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1、(10)申请公布号 CN 102937766 A (43)申请公布日 2013.02.20 CN 102937766 A *CN102937766A* (21)申请号 201210410998.3 (22)申请日 2012.10.24 G02F 1/1362(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/133(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 申请人 成都京东方光电科技有限公司 (72)发明人 李凡 (。
2、74)专利代理机构 北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人 申健 (54) 发明名称 阵列基板、 液晶显示装置及其驱动方法 (57) 摘要 本发明实施例提供一种阵列基板、 液晶显示 装置及其驱动方法， 涉及液晶显示技术领域， 能够 降低液晶显示装置的功耗及延长待机时间。该阵 列基板包括 ： 多个像素结构， 每个像素结构包括 设置于基板上的第一薄膜晶体管、 第一电容、 第二 薄膜晶体管以及像素电极， 第一薄膜晶体管包括 第一栅极、 第一源极以及第一漏极， 第二薄膜晶体 管包括第二栅极、 第二源极以及第二漏极 ； 以横 向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线， 第 一栅极线和第二栅。
3、极线交替排布 ； 以纵向设置的 多条数据线， 数据线与第一栅极线和第二栅极线 分别交叉并互相绝缘。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 10 页 附图 7 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 10 页 附图 7 页 1/2 页 2 1. 一种阵列基板， 其特征在于， 包括 ： 多个像素结构， 每个所述像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、 第一电容、 第 二薄膜晶体管以及像素电极， 所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、 第一源极以及第一漏极， 所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、 第二源极以及第二漏极 ； 以横向设置的多条第一。
4、栅极线和多条第二栅极线， 所述第一栅极线和所述第二栅极线 交替排布 ； 以纵向设置的多条数据线， 所述数据线与所述第一栅极线和所述第二栅极线分别交叉 并互相绝缘， 其中， 所述第一栅极与所述多条第一栅极线中对应的第一栅极线连接， 所述第二栅极 与所述多条第二栅极线中对应的第二栅极线连接， 所述第一源极与所述多条数据线中对应 的数据线连接， 所述第一漏极通过所述第一电容与所述第二源极连接， 所述第二漏极与所 述像素电极连接。 2. 根据权利要求 1 所述的阵列基板， 其特征在于， 所述第一电容包括第一存储电极和 第三存储电极， 并且 所述第二源极通过所述第三存储电极与所述第一漏极连接。 3. 根。
5、据权利要求 2 所述的阵列基板， 其特征在于， 所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层， 所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层， 所述第一栅极、 所述第一存储电极， 以及所述第二栅极设置于所述基板上 ； 在所述第一栅极、 所述第一存储电极以及所述第二栅极上设置有栅绝缘层 ； 所述第一有源层、 所述第二有源层、 所述像素电极以及所述第三存储电极设置于所述 栅绝缘层上， 且所述第三存储电极与所述第一存储电极相对应 ； 所述第一源极和所述第一漏极设置于所述第一有源层上且与所述第一栅极相对应 ； 所述第二源极和所述第二漏极设置于所述第二有源层上且与所述第二栅极相对应。 4. 根据权利要求 3 所述的阵列基板。
6、， 其特征在于， 在所述基板与所述栅绝缘层之间设置有第二存储电极， 所述第二存储电极与所述像素 电极相对应， 并构成第二电容。 5. 一种液晶显示装置， 其特征在于， 包括背光源及如权利要求 1-4 所述的阵列基板。 6. 一种用于如权利要求 5 所述的液晶显示装置的驱动方法， 其特征在于， 包括 ： 在一帧图像的扫描充电周期内， 通过第一栅极线开启像素结构内的作为第一开关的第 一薄膜晶体管， 进而通过数据线逐行为所述像素结构内的第一电容充电 ； 在一帧图像的液晶偏转周期内， 关断所述第一开关及背光源， 并通过第二栅极线开启 所述像素结构内的作为第二开关的第二薄膜晶体管， 而使所述第一电容为像。
