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1、(10)申请公布号 CN 103171288 A (43)申请公布日 2013.06.26 CN 103171288 A *CN103171288A* (21)申请号 201210576369.8 (22)申请日 2012.12.26 2011-283357 2011.12.26 JP B41J 2/16(2006.01) (71)申请人 佳能株式会社 地址 日本东京都大田区下丸子 3 丁目 30 番 2 号 (72)发明人 古泽健太 松本圭司 岸本圭介 浅井和宏 小山修司 (74)专利代理机构 北京魏启学律师事务所 11398 代理人 魏启学 (54) 发明名称 喷墨头基板的处理方法 (57。
2、) 摘要 本发明提供一种用于喷墨头基板的处理方 法， 包括 ： 在基板上形成阻挡层并且在阻挡层上 形成种子层 ； 在种子层上形成抗蚀膜并且对抗蚀 膜进行图案化以使得图案化后的抗蚀膜与用于 将喷墨头电连接到喷墨头外部的盘部相对应 ； 在 图案化后的抗蚀膜的开口中形成盘部 ； 去除抗蚀 膜 ； 对基板进行各向异性蚀刻以形成供墨口 ； 去 除阻挡层和种子层 ； 以及从基板的表面进行激光 处理。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 5 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (10)申请公布。
3、号 CN 103171288 A CN 103171288 A *CN103171288A* 1/1 页 2 1. 一种用于喷墨头基板的处理方法， 按照以下顺序包括 ： 在基板上形成阻挡层并且在所述阻挡层上形成种子层 ； 在所述种子层上形成抗蚀膜并且对所述抗蚀膜进行图案化， 以使得图案化后的抗蚀膜 与用于将喷墨头电连接到所述喷墨头外部的盘部相对应 ； 在所述图案化后的抗蚀膜的开口中形成所述盘部 ； 去除所述抗蚀膜 ； 从所述基板的表面进行激光处理 ； 对所述基板进行各向异性蚀刻以形成供墨口 ； 以及 去除所述阻挡层和所述种子层。 2. 一种用于喷墨头基板的处理方法， 按照以下顺序包括 ： 在基。
4、板上形成阻挡层并且在所述阻挡层上形成种子层 ； 从所述基板的表面进行激光处理 ； 在所述种子层上形成抗蚀膜并且对所述抗蚀膜进行图案化， 以使得图案化后的抗蚀膜 与用于将喷墨头电连接到所述喷墨头外部的盘部相对应 ； 在所述图案化后的抗蚀膜的开口中形成所述盘部 ； 去除所述抗蚀膜 ； 对所述基板进行各向异性蚀刻以形成供墨口 ； 以及 去除所述阻挡层和所述种子层。 3.根据权利要求1或2所述的用于喷墨头基板的处理方法， 其中， 在进行激光处理的步 骤之前， 不进行用于形成用于针对在激光处理期间生成的异物而保护所述基板的表面的保 护膜的步骤。 4.根据权利要求1或2所述的用于喷墨头基板的处理方法， 其。
5、中， 所述种子层包括从包 含 Au、 Ag 和 Cu 的组中选择出的至少一种。 5.根据权利要求1或2所述的用于喷墨头基板的处理方法， 其中， 所述种子层的厚度为 10nm 以上并且 500nm 以下。 6.根据权利要求1或2所述的用于喷墨头基板的处理方法， 其中， 所述阻挡层包括从包 含 Ti、 W、 含有 Ti 和 W 的化合物、 以及 TiN 的组中选择出的至少一种。 7.根据权利要求1或2所述的用于喷墨头基板的处理方法， 其中， 所述阻挡层的厚度为 170nm 以上并且 300nm 以下。 8.根据权利要求1或2所述的用于喷墨头基板的处理方法， 其中， 所述激光处理是贯通 所述基板的处。
