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1、(10)申请公布号 CN 104280917 A (43)申请公布日 2015.01.14 CN 104280917 A (21)申请号 201410315800.2 (22)申请日 2014.07.03 10-2013-0077921 2013.07.03 KR G02F 1/1333(2006.01) G02F 1/1343(2006.01) G02F 1/133(2006.01) (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 金度晔 李安洙 (74)专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限 公司 11018 代理人 康泉 宋志强 (54) 发明名称 显示面板、 显示设。
2、备及使用显示设备显示图 像的方法 (57) 摘要 本发明涉及显示面板、 显示设备及使用显示 设备显示图像的方法。所述显示面板包括 ： 第一 基板 ； 在所述第一基板上布置的第一透明电极， 在显示图像的显示模式中向所述第一透明电极施 加第一电压 ； 在所述第一透明电极上布置的具有 光敏聚合物分子和液晶分子的扩散有聚合物的液 晶层 ； 以及在所述扩散有聚合物的液晶层上布置 的第二透明电极， 在所述显示模式中向所述第二 透明电极施加第二电压。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 3 页 说明书 11 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权。
3、利要求书3页 说明书11页 附图3页 (10)申请公布号 CN 104280917 A CN 104280917 A 1/3 页 2 1. 一种显示面板， 包括 ： 第一基板 ； 在所述第一基板上形成的多个像素 ； 第一透明电极， 布置在所述第一基板上并且跨越所述多个像素中的每个像素连续地延 伸 ； 第二透明电极， 与所述第一透明电极相对布置并且跨越所述多个像素中的每个像素连 续地延伸 ； 以及 扩散有聚合物的液晶层， 包括光敏聚合物分子和液晶分子， 介于所述第一透明电极和 所述第二透明电极之间， 并且跨越所述多个像素中的每个像素连续地延伸， 所述第一透明电极和所述第二透明电极在经由所述多个像。
4、素显示图像的显示模式中 分别被施加第一电压和第二电压。 2. 根据权利要求 1 所述的显示面板， 其中在不显示所述图像的非显示模式中， 所述扩 散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物分子和所述液晶分子随机地排列， 使得所述扩散有 聚合物的液晶层变得不透明， 在所述显示模式中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物分子沿透射轴排 列， 并且所述液晶分子被极化并有序排列， 使得所述扩散有聚合物的液晶层变得透明。 3. 根据权利要求 2 所述的显示面板， 其中所述扩散有聚合物的液晶层在所述非显示模 式中具有白色。 4. 根据权利要求 2 所述的显示面板， 其中所述扩散有聚合物的液晶层进一步包括具有 。
5、彩色的有色染料。 5. 根据权利要求 3 所述的显示面板， 其中所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合 物分子或所述液晶分子包括具有彩色的有色染料。 6. 根据权利要求 1 所述的显示面板， 其中每个像素包括 ： 布置在所述第一基板上的第一电极 ； 发光结构， 布置在所述第一电极上并且包括发光材料 ； 以及 第二电极， 布置在所述发光结构上， 并且所述第一透明电极布置在所述第二电极上。 7. 根据权利要求 6 所述的显示面板， 进一步包括布置在所述第二透明电极上的第二基 板。 8. 根据权利要求 6 所述的显示面板， 进一步包括布置在所述第二电极和所述第一透明 电极之间的第二基板， 以及布置在。
6、所述第二基板和所述第一透明电极之间的基底层。 9. 根据权利要求 8 所述的显示面板， 进一步包括布置在所述第二基板和所述基底层之 间的粘合剂层。 10. 一种显示设备， 包括 ： 显示面板， 包括多个像素， 经由所述多个像素显示图像 ； 扩散有聚合物的液晶膜， 布置在所述显示面板上， 所述扩散有聚合物的液晶膜包括 ： 基底层， 第一透明电极， 布置在所述基底层上并且跨越所述多个像素中的每个像素连续地延 伸， 第二透明电极， 与所述第一透明电极相对布置并且跨越所述多个像素中的每个像素连 权 利 要 求 书 CN 104280917 A 2 2/3 页 3 续地延伸， 扩散有聚合物的液晶层， 包。
