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1、(10)申请公布号 CN 104241295 A (43)申请公布日 2014.12.24 CN 104241295 A (21)申请号 201410146085.4 (22)申请日 2014.04.11 10-2013-0065471 2013.06.07 KR H01L 27/12(2006.01) H01L 21/77(2006.01) G09F 9/30(2006.01) (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道龙仁市 (72)发明人 金喆秀 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限 公司 11286 代理人 韩芳 谭昌驰 (54) 发明名称 柔性显示装置及其制造方法 。
2、(57) 摘要 本发明公开了一种柔性显示装置， 所述柔性 显示装置包括基底、 多个第一像素和多个第二像 素。基底包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非 弯曲区域。每个第一像素设置在弯曲区域中。每 个第一像素与相邻的第一像素分隔开第一距离。 每个第二像素设置在非弯曲区域中。每个第二像 素与相邻的第二像素分隔开第二距离。第一距离 大于第二距离。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 6 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (10)申请公布号 CN 104241295 A CN 104241。
3、295 A 1/2 页 2 1. 一种柔性显示装置， 所述柔性显示装置包括 ： 基底， 包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域 ； 多个第一像素， 设置在弯曲区域中， 每个第一像素与相邻的第一像素分隔开第一距离 ； 以及 多个第二像素， 设置在非弯曲区域中， 每个第二像素与相邻的第二像素分隔开第二距 离， 其中， 第一距离大于第二距离。 2. 如权利要求 1 所述的柔性显示装置， 其中， 第一像素与相邻于该第一像素的第二像 素分隔开第三距离， 第三距离大于第二距离。 3. 如权利要求 1 所述的柔性显示装置， 其中， 每个第一像素和每个第二像素包括有机 发射层。 4. 如权利要求 1 所述。
4、的柔性显示装置， 所述柔性显示装置还包括置于基底和所述多个 第一像素之间的元件 / 布线层， 其中， 元件 / 布线层包括驱动薄膜晶体管， 所述薄膜驱动晶 体管包括 ： 半导体层， 形成在基底上 ； 栅极绝缘层， 形成在半导体层上 ； 栅极， 形成在栅极绝缘层上 ； 层间绝缘层， 形成在栅极绝缘层上 ； 源极和漏极， 结合到半导体层， 其中， 源极和漏极穿过层间绝缘层和栅极绝缘层 ； 以及 平坦化层， 形成在基底上， 以覆盖源极和漏极， 其中， 层间绝缘层和栅极绝缘层未形成在基底的设置在弯曲区域中的第一部分上， 基 底的第一部分对应于设置在弯曲区域的两个相邻的第一像素之间的区域。 5. 如权利。
5、要求 1 所述的柔性显示装置， 其中， 每个第一像素和每个第二像素具有基本 相同的尺寸。 6. 如权利要求 1 所述的柔性显示装置， 其中， 基底包括聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、 聚萘二 甲酸乙二酯、 聚碳酸酯、 聚烯丙基化物、 聚醚酰亚胺、 聚醚砜或聚酰亚胺。 7. 如权利要求 1 所述的柔性显示装置， 所述柔性显示装置还包括 ： 密封层， 被形成为覆 盖所述多个第一像素和所述多个第二像素。 8. 如权利要求 1 所述的柔性显示装置， 其中， 每个第一像素比每个第二像素小。 9. 一种柔性显示装置， 所述柔性显示装置包括 ： 基底， 包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域 ； 多个驱动薄膜晶体。
