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1、(10)申请公布号 CN 102856281 A (43)申请公布日 2013.01.02 CN 102856281 A *CN102856281A* (21)申请号 201210039033.8 (22)申请日 2012.02.17 H01L 23/49(2006.01) H01L 21/603(2006.01) (71)申请人 三星半导体(中国)研究开发有限公 司 地址 215021 江苏省苏州市工业园区国际科 技园科技广场 7 楼 申请人 三星电子株式会社 (72)发明人 刘海 (74)专利代理机构 北京铭硕知识产权代理有限 公司 11286 代理人 韩明星 (54) 发明名称 半导体封。
2、装件及其制造方法 (57) 摘要 本发明提供了一种半导体封装件及其制造方 法。该半导体封装件包括 ： 基板 ； 芯片， 设置在基 板上， 芯片包括焊盘， 焊盘位于芯片的上表面中 ； 以及键合引线， 结合在芯片的焊盘和基板之间， 以 将芯片电连接到基板， 其中， 键合引线的线弧高度 H 满足式子 d +h H d+h， 其中， d表示键合 引线的位于芯片上的部分的直径， h 表示键合引 线的下表面到焊盘的表面的距离， d 表示键合引 线的原始直径。 根据本发明， 可以实现较低的线弧 高度， 从而利于半导体封装件的高度集成和小型 化。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附。
3、图 4 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 4 页 1/2 页 2 1. 一种半导体封装件， 其特征在于所述半导体封装件包括 ： 基板 ； 芯片， 设置在基板上， 芯片包括焊盘， 焊盘位于芯片的上表面中 ； 以及 键合引线， 结合在芯片的焊盘和基板之间， 以将芯片电连接到基板， 其中， 键合引线的线弧高度 H 满足式子 d +h H d+h， 其中， d表示键合引线的位于芯片上的部分的直径， h 表示键合引线的下表面到焊盘 的表面的距离， d 表示键合引线的原始直径。 2. 根据权利要求 1 所述的半导体封装件， 其特征在于。
4、通过多次按压键合引线来使键合 引线的线弧高度满足所述式子。 3. 根据权利要求 2 所述的半导体封装件， 其特征在于键合引线的按压次数为 3 1000 次。 4. 根据权利要求 1 所述的半导体封装件， 其特征在于键合引线包括与芯片上的焊盘接 触的第一键合端和从第一键合端延伸并位于芯片上的第一部分。 5. 根据权利要求 4 所述的半导体封装件， 其特征在于键合引线的第一部分不与芯片接 触。 6. 根据权利要求 4 所述的半导体封装件， 其特征在于键合引线的第一部分与芯片接 触。 7. 根据权利要求 4 所述的半导体封装件， 其特征在于所述半导体封装件还包括保护 层， 以保护芯片免受外部湿气或空。
5、气的影响， 其中， 所述保护层围绕着焊盘设置在芯片的上 表面上且设置在键合引线的第一部分下方。 8. 根据权利要求 7 所述的半导体封装件， 其特征在于键合引线的第一部分不与保护层 接触。 9. 根据权利要求 7 所述的半导体封装件， 其特征在于键合引线的第一部分与保护层接 触。 10. 一种制造半导体封装件的方法， 其特征在于所述方法包括下述步骤 ： A、 准备安装有芯片的基板， 其中， 在芯片的上表面中设置有焊盘 ； B、 通过引线键合方法将键合引线从焊盘结合到基板， 以将芯片电连接到基板， 其中， 向下按压键合引线， 使得键合引线的线弧高度 H 满足式子 d +h H d+h， 其中， 。