6、理。 权 利 要 求 书 CN 103171288 A 2 1/6 页 3 喷墨头基板的处理方法 技术领域 0001 本发明涉及一种用于喷墨头基板的处理方法。 背景技术 0002 存在一种用于在形成有半导体元件等的硅基板上利用激光形成用于提供墨的通 孔的方法。然而， 存在如下情况， 其中激光处理期间所生成的异物 (debris) 附着在半导体 元件上从而影响了喷射性能和安装处理。日本特开平 5-330046 公开了一种方法， 其中该方 法用于在形成有半导体元件等的硅基板表面上预先形成由树脂构成的保护膜、 利用保护膜 接收激光处理期间所生成的异物并且去除保护膜， 由此防止异物附着到半导体元件上。。
7、 发明内容 0003 根据本发明的典型实施例， 提供了一种用于喷墨头基板的处理方法， 按照以下顺 序包括 ： 在基板上形成阻挡层并且在所述阻挡层上形成种子层 ； 在所述种子层上形成抗蚀 膜并且对所述抗蚀膜进行图案化， 以使得图案化后的抗蚀膜与用于将喷墨头电连接到所述 喷墨头外部的盘部相对应 ； 在所述图案化后的抗蚀膜的开口中形成所述盘部 ； 去除所述抗 蚀膜 ； 从所述基板的表面进行激光处理 ； 对所述基板进行各向异性蚀刻以形成供墨口 ； 以 及去除所述阻挡层和所述种子层。 0004 此外， 根据本发明的典型实施例， 提供了一种用于喷墨头基板的处理方法， 按照以 下顺序包括 ： 在基板上形成阻。
8、挡层并且在所述阻挡层上形成种子层 ； 从所述基板的表面进 行激光处理 ； 在所述种子层上形成抗蚀膜并且对所述抗蚀膜进行图案化， 以使得图案化后 的抗蚀膜与用于将喷墨头电连接到所述喷墨头外部的盘部相对应 ； 在所述图案化后的抗 蚀膜的开口中形成所述盘部 ； 去除所述抗蚀膜 ； 对所述基板进行各向异性蚀刻以形成供墨 口 ； 以及去除所述阻挡层和所述种子层。 0005 通过以下参考附图对典型实施例的说明， 本发明的其它特征将变得明显。 附图说明 0006 图1AA、 1AB、 1BA、 1BB、 1CA、 1CB、 1DA和1DB是示出根据本发明的第一实施例的用于 喷墨头基板的处理方法的截面图。 0。
9、007 图2AA、 2AB、 2AC、 2BA、 2BB和2BC是示出根据本发明的第一实施例的用于喷墨头基 板的处理方法的截面图和顶视图。 0008 图3CA、 3CB、 3CC、 3DA、 3DB和3DC是示出根据本发明的第一实施例的用于喷墨头基 板的处理方法的截面图和顶视图。 0009 图4AA、 4AB、 4AC、 4BA、 4BB、 4CA、 4CB、 4DA和4DB是示出根据本发明的第二实施例的 用于喷墨头基板的处理方法的截面图和顶视图。 0010 图 5 是示出通过使用根据本发明的方法而制造的喷墨头的例子的立体图。 说 明 书 CN 103171288 A 3 2/6 页 4 具体。
10、实施方式 0011 日本特开平 5-330046 中公开的方法需要如下步骤 ： 在激光处理之前涂布树脂作 为保护膜的步骤 ； 以及在激光处理之后去除涂布为保护膜的树脂的步骤。 根据本方法， 用于 激光处理的步骤的数量多， 并且难以简化激光处理步骤。 为解决上述问题而作出本发明， 并 且本发明的目的在于提供一种用于喷墨头基板的处理方法， 该方法能够省略形成用于保护 基板表面不受激光处理期间所生成的异物影响的保护膜的步骤以及去除保护膜的步骤。 0012 图 5 示出通过使用根据本发明的方法而制造的喷墨头的例子。在图 5 中示出的喷 墨头中， 将喷墨能量生成元件 6 以预定的间距在由硅制成的基板 1。
11、 上排列成两列。在基板 1 上， 流路 12 和喷墨能量生成元件 6 的上方开口的喷墨口 13 分别是由流路形成构件 14 和 树脂制成的喷墨口形成构件 16 而形成的。在本发明中， 将分别形成流路 12 和喷墨口 13 的 流路形成构件 14 和喷墨口形成构件 16 用作喷嘴。在基板 1 上， 形成用于将喷墨头电连接 到喷墨头 ( 喷墨记录设备 ) 的外部的盘部 9。此外， 在两列喷墨能量生成元件 6 之间形成 供墨口 11。供墨口 11 通过流路 12 与各个喷墨口 13 相连通。喷墨头用于对经由供墨口 11 而填充流路 12 的墨施加由喷墨能量生成元件 6 所生成的压力， 以从喷墨口 1。