6、管， 设置在基底上， 其中， 每个驱动薄膜晶体管包括沿第一方向延伸 的半导体层 ； 多个第一像素， 设置在弯曲区域上， 每个第一像素沿与第一方向交叉的第二方向与相 邻的第一像素分隔开第一距离 ； 以及 多个第二像素， 设置在非弯曲区域上， 每个第二像素沿第二方向与相邻的第二像素分 隔开第二距离， 其中， 每个第一像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上， 每个第二像素设置在对应的驱 动薄膜晶体管上， 其中， 第一距离大于第二距离。 权 利 要 求 书 CN 104241295 A 2 2/2 页 3 10. 如权利要求 9 所述的柔性显示装置， 其中， 每个第一像素和每个第二像素具有基本 相同的尺寸。。
7、 权 利 要 求 书 CN 104241295 A 3 1/7 页 4 柔性显示装置及其制造方法 0001 本申请要求于 2013 年 6 月 7 号提交到韩国知识产权局的第 10-2013-0065471 号 韩国专利申请的优先权， 该申请的内容通过引用全部包含于此。 技术领域 0002 本发明涉及一种柔性显示装置及其制造方法。 背景技术 0003 柔性显示装置可以弯曲， 显示图像。柔性显示装置可以通过使用柔性基底来保持 其弯曲的形状。 柔性显示装置的弯曲区域需要具有防止由于这种弯曲形状而导致的裂纹或 其它机械缺陷。 发明内容 0004 根据本发明的示例性实施例， 一种柔性显示装置包括基底、。
8、 多个第一像素和多个 第二像素。基底包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域。每个第一像素设置在弯 曲区域中。每个第一像素与相邻的第一像素分隔开第一距离。每个第二像素设置在非弯曲 区域中。每个第二像素与相邻的第二像素分隔开第二距离。第一距离大于第二距离。 0005 根据本发明的示例性实施例， 一种柔性显示装置包括基底、 多个驱动薄膜晶体管、 多个第一像素和多个第二像素。基底包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域。每 个驱动薄膜晶体管设置在基底上。每个驱动薄膜晶体管包括沿第一方向延伸的半导体层。 每个第一像素设置在弯曲区域上。 每个第一像素沿与第一方向交叉的第二方向与相邻的第 一像素分隔开。
9、第一距离。每个第二像素设置在非弯曲区域上。每个第二像素沿第二方向与 相邻的第二像素分隔开第二距离。每个第一像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上， 每个第 二像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上。第一距离大于第二距离。 附图说明 0006 通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例， 本发明构思的这些和其它特征 将变得清楚， 在附图中 ： 0007 图1是示出根据本发明的示例性实施例的柔性显示装置的弯曲区域I和非弯曲区 域 II 中的像素之间的距离的剖视图。 0008 图 2 是图 1 的柔性显示装置的俯视图。 0009 图 3 是示出图 2 的柔性显示装置的折叠形状的侧视图。 0010 图 4 是沿图。
10、 2 的线 A-A 截取的剖视图。 0011 图 5 至图 14 是示出根据本发明的示例性实施例的制造柔性显示装置的方法的剖 视图。 0012 图 15 是根据本发明示例性实施例的柔性显示装置的俯视图。 0013 图 16 是沿图 15 的线 B-B 截取的剖视图。 说 明 书 CN 104241295 A 4 2/7 页 5 具体实施方式 0014 下面将参照附图描述本发明的示例性实施例。然而， 本发明构思可以以不同的形 式实施例， 而不应被解释为局限于这里阐述的实施例。在附图中， 为了清楚起见， 可以夸大 层和区域的厚度。还将理解的是， 当元件被称作 “在” 另一元件或基底 “上” 时， 。
