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1、(10)申请公布号 CN 102867790 A (43)申请公布日 2013.01.09 CN 102867790 A *CN102867790A* (21)申请号 201210140793.8 (22)申请日 2012.05.09 H01L 23/31(2006.01) H01L 23/495(2006.01) H01L 21/50(2006.01) (71)申请人 江苏长电科技股份有限公司 地址 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨 江中路 275 号 (72)发明人 王新潮 李维平 梁志忠 (74)专利代理机构 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人 唐纫兰 (54) 发明名称 。
2、多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构 及其制造方法 (57) 摘要 本发明涉及一种多芯片正装先蚀刻后封装基 岛露出封装结构及其制造方法， 所述结构包括基 岛 （1） 和引脚 （2） ， 所述基岛 （1） 正面设置有多个 芯片 （4） ， 所述芯片 （4） 正面与引脚 （2） 正面之间 用金属线 （5） 相连接， 所述基岛 （1） 和引脚 （2） 周 围区域以及芯片 （4） 和金属线 （5） 外均包封有塑 封料 （6） ， 所述基岛 （1） 和引脚 （2） 下部的塑封料 （6） 表面上开设有小孔 （7） ， 所述小孔 （7） 内设置 有金属球 （9） ， 所述金属球 （9） 与基岛 （1） 或。
3、引脚 （2） 背面相接触。本发明的有益效果是 ： 降低了制 造成本， 提高了封装体的安全性和可靠性， 减少了 环境污染， 能够真正做到高密度线路的设计和制 造。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 10 页 附图 24 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 10 页 附图 24 页 1/2 页 2 1. 一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构， 其特征在于 ： 它包括基岛 （1） 和 引脚 （2） ， 所述基岛 （1） 正面通过导电或不导电粘结物质 （3） 设置有多个芯片 （4） ， 所述芯片 （4） 正面与引脚 （2）。
4、 正面之间用金属线 （5） 相连接， 所述基岛 （1） 外围的区域、 基岛 （1） 和 引脚 （2） 之间的区域、 引脚 （2） 与引脚 （2） 之间的区域、 基岛 （1） 和引脚 （2） 上部的区域、 基 岛 （1） 和引脚 （2） 下部的区域以及芯片 （4） 和金属线 （5） 外均包封有塑封料 （6） ， 所述基岛 （1） 和引脚 （2） 下部的塑封料 （6） 表面上开设有小孔 （7） ， 所述小孔 （7） 与基岛 （1） 或引脚 （2） 背面相连通， 所述小孔 （7） 内设置有金属球 （9） ， 所述金属球 （9） 与基岛 （1） 或引脚 （2） 背面相接触。 2. 一种如权利要求 1 。
5、所述的多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方法， 其特征在于所述方法包括以下工艺步骤 ： 步骤一、 取金属基板 步骤二、 金属基板表面预镀铜材 在金属基板表面电镀一层铜材薄膜， 步骤三、 贴光阻膜作业 利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤四、 金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板背面进行图形曝光、 显影以及开 窗， 以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤五、 电镀惰性金属线路层 将金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六， 电镀高导电金属层 在惰性金属线路层表面进行高导电。
6、金属层的电镀， 步骤七， 去除金属基板表面光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤八、 预包封 在金属基板背面进行塑封料的预包封， 步骤九、 塑封料表面开孔 在步骤八完成预包封的塑封料表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 步骤十、 贴光阻膜作业 在金属基板正面及背面被覆光阻膜， 步骤十一、 金属基板正面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、 显影以 及开窗， 以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的图形区域， 步骤十二、 化学蚀刻 将步骤十一金属基板正面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 步骤十三、 电镀金属层 在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性。
7、金属线路层上进行金属层的电镀， 在金属基板 正面相对形成基岛和引脚， 步骤十四、 去除金属基板表面光阻膜 权 利 要 求 书 CN 102867790 A 2 2/2 页 3 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤十五、 涂覆粘结物质 在步骤十三相对形成的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质， 步骤十六、 装片 在步骤十五中基岛正面涂覆的导电或不导电粘结物质上进行多个芯片的植入， 步骤十七、 金属线键合 在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业， 步骤十八、 包封 在完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料的包封， 步骤十九、 清洗 对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗， 步骤二十、 植球 在步骤十九经。