7、括光敏聚合物分子和液晶分子， 介于所述第一透明电极和 所述第二透明电极之间， 并且跨越每个像素连续地延伸， 所述第一透明电极和所述第二透 明电极在经由所述多个像素显示所述图像的显示模式中分别被施加第一电压和第二电压， 以及 顶层， 布置在所述第二透明电极上 ； 以及 收纳容器， 容纳所述显示面板和所述扩散有聚合物的液晶膜。 11. 根据权利要求 10 所述的显示设备， 其中 ： 在不显示所述图像的非显示模式中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物分 子和所述液晶分子随机地排列， 使得所述扩散有聚合物的液晶层变得不透明， 并且 在所述显示模式期间， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物。
8、分子沿透射轴排 列， 并且所述液晶分子被极化并有序排列， 使得所述扩散有聚合物的液晶层变得透明。 12. 根据权利要求 11 所述的显示设备， 其中所述收纳容器具有白色， 并且所述扩散有 聚合物的液晶层在所述非显示模式中具有白色。 13. 根据权利要求 11 所述的显示设备， 其中所述收纳容器具有第一颜色， 并且所述扩 散有聚合物的液晶层进一步包括具有所述第一颜色的染料。 14. 根据权利要求 13 所述的显示设备， 其中 ： 所述收纳容器包括边界表面， 所述边界表面与所述显示面板平行并且包围所述显示面 板的边界 ； 并且 所述边界表面具有所述第一颜色。 15. 根据权利要求 10 所述的显示。
9、设备， 其中所述扩散有聚合物的液晶膜进一步包括布 置在所述基底层下方并且附接在所述显示面板上的粘合剂层。 16. 根据权利要求 15 所述的显示设备， 进一步包括布置在所述扩散有聚合物的液晶膜 上的触摸面板。 17. 根据权利要求 11 所述的显示设备， 其中所述显示面板包括第一基板， 并且每个像 素包括 ： 布置在所述第一基板上的第一电极 ； 发光结构， 布置在所述第一电极上并且包括发光材料 ； 以及 布置在所述发光结构上的第二电极。 18. 根据权利要求 11 所述的显示设备， 其中所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚 合物分子或所述液晶分子包括具有彩色的有色染料。 19. 一种使用显示设。
10、备显示图像的方法， 其中所述显示设备包括显示所述图像的图像 显示层， 布置在所述图像显示层上的第一透明电极， 布置在所述第一透明电极上的具有光 敏聚合物分子和液晶分子的扩散有聚合物的液晶层， 以及布置在所述扩散有聚合物的液晶 层上的第二透明电极， 所述方法包括 ： 在显示所述图像的显示模式中分别向所述第一透明电极和所述第二透明电极施加第 一电压和第二电压 ； 并且 在不显示所述图像的非显示模式中阻止至所述第一透明电极和所述第二透明电极的 权 利 要 求 书 CN 104280917 A 3 3/3 页 4 所述第一电压和所述第二电压。 20. 根据权利要求 19 所述的方法， 其中在所述非显示。
11、模式中， 所述扩散有聚合物的液 晶层的所述光敏聚合物分子和所述液晶分子随机地排列， 使得所述扩散有聚合物的液晶层 变得不透明， 在所述显示模式中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物分子沿透射轴排 列， 并且所述液晶分子被极化并有序排列， 使得所述扩散有聚合物的液晶层变得透明。 权 利 要 求 书 CN 104280917 A 4 1/11 页 5 显示面板、 显示设备及使用显示设备显示图像的方法 0001 优先权声明 0002 本申请要求2013年7月3日提交的韩国专利申请No.10-2013-0077921的优先权， 该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本申请。 技术领域 000。
12、3 本发明的实施例大体涉及显示面板和具有该显示面板的显示设备 ； 并且更具体 地， 涉及能够在非显示模式下显示特定颜色的显示面板以及包含该显示面板的显示设备。 背景技术 0004 显示设备大体包括显示面板和收纳容器。在显示面板上显示图像。包围显示面板 的收纳容器的框座通常具有与收纳容器的颜色相同的颜色。 收纳容器通常具有黑色。 近来， 随着设计的重要性被突出， 收纳容器可以具有彩色， 如白色、 红色或蓝色。 0005 然而， 显示面板在非显示模式中显示黑色， 这在显示面板关闭时发生。 当收纳容器 的框座具有彩色 ( 如白色、 红色或蓝色 ) 时 ( 除收纳容器的框座具有黑色以外 )， 由于在非。
