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1、(10)申请公布号 CN 103022236 A (43)申请公布日 2013.04.03 CN 103022236 A *CN103022236A* (21)申请号 201110287896.2 (22)申请日 2011.09.26 H01L 31/18(2006.01) (71)申请人 吉富新能源科技 ( 上海 ) 有限公司 地址 201707 上海市青浦区北青公路 8228 号三区 A1 栋 (72)发明人 陈宏昌 刘幼海 刘吉人 (54) 发明名称 微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背 电极技术 (57) 摘要 本发明关于一种微晶硅薄膜太阳能电池的真 空热退火处理背电极技术， 此技术。
2、包括玻璃、 真空 溅镀沉积第一透明导电层薄膜、 真空溅镀沉积第 一金属层薄膜、 真空溅镀沉积第二金属层薄膜、 真 空热退火处理、 与真空溅镀沉积第二透明导电层 薄膜。先在玻璃上依序真空溅镀沉积第一透明导 电层薄膜、 真空溅镀沉积第一金属层薄膜、 真空溅 镀沉积第二金属层薄膜、 以真空热退火处理第二 金属层薄膜表面平整化后、 最后真空溅镀沉积第 二透明导电层薄膜。本发明可将薄膜太阳能电池 背电极表面平整化， 进而改善微晶硅吸收层结构， 提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 4 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利。
3、申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 4 页 1/1 页 2 1. 一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 此技术包括玻璃、 真空 溅镀沉积第一透明导电层薄膜、 真空溅镀沉积第一金属层薄膜、 真空溅镀沉积第二金属层 薄膜、 真空热退火处理、 与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜， 先在玻璃上依序真空溅镀沉 积第一透明导电层薄膜、 真空溅镀沉积第一金属层薄膜、 真空溅镀沉积第二金属层薄膜、 以 真空热退火处理第二金属层薄膜表面平整化后、 最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄， 本 发明可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化， 进而改善微晶硅吸收层结构， 提升基材型硅 薄膜太阳能电池效。
4、率。 2. 根据权利要求 1 所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 真空溅镀系统共有承载腔、 第一透明导电层薄膜溅镀腔、 第一金属层薄膜溅镀腔、 第二金属 层薄膜溅镀腔、 真空加热腔、 第二透明导电层薄膜溅镀腔， 其中真空加热腔进一步设有加热 器。 3. 根据权利要求 1 所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 其中该第一透明导电层薄膜， 薄膜材料涵盖铟锡氧化物 (Indium Tim Oxide)、 铝锌氧化物 (Aluminum Zinc Oxide)、 二氧化锡 (SnO2:F) 与镓锌氧化物 (Gallium Zinc Oxide)。 4. 根。
5、据权利要求 1 所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 其中该第二透明导电层薄膜， 薄膜材料涵盖铟锡氧化物 (Indium Tim Oxide)、 铝锌氧化物 (Aluminum Zinc Oxide)、 二氧化锡 (SnO2:F) 与镓锌氧化物 (Gallium Zinc Oxide)。 5. 根据权利要求 1 所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 其中该第一金属层薄膜， 薄膜材料涵盖钛 (Ti)、 银 (Ag)、 金 (Au) 与铝 (Al)。 6. 根据权利要求 1 所述的一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 其中该第二金属层薄膜。
6、， 薄膜材料涵盖钛 (Ti)、 银 (Ag)、 金 (Au) 与铝 (Al)。 权 利 要 求 书 CN 103022236 A 2 1/2 页 3 微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术 技术领域 0001 本发明关於一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热处理背电极技术 , 其目的 : 系 将基材型硅薄膜太阳能的背电极金属薄膜表面平整化， 以提升薄膜太阳能电池效率。 背景技术 0002 目前， 业界关於基材型微晶硅薄膜太阳能电池的背电极， 其金属层薄膜在镀膜后 并无任何的处理， 但如此缺点是微晶硅薄膜在背电极上不易形成大晶粒的结构。微晶硅薄 膜成长於基材型太阳能电池的背电极时， 对於背电极。