7、素电极充电， 从而控制液晶偏转 ； 在一帧图像的显示周期内， 开启所述背光源， 进行图像显示。 7. 根据权利要求 6 所述的液晶显示装置的驱动方法， 其特征在于， 在所述一帧图像的 显示周期内， 所述第二开关保持开启， 通过所述第一电容保持所述像素电极的电位， 进而维 持所述液晶的偏转。 8. 根据权利要求 6 所述的液晶显示装置的驱动方法， 其特征在于， 当所述液晶显示装 置还包括第二存储电极， 且所述第二存储电极与像素电极构成第二电容时， 权 利 要 求 书 CN 102937766 A 2 2/2 页 3 在所述一帧图像的液晶偏转周期内， 所述第一电容为所述第二电容充电 ； 在所述一帧。
8、图像的显示周期内， 关断所述第二开关， 通过所述第二电容保持所述像素 电极的电位， 进而维持所述液晶的偏转。 权 利 要 求 书 CN 102937766 A 3 1/10 页 4 阵列基板、 液晶显示装置及其驱动方法 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示技术领域， 尤其涉及阵列基板、 液晶显示装置及其驱动方法。 背景技术 0002 随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display， 薄膜场效应晶体 管液晶显示器 ) 的普及， 运营商越来越注重液晶显示器的功耗问题。在现有的液晶显示器 中， 对液晶显示器功耗影响最大的部分就是背光源， 。
9、通过降低背光源的功耗能够在很大程 度上降低液晶显示器的功耗。 目前， 背光源主要包括冷阴极荧光灯管和发光二级管两种， 对 于普遍使用的发光二极管背光源而言， 背光源的功耗占到整个液晶显示器功耗的近 7 成， 而由于现有技术条件的限制， 若通过降低发光二极管的功耗 ( 即提高发光二极管的发光效 率 ) 来降低背光源的功耗几乎是不可能的。 0003 众所周知， 现有的液晶显示器是逐行扫描各个像素以进行图像显示的， 其中， 在扫 描某一行时， 该行各个像素的液晶开始偏转， 而在该行各个像素的液晶进行偏转时， 其他行 的像素还需继续显示图像， 故背光源必须一直处于开启的状态。 由于背光源必须长期开启，。
10、 因此导致背光源的功耗大， 进而使得液晶显示器的功耗也大。同时， 对平板电脑、 手机等中 小尺寸的可移动液晶显示装置来说， 降低功耗、 延长待机时间， 也已成为液晶显示行业中的 迫切需求及发展趋势了。 发明内容 0004 本发明的实施例提供阵列基板、 液晶显示装置及其驱动方法， 能够降低液晶显示 装置的功耗及延长待机时间。 0005 为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案 ： 0006 第一方面， 本发明实施例提供一种阵列基板， 包括 ： 0007 多个像素结构， 每个所述像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、 第一电 容、 第二薄膜晶体管以及像素电极， 所述第一薄膜晶体管包括第。
11、一栅极、 第一源极以及第一 漏极， 所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、 第二源极以及第二漏极 ； 0008 以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线， 所述第一栅极线和所述第二栅 极线交替排布 ； 0009 以纵向设置的多条数据线， 所述数据线与所述第一栅极线和所述第二栅极线分别 交叉并互相绝缘， 0010 其中， 所述第一栅极与所述多条第一栅极线中对应的第一栅极线连接， 所述第二 栅极与所述多条第二栅极线中对应的第二栅极线连接， 所述第一源极与所述多条数据线中 对应的数据线连接， 所述第一漏极通过所述第一电容与所述第二源极连接， 所述第二漏极 与所述像素电极连接。 0011 根据第一方面， 。
12、所述第一电容包括第一存储电极和第三存储电极， 并且 0012 所述第二源极通过所述第三存储电极与所述第一漏极连接。 说 明 书 CN 102937766 A 4 2/10 页 5 0013 根据第一方面， 0014 所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层， 所述第二薄膜晶体管还包括第二有源 层， 0015 所述第一栅极、 所述第一存储电极， 以及所述第二栅极设置于所述基板上 ； 0016 在所述第一栅极、 所述第一存储电极以及所述第二栅极上设置有栅绝缘层 ； 0017 所述第一有源层、 所述第二有源层、 所述像素电极以及所述第三存储电极设置于 所述栅绝缘层上， 且所述第三存储电极与所述第一存储电极。