6、d表示键合引线的位于芯片上的部分的直径， h 表示键合引线的下表面到焊盘 的表面的距离， d 表示键合引线的原始直径。 11.根据权利要求10所述的方法， 其特征在于在步骤B中， 在通过引线键合方法将键合 引线从焊盘结合到基板之后， 在键合引线的上方通过平板对键合引线施加向下的压力来按 压键合引线。 12. 根据权利要求 11 所述的方法， 其特征在于通过管芯连接设备或材料测试系统设备 来操作平板， 以使平板对键合引线施加向下的压力。 13.根据权利要求10所述的方法， 其特征在于在步骤B中， 在将键合引线结合到焊盘之 后， 使劈刀先后沿水平方向和竖直方向移动多次来按压键合引线， 其中， 在劈。
7、刀跨过焊盘之 权 利 要 求 书 CN 102856281 A 2 2/2 页 3 后沿竖直方向向下移动的过程中， 劈刀朝向芯片按压键合引线。 14. 根据权利要求 13 所述的方法， 其特征在于键合引线被按压的次数为 3 1000 次。 15.根据权利要求10至14中任一项权利要求所述的方法， 其特征在于键合引线包括与 芯片上的焊盘接触的第一键合端和从第一键合端延伸并位于芯片上的第一部分。 16. 根据权利要求 15 所述的方法， 其特征在于键合引线的第一部分不与芯片接触。 17. 根据权利要求 15 所述的方法， 其特征在于键合引线的第一部分与芯片接触。 18. 根据权利要求 15 所述的。
8、方法， 其特征在于所述方法还包括在芯片上围绕着焊盘设 置保护层， 其中， 保护层位于键合引线的第一部分的下方。 19. 根据权利要求 18 所述的方法， 其特征在于键合引线的第一部分不与保护层接触。 20. 根据权利要求 18 所述的方法， 其特征在于键合引线的第一部分与保护层接触。 权 利 要 求 书 CN 102856281 A 3 1/7 页 4 半导体封装件及其制造方法 技术领域 0001 本发明属于半导体封装领域， 具体地讲， 涉及一种具有低线弧高度的半导体封装 件及其制造方法。 背景技术 0002 在半导体封装过程中， 为了将芯片上的焊盘与基板(或引线框架)电连接， 通常采 用引线。
9、键合工艺来实现二者的互连。 随着半导体封装件的高密度、 小型化且轻薄化的趋势， 要求引线键合的线弧高度越来越低。 0003 引线键合方法包括楔形焊接和球形焊接两种技术。由于与楔形焊接技术相比， 球 形焊接技术操作更为灵活且能够实现更好的精度控制， 所以目前广泛使用的是球形焊接技 术。在球形焊接工艺中， 劈刀 ( 通常为毛细管劈刀 (capillary) 移动到芯片焊盘， 即， 第一 点焊接的位置。 第一点焊接通过热和超声能量实现在芯片焊盘的表面焊接一个圆形的金属 球。然后， 劈刀升高到线弧的顶端位置并移动形成需要的线弧形式， 以进行第二点焊接。第 二点焊接包括针脚式键合和拉尾线。 第二点焊接之。
10、后进行拉尾线以为下一个键合金属球的 形成做准备。然后， 将劈刀升高到合适的高度以控制尾线长度， 这时尾端断裂， 然后劈刀上 升到形成球的高度。通过上述操作， 在芯片上焊料凸起的颈部处形成线弧。 0004 图 1 示出了根据现有技术的采用引线键合形成的线弧的示意图。根据如上所述的 方法， 通过在芯片 10上的焊盘 11处采用劈刀对引线键合的第一点做一次按压， 使得键 合引线 13在焊盘 11上形成焊料凸起 12， 如图 1 所示， 因此， 芯片 10利用焊盘 11 通过键合引线 13与基板或引线框架 ( 未示出 ) 电连接。在现有技术中， 执行引线键合 后， 键合引线 13通常不与保护芯片 10。
11、的保护层 16接触而是分开一定的距离。采用 现有技术的引线键合法得到的线弧的高度 H 为从焊盘 11的上表面至键合引线 13的远 离芯片的上表面的距离， 其至少为保护层 16的高度 h 与键合引线 13的直径 d 之和， 即， H h+d。 0005 图 2 示出了根据现有技术的采用引线键合形成的线弧的另一示例的示意图。在 图 2 中， 焊接工具 ( 劈刀 ) 对引线键合的第一点进行两次按压， 从而使芯片 10通过焊盘 11经由两次按压的键合引线 13与引线框架 14电连接， 因此， 键合引线 13在引线框 架 14与键合引线相接触的位置 15将芯片 10与引线框架 14电连接。具体地讲， 在。