11、该元件可以 直接在所述另一元件或基底上， 或者也可以存在中间元件。还将理解的是， 当元件被称作 “结合到” 另一元件时， 该元件可以直接结合到另一元件， 或者也可以存在中间元件。在整个 说明书和附图中， 同样的标号可以表示同样的元件。 0015 图 1 是示出根据本发明示例性实施例的柔性显示装置 1 的弯曲区域 I 和非弯曲区 域 II 中的像素之间的距离的剖视图。图 2 是图 1 的柔性显示装置 1 的俯视图。图 3 是示 出图 2 的柔性显示装置 1 的折叠形状的侧视图。 0016 根据本发明示例性实施例的柔性显示装置1包括弯曲区域I和非弯曲区域II。 第 一距离 d1 是设置在弯曲区域 。
12、I 中的像素 PX4、 PX5 和 PX6 之间的距离。第二距离 d2 是设置 在非弯曲区域 II 中的像素 PX1、 PX2、 PX3、 PX7、 PX8 和 PX9 之间的距离。第一距离 d1 大于 第二距离 d2。可以获得加工余量来去除形成在弯曲区域 I 的像素 PX4、 PX5 和 PX6 之间的 下方的绝缘层。 0017 因此， 图 4 的在弯曲区域 I 的像素 PX4、 PX5 和 PX6 之间的下方栅极绝缘层 313 和 层间绝缘层 314 可以被去除。绝缘层 313 和 314 的去除可以减小在柔性显示装置 1 被折叠 时在弯曲区域 I 中出现的应力， 从而增大柔性显示装置 1。
13、 的弯曲可靠性。 0018 参照图 1 至图 3， 根据本发明示例性实施例的柔性显示装置 1 包括柔性基底 100、 形成在柔性基底100上的缓冲层200、 形成在缓冲层200上的包括多个薄膜晶体管 （未示出） 的元件 / 布线层 300、 形成在元件 / 布线层 300 中的多个像素 PX1 至 PX9 以及形成为覆盖所 述多个像素 PX1 至 PX9 的密封层 500。 0019 柔性基底 100 包括弯曲区域 I 和非弯曲区域 II。弯曲区域 I 是可折叠的区域， 非 弯曲区域是不可折叠的区域。柔性显示装置 1 沿弯曲区域 I 的基准线 L1 折叠。例如， 弯曲 区域 I 具有对称的弯曲。
14、形状。 0020 非弯曲区域 II 提供至少一个平坦区域并且可以均匀地形成而始终不具有弯曲区 域。 0021 柔性基底 100 由柔性材料形成。 0022 缓冲层 200 设置在柔性基底 100 上。缓冲层 200 防止诸如湿气或氧的外部物体穿 过柔性基底 100 渗透到元件 / 布线层 300 和 / 或多个像素 PX1 至 PX9 中。 0023 元件 / 布线层 300 设置在缓冲层 200 上。元件 / 布线层 300 可以包括驱动多个像 素 PX1 至 PX9 的驱动薄膜晶体管 （TFT） 、 开关 TFT（未示出） 、 电容器以及连接到 TFT 或电容 器的布线 （未示出） 。 0。
15、024 多个像素 PX1 至 PX9 形成在元件 / 布线层 300 中。 0025 多个像素 PX1 至 PX9 包括形成在弯曲区域 I 中的第一像素部分 PX4、 PX5 和 PX6 以 及形成在非弯曲区域 II 中的第二像素部分 PX1、 PX2、 PX3、 PX7、 PX8 和 PX9。形成在弯曲区 域 I 中和非弯曲区域 II 中的多个像素 PX1 至 PX9 的尺寸可以相同。 0026 根据本发明的示例性实施例， 第一距离d1大于第二距离d2。 形成在弯曲区域I的 说 明 书 CN 104241295 A 5 3/7 页 6 边界部分的像素 PX4 和 PX6 与形成在非弯曲区域 。
16、II 的边界部分的像素 PX3 和 PX7 之间的 第三距离 d3 大于第二距离 d2。另外， 第三距离 d3 可以等于或小于第一距离 d1。 0027 第一距离d1大于第二距离d2， 从而确保加工余量以去除图4的形成在第一像素部 分的像素 PX4、 PX5 和 PX6 之间的下方的栅极绝缘层 313 和层间绝缘层 314。 0028 利用使用掩模的光刻工艺， 弯曲区域 I 的像素 PX4、 PX5 和 PX6 被形成为具有第一 距离 d1， 非弯曲区域 II 的像素 PX1、 PX2、 PX3、 PX7、 PX8 和 PX9 被形成为具有第二距离 d2。 当第一距离 d1 和第二距离 d2 。