13、 显示模式中显示面板和框座之间的色差， 显示面板不呈现设计统一性的总体表现。 发明内容 0006 示例性实施例提供一种能够在非显示模式中显示特定颜色的显示面板。 0007 示例性实施例提供一种具有显示面板的显示设备。 0008 本发明的一个或多个示例性实施例还提供一种使用显示设备显示图像的方法。 0009 根据示例性实施例的一个方面， 一种显示面板包括 ： 第一基板 ； 在所述第一基板 上形成的多个像素 ； 第一透明电极， 布置在所述第一基板上并且跨越每个像素连续地延伸 ； 第二透明电极， 与所述第一透明电极相对布置并且跨越每个像素连续地延伸 ； 以及扩散有 聚合物的液晶层， 包括光敏聚合物分。
14、子和液晶分子， 介于所述第一透明电极和所述第二透 明电极之间， 并且跨越每个像素连续地延伸。所述第一透明电极和所述第二透明电极在经 由所述多个像素显示所述图像的显示模式中分别被施加第一电压和第二电压。 0010 在示例性实施例中， 在不显示所述图像的非显示模式中， 所述扩散有聚合物的液 晶层的所述光敏聚合物分子和所述液晶分子可以随机地排列， 使得所述扩散有聚合物的液 晶层可以变得不透明。在所述显示模式中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物 分子可以沿透射轴排列， 并且所述液晶分子可以被极化并有序排列， 使得所述扩散有聚合 物的液晶层可以变得透明。 0011 在示例性实施例中， 所述扩散。
15、有聚合物的液晶层可以在所述非显示模式中具有白 色。 0012 在示例性实施例中， 所述扩散有聚合物的液晶层可以进一步包括具有彩色的有色 染料。 0013 在示例性实施例中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物分子或所述液 说 明 书 CN 104280917 A 5 2/11 页 6 晶分子可以包括具有彩色的有色染料。 0014 在示例性实施例中， 所述显示面板可以进一步包括 ： 布置在所述第一基板上的第 一电极 ； 发光结构， 布置在所述第一电极上并且包括发光材料 ； 以及第二电极， 布置在所述 发光结构上。所述第一透明电极可以布置在所述第二电极上。 0015 在示例性实施例中， 所述。
16、显示面板可以进一步包括布置在所述第二透明电极上的 第二基板。 0016 在示例性实施例中， 所述显示面板可以进一步包括布置在所述第二电极和所述第 一透明电极之间的第二基板， 以及布置在所述第二基板和所述第一透明电极之间的基底 层。 0017 在示例性实施例中， 所述显示面板可以进一步包括布置在所述第二基板和所述基 底层之间的粘合剂层。 0018 根据示例性实施例的一个方面， 一种显示设备包括 ： 显示面板， 包括多个像素的， 经由所述多个像素显示图像 ； 扩散有聚合物的液晶膜， 布置在所述显示面板上 ； 以及收纳 容器， 容纳所述显示面板和所述扩散有聚合物的液晶膜。 所述扩散有聚合物的液晶膜包。
17、括 ： 基底层 ； 第一透明电极， 布置在所述基底层上并且跨越每个像素连续地延伸 ； 第二透明电 极， 与所述第一透明电极相对布置并且跨越每个像素连续地延伸 ； 扩散有聚合物的液晶层， 包括光敏聚合物分子和液晶分子， 介于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间， 并且 跨越每个像素连续地延伸 ； 以及顶层， 布置在所述第二透明电极上。 所述第一透明电极和所 述第二透明电极在经由所述多个像素显示所述图像的图像显示模式中分别被施加第一电 压和第二电压。 0019 在示例性实施例中， 在不显示所述图像的非显示模式中， 所述扩散有聚合物的液 晶层的所述光敏聚合物分子和所述液晶分子可以随机地排列， 使得。
18、所述扩散有聚合物的液 晶层可以变得不透明。在所述显示模式中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物 分子可以沿透射轴排列， 并且所述液晶分子可以被极化并有序排列， 使得所述扩散有聚合 物的液晶层可以变得透明。 0020 在示例性实施例中， 所述收纳容器可以具有白色。所述扩散有聚合物的液晶层可 以在所述非显示模式中具有白色。 0021 在示例性实施例中， 所述收纳容器可以具有第一颜色。所述扩散有聚合物的液晶 层可以进一步包括具有第一颜色的染料。 0022 在示例性实施例中， 所述收纳容器可以包括边界表面， 所述边界表面与所述显示 面板平行并且包围所述显示面板的边界。所述边界表面可以具有所述第。