13、相对应 ； 0018 所述第一源极和所述第一漏极设置于所述第一有源层上且与所述第一栅极相对 应 ； 0019 所述第二源极和所述第二漏极设置于所述第二有源层上且与所述第二栅极相对 应。 0020 根据第一方面， 0021 在所述基板与所述栅绝缘层之间设置有第二存储电极， 所述第二存储电极与所述 像素电极相对应， 并构成第二电容。 0022 第二方面， 本发明实施例提供一种液晶显示装置， 包括背光源及以上所述的阵列 基板。 0023 第三方面， 本发明实施例提供一种用于上述液晶显示装置的驱动方法， 包括 ： 0024 在一帧图像的扫描充电周期内， 通过第一栅极线开启像素结构内的作为第一开关 的第。
14、一薄膜晶体管， 进而通过数据线逐行为所述像素结构内的第一电容充电 ； 0025 在一帧图像的液晶偏转周期内， 关断所述第一开关及背光源， 并通过第二栅极线 开启所述像素结构内的作为第二开关的第二薄膜晶体管， 而使所述第一电容为像素电极充 电， 从而控制液晶偏转 ； 0026 在一帧图像的显示周期内， 开启所述背光源， 进行图像显示。 0027 根据第三方面， 在所述一帧图像的显示周期内， 所述第二开关保持开启， 通过所述 第一电容保持所述像素电极的电位， 进而维持所述液晶的偏转。 0028 根据第三方面， 当所述液晶显示装置还包括第二存储电极， 且所述第二存储电极 与像素电极构成第二电容时， 。
15、0029 在所述一帧图像的液晶偏转周期内， 所述第一电容为所述第二电容充电 ； 0030 在所述一帧图像的显示周期内， 关断所述第二开关， 通过所述第二电容保持所述 像素电极的电位， 进而维持所述液晶的偏转。 0031 本发明提供的阵列基板、 液晶显示装置及其驱动方法， 阵列基板包括 ： 多个像素结 构， 每个像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、 第一电容、 第二薄膜晶体管以及像 素电极， 以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线， 第一栅极线和第二栅极线交替 排布， 以纵向设置的多条数据线， 数据线与第一栅极线和第二栅极线分别交叉并互相绝缘， 其中， 第一栅极与多条第一栅极线中对应的。
16、第一栅极线连接， 第二栅极与多条第二栅极线 中对应的第二栅极线连接， 第一源极与多条数据线中对应的数据线连接， 第一漏极通过第 一电容与第二源极连接， 第二漏极与像素电极连接。 通过此方案， 在液晶显示装置工作过程 中， 通过将所有像素结构内作为第二开关的第二薄膜晶体管同时开启， 可使得液晶显示装 置中的液晶同时进行偏转， 由于液晶偏转过程中并不进行图像显示， 因此， 可以实现在液晶 说 明 书 CN 102937766 A 5 3/10 页 6 偏转周期内关闭背光源， 从而能够降低液晶显示装置的功耗及延长待机时间。 附图说明 0032 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下。
17、面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以 根据这些附图获得其他的附图。 0033 图 1 为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图一 ； 0034 图 2 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图一 ； 0035 图 3 为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图二 ； 0036 图 4 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图二 ； 0037 图 5 为本发明实施例提供的像素结构的制造方法流程图一 ； 0038 图 6 为本发明实施例提供的像素结构。