8、过清洗的小孔内植入金属球， 步骤二十一、 切割成品 将步骤二十完成植球的半成品进行切割作业， 使原本以阵列式集合体方式集成在一起 并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来， 制得多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封 装结构成品。 3. 根据权利要求 2 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方 法， 其特征在于 ： 所述基岛 （1） 与引脚 （2） 之间设置有静电释放圈 （10） ， 所述静电释放圈 （10） 正面与芯片 （4） 正面之间通过金属线 （5） 相连接。 4. 根据权利要求 2 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方 法， 其特征在于 ： 所述引脚 （。
9、2） 与引脚 （2） 之间跨接无源器件 （11） ， 所述无源器件 （11） 跨接 于引脚 （2） 正面与引脚 （2） 正面之间或跨接于引脚 （2） 背面与引脚 （2） 背面之间。 5. 根据权利要求 24 其中之一所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结 构的制造方法， 其特征在于 ： 所述引脚 （2） 有多圈。 6. 根据权利要求 2 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方 法， 其特征在于 ： 所述步骤十九对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护 层被覆。 7. 根据权利要求 2 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方 法， 其特征在于。
10、 ： 所述步骤十七中在芯片 （4） 正面与芯片 （4） 正面之间进行金属线键合作 业。 8. 根据权利要求 2 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方 法， 其特征在于 ： 所述基岛 （1） 有多个。 9. 根据权利要求 1 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构， 其特征在 于 ： 所述基岛 （1） 包括基岛上部、 基岛下部和中间阻挡层， 所述基岛上部和基岛下部均由单 层或多层金属电镀而成， 所述中间阻挡层为镍层、 钛层或铜层。 10. 根据权利要求 1 所述的一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构， 其特征 在于 ： 所述引脚 （2） 包括引脚上部、 引脚下。
11、部和中间阻挡层， 所述引脚上部和引脚下部均由 单层或多层金属电镀而成， 所述中间阻挡层为镍层、 钛层或铜层。 权 利 要 求 书 CN 102867790 A 3 1/10 页 4 多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法。 属于 半导体封装技术领域。 背景技术 0002 传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示 ： 步骤一、 参见图 38， 取一玻璃纤维材料制成的基板， 步骤二、 参见图 39， 在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔， 步骤三、 参见图 40， 在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔，。
12、 步骤四、 参见图 41， 在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质， 步骤五、 参见图 42， 在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔， 步骤六、 参见图 43， 在玻璃纤维基板表面披覆光阻膜， 步骤七、 参见图 44， 将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗， 步骤八、 参见图 45， 将完成开窗的部分进行蚀刻， 步骤九、 参见图 46， 将基板表面的光阻膜剥除， 步骤十、 参见图 47， 在铜箔线路层的表面进行防焊漆 （俗称绿漆） 的披覆， 步骤十一、 参见图 48， 在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗， 步骤十二、 参见图 49， 在步骤十一进行开窗的区域进行电镀， 相对形成基。
13、岛和引脚， 步骤十三、 完成后续的装片、 打线、 包封、 切割等相关工序。 0003 上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷 ： 1、 多了一层的玻璃纤维材料， 同样的也多了一层玻璃纤维的成本 ； 2、 因为必须要用到玻璃纤维， 所以就多了一层玻璃纤维厚度约 100150m 的厚度空 间 ； 3、 玻璃纤维本身就是一种发泡物质， 所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿 气， 直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性的等级 ； 4、 玻璃纤维表面被覆了一层约 50100m 的铜箔金属层厚度， 而金属层线路与线路的 蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到 50100m 的蚀刻间隙 （参见图 5。
