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1、10申请公布号CN104051353A43申请公布日20140917CN104051353A21申请号201310349227222申请日20130812051947/201320130314JPH01L23/29200601H01L23/3120060171申请人株式会社东芝地址日本东京都72发明人本间庄一松浦永悟志摩真也向田秀子青木秀夫74专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人陈海红段承恩54发明名称半导体装置57摘要本发明提供即使在TCT中也不发生破裂的可靠性高的半导体装置。该半导体装置具有半导体芯片（1）；第一树脂（2），其使半导体芯片（1）的表面露出地埋入半导体芯片（1）；。
2、第二树脂（3），其在位于与半导体芯片（1）的表面同一面上的第一树脂（2）的面上形成；布线层（4），其形成于第二树脂（3）上且与所述半导体芯片（1）电连接；外部连接端子（5），其形成于布线层（4）上；和金属板（6），其在第一树脂（2）的与埋入有半导体芯片（1）的面相对的相反侧的面形成，其中，所述第一树脂（2）的弹性率为055GPA。30优先权数据51INTCL权利要求书1页说明书8页附图11页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书8页附图11页10申请公布号CN104051353ACN104051353A1/1页21一种半导体装置，具有半导体芯片；第一树脂，其使所述。
3、半导体芯片的表面露出地埋入所述半导体芯片；第二树脂，其在位于与所述半导体芯片的表面同一面上的所述第一树脂的面上形成；布线层，其形成于所述第二树脂上且与所述半导体芯片电连接；外部连接端子，其形成于所述布线层上；和金属板，其在所述第一树脂的与埋入有所述半导体芯片的面相对的相反侧的面形成，该半导体装置的特征在于，所述第一树脂的弹性率为055GPA，热膨胀系数为30150PPM，所述第二树脂的弹性率为055GPA，所述半导体芯片的芯片厚度/金属板厚度之比为4以下。2一种半导体装置，具有半导体芯片；第一树脂，其使所述半导体芯片的表面露出地埋入所述半导体芯片；第二树脂，其在位于与所述半导体芯片的表面同一面。
4、上的所述第一树脂的面上形成；布线层，其形成于所述第二树脂上且与所述半导体芯片电连接；外部连接端子，其形成于所述布线层上；和金属板，其在所述第一树脂的与埋入有所述半导体芯片的面相对的相反侧的面形成，该半导体装置的特征在于，所述第一树脂的弹性率为055GPA。3根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二树脂的弹性率为055GPA。4根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂的热膨胀系数为30150PPM。5根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片的芯片厚度/金属板厚度之比为4以下。6一种半导体装置，具有半导体芯片；第一树脂，其使所述半导体芯片的表面。
5、露出地埋入所述半导体芯片；第二树脂，其在位于与所述半导体芯片的表面同一面上的所述第一树脂的面上形成；布线层，其形成于所述第二树脂上且与所述半导体芯片电连接；焊料球，其形成于所述布线层上；和金属板，其在所述第一树脂的与埋入有所述半导体芯片的面相对的相反侧的面形成，该半导体装置的特征在于，所述第二树脂的弹性率为055GPA。权利要求书CN104051353A1/8页3半导体装置0001本申请以日本专利申请201351947号（申请日2013年3月14日）为基础并享受其优先权。本申请通过参照该在先申请而包括其全部内容。技术领域0002本发明涉及将半导体芯片再配置以进行再布线的扇出晶片级芯片尺寸封装（。
6、WLCSP）结构的半导体装置。背景技术0003以往，公开了将半导体芯片在支撑基板上再配置，再进行再布线的扇出WLCSP结构的半导体装置技术。在该技术中，存在以下的问题。0004在半导体装置中，在进行温度循环测试（TCT）的情况下，有可能在再布线层产生裂纹而出现断线。此外，在TCT中形成于再布线层的绝缘树脂产生裂纹，裂纹随着TCT的循环增加而扩展。0005在半导体芯片和形成于其外侧的模铸树脂之间横跨地配置焊料球的情况下，在TCT中在焊料球产生应力，存在更容易破裂的问题。0006如果封装内的半导体芯片厚度增加，则在TCT时，存在角部焊料球产生的歪斜增加而容易破裂的问题。发明内容0007本发明的一个。
7、实施方式的目的是提供具有长期TCT寿命且可靠性高的半导体装置。0008根据本发明的一个实施方式，一种半导体装置，具有半导体芯片；第一树脂，其使所述半导体芯片的表面露出地埋入所述半导体芯片；第二树脂，其在位于与所述半导体芯片的表面同一面上的所述第一树脂的面上形成；布线层，其形成于所述第二树脂上且与所述半导体芯片电连接；外部连接端子，其形成于所述布线层上；和金属板，其在所述第一树脂的与埋入有所述半导体芯片的面相对的相反侧的面形成，该半导体装置的特征在于，所述第一树脂的弹性率为055GPA。附图说明0009图1是示意地表示第一实施方式的半导体装置的构成的图，（A）是俯视图，（B）是（A）的AA剖视图。