12、 现有技术的该示例中， 在对键合引线 13进行两次按压后， 键合引线 13与保护层 16分 开一定的距离， 其中， 在对键合引线进行第一次按压时， 键合引线 13在焊盘 11上形成 焊料凸起 12。因此， 采用现有技术的引线键合法得到的线弧的高度 H 至少为保护层 16 的高度 h 与键合引线 13的直径 d 之和， 即， H h+d。 0006 由图 1 和图 2 可以看出， 通过现有技术进行引线键合， 得到的线弧的高度 H 至少为 键合引线的直径 d 与保护层的高度之和。因此， 在现有技术中， 无论采用一次按压 ( 图 1) 还是两次按压 ( 图 2) 进行引线键合， 所能实现的最低的线弧。
13、高度均受到限制， 从而影响到 半导体封装件的小型化。 说 明 书 CN 102856281 A 4 2/7 页 5 发明内容 0007 为了解决在现有技术的引线键合方法中实现较低的线弧高度受到限制的问题， 本 发明提供了一种能够实现低引弧高度的半导体封装件及其制造方法。 0008 本发明的一方面提供了一种具有低线弧高度的半导体封装件， 所述半导体封装件 包括 ： 基板 ； 芯片， 设置在基板上， 芯片包括焊盘， 焊盘位于芯片的上表面中 ； 键合引线， 结 合在芯片的焊盘和基板之间， 以将芯片电连接到基板， 其中， 键合引线的线弧高度 H 满足式 子 d +h H d+h， 其中， d表示键合引。
14、线的位于芯片上的部分的直径， h 表示键合引线 的下表面到焊盘的表面的距离， d 表示键合引线的原始直径。 0009 根据本发明的一方面， 可以通过多次按压键合引线来使键合引线的线弧高度满足 所述式子。 0010 根据本发明的一方面， 键合引线的按压次数可以为 3 1000 次。 0011 根据本发明的一方面， 键合引线可以包括与芯片上的焊盘接触的第一键合端和从 第一键合端延伸并位于芯片上的第一部分。 0012 根据本发明的一方面， 键合引线的第一部分可以不与芯片接触。 0013 根据本发明的一方面， 键合引线的第一部分可以与芯片接触。 0014 根据本发明的一方面， 所述半导体封装件还可以包。
15、括保护层， 以保护芯片免受外 部湿气或空气的影响， 其中， 所述保护层围绕着焊盘设置在芯片的上表面上且设置在键合 引线的第一部分下方。 0015 根据本发明的一方面， 键合引线的第一部分可以不与保护层接触。 0016 根据本发明的一方面， 键合引线的第一部分可以与保护层接触。 0017 本发明的另一方面提供了一种制造半导体封装件的方法， 所述方法包括下述步 骤 ： A、 准备安装有芯片的基板， 其中， 在芯片的上表面中设置有焊盘 ； B、 通过引线键合方法 将键合引线从焊盘结合到基板， 以将芯片电连接到基板， 其中， 向下按压键合引线， 使得键 合引线的线弧高度 H 满足式子 d +h H d。
16、+h， 其中， d表示键合引线的位于芯片上的 部分的直径， h 表示键合引线的下表面到焊盘的表面的距离， d 表示键合引线的原始直径。 0018 根据本发明的另一方面， 在步骤 B 中， 在通过引线键合方法将键合引线从焊盘结 合到基板之后， 可以在键合引线的上方通过平板对键合引线施加向下的压力来按压键合引 线。 0019 根据本发明的另一方面， 可以通过管芯连接设备或材料测试系统设备来操作平 板， 以使平板对键合引线施加向下的压力。 0020 根据本发明的另一方面， 在步骤 B 中， 可以在将键合引线结合到焊盘之后， 使劈刀 先后沿水平方向和竖直方向移动多次来按压键合引线， 其中， 在劈刀跨过。
17、焊盘之后沿竖直 方向向下移动的过程中， 劈刀朝向芯片按压键合引线。 0021 根据本发明的另一方面， 键合引线被按压的次数可以为 3 1000 次。 0022 根据本发明的另一方面， 键合引线可以包括与芯片上的焊盘接触的第一键合端和 从第一键合端延伸并位于芯片上的第一部分。 0023 根据本发明的另一方面， 键合引线的第一部分可以不与芯片接触。 0024 根据本发明的另一方面， 键合引线的第一部分可以与芯片接触。 说 明 书 CN 102856281 A 5 3/7 页 6 0025 根据本发明的另一方面， 所述方法还可以包括在芯片上围绕着焊盘设置保护层， 其中， 保护层位于键合引线的第一部分。