18、的结构示意图三 ； 0039 图 7 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图四 ； 0040 图 8 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图五 ； 0041 图 9 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图六 ； 0042 图 10 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图七 ； 0043 图 11 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图八 ； 0044 图 12 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图九 ； 0045 图 13 为本发明实施例提供的像素结构的制造方法流程图二 ； 0046 图 14 为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图十 ； 0047 图 15 为本发明实施例提供。
19、的像素结构的结构示意图十一 ； 0048 图 16 为本发明实施例提供的液晶显示装置的驱动时序示意图 0049 图 17 为本发明实施例提供的液晶显示装置的驱动时序示意图二。 具体实施方式 0050 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例， 本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的 范围。 0051 本发明实施例提供的液晶显示面板适用于 TN(Twisted Nematic， 扭曲向列 ) 型、 ADS(Advanced Super。
20、 Dimension Switch， 高级超维场转换技术)型等类型的液晶显示面板 的生产。 TN型显示面板为扭曲向列型液晶显示面板， 是显示屏屏幕的一种类型， 由于低廉的 生产成本使得 TN 成为了应用最广泛的入门级液晶面板， 在目前市面上主流的中低端液晶 显示器中被广泛使用。ADS 技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素 电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场， 使液晶盒内像素电极间、 电极正上 方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换， 从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了 透光效率。高级超维场开关技术可以提高 TFT-LCD 画面品质， 具有高透过率、 宽视角、 。
21、高开 口率、 低色差、 低响应时间、 无挤压水波纹 (push Mura) 等优点。 说 明 书 CN 102937766 A 6 4/10 页 7 0052 本发明实施例提供一种阵列基板， 包括 ： 0053 多个像素结构， 每个所述像素结构包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、 第一电 容、 第二薄膜晶体管以及像素电极， 所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、 第一源极以及第一 漏极， 所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、 第二源极以及第二漏极 ； 0054 以横向设置的多条第一栅极线和多条第二栅极线， 所述第一栅极线和所述第二栅 极线交替排布 ； 0055 以纵向设置的多条数据线， 所述数据线与所述第。
22、一栅极线和所述第二栅极线分别 交叉并互相绝缘， 0056 其中， 所述第一栅极与所述多条第一栅极线中对应的第一栅极线连接， 所述第二 栅极与所述多条第二栅极线中对应的第二栅极线连接， 所述第一源极与所述多条数据线中 对应的数据线连接， 所述第一漏极通过所述第一电容与所述第二源极连接， 所述第二漏极 与所述像素电极连接。 0057 示例性的， 如图 1 所示， 本发明实施例提供一种阵列基板 2， 包括 ： 0058 多个像素结构 1， 其中， 结合图 2 所示， 每个像素结构 1 包括设置于基板 100 上的 第一薄膜晶体管、 第一电容、 第二薄膜晶体管以及像素电极 113， 第一薄膜晶体管包括。
23、第一 栅极 101、 第一有源层 105、 第一源极 107 以及第一漏极 108， 第二薄膜晶体管包括第二栅极 103、 第二有源层 106、 第二源极 109 以及第二漏极 110 ； 0059 以横向设置的多条第一栅极线 20 和多条第二栅极线 21， 第一栅极线 20 和第二栅 极线 21 交替排布 ； 0060 设置于第一栅极线 20 和第二栅极线 21 上的栅绝缘层 ( 图 1 中未画出 ) ； 0061 以纵向设置的多条数据线22， 数据线22与第一栅极线20和第二栅极线21分别交 叉并互相绝缘， 0062 其中， 第一栅极101与多条第一栅极线20中对应的第一栅极线连接， 第二。
