端 41 中形成的安装。
32、 孔 43 对齐。在接下来的第二步骤中 （见标有 “2” 的箭头） ， 将锁杆或铆钉 15 插入两个安装 孔 33 和 43 中。图 8B 示出了插入锁杆 15 后的功率半导体模块。 0038 在图 6、 7、 8A 和 8B 中， 用虚线示出任选的底板 10。这样的底板 10 可以与先前解释 的底板 10 具有相同的特征。 0039 现在参照图 9A， 图 9A 示出了一种功率半导体模块系统， 其与图 1A 和 1B 的功率半 导体模块系统的不同之处在于框架元件 （即框架的连接器 6 和桥接元件 7） 彼此机械连接， 使得框架为自撑式框架。为了实现这样的框架， 框架元件 6、 7 的相邻元件。
33、可以通过可松开 或不可松开的锁紧连接 （locking connection） （例如按扣连接 （snapping connection） 或 锁扣连接 （latching connection） ） 而彼此连接。在图 9A 的实施方式中， 一部分框架元件 6、 7 具有可以插入图 9A 中隐藏的用虚线表示的桥接元件 7 中的对应容纳开口 75 中的突出 部。图 9B 是组装后的功率半导体模块的侧视图。 0040 根据本文的实施方式显而易见的是， 衬底装置 8 的第一端 31 可以沿衬底 2 的相对 侧设置。 0041 空间上的相对术语如 “在之下” ，“在下面” ，“下部” ，“在之上” ，。
34、“上部” 等用于 方便进行描述， 解释一个元件相对于另一个元件的定位。 除了图中描述的不同方向之外， 这 些术语还旨在包含设备的其他不同方向。此外， 术语例如 “第一” ，“第二” 等也用于描述各 种不同的元件、 区域、 部分等， 但并不是限制性的。在整个说明书中类似术语指的是类似元 件。 0042 本文所用的术语 “具有” 、“包含” 、“包括 （including） ” 、“包括 （comprising） ” 等是 开放性术语， 表示存在所述的元件或特征， 但不排除其他元件或特征。 除非上下文有明确的 说明， 否则冠词 “a” ，“an” 和 “the” 旨在包括复数和单数。 0043 鉴。
35、于上述范围的变化和应用， 应理解本发明不受前述描述的限制， 也不受附图的 限制。相反， 本发明仅受所附权利要求书及其法律上的等同物的限制。 说 明 书 CN 102810531 A 8 1/7 页 9 图 1A 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 9 2/7 页 10 图 1B 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 10 3/7 页 11 图 2A 图 2B 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 11 4/7 页 12 图 3 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 12 5/7 页 13 图 6 图 7 图 8A 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 13 6/7 页 14 图 8B 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 14 7/7 页 15 图 9A 图 9B 说 明 书 附 图 CN 102810531 A 15 。