19、一颜色。 0023 在示例性实施例中， 所述扩散有聚合物的液晶膜可以进一步包括布置在所述基底 层下方且附接在所述显示面板上的粘合剂层。 0024 在示例性实施例中， 所述显示设备可以进一步包括在所述扩散有聚合物的液晶膜 上布置的触摸面板。 0025 在示例性实施例中， 所述显示面板可以包括第一基板， 布置在所述第一基板上的 第一电极 ； 发光结构， 布置在所述第一电极上且包括发光材料， 以及布置在所述发光结构上 的第二电极。 0026 在示例性实施例中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物分子或所述液 说 明 书 CN 104280917 A 6 3/11 页 7 晶分子可以包括具有彩色。
20、的有色染料。 0027 根据示例性实施例的一个方面， 一种显示设备包括显示图像的图像显示层， 布置 在所述图像显示层上的第一透明电极， 布置在所述第一透明电极上的具有光敏聚合物分子 和液晶分子的扩散有聚合物的液晶层， 以及布置在所述扩散有聚合物的液晶层上的第二透 明电极。一种使用所述显示设备显示图像的方法包括 ： 在显示所述图像的显示模式中分别 向所述第一透明电极和所述第二透明电极施加第一电压和第二电压， 并且在不显示所述图 像的非显示模式中阻止至所述第一透明电极和所述第二透明电极的所述第一电压和所述 第二电压。 0028 在示例性实施例中， 在不显示所述图像的非显示模式中， 所述扩散有聚合物。
21、的液 晶层的所述光敏聚合物分子和所述液晶分子可以随机地排列， 使得所述扩散有聚合物的液 晶层可以变得不透明。在所述显示模式中， 所述扩散有聚合物的液晶层的所述光敏聚合物 分子可以沿透射轴排列， 并且所述液晶分子可以被极化并有序排列， 使得所述扩散有聚合 物的液晶层可以变得透明。 0029 根据本发明的示例性实施例， 显示设备包括在非显示模式中是不透明的且在显示 模式中是透明的扩散有聚合物的液晶层， 使得显示设备可以在非显示模式中显示特定的彩 色。 0030 此外， 扩散有聚合物的液晶层可以进一步包括根据收纳容器的颜色的有色染料， 使得显示面板的显示区和收纳容器的边界表面在非显示模式中具有相同颜。
22、色。 附图说明 0031 当结合附图思考下面的具体描述时， 本发明的更全面理解以及随之产生的许多优 势将显而易见， 因为本发明通过参考具体描述变得更容易理解， 在附图中相同的附图标记 表示相同或相似的组件， 其中 ： 0032 图 1 是图示根据本发明示例性实施例的显示面板的剖视图 ； 0033 图 2 是图示根据本发明另一示例性实施例的显示面板的剖视图 ； 0034 图 3 是图示根据本发明示例性实施例的显示设备的剖视图 ； 0035 图 4 是图示根据本发明另一示例性实施例的显示设备的剖视图 ； 以及 0036 图 5 是根据本发明示例性实施例的说明显示区的颜色和外围区的颜色之间的关 系的。
23、显示设备的平面图。 具体实施方式 0037 下面参考附图更全面地描述示例性实施例。然而， 本发明的原理可以以多种不同 形式来实现， 而不应当被解释为局限于本文中所介绍的示例性实施例。 在附图中， 为了清楚 起见， 可以放大层和区域的尺寸和相对尺寸。 0038 将理解， 当一元件或层被称为 “位于另一元件或层上” 、“与另一元件或层连接” 或 “与另一元件或层联接” 时， 元件或层可以直接位于另一元件上、 与另一元件或层直接连接 或与另一元件或层直接联接， 或者可以存在中间的元件或层。相比之下， 当一元件被称为 “直接位于另一元件或层上” 、“与另一元件或层直接连接” 或 “与另一元件或层直接联。
24、接” 时， 不存在中间的元件或层。在全文中， 相同或相似的附图标记表示相同或相似的元件。如 说 明 书 CN 104280917 A 7 4/11 页 8 本文中使用的术语 “和 / 或” 包括所关联列出的项目中的一个或多个项目的任意组合和所 有组合。 0039 将理解， 虽然在本文中可使用术语第一、 第二、 第三等来描述各元件、 各部件、 各区 域、 各层、 各图案和 / 或各部分， 但这些元件、 部件、 区域、 层、 图案和 / 或部分不应受这些术 语限制。 这些术语仅用于将一个元件、 部件、 区域、 层、 图案或部分与另一区域、 层、 图案或部 分区别开。 因此， 在不脱离示例性实施例的。