17、被物理地设置为不同的时候， 元件 / 布线层 300 的 TFT （驱动 第一像素部分 PX4、 PX5、 PX6 和第二像素部分 PX1、 PX2、 PX3、 PX7、 PX8、 PX9 的像素的 TFT） 之 间的距离被设置为不同。 0029 例如， 由于弯曲区域 I 的像素 PX4、 PX5 和 PX6 之间的第一距离 d1 大于非弯曲区域 II 的像素之间的第二距离 d2， 所以元件 / 布线层 300 中的弯曲区域 I 的像素的驱动 TFT 之 间的距离可以大于非弯曲区域 II 的像素的驱动 TFT 之间的距离。 0030 为了描述简要， 将弯曲区域I的三个像素和非弯曲区域II的六个。
18、像素用作示例来 描述本发明的实施例， 但是本发明不限于此。像素的数量可以根据柔性显示装置 1 的尺寸 以及弯曲区域 I 的面积和折叠程度而改变。 0031 第一区域 M1 是去除了图 4 的形成在弯曲区域 I 的第一像素部分的像素 PX4、 PX5 和 PX6 之间的下方的栅极绝缘层 313 和层间绝缘层 314 的区域。另外， 柔性显示装置 1 还 可以包括第二区域 M2， 从第二区域 M2 去除了图 4 的形成在弯曲区域 I 的边界部分的像素 PX4和PX6与形成在非弯曲区域II的边界部分的像素PX3和PX7之间的下方的栅极绝缘层 313 和层间绝缘层 314。 0032 图 4 是沿图 。
19、2 的线 A-A 截取的剖视图。 0033 参照图4， 形成在元件/布线层300中的驱动TFT包括沿一个方向 （例如， 与第一距 离 d1 或第二距离 d2 交叉的方向） 延伸的半导体层 321、 栅极 322 以及源极和漏极 323。图 4 中的驱动 TFT 是顶栅型 TFT。可选地， 可以形成其它类型的 TFT， 例如底栅型 TFT。在下文 中， 将描述图 4 的顶栅型 TFT。 0034 半导体层 321、 栅极绝缘层 313、 栅极 322、 层间绝缘层 314、 接触孔 324 以及源极和 漏极 323 顺序地形成在缓冲层 200 上， 以形成图 4 的顶栅型 TFT。 0035 半。
20、导体层 321 可以由掺杂有杂质的多晶硅形成。可选择地， 半导体层 321 可以由 非晶硅代替多晶硅来形成， 并且还可以由各种有机半导体材料 （例如， 并五苯） 形成。 0036 当半导体层 321 由多晶硅形成时， 形成非晶硅， 然后利用结晶方法来使非晶硅结 晶为多晶硅。结晶方法可以包括但不限于快速热退火 （RTA） 、 固相结晶 （SPC） 、 准分子激光 退火 （ELA） 、 金属诱导结晶 （MIC） 、 金属诱导横向结晶 （MILC） 或顺序横向固化 （SLS） 。 当使用 塑料基底时， 可以使用不需要高温热处理的方法。 0037 栅极绝缘层 313 形成在半导体层 321 和栅极 3。
21、22 之间。栅极绝缘层 313 可以由诸 如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成。栅极绝缘层 313 也可由绝缘有机材料形成。 0038 栅极 322 可由各种导电材料形成， 导电材料包括但不限于镁 （Mg） 、 铝 （Al） 、 镍 （Ni） 、 铬 （Cr） 、 钼 （Mo） 、 钨 （W） 、 钼 - 钨 （MoW） 或金 （Au） 。栅极 322 可以形成为单层或多层。 0039 层间绝缘层 314 可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成， 也可由绝缘有 机材料形成。 说 明 书 CN 104241295 A 6 4/7 页 7 0040 源极和漏极 323 通过选择性地去除层间绝缘层。