18、的下方。 0026 根据本发明的另一方面， 键合引线的第一部分可以不与保护层接触。 0027 根据本发明的另一方面， 键合引线的第一部分可以与保护层接触。 0028 根据本发明， 可以实现较低的线弧高度， 从而利于半导体封装件的高度集成和小 型化。 附图说明 0029 图 1 示出了根据现有技术的采用引线键合形成的线弧的示意图。 0030 图 2 示出了根据现有技术的采用引线键合形成的线弧的另一示例的示意图。 0031 图 3 示出了根据本发明一个实施例的具有低线弧高度的半导体封装件的结构示 意图。 0032 图 4A 至图 4I 示出了根据本发明一个实施例的引线键合方法的各步骤的剖视图。 0。
19、033 图 5 是示出了通过图 4A 至图 4I 所示的方法制造出的半导体封装件的结构示意 图。 0034 图 6A 至图 6C 示出了根据本发明另一实施例的引线键合方法的各步骤的剖视图。 0035 图 7 是示出了根据本发明又一实施例的具有低线弧高度的半导体封装件的结构 示意图。 具体实施方式 0036 下文中， 将参照附图来更充分地描述本发明， 附图中示出了本发明的示例性实施 例。如本领域技术人员将认识到的， 在全都不脱离用于本发明的原理的精神或范围的情况 下， 可以以各种不同的方式修改描述的实施例。 0037 要认识到， 为了更好地理解和便于描述， 附图中示出的组成构件的尺寸和厚度是 任。
20、意给出的， 本发明不受图示的尺寸和厚度的限制。 0038 在附图中， 为了清晰起见， 夸大了层、 区域等的厚度。在整个说明书中相同的标号 表示相同的元件。应该理解， 当诸如层、 区域或基底的元件被称作在另一元件上时， 该元件 可以直接在所述另一元件上， 或者也可以存在中间元件。 可选择地， 当元件被称作直接在另 一元件上时， 不存在中间元件。 0039 下面将结合附图来详细地描述根据本发明的具有低线弧高度的半导体封装件。 0040 图 3 示出了根据本发明的具有低线弧高度的半导体封装件的结构示意图。 0041 参照图 3， 半导体封装件包括基板 100 和设置在基板 100 上的芯片 10， 。
21、芯片 10 包 括位于芯片 10 的上表面中的焊盘 11 以及围绕着焊盘 11 设置在芯片 10 的上表面上的保护 层 16。根据本发明的半导体封装件 100 还包括结合在芯片 10 的焊盘 11 和基板 100 之间的 键合引线 13， 以将芯片 10 电连接到基板 100。与图 1 和图 2 所示的现有技术的半导体封装 件中的焊料凸起 12和 12相似， 焊料凸起 12 是在执行引线键合时对键合引线进行第一 次按压而在焊盘 11 上形成的， 属于键合引线 13 的一部分。根据本发明， 基板 100 可以为印 刷电路板 (PCB) 或引线框架。 0042 与现有技术的半导体封装件 ( 如图 。
22、1 和图 2 所示 ) 不同的是， 根据本发明的该实 说 明 书 CN 102856281 A 6 4/7 页 7 施例形成的线弧的高度小于键合引线 13 的原始直径与保护层 16 的高度之和。在根据本发 明该实施例的半导体封装件中， 键合引线13与保护层16相接触， 并且在执行引线键合的过 程中经多次按压键合引线 13 而使保护层 16 凸进到键合引线 13 中， 如图 3 所示。具体地 讲， 键合引线 13 与保护层 16 相接触， 并且保护层 16 的上部凸出到键合引线 13 中， 使得保 护层 16 的凸出到键合引线 13 中的部分嵌入在键合引线 13 中。在下文中将对此进行更详 细地。