25、教导的情况下， 下面介绍的第一元件、 第一部件、 第一区域、 第一层或第一部分可以被称为第二元件、 第二部件、 第二区域、 第二层或第二部 分。 0040 为了便于描述， 在本文中可以使用与空间有关的术语， 如 “在下面” 、“在 下方” 、“下面的” 、“在上方” 、“上面的” 等， 来描述附图中图示的一个要素或特征与另一 要素或特征的关系。将理解， 与空间有关的术语旨在包含装置在使用时或操作时除图中所 示的方位以外的不同方位。 例如， 如果图中的装置被翻转， 则被描述为位于其它元件或特征 “下面” 或 “下方” 的要素将位于其它要素或特征 “上方” 。因此， 示例性术语 “下方” 能够包 。
26、含 “上方” 和 “下方” 两个方位。装置可以朝向别的方向 ( 旋转 90 度或位于其它方位 )， 并 且相应地解释在本文中使用的与空间有关的描述。 0041 本文中使用的术语仅仅是为了描述具体的示例性实施例的目的， 而不旨在限制本 发明。如在本文中使用的， 单数形式 “一” 、“该” 和 “此” 旨在也包含复数形式， 除非上下文 清楚地表示别的含义。将进一步理解， 术语 “包括” 和 / 或 “包含” ， 当其在本说明书中使用 时规定所述的特征、 整数、 步骤、 操作、 元件和 / 或部件的存在， 但不排除存在或增加一个或 多个其它特征、 整数、 步骤、 操作、 元件、 部件和 / 或它们的。
27、组合。 0042 在本文中， 示例性实施例是参考剖视图示描述的， 剖视图示是本发明的图解理想 化示例性实施例 ( 和中间结构 ) 的示意图。因此， 将预料由例如制造技术和 / 或容差导致 的图示形状的变化。因此， 示例性实施例不应被解释为局限于本文中图示的区域的具体形 状， 而应包括由例如制造导致的形状偏差。 图中所示的区域实际上是示意性的， 它们的形状 不旨在示出装置的区域的实际形状， 并且不旨在限制本发明的范围。 0043 除非另外限定， 否则本文中使用的所有术语 ( 包括技术术语和科学术语 ) 具有与 本发明所属的技术领域的普通技术人员之一所通常理解的意义相同的意义。将进一步理 解， 术。
28、语 ( 如在常用词典中限定的那些术语 ) 应当被解释为具有与它们在相关领域的背景 中的意义一致的意义， 而不应从理想化的或过于形式的意义上去解释， 除非本文中明确如 此限定。 0044 在下文中， 将参考附图详细说明本发明。 0045 图 1 是图示被构造为根据本发明的原理的实施例的显示面板的剖视图。 0046 参考图1， 显示面板包括第一基板50、 像薄膜晶体管(TFT)这样的开关装置以及有 机发光装置 (OLED)， 该有机发光装置 (OLED) 包括第一电极 95、 发光结构 105 和第二电极 110。显示面板进一步包括第一透明电极 120、 扩散有聚合物的液晶层 122 以及第二透明。
29、电 极124。 尽管图1中未示出， 但是显示面板可以包括在显示面板的图像显示区中形成的像素 阵列。每个像素可以包括 TFT 和 OLED。第一透明电极 120 和第二透明电极 124 中的每个电 极可以至少连续地跨越全部显示区延伸。扩散有聚合物的液晶层 122 可以介于第一透明电 极 120 和第二透明电极 124 之间并且连续地跨越全部显示区延伸。 说 明 书 CN 104280917 A 8 5/11 页 9 0047 可以在第一基板 50 上布置缓冲层 55。第一基板 50 可以包括透明绝缘基板。例 如， 第一基板 50 可以包括玻璃基板、 石英基板、 透明树脂基板等。用于第一基板 50。
30、 的透明 树脂基板的示例可以包括聚酰亚胺类树脂、 丙烯酸类树脂、 聚丙烯酸酯类树脂、 聚碳酸酯类 树脂、 聚醚类树脂、 含磺酸的树脂、 聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂等。 0048 在示例性实施例中， 缓冲层 55 可以防止来自第一基板 50 的金属原子和 / 或杂质 的扩散。此外， 缓冲层 55 可以调节用于有源层 60 的连续晶化过程的热传递速率， 从而获得 基本均匀的有源层 60。在第一基板 50 具有相对不规则的表面的情况下， 缓冲层 55 可以提 高第一基板 50 的表面的平整度。缓冲层 55 可以利用硅化合物形成。例如， 缓冲层 55 可以 包括硅氧化物(SiOx)、 硅氮化物(SiN。