14、0， 最好的制作能 力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度） ， 所以无法真正的做到高密度线路的设计与制 造 ； 5、 因为必须要使用到铜箔金属层， 而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式， 所以铜箔的 厚度很难低于 50m 的厚度， 否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等 等 ； 6、 也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料， 所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度 100150m， 无法真正的做到超薄的封装 ； 7、 传统玻璃纤维加贴铜箔的工艺技术因为材质特性差异很大 （膨胀系数） ， 在恶劣环境 的工序中容易造成应力变形， 直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与可靠 说 明 书 。
15、CN 102867790 A 4 2/10 页 5 性。 发明内容 0004 本发明的目的在于克服上述不足， 提供一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封 装结构及其制造方法， 其工艺简单， 不需使用玻璃纤维层， 减少了制造成本， 提高了封装体 的安全性和可靠性， 减少了玻璃纤维材料带来的环境污染， 而且金属基板线路层采用的是 电镀方法， 能够真正做到高密度线路的设计和制造。 0005 本发明的目的是这样实现的 ： 一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构， 它包括基岛和引脚， 所述基岛正面通过导电或不导电粘结物质设置有多个芯片， 所述芯片 正面与引脚正面之间用金属线相连接， 所述基岛外围的区域。
16、、 基岛和引脚之间的区域、 引脚 与引脚之间的区域、 基岛和引脚上部的区域、 基岛和引脚下部的区域以及芯片和金属线外 均包封有塑封料， 所述基岛和引脚下部的塑封料表面上开设有小孔， 所述小孔与基岛或引 脚背面相连通， 所述小孔内设置有金属球， 所述金属球与基岛或引脚背面相接触。 0006 本发明一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构的制造方法， 所述方法包 括以下工艺步骤 ： 步骤一、 取金属基板 步骤二、 金属基板表面预镀铜材 在金属基板表面电镀一层铜材薄膜， 步骤三、 贴光阻膜作业 利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜的被覆， 步骤四、 金属基板背面去除部分。
17、光阻膜 利用曝光显影设备在步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、 显影以 及开窗， 以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤五、 电镀惰性金属线路层 将金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六， 电镀高导电金属层 在惰性金属线路层表面进行高导电金属层的电镀， 步骤七， 去除金属基板表面的光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤八、 预包封 在金属基板背面进行塑封料的预包封， 步骤九、 塑封料表面开孔 在步骤八完成预包封的塑封料表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 步骤十、 贴光阻膜作业 在金属基板正面及背面被覆光阻膜， 步骤十一、 金属基板正面。
18、去除部分光阻膜 利用曝光显影设备在步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、 显影以 及开窗， 以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的图形区域， 步骤十二、 化学蚀刻 说 明 书 CN 102867790 A 5 3/10 页 6 将步骤十一金属基板正面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 步骤十三、 电镀金属层 在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层上进行金属层的电镀， 在金属基板 正面相对形成基岛和引脚， 步骤十四、 去除金属基板表面光阻膜 将金属基板表面的光阻膜去除， 步骤十五、 涂覆粘结物质 在步骤十三相对形成的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质， 步骤十六、 装片 在步骤十。
19、五中基岛正面涂覆的导电或不导电粘结物质上进行多个芯片的植入， 步骤十七、 金属线键合 在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业， 步骤十八、 包封 在完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料的包封， 步骤十九、 清洗 对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗， 步骤二十、 植球 在步骤十九经过清洗的小孔内植入金属球， 步骤二十一、 切割成品 将步骤二十完成植球的半成品进行切割作业， 使原本以阵列式集合体方式集成在一起 并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来， 制得多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封 装结构成品。 0007 所述步骤十九中对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被 覆。 0。
20、008 所述步骤十七中在芯片正面与芯片正面之间进行金属线键合作业。 0009 所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈， 所述静电释放圈正面与芯片正面之间通 过金属线相连接。 0010 所述引脚与引脚之间跨接有无源器件， 所述无源器件跨接于引脚正面与引脚正面 之间或跨接于引脚背面与引脚背面之间。 0011 所述引脚有多圈。 0012 所述基岛有多个。 0013 所述基岛包括基岛上部、 基岛下部和中间阻挡层， 所述基岛上部和基岛下部均由 单层或多层金属电镀而成， 所述中间阻挡层为镍层、 钛层或铜层。 0014 所述引脚包括引脚上部、 引脚下部和中间阻挡层， 所述引脚上部和引脚下部均由 单层或多层金属电。