12、3 喷射墨滴并 且使墨滴能够附着到记录介质上， 从而进行记录。 0013 第一实施例 0014 根据本发明的第一实施例的用于喷墨头基板的处理方法按照以下顺序包括以下 步骤 (a1) 至 (g1) ： 0015 (a1) 在基板上形成阻挡层并且在阻挡层上形成种子层 ； 0016 (b1) 在种子层上形成抗蚀膜并且对抗蚀膜进行图案化， 以使得图案化后的抗蚀膜 与用于将喷墨头电连接到喷墨头外部的盘部相对应 ； 0017 (c1) 在图案化后的抗蚀膜的开口中形成盘部 ； 0018 (d1) 去除抗蚀膜 ； 0019 (e1) 从基板的表面进行激光处理 ； 0020 (f1) 对基板进行各向异性蚀刻以形。
13、成供墨口 ； 以及 0021 (g1) 去除阻挡层和种子层。 0022 参考图 1AA 至 3DC 说明根据本发明的第一实施例的用于喷墨头基板的处理方法。 图 1AA 示出沿图 5 的线 1AA-1AA 而取得的截面图， 并且图 1AB 示出沿图 5 的线 1AB-1AB 而 取得的截面图。图 1BA 至 1DB、 图 2AA 至 2BC 以及图 3CA 至 3DC 都是以类似的方式取得的。 图 2AC 示出图 2AA 的顶视图。类似的还有图 2BC、 3CC 和 3DC。 0023 在图 1AA 和 1AB 中示出的基板 1 上， 设置有牺牲层 7、 层间绝缘层 2 以及多个诸如 发热阻抗元。
14、件等的喷墨能量生成元件 ( 加热器 )6。作为基板 1， 可以使用硅基板。关于加 热器6， 例如可以将TaSiN用作发热阻抗元件。 牺牲层7可以包含例如铝、 铝化合物、 硅铝化 合物或者铝铜合金。牺牲层 7 可以只包含上述的一种或者多种。对于层间绝缘层 2， 可以使 用 SiO 或 SiN 等。未示出与加热器 6 相连接的布线和用于驱动加热器 6 的半导体元件。利 用绝缘保护层 3 来覆盖加热器 6、 牺牲层 7 以及其它元件和布线。对于绝缘保护层 3， 可以 使用 SiO 或 SiN 等。在绝缘保护层 3 上形成阻挡层 4。阻挡层 4 不仅防止以下说明的种子 层 5 扩散到绝缘保护层 3， 。
15、还提高种子层 5 的粘着性。优选， 阻挡层 4 包含从由 Ti、 W、 包含 Ti 和 W 的化合物以及 TiN 构成的组中所选择的至少一种。阻挡层 4 的厚度优选为 170nm 以 说 明 书 CN 103171288 A 4 3/6 页 5 上并且 300nm 以下， 并且更优选为 180nm 以上并且 250nm 以下。接着， 在阻挡层 4 上形成用 于形成以下说明的盘部 9 的种子层 5。种子层 5 还用作针对在以下说明的激光处理期间所 生成的异物的保护膜。优选地， 由于种子层 5 还可以用作蚀刻保护膜， 因此该种子层 5 由不 会在以下说明的各向异性蚀刻时所使用的蚀刻剂中溶解的金属来。
16、制成。 具体地， 优选地， 种 子层 5 包含从由 Au、 Ag 和 Cu 组成的组中所选择的至少一种。种子层 5 的厚度优选为 10nm 以上并且 500nm 以下， 并且更优选为 45nm 以上并且 55nm 以下。 0024 接着， 如图 1BA 和 1BB 中所示， 通过涂布在种子层 5 上形成抗蚀膜 8， 并将抗蚀膜 8 曝光并且进行显影， 由此形成图案化的抗蚀膜 8。作为用于形成抗蚀膜 8 的化学溶液， 例如 可以使用市售的 PMER P-LA300PM( 商品名称， 东京应化工业株式会社制造 ) 等。化学溶液 的涂布方法不特别受到限制。抗蚀膜 8 的厚度优选为 10nm 以上并且。