31、x)、 硅氮氧化物(SiOxNy)、 硅碳氧化物(SiOxCy)、 硅碳 氮化物 (SiCxNy) 等。这些可以单独使用或以它们的混合形式使用。缓冲层 55 可以通过旋 转涂覆工艺、 化学气相沉积 (CVD) 工艺、 等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 工艺、 高密度 等离子体化学气相沉积 (HDP-CVD) 工艺、 印刷工艺等涂在第一基板 50 上。缓冲层 55 可以 具有单层结构或多层结构。例如， 缓冲层 55 可以具有包括硅氧化物膜、 硅氮化物膜、 硅氮氧 化物膜、 硅碳氧化物膜或硅碳氮化物膜的单层结构。可替代地， 缓冲层 55 可以具有包括硅 氧化物膜、 硅氮化物膜、 硅氮氧化物。
32、膜、 硅碳氧化物膜、 硅碳氮化物膜等中至少两种的多层 结构。在一些示例性实施例中， 根据第一基板 50 的材料和 / 或表面条件， 缓冲层 55 可以不 在第一基板 50 上形成。 0049 开关装置可以设置在缓冲层 55 上。在示例性实施例中， 开关装置可以包括具有有 源层 60 的薄膜晶体管 (TFT)， 该有源层 60 可以包含硅 (Si)。这里， 开关装置可以包括有源 层 60、 栅绝缘层 65、 栅电极 70、 源电极 80、 漏电极 85 等。在一些示例性实施例中， 开关装置 可以包括具有有源层的氧化物半导体装置， 该有源层可以包含半导体氧化物。 0050 当开关装置包括 TFT 。
33、时， 有源层可以布置在缓冲层 55 上。有源层 60 可以具有源 极区和漏极区， 该源极区和该漏极区都掺杂有杂质。有源层 60 可以附加地包括在源极区和 漏极区之间设置的沟道区。 0051 在示例性实施例中， 在缓冲层55上可以形成半导体层(未示出)， 然后可以在缓冲 层55上通过对半导体层进行图案化来形成初步的有源层(未示出)。 可以对初步的有源层 进行晶化过程来在缓冲层 55 上形成有源层 60。这里， 半导体层可以通过 CVD 工艺、 PECVD 工艺、 低压化学气相沉积 (LPCVD) 工艺、 溅射工艺、 印刷工艺等形成。当半导体层包括非晶 硅时， 有源层 60 可以包括多晶硅。用于形。
34、成有源层 60 的晶化工艺可以包括激光照射工艺、 热处理工艺、 利用催化剂的热工艺等。 0052 在一些示例性实施例中， 在将半导体层和/或初步的有源层形成在缓冲层55上以 后， 可以对半导体层和 / 或初步的有源层执行脱氢工艺。脱氢工艺可以降低半导体层和 / 或初步的有源层的氢含量， 使得有源层 60 可以具有改进的电特性。栅绝缘层 65 可以布置 在缓冲层 55 上来覆盖有源层 60。栅绝缘层 65 可以通过 CVD 工艺、 旋转涂覆工艺、 PECVD 工 艺、 溅射工艺、 真空蒸发工艺、 HDP-CVD工艺、 印刷工艺等形成。 栅绝缘层65可以包括硅氧化 物， 金属氧化物等。栅绝缘层 6。
35、5 中金属氧化物的示例可以包括铪氧化物 (HfOx)、 铝氧化物 (AlOx)、 锆氧化物(ZrOx)、 钛氧化物(TiOx)、 钽氧化物(TaOx)等等。 这些可以单独使用或以 它们的组合形式使用。在示例性实施例中， 栅绝缘层 65 可以沿有源层 60 的轮廓 (profi le) 均匀地在缓冲层 55 上形成。这里， 栅绝缘层 65 可以具有基本上小的厚度， 使得在栅绝缘层 说 明 书 CN 104280917 A 9 6/11 页 10 65的与有源层60相邻的一部分处可以生成阶梯状部分。 在一些示例性实施例中， 栅绝缘层 65 可以具有用于充分地覆盖有源层 60 的相对大的厚度， 使得。
36、栅绝缘层 65 可以具有基本平 的表面。 0053 栅电极70可以位于栅绝缘层65上。 例如， 栅电极70可以被放置在栅绝缘层65的 一部分上， 在该部分下方设置有源层 60。在示例性实施例中， 在栅绝缘层 65 上可以形成第 一导电层 ( 未示出 )， 然后通过光刻工艺或者通过使用附加蚀刻掩膜的蚀刻工艺对第一导 电层进行部分地蚀刻。因此， 栅电极 70 可以设置在栅绝缘层 65 上。第一导电层可以通过 印刷工艺、 溅射工艺、 CVD工艺、 脉冲激光沉积(PLD)工艺、 真空蒸发工艺、 原子层沉积(ALD) 工艺等形成。 栅电极70可以包括金属、 合金、 导电性金属氧化物、 透明导电材料等。 。
37、例如， 栅 电极 70 可以使用铝 (Al)、 含有铝的合金、 铝氮化物 (AlNx)、 银 (Ag)、 含有银的合金、 钨 (W)、 钨氮化物(WNx)、 铜(Cu)、 含有铜的合金、 镍(Ni)、 含镍的合金、 铬(Cr)、 铬氮化物(CrNx)、 钼 (Mo)、 含有钼的合金、 钛、 钛氮化物 (TiNx)、 铂 (Pt)、 钽 (Ta)、 钽氮化物 (TaNx)、 钕 (Nd)、 钪 (Sc)、 锶钌氧化物 (SRO)、 锌氧化物 (ZnOx)、 铟锡氧化物 (ITO)、 锡氧化物 (SnOx)、 铟氧化物 (InOx)、 镓氧化物(GaOx)， 铟锌氧化物(IZO)等形成。 这些可以。