23、描述。然而， 本发明不限于此。例如， 虽然图中未示出， 但是键合引线 13 可以不与保护 层 16 相接触， 在这种情况下， 键合引线 13 的线弧高度 H 仍满足 H 小于键合引线的原始直径 与焊盘的高度之和的关系， 从而实现了低的线弧高度。 对此， 本领域技术人员在本发明的教 导下能够明白键合引线不与保护层相接触的情形。 0043 因此， 根据本发明的半导体封装件的线弧的高度小于根据现有技术的半导体封装 件的线弧的高度 ( 如图 1 和图 2 所示 )， 从而利于实现半导体封装件的微型化。这里， 线弧 的高度是指从焊盘的表面到键合引线的远离芯片的表面之间的距离。 0044 根据本发明的该实。
24、施例， 保护层 16 围绕着焊盘 11 设置在芯片 10 的上表面， 用来 保护芯片 10 免受外部湿气或空气的影响。根据本发明的一个实施例， 保护层 16 可以由光 敏聚酰亚胺 (PSPI) 形成。 0045 参照图3， 键合引线13包括与芯片10上的焊盘11接触的第一键合端(或称作 “键 合点” )、 从第一键合端延伸并位于芯片11上的第一部分、 从第一部分延伸超出芯片10并在 基板 100 上方的第二部分以及从第二部分延伸并与基板 100 的焊盘接触的第二键合端， 其 中， 键合引线的第一部分的直径小于键合引线的第二部分的直径。 0046 在图 3 中， 在芯片 10 上设置有保护层 1。
25、6， 并且键合引线 13 的第一部分与保护层 16 接触。然而， 本发明不限于此。在不设置保护层 16 的情况下， 键合引线 13 的第一部分可 以与芯片 10 接触或者不与芯片 10 接触。 0047 根据本发明的一个实施例， 键合引线 13 可以在被按压两次以上而结合到基板 100， 以与保护层 16 接触。优选地， 键合引线 13 被按压的次数可以为 3 1000 次， 以使保 护层 16 的上部嵌入在键合引线 13 中。 0048 下面将描述根据本发明的具有低线弧高度的半导体封装件的制造方法。 0049 根据本发明， 具有低线弧高度的半导体封装件的制造方法包括以下步骤 ： 0050 (。
26、1) 准备安装有芯片的基板， 其中， 在芯片的上表面中设置有焊盘 ； 0051 (2) 通过引线键合方法将键合引线结合在焊盘和基板之间， 以将芯片电连接到基 板， 其中， 向下按压键合引线， 使得键合引线的线弧高度 H 满足下式 a ： 0052 d +h H d+h， 0053 式中， d表示键合引线的位于芯片上的部分的直径， h 表示键合引线的下表面到 焊盘表面的距离， d 表示键合引线的原始直径。 0054 根据本发明， 在上面的步骤(2)中， 可以由具有光敏聚酰亚胺(PSPI)形成保护层。 这里， 可以采用本领域公知的方法为芯片设置焊盘和保护层。因此， 这里不再对其进行赘 述。 005。
27、5 根据本发明， 在上面的步骤 (2) 中， 可以采用不同的方法使得键合引线的线弧高 度 H 满足上面的式 a， 下面将对其进行详细的描述。 0056 下面将参照图 4A 至图 4I 详细地描述根据本发明一个实施例的引线键合方法。图 说 明 书 CN 102856281 A 7 5/7 页 8 4A 至图 4I 示出了根据本发明一个实施例的引线键合方法的各步骤的剖视图。 0057 根据本发明的该实施例， 在位于基板上的芯片上设置焊盘之后， 利用用于提供键 合引线的劈刀首先将键合引线结合到焊盘， 然后使劈刀先后沿水平方向和垂直方向移动多 次来按压键合引线， 其中， 在劈刀跨过焊盘之后沿垂直方向向。
28、下移动的过程中， 劈刀朝向芯 片按压键合引线， 以使键合引线的线弧高度减小。 0058 具体地讲， 首先， 准备好其上安装有芯片的基板， 其中， 在芯片的上表面中设置有 焊盘。 根据本发明的一个实施例， 可以在芯片上设置焊盘的同时， 在芯片的上表面上设置围 绕着焊盘布置的保护层。根据本发明的另一实施例， 可以仅在芯片上设置焊盘而不设置保 护层。为了便于描述， 下面将针对在芯片上形成了焊盘和保护层的情形来进行描述。 0059 接着， 参照图 4A， 将劈刀 1( 优选地为毛细管劈刀 ) 与芯片 ( 未示出 ) 中的焊盘 11 对准， 使劈刀1的尖点与焊盘11接触， 而键合引线13的末端在焊盘11。