21、镀而成， 所述中间阻挡层为镍层、 钛层或铜层。 0015 与现有技术相比， 本发明具有以下有益效果 ： 1、 本发明不需要使用玻璃纤维层， 所以可以减少玻璃纤维层所带来的成本 ； 2、 本发明没有使用玻璃纤维层的发泡物质， 所以可靠性的等级可以再提高， 相对对封 装体的安全性就会提高 ； 说 明 书 CN 102867790 A 6 4/10 页 7 3、 本发明不需要使用玻璃纤维层物质， 所以就可以减少玻璃纤维材料所带来的环境污 染 ； 4、 本发明的二维金属基板线路层所采用的是电镀方法， 而电镀层的总厚度约在 1015m， 而线路与线路之间的间隙可以轻松的达到 25m 以下的间隙， 所以可。
22、以真正地做 到高密度内引脚线路平铺的技术能力 ； 5、 本发明的二维金属基板因采用的是金属层电镀法， 所以比玻璃纤维高压铜箔金属层 的工艺来得简单， 且不会有金属层因为高压产生金属层不平整、 金属层破损以及金属层延 展移位的不良或困惑 ； 6、 本发明的二维金属基板线路层是在金属基材的表面进行金属电镀， 所以材质特性基 本相同， 所以镀层线路与金属基材的内应力基本相同， 可以轻松的进行恶劣环境的后工程 （如高温共晶装片、 高温锡材焊料装片以及高温被动元件的表面贴装工作） 而不容易产生应 力变形。 附图说明 0016 图 1 图 21 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 1 制。
23、造方 法的各工序示意图。 0017 图 22（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 1 的结构 示意图。 0018 图 22（B） 为图 22（A） 的俯视图。 0019 图 23（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 2 的结构 示意图。 0020 图 23（B） 为图 23（A） 的俯视图。 0021 图 24（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 3 的结构 示意图。 0022 图 24（B） 为图 24（A） 的俯视图。 0023 图 25（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 4 的结构 示意图。。
24、 0024 图 25（B） 为图 25（A） 的俯视图。 0025 图 26（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 5 的结构 示意图。 0026 图 26（B） 为图 26（A） 的俯视图。 0027 图 27（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 6 的结构 示意图。 0028 图 27（B） 为图 27（A） 的俯视图。 0029 图 28（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 7 的结构 示意图。 0030 图 28（B） 为图 28（A） 的俯视图。 0031 图 29（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装。
25、结构实施例 8 的结构 示意图。 说 明 书 CN 102867790 A 7 5/10 页 8 0032 图 29（B） 为图 29（A） 的俯视图。 0033 图 30（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 9 的结构 示意图。 0034 图 30（B） 为图 30（A） 的俯视图。 0035 图 31（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 10 的结构 示意图。 0036 图 31（B） 为图 31（A） 的俯视图。 0037 图 32（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 11 的结构 示意图。 0038 图 32（B）。
26、 为图 32（A） 的俯视图。 0039 图 33（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 12 的结构 示意图。 0040 图 33（B） 为图 33（A） 的俯视图。 0041 图 34（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 13 的结构 示意图。 0042 图 34（B） 为图 34（A） 的俯视图。 0043 图 35（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 14 的结构 示意图。 0044 图 35（B） 为图 35（A） 的俯视图。 0045 图 36（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 15 的。
27、结构 示意图。 0046 图 36（B） 为图 36（A） 的俯视图。 0047 图 37（A） 为本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构实施例 16 的结构 示意图。 0048 图 37（B） 为图 37（A） 的俯视图。 0049 图 38 图 49 为传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程的各工序示意图。 0050 图 50 为玻璃纤维表面铜箔金属层的蚀刻状况示意图。 0051 其中 ： 基岛 1 引脚 2 导电或不导电粘结物质 3 芯片 4 金属线 5 塑封料 6 小孔 7 金属保护层 8 金属球 9 静电释放圈 10 无源器件 11 说 明 书 CN 102867790 A 8。