17、 500nm 以下， 并且更优 选为 45nm 以上并且 55nm 以下。可以通过帖附抗蚀膜 8 等而不是通过化学溶液的涂布来形 成抗蚀膜8。 通过对抗蚀膜8进行曝光和显影， 进行与用于将喷墨头电连接到喷墨头外部的 盘部 9( 以下说明 ) 相对应的图案化。对于曝光方法并没有特别的限制， 只要可以精确地进 行图案化即可。作为用于显影的化学溶液， 例如可以使用市售的 NMD-3( 商品名称， 东京应 化工业株式会社制造 ) 等。 0025 接着， 如图 1CA 和 1CB 中所示， 通过将图案化后的抗蚀膜 8 用作镀掩模 (plating mask) 来进行涂镀， 由此在图案化后的抗蚀膜 8 的。
18、开口中形成盘部 9。作为用于盘部 9 的材 料， 可以使用 Au、 Ag 或 Cu 等， 并且优选使用与用于种子层 5 的材料相同的材料。可以只使 用这些材料中的一种， 或者可以使用这些材料中的两种以上。对于涂镀方法没有特别的限 制， 只要可以图案化后的抗蚀膜 8 的开口能够填充足以形成盘部 9 的用于盘部 9 的材料即 可。此外， 可以利用除涂镀以外的其它方法形成盘部 9， 只要可以图案化后的抗蚀膜 8 的开 口能够填充足以形成盘部 9 的用于盘部 9 的材料即可。 0026 接着， 如图1DA和1DB中所示， 通过剥离溶液来去除用作镀掩模的图案化后的抗蚀 膜 8。作为剥离溶液， 根据用于抗。
19、蚀膜 8 的材料， 可以例如使用市售的 MICROPO SIT 去除剂 1112A( 商品名称， 罗门哈斯电子材料公司制造 ) 等。 0027 接着， 如图2AA至2AC中所示， 从形成有盘部9的基板1的表面， 利用激光对与牺牲 层 7 相对应的部分进行处理。由此， 形成激光通孔 15。对激光处理深度没有特别的限制， 只 要可以同时对种子层5、 阻挡层4、 绝缘保护层3、 层间绝缘层2和基板1进行处理即可。 尽管 激光通孔 15 可以贯通也可以不贯通基板 1， 但是优选激光通孔 15 贯通基板 1。可以设置激 光光斑直径以使得激光照射到牺牲层 7 的框内， 并且激光光斑直径例如优选为 10m 。
20、以上 并且 200m 以下， 并且更优选为 20m 以上并且 30m 以下。激光处理图案可以是通过连 续处理而形成的线形图案或者是点的组合的图案， 只要图案处于牺牲层 7 的框内即可。对 于激光处理图案没有特别的限制， 只要该图案使得通过后续的各向异性蚀刻能够使供墨口 11 开口即可。此外， 对于激光类型没有特别的限制， 只要激光可以处理种子层 5、 阻挡层 4、 绝缘保护层 3、 层间绝缘层 2 和基板 1 即可。作为激光类型， 例如可以使用 YAG 激光等。由 激光处理期间的熔融而生成的异物 10 附着到激光通孔 15 的周围 ( 基板 1 的两面 )。在本 发明中， 在进行激光处理的步骤。
21、之前， 可以省略如下步骤 ： 形成用于保护基板 1 的表面不受 激光处理所生成的异物 10 的影响的保护膜。 0028 接着， 如图 2BA 至 2BC 中所示， 通过各向异性蚀刻在基板 1 中形成供墨口 11。作 说 明 书 CN 103171288 A 5 4/6 页 6 为蚀刻剂， 例如可以使用包含四甲基氢氧化铵 (TMAH) 和水以及在需要的情况下还包含硅 的液体。优选 TMAH 的浓度相对于水溶剂为 825 质量 %。优选硅的含量相对于 TMAH 水溶 液为 08 质量 %。优选用于各向异性蚀刻的蚀刻剂的温度为 80 C 以上并且 90 C 以下。 作为蚀刻剂， 还可以不使用上述蚀刻。