24、栅极103 与多条第二栅极线 21 中对应的第二栅极线连接， 第一源极 107 与多条数据线 22 中对应的 数据线连接， 第一漏极 108 通过第一电容与第二源极 109 连接， 第二漏极 110 与像素电极 113 连接。 0063 需要说明的是， 上述第一栅极线 20 和第二栅极线 21 是位于基板 100 上同一层的 金属线， 第一栅极线 20 和第二栅极线 21 是横向、 交替排布， 且不相交的， 上述数据线 22 是 位于栅绝缘层上的纵向排布的金属线。 0064 可以理解的是， 第一栅极线 20 和第二栅极线 21 与数据线 22 是位于不同平面内的 金属线， 并通过栅绝缘层绝缘，。
25、 数据线 22 与第一栅极线 20 和第二栅极线 21 分别在空间内 交叉， 形成阵列排布的像素结构。 0065 进一步地， 如图2所示， 第一电容包括第一存储电极102和第三存储电极112， 并且 第二源极 109 通过第三存储电极 112 与第一漏极 108 连接。 0066 示例性的， 以具有 “底栅” 结构的阵列基板为例， 如图 2 所示， 0067 第一栅极 101、 第一存储电极 102， 以及第二栅极 103 设置于基板 100 上 ； 0068 在第一栅极 101、 第一存储电极 102， 以及第二栅极 103 上设置有栅绝缘层 104 ； 0069 第一有源层 105、 第二。
26、有源层 106、 像素电极 113 以及第三存储电极 112 设置于栅 绝缘层 104 上， 且第三存储电极 112 与第一存储电极 102 相对应 ； 说 明 书 CN 102937766 A 7 5/10 页 8 0070 第一源极 107 和第一漏极 108 设置于第一有源层 105 上且与第一栅极 101 相对 应 ； 0071 第二源极 109 和第二漏极 110 设置于第二有源层 106 上且与第二栅极 103 相对 应 ； 0072 保护层 111 设置于第一源极 107、 第一漏极 108、 第三存储电极 112、 第二源极 109、 第二漏极 110 以及像素电极 113 上。
27、。 0073 类似地， 具有 “顶栅” 结构的像素结构， 与具有 “底栅” 结构的像素结构的差别， 仅 在于第一栅极 101 设置于第一有源层 105 的上方， 第二栅极 103 设置于第二有源层 106 的 上方， 此处不再赘述。 0074 进一步地， 如图 3 所示， 阵列基板 2 还包括设置于基板上的第二存储电极。 0075 具体的， 如图 4 所示， 阵列基板 2 还包括 ： 0076 在基板100与栅绝缘层104之间设置有第二存储电极114， 第二存储电极114与像 素电极 113 相对应， 并构成第二电容。 0077 需要说明的是， 图1和图3均为本发明实施例提供的阵列基板的结构示。
28、意图， 可以 看出， 图 1 和图 3 的区别是 ： 图 1 中所示的阵列基板包括的像素结构 1 包括第一电容， 图 3 中所示的阵列基板包括的像素结构 1 包括第一电容和第二电容。 0078 本发明实施例提供的阵列基板， 包括 ： 多个像素结构， 每个像素结构包括设置于基 板上的第一薄膜晶体管、 第一电容、 第二薄膜晶体管以及像素电极， 以横向设置的多条第一 栅极线和多条第二栅极线， 第一栅极线和第二栅极线交替排布， 以纵向设置的多条数据线， 数据线与第一栅极线和第二栅极线分别交叉并互相绝缘， 其中， 第一栅极与多条第一栅极 线中对应的第一栅极线连接， 第二栅极与多条第二栅极线中对应的第二栅。
29、极线连接， 第一 源极与多条数据线中对应的数据线连接， 第一漏极通过第一电容与第二源极连接， 第二漏 极与像素电极连接。 通过此方案， 在液晶显示装置工作过程中， 通过将所有像素结构内作为 第二开关的第二薄膜晶体管同时开启， 可使得液晶显示装置中的液晶同时进行偏转， 由于 液晶偏转过程中并不进行图像显示， 因此， 可以实现在液晶偏转周期内关闭背光源， 从而能 够降低液晶显示装置的功耗及延长待机时间。 0079 本发明实施例提供一种像素结构的制造方法， 包括 ： 0080 在基板上形成第一薄膜晶体管、 第一存储电极， 以及在第一存储电极上形成第三 存储电极， 第一薄膜晶体管包括第一栅极、 第一有。