22、 314 和栅极绝缘层 313 来形成。源 极和漏极 323 由栅极材料在层间绝缘层 314 上形成为单层或多层。 0041 另外， 在形成接触孔 324 以形成源极和漏极 323 的过程中， 可以去除在弯曲区域 I 的像素 PX4 和像素 PX5 之间的下方的层间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313。弯曲区域 I 的去 除了层间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313 的区域对应于图 1 和图 2 的第一区域 M1。 0042 另外， 可以去除在非弯曲区域 II 的像素 PX3 和弯曲区域 I 的像素 PX4 之间的下方 的层间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313。在弯曲区域 I 和非弯曲区域 。
23、II 的边界部分去除了层 间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313 的区域对应于图 1 和图 2 的第二区域 M2。 0043 由于在形成在弯曲区域 I 中的像素 PX4 和像素 PX5 之间的下方的层间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313 被去除， 所以当弯曲区域 I 被折叠或弯曲时出现的应力强度可以被最小 化， 从而提高了柔性显示装置 1 的可靠性。另外， 还可去除在非弯曲区域 II 的像素 PX3 和 弯曲区域I的像素PX4之间的下方的层间绝缘层314和栅极绝缘层313， 因此可以提高柔性 显示装置 1 的可靠性。 0044 为了保护下方的 TFT 并使 TFT 平坦化， 平坦化层 315。
24、（保护层和 / 或钝化层） 被包 括在源极和漏极 323 上以及在暴露缓冲层 200 的顶部的第一区域 M1 和第二区域 M2 中。平 坦化层 315 可以以各种形式形成， 并且可由例如苯并环丁烯 （BCB） 或亚克力 （acryl） 的有机 材料形成， 或者可以由例如 SiNx的无机材料形成。另外， 平坦化层 315 可以被形成为单层、 双层或多层。设置在元件 / 布线层 300 上的多个像素 PX3、 PX4 和 PX5 包括第一电极 431、 设置在第一电极 431 上的中间层 432 和形成在中间层 432 上的第二电极 433。 0045 第一电极 432 是阳极， 第二电极 433。
25、 是阴极。然而， 本发明不限于此， 根据柔性显 示装置 1 的驱动方法， 第一电极 431 可以是阴极， 并且第二电极 433 可以是阳极。空穴和电 子从第一电极 431 和第二电极 433 注入到中间层 432 中。作为注入的空穴和电子的结合状 态的激子在从激发态降至基态时发光。 0046 第一电极 431 电连接到形成在元件 / 布线层 300 中的驱动 TFT。 0047 多个像素 PX3、 PX4 和 PX5 设置在其上设置有驱动 TFT 的元件 / 布线层 300 上， 但 是本发明不限于此。 0048 根据本发明的实施例的包括在多个像素 PX3、 PX4 和 PX5 中的第一电极 。
26、431 可以是 反射电极。第一电极 431 可以包括由银 （Ag） 、 镁 （Mg） 、 铝 （Al） 、 铂 （Pt） 、 钯 （Pd） 、 金 （Au） 、 镍 （Ni） 、 钕 （Nd） 、 铱 （Ir） 、 铬 （Cr） 和它们的组合中的至少一种形成的反射层以及形成在反射 层上的透明或半透明电极层。 0049 透明或半透明电极层可以包括但不限于氧化铟锡 （ITO） 、 氧化铟锌 （IZO） 、 氧化锌 （ZnO） 、 氧化铟 （In2O3） 、 氧化镓铟 （IGO） 或氧化铝锌 （AZO） 。 0050 设置为面对第一电极 431 的第二电极 433 可以是透明或半透明电极。第二电极 。