22、剂而是使用其它液体， 只要所使用的液体不会溶解种 子层 5 以及盘部 9 即可。此外， 可以在种子层 5 和盘部 9 上形成针对蚀刻剂的保护膜之后 进行蚀刻。作为针对蚀刻剂的保护膜， 例如可以使用 OBC( 商品名称， 东京应化工业株式会 社制造 )。然而， 从简化工艺的观点出发， 优选将种子层 5 用作蚀刻剂的保护膜而不单独提 供针对蚀刻剂的保护膜。基板 1 的正面未受到蚀刻， 因为正面被不会在蚀刻剂中溶解的种 子层 5 和盘部 9 所覆盖、 或者被保护膜所覆盖。另一方面， 基板 1 的背面没有被耐受蚀刻剂 的膜所覆盖， 因此蚀刻从基板 1 的背面向着基板 1 的正面进行。与此同时， 激光处。
23、理期间所 生成的附着到基板 1 的背面的异物 10 被剥离， 因此， 在蚀刻之后异物 10 不再残留在基板 1 的背面上。在形成针对蚀刻剂的保护膜的情况下， 在蚀刻之后去除保护膜。 0029 接着， 如图 3CA 至 3CC 中所示， 去除阻挡层 4 和种子层 5。作为用于去除种子层 5 的化学溶液， 根据种子层 5 的类型， 可以使用包含碘和碘化钾等的化学溶液。作为用于去除 阻挡层 4 的化学溶液， 根据阻挡层 4 的类型， 可以使用包含过氧化氢溶液等的化学溶液。由 于该处理， 也剥离了激光处理期间所生成的附着到基板 1 的正面的异物 10。 0030 接着， 如图 3DA 至 3DC 中所。
24、示， 为了形成流路 12， 在绝缘保护层 3 上形成流路形成 构件14。 对于形成流路形成构件14的方法没有特别的限制， 例如可以通过应用感光性干膜 来形成该流路形成构件 14。在流路形成构件 14 中， 对将要成为流路 12 的流路壁的区域进 行曝光。之后， 为了形成喷墨口 13， 在流路形成构件 14 上形成喷墨口形成构件 16。对于形 成喷墨口形成构件 16 的方法没有特别的限制， 例如可以通过应用感光性干膜或者涂布感 光树脂来形成该喷墨口形成构件 16。可以将防水材料涂布至喷墨口形成构件 16 的表面。 在喷墨口形成构件16中对与喷墨口13相对应的部分以外的区域进行曝光。 之后， 对流。
25、路形 成构件 14 和喷墨口形成构件 16 的未曝光部分进行显影， 由此形成了流路 12 和喷墨口 13。 通过上述处理完成了图 5 中示出的喷墨头。 0031 如上所述， 根据本实施例的方法， 用于形成盘部9的种子层5可以直接用作抵抗激 光处理期间所生成的异物 10 的保护膜。因此， 可以省略如下步骤 ： 形成用于保护基板 1 的 表面不受激光处理期间所生成的异物 10 的影响的保护膜的步骤 ； 以及去除保护膜的步骤。 此外， 在使用不会在用于各向异性蚀刻的蚀刻剂中溶解的金属作为种子层 5 的材料的情况 下， 种子层 5 也可以用作针对各向异性蚀刻的保护膜。 0032 第二实施例 0033 。
26、根据本发明的第二实施例的用于喷墨头基板的处理方法按照以下顺序包括以下 步骤 (a2) 至 (g2) ： 0034 (a2) 在基板上形成阻挡层并且在阻挡层上形成种子层 ； 0035 (b2) 从基板的表面进行激光处理 ； 0036 (c2) 在种子层上形成抗蚀膜并且对抗蚀膜进行图案化， 以使得图案化后的抗蚀膜 与用于将喷墨头电连接到喷墨头外部的盘部相对应 ； 0037 (d2) 在图案化后的抗蚀膜的开口中形成盘部 ； 0038 (e2) 去除抗蚀膜 ； 说 明 书 CN 103171288 A 6 5/6 页 7 0039 (f2) 对基板进行各向异性蚀刻以形成供墨口 ； 以及 0040 (g。
27、2) 去除阻挡层和种子层。 0041 本实施例与第一实施例的不同在于 ： 紧挨在形成阻挡层4和种子层5的步骤之后， 进行用于进行激光处理的步骤。 0042 参考图 4AA 至 4DB 说明根据本发明的第二实施例的用于喷墨头基板的处理方法。 除图4AA至4DB中示出的步骤以外的步骤与第一实施例中的相同， 因此省略对其的说明。 在 本实施例中， 在图 4AA 至 4AC 中示出的步骤之前进行图 1AA 和 1AB 中示出的步骤， 并且在图 4DA 和 4DB 中示出的步骤之后进行图 2BA 至 2BC 中示出的步骤及其随后的步骤。 0043 如图 4AA 至 4AC 中所示， 从形成有种子层 5 。