30、源层、 第一源极以及第一漏极 ； 0081 在基板上形成第二薄膜晶体管和像素电极， 第二薄膜晶体管包括第二栅极、 第二 有源层、 第二源极以及第二漏极， 其中， 第二源极通过第三存储电极与第一漏极连接， 第二 漏极与像素电极连接。 0082 为了更加确切的了解本发明方案的实施方式， 对应于上述提供的像素结构的制造 方法， 以下分两种方式 ( 方式一和方式二 ) 分别对 TN 型显示面板的像素结构和 ADS 型显示 面板的像素结构的制造方法及步骤进行示例性的说明。 0083 方式一、 TN 型显示面板 ： 0084 本发明实施例提供的像素结构的制造方法， 如图 5 所示， 包括 ： 0085 S。
31、101、 在基板上形成第一栅极、 第一存储电极以及第二栅极。 0086 示例性的， 如图6所示， 在基板100上涂覆第一金属层， 并对第一金属层进行刻蚀， 说 明 书 CN 102937766 A 8 6/10 页 9 以形成第一栅极 101、 第一存储电极 102 以及第二栅极 103。 0087 S102、 在第一栅极、 第一存储电极以及第二栅极上形成栅绝缘层。 0088 如图 7 所示， 在第一栅极 101、 第一存储电极 102 以及第二栅极 103 上沉积以形成 栅绝缘层 104。 0089 S103、 在栅绝缘层上形成第一有源层和第二有源层。 0090 如图 8 所示， 在栅绝缘层。
32、 104 上涂覆半导体氧化物， 并对半导体氧化物进行刻蚀， 以形成第一有源层 105 和第二有源层 106。 0091 S104、 在第一有源层上形成与第一栅极相对应的第一源极和第一漏极， 同时在第 二有源层上形成与第二栅极相对应的第二源极和第二漏极。 0092 如图 9 所示， 在第一有源层 105 与第二有源层 106 上涂覆第二金属层， 并对第二金 属层进行刻蚀， 以形成与第一栅极 101 相对应的第一源极 107 和第一漏极 108 以及与第二 栅极 103 相对应的第二源极 109 和第二漏极 110。 0093 S105、 在第一源极、 第一漏极、 第二源极以及第二漏极上形成保护层。
33、， 并在第一漏 极、 第二源极和第二漏极上方分别形成过孔。 0094 如图 10 所示， 在第一源极 107、 第一漏极 108、 第二源极 109 以及第二漏极 110 上 涂覆保护层 111， 并在第一漏极 108、 第二源极 109 和第二漏极 110 上方分别形成过孔。 0095 S106、 在保护层上形成像素电极和与第一存储电极相对应的第三存储电极， 以使 得第二漏极通过过孔与像素电极连接， 第一漏极和第二源极通过过孔与第三存储电极连 接。 0096 如图 11 所示， 在保护层 111 上形成导电氧化物薄膜层， 并对导电氧化物薄膜层进 行刻蚀， 以形成像素电极 113 和与第一存储。
34、电极 102 相对应的第三存储电极 112， 以使得第 二漏极 110 通过过孔与像素电极 113 连接， 第一漏极 108 和第二源极 109 通过过孔与第三 存储电极 112 连接， 以形成本发明实施例提供的像素结构。 0097 至此， 制造成如图 11 所示的像素结构 1。 0098 进一步地， 若要制得本发明实施例提供的还包括设置于基板上、 与栅绝缘层之间 的第二存储电极， 且第二存储电极与像素电极相对应的一种像素结构， 则只需在步骤 S101 中， 刻蚀第一金属层， 以形成第二存储电极即可， 此处不再赘述。 0099 具体的， 如图 12 所示， 在步骤 S101 中， 在基板 10。
35、0 上涂覆第一金属层， 并对第一金 属层进行刻蚀， 以形成第一栅极 101、 第一存储电极 102 以及第二栅极 103 的同时形成第二 存储电极 114， 且使得第二存储电极 114 与步骤 S106 中形成的像素电极 113 相对应。 0100 制得上述像素结构的其他步骤与步骤 S102 至步骤 S106 的制造方法完全相同， 以 上已经进行了详细的说明， 此处不再赘述。 0101 至此， 制造成如图 12 所示的像素结构 1。 0102 方式二、 ADS 型显示面板 ： 0103 本发明实施例提供的像素结构的制造方法， 如图 13 所示， 包括 ： 0104 S201、 在基板上形成第一。
36、栅极、 第一存储电极以及第二栅极， 并在第一栅极、 第一 存储电极以及第二栅极上形成栅绝缘层。 0105 示例性的， 如图7所示， 在基板100上涂覆第一金属层， 并对第一金属层进行刻蚀， 以形成第一栅极101、 第一存储电极102以及第二栅极103， 然后， 在第一栅极101、 第一存储 说 明 书 CN 102937766 A 9 7/10 页 10 电极 102 以及第二栅极 103 上沉积以形成栅绝缘层 104。 0106 S202、 在栅绝缘层上形成第一有源层、 第二有源层、 像素电极以及与第一存储电极 相对应的第三存储电极。 0107 如图14所示， 在栅绝缘层104上涂覆半导体氧。