27、433 可以由具有低功函数的薄金属膜形成， 薄金属膜包括锂 （Li） 、 钙 （Ca） 、 LiF/Ca、 LiF/Al、 铝 （Al） 、 银 （Ag） 、 镁 （Mg） 或它们的组合。还可以在第二电极 433 上形成辅助电极层或汇流 电极。辅助电极可以由用于形成透明电极的材料形成， 例如由 ITO、 IZO、 ZnO 或 In2O3形成。 0051 因此， 第二电极 433 可以透射从像素 PX3、 PX4 和 PX5 发射的光。 0052 设置在第一电极 431 和第二电极 433 之间的中间层 432 可以是低分子量有机材料 或高分子量有机材料。 说 明 书 CN 104241295 。
28、A 7 5/7 页 8 0053 除了中间层 432 之外， 还可以在第一电极 431 和第二电极 433 之间选择性地设置 空穴传输层 （HTL） 、 空穴注入层 （HIL） 、 电子传输层 （ETL） 和电子注入层 （EIL） 。 0054 从中间层 432 发射的光可以是顶部发射式， 通过被形成为电极或反射电极的第一 电极 431 的反射而向上朝第二电极 433 发射。 0055 然而， 根据本发明示例性实施例的柔性显示装置 1 不限于顶部发射型， 其可以是 从中间层 432 向柔性基底 100 发光的底部发射型。在这种情况下， 第一电极 431 可由透明 或半透明电极形成， 而第二电极。
29、 433 可以由反射电极形成。 0056 另外， 柔性显示装置 1 可以是既沿顶部方向又沿底部方向发光的双发射型。 0057 密封层 500 设置在第二电极 433 上。密封层 500 用于防止外部湿气和氧气渗透到 像素 PX3、 PX4 和 PX5 中。密封层 500 可以通过交替地堆叠至少一个有机层和至少一个无机 层来形成。 0058 无机层或有机层的数量可以分别是多个。 0059 有机层被形成为聚合物， 并且可以是由聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、 聚酰亚胺 （PI） 、 聚 碳酸酯 （PC） 、 环氧树脂、 聚乙烯和聚丙烯酸酯 （PAR） 中的任一种形成的单层或堆叠层。有机 层可由聚丙烯酸酯 （。
30、PAR） 形成， 例如， 可以包含包括二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的聚 合的单体组分。单体组分还可包括单丙烯酸酯单体。另外， 单体组分还可包括本领域普通 技术人员公知的光引发剂， 例如热塑性聚烯烃 （TPO） ， 但不限于此。 0060 无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如， 无机层可以 包括 SiNx、 Al2O3、 SiO2和 TiO2中的任意一种。 0061 密封层 500 具有暴露到外部的顶部部分。顶部部分可以由无机层形成以使有机发 光装置防水。 0062 密封层 500 可以包括至少一个夹层结构， 在夹层结构中， 至少一个有机层被插入 在至少两个无机层之间。另。
31、外， 密封层 500 可以包括至少一个夹层结构， 在夹层结构中， 至 少一个无机层被插入在至少两个有机层之间。 0063 密封层 500 设置在第二电极 433 上。密封层 500 可以包括第一无机层、 第一有机 层和第二无机层。密封层 500 还可以包括第二有机层和第三无机层。密封层 500 还可以包 括第三有机层和第四无机层。 0064 还可在第二电极 433 和第一无机层之间包括包含 LiF 的卤化金属层。卤化金属层 可以防止像素 PX3、 PX4 和 PX5 由于用于形成第一无机层的溅射或等离子体沉积工艺而损 坏。 0065 第一有机层可以具有比第二无机层小的面积， 第二有机层可以具有。
32、比第三无机层 小的面积。 另外， 第一有机层可以被第二无机层完全覆盖， 并且第二有机层可以被第三无机 层完全覆盖。 0066 图 5 至图 14 是示出根据本发明示例性实施例的制造柔性显示装置的方法的剖视 图。 0067 参照图 5， 在支撑基底 10 上形成柔性基底 100。 0068 支撑基底 10 在稍后将描述的分离工艺中通过激光束照射或化学溶液与柔性基底 100 分离。 0069 支撑基底 10 可以是玻璃基底。可选择地， 支撑基底 10 可以是各种基底， 例如， 可 说 明 书 CN 104241295 A 8 6/7 页 9 以使用支撑柔性基底100并承受由于在柔性基底100上形成。