28、的基板 1 的表面， 利用激光对与牺牲层 7 相对应的部分进行处理。激光处理深度、 激光光斑直径、 激光处理图案以及激光类型可以 设置为与第一实施例相同。 0044 接着， 如图 4BA 和 4BB 中所示， 在形成有激光通孔 15 的种子层 5 上形成抗蚀膜 8， 并对抗蚀膜8进行曝光并且进行显影， 从而形成图案化后的抗蚀膜8。 可以通过帖附抗蚀膜 8 来形成抗蚀膜 8。抗蚀膜 8 的材料、 厚度以及用于曝光和显影的化学溶液可以设置为与第 一实施例相同。 0045 接着， 如图 4CA 和 4CB 中所示， 将图案化后的抗蚀膜 8 用作镀掩模进行涂镀， 并且 由此在图案化后的抗蚀膜 8 的开。
29、口中形成盘部 9。用于盘部 9 的材料和形成盘部 9 的方法 可以设置为与第一实施例相同。 0046 接着， 如图 4DA 和 4DB 中所示， 通过剥离溶液来去除用作镀掩模的抗蚀膜 8。剥离 溶液可以与第一实施例相同。 0047 示例 0048 以下通过示例说明本发明。注意， 本发明不限于这些示例。 0049 示例 1 0050 参考图 1AA 至 3DC 说明根据本示例的用于喷墨头基板的处理方法。 0051 在图 1AA 和 1AB 中示出的基板 1 上， 配置有牺牲层 7、 层间绝缘层 2 以及多个作为 发热阻抗元件的喷墨能量生成元件 ( 加热器 )6。作为基板 1， 使用硅基板。作为加。
30、热器 6， 使用由 TaSiN 制成的发热阻抗元件。将铝用于牺牲层 7。未示出与加热器 6 相连接的布线 和用于驱动加热器 6 的半导体元件。利用绝缘保护层 3 来覆盖加热器 6、 牺牲层 7 以及其它 元件和布线。在绝缘保护层 3 上形成阻挡层 4。作为用于阻挡层 4 的材料， 使用 TiW。阻挡 层 4 的厚度为 200nm。接着， 在阻挡层 4 上形成用于形成以下说明的盘部 9 的种子层 5。作 为用于种子层 5 的材料， 使用 Au。种子层 5 的厚度为 50nm。 0052 接着， 如图1BA和1BB中所示， 通过涂布而在种子层5上形成抗蚀膜8、 并且通过曝 光和显影来对抗蚀膜8进行。
31、图案化， 由此形成镀掩模。 对于抗蚀膜8的形成， 使用包含PMER P-LA300PM(商品名称， 东京应化工业株式会社制造)作为主要成分的化学溶液。 对于显影， 使用 NMD-3( 商品名称， 东京应化工业株式会社制造 )。 0053 接着， 如图 1CA 和 1CB 中所示， 通过将图案化后的抗蚀膜 8 用作镀掩模来进行涂 镀， 由此形成盘部 9。作为用于盘部 9 的材料， 与种子层 5 类似地使用 Au。 0054 接着， 如图 1DA 和 1DB 中所示， 通过剥离溶液来去除由图案化后的抗蚀膜 8 形成的 镀掩模。作为剥离溶液， 使用 MICROPOSIT 去除剂 1112A( 商品名。
32、称， 罗门哈斯电子材料公司 说 明 书 CN 103171288 A 7 6/6 页 8 制造 )。 0055 接着， 如图2AA至2AC中所示， 从形成有盘部9的基板1的表面， 利用激光对与牺牲 层 7 相对应的部分进行处理。进行激光处理以使得处理深度到达基板 1 的相对侧的表面。 由此， 形成激光通孔 15。将激光光斑直径调整到 30m。在牺牲层 7 的框中呈直线状排列 点的图案中进行激光处理。此外， 作为激光类型， 使用 YAG 激光。 0056 接着， 如图 2BA 至 2BC 中所示， 通过各向异性蚀刻在基板 1 中形成供墨口 11。作为 蚀刻剂， 使用水溶剂中包含 22 质量 % 。