37、化物， 并对半导体氧化物进行刻蚀， 以形成第一有源层 105 和第二有源层 106， 然后在栅绝缘层 104 上形成导电氧化物薄膜层， 并对导电氧化物薄膜层进行刻蚀， 以形成像素电极 113 以及与第一存储电极 102 相对应的 第三存储电极 112。 0108 S203、 在第一有源层上形成与第一栅极相对应的第一源极和第一漏极， 同时在第 二有源层上形成与第二栅极相对应的第二源极和第二漏极， 以使得第一漏极和第二源极通 过第三存储电极连接， 第二漏极与像素电极连接。 0109 如图 15 所示， 在第一有源层 105 和第二有源层 106 上涂覆第二金属层， 并对第二 金属层进行刻蚀， 以形。
38、成与第一栅极 101 相对应的第一源极 107 和第一漏极 108 以及与第 二栅极103相对应的第二源极109和第二漏极110， 以使得第一漏极108和第二源极109通 过第三存储电极 112 连接， 第二漏极 110 与像素电极 113 连接。 0110 S204、 在第一源极、 第一漏极、 第二源极、 第二漏极、 第三存储电极以及像素电极上 形成保护层， 并在保护层上形成公共电极。 0111 如图 2 所示， 在第一源极 107、 第一漏极 108、 第二源极 109、 第二漏极 110、 第三存 储电极 112 以及像素电极 113 上涂覆保护层 111， 并在保护层 111 上形成导。
39、电氧化物薄膜 层， 对导电氧化物薄膜层进行刻蚀后， 以形成公共电极 115。 0112 至此， 制造成如图 2 所示的像素结构。 0113 进一步地， 若要制得本发明实施例提供的还包括设置于基板上、 与栅绝缘层之间 的第二存储电极， 且第二存储电极与像素电极相对应的一种像素结构， 则只需在步骤 S201 中， 刻蚀第一金属层， 以形成第二存储电极即可， 此处不再赘述。 0114 具体的， 在步骤 S201 中， 在基板 100 上涂覆第一金属层， 并对第一金属层进行刻 蚀， 以形成第一栅极 101、 第一存储电极 102 以及第二栅极 103 的同时形成第二存储电极 114， 且使得第二存储电。
40、极 114 与步骤 S202 中形成的像素电极 113 相对应。 0115 制得上述像素结构的其他步骤与步骤 S202 至步骤 S204 的制造方法完全相同， 以 上已经进行了详细的说明， 此处不再赘述。 0116 至此， 制造成如图 4 所示的像素结构。 0117 需要说明的是， 以上像素结构的制造方法中提供的示意图均是本发明实施例提供 的像素结构的截面图， 且上述示意图中各个结构元件的形状、 大小、 各个结构元件之间的距 离以及连接关系仅是示意性的， 具体的， 可根据实际设计及制造工艺进行适应性调整， 本发 明不做限制。 0118 进一步地， 本发明实施例提供的像素结构示意图仅是示例性的进。
41、行说明， 本发明 实施例提供的像素结构既可以为 “底栅” 结构， 也可以为 “顶栅” 等任何满足设计要求的结 构， 本发明不做限制。 0119 进一步地， 由于上述 TN 型显示面板的公共电极一般都设置于显示面板的彩膜基 板上、 与阵列基板相对的一侧， 因此， 本发明的实施例附图中未画出。 0120 本发明实施例提供的像素结构的制造方法， 通过在基板上形成第一薄膜晶体管、 说 明 书 CN 102937766 A 10 8/10 页 11 第一存储电极， 以及在第一存储电极上形成第三存储电极， 第一薄膜晶体管包括第一栅极、 第一有源层、 第一源极以及第一漏极， 在基板上形成第二薄膜晶体管和像素。
42、电极， 第二薄膜 晶体管包括第二栅极、 第二有源层、 第二源极以及第二漏极， 其中， 第二源极与第一漏极通 过第三存储电极连接， 第二漏极与像素电极连接。通过此方案， 在显示装置工作过程中， 通 过将所有像素结构内作为第二开关的第二薄膜晶体管同时开启， 可使得显示装置中的液晶 同时进行偏转， 由于液晶偏转过程中是并不进行图像显示， 因此， 可以实现在液晶偏转周期 内关闭背光源， 从而能够降低显示装置的功耗及延长待机时间。 0121 本发明实施例提供一种液晶显示装置， 包括背光源及上述实施例所描述的阵列基 板。 0122 本发明实施例提供的液晶显示装置包括液晶显示器、 液晶电视、 数码相框、 手。