29、上形成焊料凸起12， 用来与芯片 10 上的焊盘 11 结合。然后， 抬起劈刀 1， 使其沿竖直方向 ( 即， y 轴方向 ) 向上 移动距离 y1( 即， 使劈刀 1 的尖点分别移动到 A1、 B1 两点 )， 如图 4B 所示 ； 接着， 使劈刀 1 沿水平方向 ( 即， 沿图 4B 中的 x 轴 ) 向右移动距离 x1( 即， 使劈刀 1 的尖点分别移动到 A2、 B2 两点 )， 使得键合引线 13 在劈刀 1 的作用下向右弯曲， 如图 4C 所示 ； 接着， 使劈刀 1 沿 竖直方向向下移动距离 y2( 即， 使劈刀 1 的尖点分别移动到 A3、 B3 两点 )， 从而使键合引线 1。
30、3 在劈刀 1 的作用下被向下按压， 如图 4D 所示 ； 然后， 如图 4E 所示， 再次抬起劈刀 1( 即， 使劈刀 1 的尖点分别移动到 A4、 B4 两点 )， 从而在芯片 10 上形成键合引线 13 的第一个线 弧。这里， 可以根据芯片的大小和实际需要来确定键合引线 13 的线弧的长短和高度 ； 也就 是说， 劈刀的水平移动距离 x1 和竖直移动距离 y1、 y2 可以根据实际需要来确定。 0060 接下来， 重复图 4B 至图 4E 所示的步骤， 使键合引线 13 再次形成线弧。具体地讲， 如图 4F 所示， 使劈刀 1 沿水平方向 ( 即， x 轴方向 ) 再次向右移动 ( 即，。
31、 使劈刀 1 的尖点分 别移动到 A5、 B5 两点 )， 然后参照图 4G， 使劈刀沿竖直方向 ( 即， y 轴方向 ) 向下移动 ( 即， 使劈刀 1 的尖点分别移动到 A6、 B6 两点 ) 按压键合引线 13， 从而对键合引线 13 进行二次 按压， 形成线弧 P1-A3-P2-A6。这里， 进行二次按压时， 根据实际情况， 劈刀 1 的水平移动距 离和竖直移动距离可以根据实际情况而与图 4B 至图 4D 的距离相同或不同。 0061 然后， 再次或多次重复图4B至图4E所示的步骤， 使键合引线再次或多次形成线弧 (如图4H所示)， 最后移走劈刀以进行下一点的引线键合， 得到如图4I所。
32、示的结构。 具体地 讲， 再次或多次重复劈刀抬起 - 水平移动 - 按压的动作， 使键合引线 13 以按压的形式与保 护层 16 接触并且将芯片 10 电连接到基板 ( 或引线框架 )10。劈刀 1 的水平移动距离和竖 直移动距离可以与图 4B 至图 4D 的距离可以相同或不同。根据本发明， 可以使用劈刀沿引 线键合第一点至第二点的方向进行多次 ( 不少于两次 ) 按压。根据本发明的优选实施例， 多次按压的次数可以是 3 次至 1000 次。如果按压两次， 则得不到期望的效果 ； 如果按压的 次数太多 ( 多于 1000 次 )， 则会增加制造成本。 0062 图 5 是示出了通过图 4A 至。
33、图 4I 所示的方法制造出的半导体封装件的结构示意 图。 0063 芯片 10 形成在基底 100 上， 焊盘 11 形成在芯片 10 中。键合引线 13 将芯片 10 电 连接到基板 100， 具体地讲， 键合引线 13 经多次按压与保护层 16 接触而结合到基板 100。 0064 参照图5， 键合引线13包括与芯片10上的焊盘11接触的第一键合端、 从第一键合 说 明 书 CN 102856281 A 8 6/7 页 9 端延伸并位于芯片 11 上的第一部分、 从第一部分延伸超出芯片 10 并在基板 100 上方的第 二部分以及从第二部分延伸并与基板 100 的焊盘接触的第二键合端， 其。
34、中， 键合引线的第 一部分的直径 d小于键合引线的第二部分的直径。 0065 因此， 通过本发明的引线键合方法得到的线弧高度H为按压后的键合引线13的直 径 d (d小于键合引线 13 的原始直径 d) 与保护层 16 的高度 h 之和。与图 1 和图 2 所 示的根据现有技术进行引线键合得到的线弧相比， 根据本发明的方法得到的线弧高度明显 较小， 因此易于实现半导体封装件的微型化。 0066 因此， 根据本发明的该实施例， 从芯片上焊料凸起引线键合第一点开始到引线键 合第二点方向进行多次按压， 可以实现低线弧高度的引线键合。 0067 图 6A 至图 6C 示出了根据本发明另一实施例的引线键。