33、的 TMAH 的水溶液。蚀刻期间的蚀刻剂的液体温度为 83 C。 0057 接着， 如图 3CA 至 3CC 中所示， 去除种子层 5 和阻挡层 4。对于种子层 5 的去除， 使 用包含碘和碘化钾作为主要成分的化学溶液。此外， 对于阻挡层 4 的去除， 使用过氧化氢溶 液。 0058 接着， 如图 3DA 至 3DC 中所示， 为了形成流路 12， 通过将感光性干膜帖附至绝缘保 护层3来形成流路形成构件14。 在流路形成构件14中对与流路壁相对应的区域进行曝光。 此外， 为了形成喷墨口 13， 将感光树脂应用于流路形成构件 14 来形成喷墨口形成构件 16。 在喷墨口形成构件 16 中对与喷墨。
34、口 13 相对应的部分以外的区域进行曝光。之后， 进行显 影以形成流路 12 和喷墨口 13。由此， 制造出喷墨头。 0059 示例 2 0060 参考图 4AA 至 4DB 说明根据本示例的用于喷墨头基板的处理方法。该示例与示例 1 的不同之处在于 ： 紧挨在形成种子层 5 的步骤之后， 进行形成激光通孔 15 的步骤。 0061 如图 1AA 和 1AB 中所示， 以与示例 1 相同的方式在基板 1 上形成绝缘保护层 3、 阻 挡层 4 以及种子层 5。 0062 如图 4AA 至 4AC 中所示， 从形成有种子层 5 的基板 1 的表面， 利用激光对与牺牲层 7 相对应的部分进行处理。激。
35、光处理深度、 激光光斑直径、 激光处理图案以及激光类型可以 设置为与示例 1 相同。 0063 接着， 如图 4BA 和 4BB 中所示， 将抗蚀膜 8 帖附至形成有激光通孔 15 的种子层 5、 并对抗蚀膜 8 曝光并进行显影， 从而形成图案化后的抗蚀膜 8 作为镀掩模。对于抗蚀膜 8 的形成， 使用包含PMER P-LA300PM(商品名称， 东京应化工业株式会社制造)作为主要成分 的干膜。对于显影， 使用 NMD-3( 商品名称， 东京应化工业株式会社制造 )。 0064 接着， 如图 4CA 和 4CB 中所示， 通过将图案化后的抗蚀膜 8 用作镀掩模来进行涂 镀， 由此形成盘部 9。。
36、作为用于盘部的材料， 与种子层 5 类似地使用 Au。 0065 接着， 如图 4DA 和 4DB 中所示， 通过剥离溶液来去除由图案化后的抗蚀膜 8 形成的 镀掩模。作为剥离溶液， 使用 MICROPOSIT 去除剂 1112A( 商品名称， 罗门哈斯电子材料公司 制造 )。 0066 以与示例 1 相同的方式来进行图 2BA 至 2BC 中示出的步骤以及之后的步骤以制造 喷墨头。 0067 尽管已经参考典型实施例说明了本发明， 但是应该理解， 本发明不限于所公开的 典型实施例。 所附权利要求书的范围符合最宽的解释， 以包含所有这类修改、 等同结构和功 能。 说 明 书 CN 1031712。
37、88 A 8 1/5 页 9 图 1AA 图 1AB 图 1BA 图 1BB 图 1CA 说 明 书 附 图 CN 103171288 A 9 2/5 页 10 图 1CB 图 1DA 图 1DB 图 2AA 图 2AB 说 明 书 附 图 CN 103171288 A 10 3/5 页 11 图 2AC 图 2BA 图 2BB 图 2BC 图 3CA 图 3CB 图 3CC 说 明 书 附 图 CN 103171288 A 11 4/5 页 12 图 3DA 图 3DB 图 3DC 图 4AA 图 4AB 图 4AC 图 4BA 说 明 书 附 图 CN 103171288 A 12 5/5 页 13 图 4BB 图 4CA 图 4CB 图 4DA 图 4DB 图 5 说 明 书 附 图 CN 103171288 A 13 。