28、 6/10 页 9 金属基板 12 铜材薄膜 13 光阻膜 14 惰性金属线路层 15 高导电金属层 16。 具体实施方式 0052 本发明一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构及其制造方法如下 ： 实施例 1 ： 单基岛单圈引脚 参见图 22（A） 和图 22（B） ， 图 22（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 1 的结构示意图。图 22（B） 为图 22（A） 的俯视图。由图 22（A） 和图 22（B） 可以看出， 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装结构， 它包括基岛 1 和引脚 2， 所 述基岛1正面通过导电或不导电粘结物质3设置有多个芯片4， 所。
29、述芯片4正面与引脚2正 面之间以及芯片 4 正面与芯片 4 正面之间用金属线 5 相连接， 所述基岛 1 外围的区域、 基岛 1 和引脚 2 之间的区域、 引脚 2 与引脚 2 之间的区域、 基岛 1 和引脚 2 上部的区域、 基岛 1 和 引脚 2 下部的区域以及芯片 4 和金属线 5 外均包封有塑封料 6， 所述基岛 1 和引脚 2 下部的 塑封料 6 表面上开设有小孔 7， 所述小孔 7 与基岛 1 或引脚 2 背面相连通， 所述小孔 7 内设 置有金属球 9， 所述金属球 9 与基岛 1 或引脚 2 背面相接触。 0053 所述金属球 9 与基岛 1 或引脚 2 背面之间设置有金属保护。
30、层 8， 所述金属保护层 8 为抗氧化剂。 0054 所述金属球 9 材料采用锡或是锡合金。 0055 所述基岛 1 包括基岛上部、 基岛下部和中间阻挡层， 所述基岛上部和基岛下部均 由单层或多层金属电镀而成， 所述中间阻挡层为镍层、 钛层或铜层。 0056 所述引脚 2 包括引脚上部、 引脚下部和中间阻挡层， 所述引脚上部和引脚下部均 由单层或多层金属电镀而成， 所述中间阻挡层为镍层、 钛层或铜层。 0057 其制造方法如下 ： 步骤一、 取金属基板 参见图 1， 取一片厚度合适的金属基板， 所述金属基板的材质可以依据芯片的功能与特 性进行变换， 例如 ： 铜材、 铁材、 镍铁材或锌铁材等 。
31、； 步骤二、 金属基板表面预镀铜材 参见图 2， 在金属基板表面电镀一层铜材薄膜， 目的是为后续电镀作基础， 所述电镀的 方式可以采用化学镀或是电解电镀 ； 步骤三、 贴光阻膜作业 参见图 3， 利用贴光阻膜设备在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行光阻膜 的被覆， 所述光阻膜可以采用湿式光阻膜或干式光阻膜 ； 步骤四、 金属基板背面去除部分光阻膜 参见图 4， 利用曝光显影设备在步骤三完成贴膜作业的金属基板背面进行图形曝光、 显 影以及开窗， 以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域 ； 步骤五、 电镀惰性金属线路层 说 明 书 CN 102867790 A 9 7/10 页 10 。
32、参见图 5， 将金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 作为后续蚀 刻作业的阻挡层， 所述惰性金属线路层材料采用镍、 钛或铜等， 所述电镀方式采用化学镀或 电解电镀方式 ； 步骤六， 电镀高导电金属层 参见图 6， 在惰性金属线路层表面进行高导电金属层的电镀， 所述高导电金属层可以是 单层或多层， 所述高导电金属层的材料采用金镍、 铜镍金、 铜镍钯金、 钯金或铜材， 所述电镀 方式采用化学镀或电解电镀方式 ； 步骤七， 去除金属基板表面光阻膜 参见图 7， 将金属基板表面的光阻膜去除， 去除方法采用化学药水软化并采用高压水喷 除 ； 步骤八、 预包封 参见图 8， 在金属基板背。
33、面进行塑封料的预包封， 塑封料预包封的方式采用模具灌胶方 式、 喷涂设备喷涂方式或贴膜方式， 所述预包封的塑封料可以采用有填料物质或无填料物 质的环氧树脂 ； 步骤九、 塑封料表面开孔 参见图 9， 在步骤八完成预包封的塑封料表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 所 述开孔方式可以采用干式激光烧结开窗或是湿式化学腐蚀的方法 ； 步骤十、 贴光阻膜作业 参见图 10， 在金属基板正面及背面被覆光阻膜， 所述光阻膜可以采用湿式光阻膜或干 式光阻膜 ； 步骤十一、 金属基板正面去除部分光阻膜 参见图 11， 利用曝光显影设备在步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝 光、 显影以及开窗， 以。
34、露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的图形区域 ； 步骤十二、 化学蚀刻 参见图 12， 将步骤十一金属基板正面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 化学蚀刻至 惰性金属线路层及预包封塑封料的位置为止， 蚀刻药水可以采用氯化铜或是氯化铁 ； 步骤十三、 电镀金属层 参见图 13， 在步骤十二完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层上进行金属层的电镀， 在金属基板正面相对形成基岛和引脚， 所述金属层可以采用单层或多层， 所述金属层材料 采用铜镍金、 铜镍银、 钯金、 金或铜等， 所述电镀方式采用化学镀或电解电镀方式 ； 步骤十四、 去除金属基板表面光阻膜 参见图 14， 将金属基板表面的光阻膜去除， 去除。
35、方法采用化学药水软化并采用高压水 喷除 ； 步骤十五、 涂覆粘结物质 参见图 15， 在步骤十三相对形成的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质 ； 步骤十六、 装片 参见图 16， 在步骤十五中基岛正面涂覆的导电或不导电粘结物质上进行多个芯片的植 入 ； 步骤十七、 金属线键合 说 明 书 CN 102867790 A 10 8/10 页 11 参见图 17， 在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业， 所述金属线的材料采用 金、 银、 铜、 铝或是合金材料， 金属线的形状可以是丝状也可以是带状 ； 所述芯片正面与芯片正面之间也可以同时进行金属线键合作业 ； 步骤十八、 包封 参见图 18， 在。