43、机及 平板电脑等具有显示功能的产品或者装置， 故本发明不做限制。 0123 本发明实施例提供一种用于液晶显示装置的驱动方法， 包括 ： 0124 在一帧图像的扫描充电周期内， 通过第一栅极线开启像素结构内的作为第一开关 的第一薄膜晶体管， 进而通过数据线逐行为所述像素结构内的第一电容充电 ； 0125 在一帧图像的液晶偏转周期内， 关断所述第一开关及背光源， 并通过第二栅极线 开启所述像素结构内的作为第二开关的第二薄膜晶体管， 而使所述第一电容为像素电极充 电， 从而控制液晶偏转 ； 0126 在一帧图像的显示周期内， 开启所述背光源， 进行图像显示。 0127 具体地， 以刷新频率为60赫兹。
44、、 液晶偏转时间为4毫秒的情况为例， 每一帧从开始 扫描到显示的时间为 16.7 毫秒， 如图 16 所示， 所述显示装置的显示方法包括 ： 0128 在一帧图像的扫描充电周期 (0 毫秒至 8 毫秒 ) 内， 通过第一栅极线开启像素结构 内的由第一栅极、 第一源极和第一漏极构成的第一开关， 进而通过数据线逐行为像素结构 内的第一电容充电， 其中， 第一电容由第一存储电极和第三存储电极构成 ； 0129 在一帧图像的液晶偏转周期 (8 毫秒至 12 毫秒 ) 内， 关断第一开关及背光源， 通过 第二栅极线开启像素结构内的由第二栅极、 第二源极和第二漏极构成的第二开关， 而使第 一电容为像素电极。
45、充电， 从而控制液晶偏转 ； 0130 在一帧图像的显示周期 (12 毫秒至 16.7 毫秒 ) 内， 开启背光源， 进行图像显示。 0131 具体的， 在一帧图像的显示周期 (12 毫秒至 16.7 毫秒 ) 内， 第二开关保持开启， 通 过第一电容保持像素电极的电位， 进而维持液晶的偏转， 以进行图像显示。 0132 需要说明的是， 若显示器的刷新频率为 60 赫兹， 那么每一帧从开始扫描到显示的 时间则为 16.7 毫秒， 根据本发明实施例提出的像素结构， 在显示时序上， 每一帧设计为 ： 从 显示器第一行扫描至最后一行的时间为 8 毫秒， 在这一段时间内， 也就是上述的扫描周期 内， 。
46、第一开关逐行打开， 第二开关一直关断， 通过数据线为第一电容充电， 即电荷存入第一 电容内， 扫描周期结束后， 将第二开关全部同时打开， 这样第一电容可开始放电， 即第一电 容内存储的电荷开始放出， 以为像素电极充电， 以使得在像素电极与公共电极之间形成电 场， 进而为液晶提供偏转电压， 控制液晶的偏转， 若液晶偏转时间为 4 毫秒， 则 4 毫秒之后， 也就是说液晶偏转到位后， 这时将背光源打开， 进行图像显示。 0133 可以理解的是， 只有显示周期 12 毫秒至 16.7 毫秒内， 背光源开启， 那么相当于背 光源开启的时间只有一帧显示时间的大约四分之一， 为了保证人眼看到的显示器的亮度。
47、不 说 明 书 CN 102937766 A 11 9/10 页 12 变， 则只需将背光源的发光亮度调高为原来的大约 4 倍即可。要解释的是， 液晶显示行业中 认为， 人眼观测到的亮度是与背光源的发光亮度和发光时间成正比的， 若背光源的发光时 间减少， 则只需调高背光源的发光亮度即可。由于现有技术中， 在液晶偏转过程中， 即使背 光源照常开启， 由于液晶未转到期望的角度， 因此所显示的亮度也就达不到期望的亮度， 换 言之， 这段时间内的背光源的功率有一部分被浪费了。 而本发明由于在液晶偏转周期中， 背 光源并未开启， 因此可以避免这部分功率的浪费。 在背光功率相同的情况下， 本发明的显示 亮。
48、度要比现有技术中的大。 换言之， 在显示亮度相同的情况下， 本发明相比于现有技术就相 应地降低了功耗。例如如果显示周期变为原有的 1/4 的话， 显示功率可以为原来的 4 倍以 下。 0134 示例性的， 上述调高背光源发光亮度的倍数具体还和扫描时间有关， 例如， 一方 面， 目前利用非晶硅制作的分辨率为 1280*720 的显示器， 有 1280 行， 从开始扫描到显示一 帧的时间最多16.7毫秒， 那么， 若将分辨率降低为480*320(480行)或320*240(320行)， 则 扫描时间将降为 6.26 毫秒或 4.17 毫秒， 再加上液晶偏转时间为 4 毫秒， 则扫描时间和液晶 偏转。
49、时间总和就接近一帧显示时间的一半， 那么显示时间就相应增加， 即， 背光源亮度也可 以进行适应性调高为原来的 4 倍以下 ； 另一方面， 对于利用低温多晶硅技术制作的显示器， 扫描时间会更短， 那么， 显示时间相应就会更长， 背光源亮度进行适应性调整的幅度也就越 小。 0135 进一步地， 如图 17 所示， 当液晶显示装置还包括第二存储电极， 且第二存储电极 与像素电极构成第二电容时， 在一帧图像的液晶偏转周期内， 第一电容为像素结构内的由 第二存储电极和像素电极构成的第二电容充电 ； 0136 在一帧图像的显示周期内， 关断第二开关， 开启背光源， 通过第二电容保持像素电 极的电位， 进而维持液晶的偏转， 以进行图像显示。 0137 如图 。