7、膜面的平整程度相当敏感， 完全平坦 的背电极膜面虽易形成大晶粒的微晶硅薄膜， 但由於反射率过高会导致吸收变小转换效率 较低 ； 相对的薄膜表面过於粗糙的背电极虽然吸收较高， 但微晶硅薄膜沉积时却不易形成 大晶粒的结构。 发明内容 0003 本发明关於一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术， 此技术包 括玻璃、 真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、 真空溅镀沉积第一金属层薄膜、 真空溅镀沉积 第二金属层薄膜、 真空热退火处理、 与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。 先在玻璃上依序 真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、 真空溅镀沉积第一金属层薄膜、 真空溅镀沉积第二金 属层薄膜、 以真空热退火处。
8、理第二金属层薄膜表面平整化后、 最后真空溅镀沉积第二透明 导电层薄膜。 本发明可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化， 进而改善微晶硅吸收层结构， 提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。 0004 具体实施方示 ： 兹将本发明配合附图， 详细说明如下 ： 请参阅图 1， 为本发明之动 作流程方块示意图。 由图中可知， 先在玻璃上依序以真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、 真 空溅镀沉积第一金属层薄膜、 真空溅镀沉积第二金属层薄膜、 以真空热处理第二金属层薄 膜表面平整化后、 最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。 0005 请参阅图2， 图2是玻璃在真空溅镀系统承载腔之示意图。 图中真空溅镀系统共有 承载腔 。
9、81、 第一透明导电层薄膜溅镀腔 92、 第一金属层薄膜溅镀腔 93、 第二金属层薄膜溅 镀腔 94、 真空加热腔 82、 第二透明导电层薄膜溅镀腔 95。 0006 请参阅图 3， 图 3 是薄膜沉积前之玻璃示意图。图中为薄膜沉积前之玻璃 1。 0007 请参阅图 4， 图 4 是玻璃在真空溅镀系统中第一透明导电层薄膜溅镀腔之示意 图。图中为玻璃 1 位於第一透明导电层薄膜溅镀腔 92。 0008 请参阅图 5， 图 5 是玻璃上沉积第一透明导电层薄膜之示意图。即在玻璃 1 上沉 积上第一透明导电层薄膜 2 请参阅图 6， 图 6 是玻璃在真空溅镀系统中第一金属层薄膜溅 镀腔之示意图。图中为。
10、玻璃 1 位於第一金属层薄膜溅镀腔 93。 0009 请参阅图7， 图7是在第一透明导电层薄膜上沉积第一金属层薄膜之示意图。 即在 第一透明导电层薄膜 2 上接著沉积第一金属层薄膜 3。 0010 请参阅图8， 图8是玻璃在真空溅镀系统中第二金属层薄膜溅镀腔之示意图。 图中 说 明 书 CN 103022236 A 3 2/2 页 4 为玻璃 1 位於第二金属层薄膜溅镀腔 94。 0011 请参阅图9， 图9是在第一金属层薄膜上沉积第二金属层薄膜之示意图。 即在第一 金属层薄膜 3 上沉积第二金属层薄膜 4。 0012 请参阅图 10， 图 10 是玻璃在真空溅镀系统中真空加热腔之示意图。图中。
11、为玻璃 1 位於真空加热腔 82。 0013 请参阅图 11， 图 11 是真空热退火第二金属层后薄膜表面平整化之示意图。 0014 请参阅图 12， 图 12 是玻璃在真空溅镀系统中第二透明导电层薄膜溅镀腔之示意 图。图中为玻璃 1 位於第二透明导电层薄膜溅镀腔 95。 0015 请参阅图 13， 图 13 是在表面平整化的第二金属层上沉积第二透明导电层之示意 图。即在平整化后的第二金属层薄膜 4 上沉积第二透明导电层 5。 附图说明 0016 下面结合附图与实施例对本发明进一步说明。 0017 图 1 是本发明之动作流程方块示意图。 0018 图 2 是玻璃在真空溅镀系统承载腔之示意图。 。
12、0019 图 3 是薄膜沉积前之玻璃示意图。 0020 图 4 是玻璃在真空溅镀系统中第一透明导电层薄膜溅镀腔之示意图。 0021 图 5 是玻璃上沉积第一透明导电层薄膜之示意图。 0022 图 6 是玻璃在真空溅镀系统中第一金属层薄膜溅镀腔之示意图。 0023 图 7 是在第一透明导电层薄膜上沉积第一金属层薄膜之示意图。 0024 图 8 是玻璃在真空溅镀系统中第二金属层薄膜溅镀腔之示意图。 0025 图 9 是在第一金属层薄膜上沉积第二金属层薄膜之示意图。 0026 图 10 是玻璃在真空溅镀系统中真空加热腔之示意图。 0027 图 11 是真空热退火第二金属层后薄膜表面平整化之示意图。 。
13、0028 图 12 是玻璃在真空溅镀系统中第二透明导电层薄膜溅镀腔之示意图。 0029 图 13 是在表面平整化的第二金属层上沉积第二透明导电层之示意图。 0030 主要元件符号说明 ： 1 玻璃 2 第一透明导电层薄膜 3 第一金属层薄膜 4 第二金属层薄膜 5 第二透明导电层薄膜 81 承载腔 92 第一透明导电层薄膜溅镀 腔93 第一金属层薄膜溅镀腔94 第二金属层薄膜溅镀腔82 真空加热腔95 第二 透明导电层薄膜溅镀腔。 说 明 书 CN 103022236 A 4 1/4 页 5 图 1 图 2 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 103022236 A 5 2/4 页 6 图 5 图 6 图 7 图 8 说 明 书 附 图 CN 103022236 A 6 3/4 页 7 图 9 图 10 图 11 说 明 书 附 图 CN 103022236 A 7 4/4 页 8 图 12 图 13 说 明 书 附 图 CN 103022236 A 8 。