33、元件和布线的工艺而导致的加 工应力的透明塑料基底或金属基底。 0070 柔性基底 100 可以由可弯曲并且具有高的耐热性和耐久性的塑料材料形成。例 如， 塑料材料可以包括但不限于聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、 聚萘二甲酸乙二酯 （PEN） 、 聚碳酸 酯 （PC） 、 聚烯丙基化物 （polyallylate） 、 聚醚酰亚胺 （PEI） 、 聚醚砜 （PES） 或聚酰亚胺 （PI） 。 0071 虽然未在图 5 中示出， 但是可以在支撑基底 10 和柔性基底 100 之间形成分离层 （未示出） 。分离层可以由适合于在分离工艺中应用的方法的各种材料形成。 0072 参照图 6， 在柔性基底 100 的。
34、顶部上形成缓冲层 200。缓冲层 200 可以由无机层和 有机层中的至少一种形成。通过防止湿气或杂质扩散到柔性基底 100 中， 或者通过控制在 结晶工艺过程中的热传递速度， 缓冲层 200 有助于半导体的结晶。 0073 然后， 在缓冲层 200 上形成半导体层 321。 0074 半导体层 321 可以由多晶硅或非晶硅形成， 并且还可由各种有机半导体材料形 成， 例如由并五苯形成。 0075 参照图7， 在缓冲层200上形成栅极绝缘层313， 以覆盖半导体层321。 栅极绝缘层 313 可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成， 也可以由绝缘有机材料形成。 0076 然后， 在栅极绝缘层。
35、 313 上形成栅极 322。栅极 322 可以由各种导电材料形成。 0077 参照图 8， 在栅极绝缘层 313 上形成层间绝缘层 314， 以覆盖栅极 322。 0078 层间绝缘层 314 可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成， 也可以由绝缘 有机材料形成。 0079 参照图 9， 通过光刻工艺形成接触孔 324。层间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313 被选 择性地去除， 从而缓冲层 200 的对应于第一区域 M1 和第二区域 M2 的区域被暴露。 0080 参照图10， 通过接触孔324， 利用上面描述的栅极材料在层间绝缘层314上将源极 和漏极 323 形成为单层或多层。 0。
36、081 参照图11， 为了保护下方的TFT并使TFT平坦化， 在源极和漏极323上以及在暴露 缓冲层 200 的一部分的第一区域 M1 和第二区域 M2 中形成平坦化层 315。 0082 然后， 在 TFT 的顶部上形成显示元件。本实施例包括有机发光二极管 （OLED） 作为 显示元件。然而， 本发明的实施例不限于此， 可以形成各种显示元件。 0083 为了在TFT的顶部上形成OLED， 第一电极431形成在平坦化层315的顶部上， 第一 电极 431 通过接触孔 430 电连接到源极和漏极 323 中的一个。第一电极 431 用作阳极或阴 极， 并且可以由各种导电材料形成。 0084 参照。
37、图 12， 通过以暴露第一电极 431 的至少一部分的方式来对绝缘材料进行图案 化， 在第一电极 431 上形成像素限定层 416。像素限定层 416 可以是由诸如氧化硅 （SiO2） 和 氮化硅 （SiNx） 的无机材料形成的无机层。 0085 参照图 13， 可以通过形成中间层 432 和第二电极 433 来制造 OLED。中间层 432 包 括在第一电极 431 的开口中的有机发射层。第二电极 433 面对第一电极 431。中间层 432 设置在第一电极 431 和第二电极 433 之间。 0086 图 13 示出的是中间层 432 被图案化为仅对应于每个子像素 （即， 被图案化的每个 。