38、单独使用或以它们的组合形 式使用。在示例性实施例中， 栅电极 70 可以具有单层结构或多层结构， 该单层结构或多层 结构可以包括金属膜、 合金膜、 金属氮化物膜、 导电性金属氧化物膜和 / 或透明导电膜。 0054 尽管未示出， 但是当在栅绝缘层 65 上形成栅电极 70 时， 在栅绝缘层 65 上可以形 成栅极线。栅电极 70 可以接触栅极线， 并且栅极线可以沿第一方向在栅绝缘层 65 上延伸。 0055 在栅绝缘层 65 上可以布置绝缘夹层 75 来覆盖栅电极 70。绝缘夹层 75 可以将源 电极 80 和漏电极 85 与栅电极 70 电绝缘。具有基本均匀厚度的绝缘夹层 75 可以沿栅电极。
39、 70 的轮廓共形地形成在栅绝缘层 65 上。因此， 可以在绝缘夹层 75 的与栅电极 70 相邻的部 分处生成阶梯状部分。绝缘夹层 75 可以利用硅化合物形成。例如， 绝缘夹层 75 可以包括 硅氧化物、 硅氮化物、 硅氮氧化物、 硅碳氧化物和 / 或硅碳氮化物。这些可以单独使用或以 它们的混合形式使用。绝缘夹层 75 可以通过旋转涂覆工艺、 CVD 工艺、 PECVD 工艺、 HDP-CVD 工艺、 LPCVD 工艺等获得。在示例性实施例中， 绝缘夹层 75 可以具有单层结构或多层结构， 该单层结构或多层结构可以包括硅氧化物膜、 硅氮化物膜、 硅氮氧化物膜、 硅碳氧化物膜和 / 或硅碳氮化。
40、物膜。 0056 如图 1 所示， 源电极 80 和漏电极 85 可以布置在绝缘夹层 75 上。源电极 80 和漏 电极 85 可以以栅电极 75 为中心基本上彼此分离预确定的距离。源电极 80 和漏电极 85 可 以穿透绝缘夹层 75， 并且分别可以接触有源层 60 的源极区和漏极区。在示例性实施例中， 可以对绝缘夹层 75 进行部分地蚀刻， 以形成分别暴露源极区和漏极区的接触孔。然后， 可 以在绝缘夹层 75 上形成第二导电层 ( 未示出 ) 来填充接触孔。可以移除第二导电层直至 暴露绝缘夹层 75， 使得在源极区和漏极区上可以分别形成源电极 80 和漏电极 85。第二导 电层可以通过溅射。
41、工艺、 CVD 工艺、 PLD 工艺、 真空蒸发工艺、 ALD 工艺、 印刷工艺等获得。源 电极80和漏电极85中的每个电极可以包括金属、 合金、 金属氮化物、 导电性金属氧化物、 透 明导电材料等。例如， 源电极 80 和漏电极 85 可以使用铝、 含铝的合金、 铝氮化物、 银、 含银 的合金、 钨、 钨氮化物、 铜、 含铜的合金、 镍、 含镍的合金、 铬、 铬氮化物、 钼、 含钼的合金、 钛、 钛氮化物、 铂、 钽、 钽氮化物、 钕、 钪、 锶钌氧化物、 锌氧化物、 铟锡氧化物、 锡氧化物、 铟氧化 物、 镓氧化物、 铟锌氧化物等形成。这些可以单独使用或以它们的组合形式使用。在示例性 说 。
42、明 书 CN 104280917 A 10 7/11 页 11 实施例中， 源电极80和漏电极85中的每个电极可以具有单层结构或多层结构， 该单层结构 或多层结构可以包括金属膜、 合金膜、 金属氮化物膜、 导电性金属氧化物膜和 / 或透明导电 膜。 0057 尽管图 1 中未示出， 但是当形成源电极 80 和漏电极 85 时可以在绝缘夹层 75 上形 成数据线。数据线可以在绝缘夹层 75 上沿第二方向延伸。在此情况中， 数据线的第二方向 可以基本垂直于栅极线的第一方向。 0058 当在绝缘夹层 75 上形成源电极 80 和漏电极 85 时， 开关装置可以设置在第一基板 50 上。开关装置可以包。
43、括 TFT， 该 TFT 可以具有有源层 60、 栅绝缘层 65、 栅电极 70、 源电极 80 和漏电极 85。 0059 在绝缘夹层75上可以布置绝缘层90。 绝缘层90可以具有单层结构或包括至少两 个绝缘膜的多层结构。在示例性实施例中， 可以在绝缘层 90 上执行平面化工艺来提高绝缘 层 90 的平整度。例如， 通过化学机械抛光 (CMP) 工艺、 回蚀工艺等， 绝缘层 90 可以具有基 本平的表面。绝缘层 90 可以使用有机材料形成。例如， 绝缘层 90 可以包括光刻胶、 丙烯酸 类树脂、 聚酰亚胺类树脂、 聚酰胺类树脂、 硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或以它们的 组合形式使用。可替。