35、合方法的各步骤的剖视图。 0068 根据本发明的另一实施例， 在安装在基板上的芯片100上设置焊盘11和围绕着焊 盘 11 设置在芯片 10 的上表面上的保护层 16。然后， 可以利用现有的引线键合方法在芯片 10 的焊盘 11 上将键合引线 13 结合到基板 ( 或引线框架 )， 如图 6A 所示。 0069 然后， 利用平板 M 向键合引线 13 施加向下的压力， 如图 6B 中所示， 以使键合引 线 13 的与保护层 16 接触的部分被按压而变形， 从而使保护层 16 的上部凸出到键合引线 13 中， 从而得到如图 6C 所示的结构。根据本发明的一个实施例， 可以通过管芯连接 (die 。
36、attaching) 设备或材料测试系统 (material test system， MTS) 设备使平板 M 对键合引线 施加向下的压力。然而， 本发明不限于此 ； 在本发明的教导下， 本领域技术人员可以采用其 它适合的方法来对键合引线施加向下的压力。 0070 因此， 对于通过本发明该实施例得到的半导体封装件， 其线弧高度 H 为按压后的 键合引线 13 的直径 d与保护层 16 的高度 h 之和。与图 1 和图 2 所示的根据现有技术进 行引线键合得到的线弧相比， 根据本发明的方法得到的线弧高度明显较小， 因此易于实现 半导体封装件的微型化。 0071 图 7 是示出了根据本发明又一实。
37、施例的具有低线弧高度的半导体封装件的结构 示意图。 0072 与前面的实施例不同， 在图 7 中的半导体封装件中， 芯片上没有设置保护层， 除此 之外， 图 7 的半导体封装件与前面的实施例的半导体封装件基本相同。 0073 参照图 7， 半导体封装件包括基板 100、 设置在基板 100 上且包括焊盘 11 的芯片以 及结合在芯片的焊盘 11 和基板 100 之间的键合引线 13， 其中， 焊盘 11 位于芯片的上表面 中， 键合引线13将芯片电连接到基板100。 根据本发明， 键合引线的线弧高度H小于键合引 线 13 的原始直径与焊盘的高度之和， 即， 根据本发明的键合引线的线弧高度小于现。
38、有技术 中的键合引线的线弧高度 ( 如图 1 和图 2 所示 )。 0074 在图 7 中， 键合引线 13 不与芯片接触。然而， 本发明不限于此， 键合引线 13 可以 与芯片接触。 0075 可以采用图 4A 至图 4I 中所示的方法或者图 6A 至图 6C 中所示的方法来制造图 7 的半导体封装件， 因此， 对此不再进行赘述。 0076 此外， 虽然在附图中未示出， 但是可以在完成对半导体封装件的引线键合并且形 成低线弧高度的键合引线后， 可以执行包封工艺来对芯片进行密封。 0077 因此， 根据本发明， 通过压缩芯片上的键合引线使其横截面变宽， 使得线弧的高度 说 明 书 CN 102。
39、856281 A 9 7/7 页 10 变小， 从而有利于实现半导体封装件的微型化。 0078 虽然已经结合本发明的附图描述了本发明， 但是应该理解的是， 在不脱离本发明 的精神和范围的情况下， 可以对本发明做出变型和修改。 说 明 书 CN 102856281 A 10 1/4 页 11 图 1 图 2 图 3 图 4A 说 明 书 附 图 CN 102856281 A 11 2/4 页 12 图 4D 图 4E 图 4F 图 4G 图 4H 图 4I 说 明 书 附 图 CN 102856281 A 12 3/4 页 13 图 5 图 6A 图 6B 说 明 书 附 图 CN 102856281 A 13 4/4 页 14 图 6C 图 7 说 明 书 附 图 CN 102856281 A 14 。