36、完成装片打线后的金属基板正面进行塑封料的包封， 塑封料包封的方式 采用模具灌胶方式、 喷涂设备的喷涂方式或刷胶方式， 所述包封的塑封料可以采用有填料 物质或无填料物质的环氧树脂 ； 步骤十九、 清洗 参见图 19， 对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗以去除氧化物质或油脂物质等， 同 时可以进行金属保护层的被覆， 所述金属保护层采用抗氧化剂 ； 步骤二十、 植球 参见图 20， 在步骤十九经过清洗的小孔内植入金属球， 金属球与基岛或引脚的背面相 接触， 植球方式可以采用常规的植球机或是采用金属膏印刷再经高温溶解之后即可形成球 状体， 金属球材料可以采用锡或锡合金 ； 步骤二十一、 切割成品 参见。
37、图 21， 将步骤二十完成植球的半成品进行切割作业， 使原本以阵列式集合体方式 集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来， 制得多芯片正装先蚀刻后封装 基岛露出封装结构成品。 0058 实施例 2 ： 单基岛单圈引脚静电释放圈 参见图 23（A） 和图 23（B） ， 图 23（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 2 的结构示意图。图 23（B） 为图 23（A） 的俯视图。由图 23（A） 和图 23（B） 可以看出， 实施例 2 与实施例 1 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 与引脚 2 之间设置有静电释 放圈 10， 所述静电释放圈 10 正面与芯片 。
38、4 正面之间通过金属线 5 相连接。 0059 实施例 3 ： 单基岛单圈引脚无源器件 参见图 24（A） 和图 24（B） ， 图 24（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 3 的结构示意图。图 24（B） 为图 24（A） 的俯视图。由图 24（A） 和图 24（B） 可以看出， 实施例 3 与实施例 1 的不同之处仅在于 ： 所述引脚 2 与引脚 2 之间通过导电粘结 物质跨接无源器件 11， 所述无源器件 11 可以跨接于引脚 2 正面与引脚 2 正面之间， 也可以 跨接于引脚 2 背面与引脚 2 背面之间。 0060 实施例 4 ： 单基岛单圈引脚静电释放圈无。
39、源器件 参见图 25（A） 和图 25（B） ， 图 25（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 4 的结构示意图。图 25（B） 为图 25（A） 的俯视图。由图 25（A） 和图 25（B） 可以看出， 实施例 4 与实施例 2 的不同之处仅在于 ： 所述引脚 2 与引脚 2 之间通过导电粘结 物质跨接无源器件 11， 所述无源器件 11 可以跨接于引脚 2 正面与引脚 2 正面之间， 也可以 跨接于引脚 2 背面与引脚 2 背面之间。 0061 实施例 5 ： 单基岛多圈引脚 参见图 26（A） 和图 26（B） ， 图 26（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛。
40、露出封装 结构实施例 5 的结构示意图。图 26（B） 为图 26（A） 的俯视图。由图 26（A） 和图 26（B） 可以看出， 实施例 5 与实施例 1 的不同之处仅在于 ： 所述引脚 2 有多圈。 说 明 书 CN 102867790 A 11 9/10 页 12 0062 实施例 6 ： 单基岛多圈引脚静电释放圈 参见图 27（A） 和图 27（B） ， 图 27（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 6 的结构示意图。图 27（B） 为图 27（A） 的俯视图。由图 27（A） 和图 27（B） 可以看出， 实施例 6 与实施例 2 的不同之处仅在于 ： 所述引。
41、脚 2 有多圈。 0063 实施例 7 ： 单基岛多圈引脚无源器件 参见图 28（A） 和图 28（B） ， 图 28（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 7 的结构示意图。图 28（B） 为图 28（A） 的俯视图。由图 28（A） 和图 28（B） 可以看出， 实施例 7 与实施例 3 的不同之处仅在于 ： 所述引脚 2 有多圈。 0064 实施例 8 ： 单基岛多圈引脚静电释放圈无源器件 参见图 29（A） 和图 29（B） ， 图 29（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 8 的结构示意图。图 29（B） 为图 29（A） 的俯视图。由图。
42、 29（A） 和图 29（B） 可以看出， 实施例 8 与实施例 4 的不同之处仅在于 ： 所述引脚 2 有多圈。 0065 实施例 9 ： 多基岛单圈引脚 参见图 30（A） 和图 30（B） ， 图 30（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 9 的结构示意图。图 30（B） 为图 30（A） 的俯视图。由图 30（A） 和图 30（B） 可以看出， 实施例 9 与实施例 1 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0066 实施例 10 ： 多基岛单圈引脚静电释放圈 参见图 31（A） 和图 31（B） ， 图 31（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出。
43、封装 结构实施例 10 的结构示意图。图 31（B） 为图 31（A） 的俯视图。由图 31（A） 和图 31（B） 可以看出， 实施例 10 与实施例 2 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0067 实施例 11 ： 多基岛单圈引脚无源器件 参见图 32（A） 和图 32（B） ， 图 32（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 11 的结构示意图。图 32（B） 为图 32（A） 的俯视图。由图 32（A） 和图 32（B） 可以看出， 实施例 11 与实施例 3 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0068 实施例 12 ： 多基岛单圈引脚静电。