44、代地， 绝缘层 90 可以包括无机材料。例如， 绝缘层 90 可以使用硅氧化 物、 硅氮化物、 硅氮氧化物、 硅碳氧化物、 铝、 镁、 锌、 铪、 锆、 钛、 钽、 铝氧化物、 钛氧化物、 钽氧 化物、 镁氧化物、 锌氧化物、 铪氧化物、 锆氧化物、 钛氧化物等形成。这些可以单独使用或以 它们的混合形式使用。根据绝缘层 90 中包含的成分， 绝缘层 90 可以通过旋转涂覆工艺、 印 刷工艺、 溅射工艺、 CVD 工艺、 ALD 工艺、 PECVD 工艺、 HDP-CVD 工艺或真空蒸发工艺获得。 0060 可以通过光刻工艺或通过使用附加蚀刻掩膜(如硬掩膜)的蚀刻工艺对绝缘层90 进行部分地蚀刻。
45、， 使得可以形成穿过绝缘层 90 的接触孔。接触孔可以部分地暴露开关装置 的漏电极85。 在示例性实施例中， 接触孔可以具有相对于第一基板50倾斜预确定的角度的 侧壁。例如， 接触孔可以具有基本上大于其下宽度的上宽度。 0061 第一电极95可以布置在绝缘层90上， 以填充穿过绝缘层90形成的接触孔。 因此， 第一电极 95 可以与由接触孔暴露的漏电极 85 接触。在一些示例性实施例中， 在接触孔中 可以形成触点、 塞子或垫， 然后可以在该触点、 塞子或垫上形成第一电极95。 这里， 第一电极 95 可以通过触点、 塞子或垫电连接至漏电极 85。 0062 根据具有显示面板 10 和触摸面板的。
46、显示装置的发光类型， 第一电极 95 可以包括 反射性材料或透射性材料。例如， 第一电极 95 可以使用铝、 含铝的合金、 铝氮化物、 银、 含银 的合金、 钨、 钨氮化物、 铜、 含铜的合金、 镍、 含镍的合金、 铬、 铬氮化物、 钼、 含钼的合金、 钛、 钛氮化物、 铂、 钽、 钽氮化物、 钕、 钪、 锶钌氧化物、 锌氧化物、 铟锡氧化物、 锡氧化物、 铟氧化 物、 镓氧化物、 铟锌氧化物等形成。这些可以单独使用或以它们的组合形式使用。第一电极 95 可以通过印刷工艺、 溅射工艺、 CVD 工艺、 ALD 工艺、 真空蒸发工艺、 PLD 工艺等获得。在 示例性实施例中， 第一电极 95 可。
47、以具有单层结构或多层结构， 该单层结构或多层结构可以 包括金属膜、 合金膜、 金属氮化物膜、 导电性金属氧化物膜和 / 或透明导电膜。 0063 在第一电极 95 和绝缘层 90 上可以布置像素限定层 100。像素限定层 100 可以包 括有机材料或无机材料。例如， 像素限定层 100 可以使用光刻胶、 丙烯酸类树脂、 聚丙烯酸 类树脂、 聚酰亚胺类树脂、 硅化合物等。像素限定层 100 可以通过旋转涂覆工艺、 喷射工艺、 印刷工艺、 CVD 工艺、 PECVD 工艺、 HDP-CVD 工艺等获得。在示例性实施例中， 像素限定层 100 说 明 书 CN 104280917 A 11 8/11。
48、 页 12 可以被部分地蚀刻， 以形成部分地暴露第一电极 95 的开口。像素限定层 100 的开口可以限 定显示面板 10 的发光区和非发光区。例如， 具有像素限定层 100 的开口的显示面板 10 的 一部分可以是显示装置的发光区， 而围绕像素限定层100的开口的显示面板10的另一部分 可以是显示装置的非发光区。 0064 发光结构105可以放置在由像素限定层100的开口暴露的第一电极95上。 发光结 构 105 可以在像素限定层 100 的开口的侧壁上延伸。发光结构 105 可以通过激光诱导热成 像工艺、 印刷工艺等形成。发光结构 105 可以包括有机发光层 (EL)、 空穴注入层 (HI。
49、L)、 空 穴传输层 (HTL)、 电子传输层 (ETL)、 电子注入层 (EIL) 等。在示例性实施例中， 根据显示装 置的彩色像素， 可以使用用于生成诸如红色光 (R)、 绿色光 (G) 和蓝色光 (B) 之类的不同颜 色光的发光材料来形成多个有机发光层。在一些示例性实施例中， 发光结构 105 的有机发 光层可以包括用于生成红色光、 绿色光和蓝色光的堆叠的多种发光材料， 从而发出白色光。 0065 第二电极 110 可以布置在发光结构 105 和像素限定层 100 上。根据显示装置的发 光类型， 第二电极110可以包括透射性材料或反射性材料。 例如， 第二电极110可以使用铝、 含铝的合金、 铝氮化物、 银、 含银的合金、 钨、 钨氮化物、 铜、 含铜的合金、 镍、 含镍的合金、 铬、 铬氮化物、 钼、 含钼的合金、 钛、 钛氮化物、 铂、 钽、 钽氮化物、 钕、 钪、 锶钌氧化物、 锌氧化物、 铟锡氧化物、 锡氧化物、 铟氧化物、 镓氧化物、 铟锌氧化物等形成。 这些可以单独使用或以它 们的组合形式使用。此。