38、第一电极431） 。 然而， 这仅仅是用于描述子像素的组成， 中间层432可以与相邻的子像素的 中间层 431 形成为一个。另外， 各种替换是可以的， 例如， 一些中间层 432 被形成为对应于 说 明 书 CN 104241295 A 9 7/7 页 10 每个子像素， 而其它中间层 432 可以与相邻的子像素的中间层 432 形成为一个。 0087 根据第一电极 431 的功能， 第二电极 433 可以是阴极或阳极。 0088 参照图 14， 在第二电极 433 的顶部上形成密封层 500， 以包封 OLED。密封层 500 可 以是无机材料、 有机材料或者有机材料和无机材料的复合堆叠材料。
39、的阻挡层。 0089 下面， 执行分层工艺来使柔性基底 100 从支撑基底 10 分开。 0090 图 15 是根据本发明的示例性实施例的柔性显示装置 2 的俯视图。图 16 是沿图 15 的线 B-B 截取的剖视图。同样的标号表示同样的元件。 0091 参照图 15 和图 16， 弯曲区域 I 的像素 PX3 和 PX4 的尺寸 A1 小于非弯曲区域 II 的像素 PX1、 PX2、 PX5 和 PX6 的尺寸 A2， 这与图 2 的实施例不同， 在图 2 的实施例中， 在 弯曲区域 I 和非弯曲区域 II 中形成的像素 PX1 至 PX9 的尺寸实质上相同。 0092 弯曲区域 I 的像素。
40、 PX3 与非弯曲区域 II 的像素 PX2 之间的第三距离 d3 可以 大于像素 PX1、 PX2、 PX5 和 PX6 之间的第二距离 d2。另外， 第三距离 d3 可以等于或 小于像素 PX3 和 PX4 之间的第一距离 d1。然而， 本发明的实施例不限于此。 0093 在图 15 和图 16 中， 第一区域 M1 是在弯曲区域 I 中去除了层间绝缘层 314 和栅 极绝缘层 313 的区域， 第二区域 M2 是在弯曲区域 I 和非弯曲区域 II 的边界部分去除了层 间绝缘层 314 和栅极绝缘层 313 的区域。 0094 大于第二距离 d2 的第一距离 d1 和第三距离 d3 可以通。
41、过将弯曲区域 I 的像素 PX3 和 PX4 的尺寸 A1 形成为小于非弯曲区域 II 的像素 PX1、 PX2、 PX5 和 PX6 的尺寸 A2 来获得。这种像素尺寸差异可以提供用于从弯曲区域 I 的像素 PX3 和 PX4 之间的下方 的区域去除栅极绝缘层 313 和层间绝缘层 314 的加工余量。通过在第一区域 M1 或第二区 域M2中去除栅极绝缘层313和层间绝缘层314， 在柔性显示装置2被折叠或弯曲时出现的 应力强度可以被最小化， 从而提高了柔性显示装置 2 的可靠性。 0095 为了描述简便， 描述了弯曲区域I的两个像素和非弯曲区域II的四个像素。 然而， 本发明不限于此， 像。
42、素的数量可以根据柔性显示装置 2 的尺寸以及弯曲区域 I 的面积和折 叠程度而改变。 0096 虽然已经参照本发明的示例性实施例来示出并描述了本发明构思， 但是本领域普 通技术人员将理解的是， 在不脱离如权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况 下， 可以对此进行形式和细节上的各种改变。 说 明 书 CN 104241295 A 10 1/6 页 11 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 104241295 A 11 2/6 页 12 图 4 图 5图 6 图 7 说 明 书 附 图 CN 104241295 A 12 3/6 页 13 图 8图 9图 10 说 明 书 附 图 CN 104241295 A 13 4/6 页 14 图 11 图 12 说 明 书 附 图 CN 104241295 A 14 5/6 页 15 图 l3图 14 说 明 书 附 图 CN 104241295 A 15 6/6 页 16 图 15 图 16 说 明 书 附 图 CN 104241295 A 16 。