44、释放圈无源器件 参见图 33（A） 和图 33（B） ， 图 33（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 12 的结构示意图。图 33（B） 为图 33（A） 的俯视图。由图 33（A） 和图 33（B） 可以看出， 实施例 12 与实施例 4 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0069 实施例 13 ： 多基岛多圈引脚 参见图 34（A） 和图 34（B） ， 图 34（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 13 的结构示意图。图 34（B） 为图 34（A） 的俯视图。由图 34（A） 和图 34（B） 可以看出， 实施例 13 与实。
45、施例 5 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0070 实施例 14 ： 多基岛多圈引脚 参见图 35（A） 和图 35（B） ， 图 35（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 14 的结构示意图。图 35（B） 为图 35（A） 的俯视图。由图 35（A） 和图 35（B） 可以看出， 实施例 14 与实施例 6 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0071 实施例 15 ： 多基岛多圈引脚 参见图 36（A） 和图 36（B） ， 图 36（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 15 的结构示意图。图 36（B） 为图 36。
46、（A） 的俯视图。由图 36（A） 和图 36（B） 说 明 书 CN 102867790 A 12 10/10 页 13 可以看出， 实施例 15 与实施例 7 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 0072 实施例 16 ： 多基岛多圈引脚 参见图 37（A） 和图 37（B） ， 图 37（A） 本发明多芯片正装先蚀刻后封装基岛露出封装 结构实施例 16 的结构示意图。图 37（B） 为图 37（A） 的俯视图。由图 37（A） 和图 37（B） 可以看出， 实施例 16 与实施例 8 的不同之处仅在于 ： 所述基岛 1 有多个。 说 明 书 CN 102867790 A 13 。
47、1/24 页 14 图 1 图 2 图 3 图 4 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 14 2/24 页 15 图 5 图 6 图 7 图 8 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 15 3/24 页 16 图 9 图 10 图 11 图 12 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 16 4/24 页 17 图 13 图 14 图 15 图 16 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 17 5/24 页 18 图 17 图 18 图 19 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 18 6/24 页 19 图 20 图 21 图 22。
48、(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 19 7/24 页 20 图 22(B) 图 23(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 20 8/24 页 21 图 23(B) 图 24(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 21 9/24 页 22 图 24(B) 图 25(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 22 10/24 页 23 图 25(B) 图 26(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 23 11/24 页 24 图 26(B) 图 27(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A。
49、 24 12/24 页 25 图 27(B) 图 28(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 25 13/24 页 26 图 28(B) 图 29(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 26 14/24 页 27 图 29(B) 图 30(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 27 15/24 页 28 图 30(B) 图 31(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 28 16/24 页 29 图 31(B) 图 32(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 29 17/24 页 30 图 32(B) 图 33(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 30 18/24 页 31 图 33(B) 图 34(A) 说 明 书 附 图 CN 102867790 A 31 19/24 页 32 图 34(B) 图 35(A) 说 明 书 附 图。