8、。0010图2是表示进行模拟的结果的图，（A）是表示进行作用于布线层的应力的模拟的结果的图，（B）是表示进行关于TCT寿命的模拟的结果的图。0011图31是表示观察半导体芯片的芯片尺寸和边缘部分的焊料球的变形状况的变化的结果的图。0012图32是表示芯片下的靠近角部的部分的焊料球的应力状况的图。说明书CN104051353A2/8页40013图33是表示靠近作为没有芯片的区域的封装角部的部分的焊料球的应力状况的图。0014图34是表示焊料球变形的状态的半导体装置的图。0015图4是表示求出使芯片厚度/金属板厚度变化的情况下的焊料球的歪斜的结果的图。0016图51是表示第一实施方式的半导体装置的。
9、制造工序的图。0017图52是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0018图53是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0019图54是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0020图55是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0021图56是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0022图57是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0023图58是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的图。0024图6是示意地表示第二实施方式的半导体装置的构成的剖视图。0025图71是表示第二实施方式的半导体装置的制造工序的图。0026图72是表示第二实施方式的半导体装。
10、置的制造工序的图。0027图73是表示第二实施方式的半导体装置的制造工序的图。0028图74是表示第二实施方式的半导体装置的制造工序的图。0029图75是表示第二实施方式的半导体装置的制造工序的图。0030附图标记说明00311半导体芯片2第一树脂3树脂层4再布线层5外部连接端子6金属板7第四树脂层10硅基板11钝化膜（绝缘膜）31第一开口32第二树脂层41布线层42第三树脂层43第二开口51衬底层52焊料球D、L切割线具体实施方式0032下面参照附图来详细说明实施方式涉及的半导体装置及其制造方法。再有，本发明不限于这些实施方式。此外，在以下所示的附图中，为了便于理解，而存在各部件的比例尺与实。
11、际不同的情况，表示上下左右方向的术语表示以将附图上的标记作为正方向情况的下为基准的相对方向。0033第一实施方式0034图1（A）是示意地表示第一实施方式的半导体装置的构成的俯视图，图1（B）是（A）的AA剖视图。该半导体装置是扇出晶片级芯片尺寸封装（WLCSP）结构的半导体装置，其特征在于，使埋入有半导体芯片1的第一树脂2的弹性率为20GPA，且使热膨胀率为45PPM。该半导体装置具备半导体芯片1的表面露出地埋入半导体芯片1的第一树脂2；在处于与该半导体芯片1的表面同一面上的第一树脂2的表面形成的第二树脂3；在第二树脂3上形成且与半导体芯片1电连接的再布线层4；和在再布线层4上形成的外部连接。
12、端子5。而且，具有在第一树脂2的与埋入有半导体芯片的面2A相对的相反侧的面2B形成的金属板7。第一树脂2使用例如环氧树脂。说明书CN104051353A3/8页50035而且，在半导体芯片1上形成的第二树脂3是具有第一开口31的第二树脂层32。第二树脂层32使用例如聚酰亚胺树脂。而且，在该第二树脂3上形成再布线层4。再布线层4具有与半导体芯片1接触的布线层41；和覆盖布线层41的上层且具备第二开口43的第三树脂层42。在再布线层的上层形成有外部连接端子5。外部连接端子5具备经在第三树脂层42形成的第二开口43而与布线层41连接的衬底层（UBM）51；和在该衬底层51上形成的焊料球52。第三树脂。
13、层42相当于第三树脂。本实施方式是特别适用于在比半导体芯片1的边缘靠外侧处形成有外部连接端子5的所谓扇出WLCSP的半导体装置。0036根据本实施方式的半导体装置，在进行温度循环测试（TCT）的情况下，再布线层4也几乎不会出现裂纹而裂开（OPEN）。再有，在半导体芯片1和形成于外侧的第一树脂2（模铸树脂）之间横跨地配置焊料球52的情况下，在TCT中也几乎不会在焊料球产生应力、破裂。此外，在封装内的半导体芯片厚度增大的情况下，在TCT时在角部焊料球产生的歪斜也几乎不会增加而破裂。如表1所示，在使第一树脂2的弹性率为055GPA，使热膨胀系数为30150PPM，使第二及第三树脂层32、42的弹性率。
14、为055GPA时，在实验结果中，不会在再布线层产生裂纹或者在焊料球产生应力，能得到可靠性高的半导体装置。0037表10038比较例本实施方式第一树脂弹性率01GPA055GPA第一树脂热膨胀系数173PPM30150PPM第二及第三树脂弹性率01GPA055GPA0039另一方面，比较例使用表1的左侧所示的材料。即、使第一树脂2的弹性率为01GPA，使热膨胀系数为173PPM，使第二及第三树脂层32、42的弹性率为01GPA。在对该以往的半导体装置进行TCT的情况下，因再布线层的变形或裂纹的产生而发生了裂开不良。此外，在为了在TCT中形成再布线层而使用的作为绝缘树脂的第二及第三树脂层32、42。
15、产生裂纹，裂纹随着TCT的循环增加而扩展。再有，在半导体芯片1和形成于外侧的第一树脂（模铸树脂）2之间横跨地配置有焊料球52的情况下，在TCT中在焊料球52产生应力而破裂。此外，在构成封装的第一树脂2内的半导体芯片1的厚度增大时进行TCT之际，存在在封装角部的焊料球5C（参照图1（A）产生的歪斜增加而破裂的情况。0040其次，图2（A）表示进行作用于CU再布线（RDL）的应力的模拟的结果。竖轴表示与CU破裂的应力相对的相对值。LA表示相对值为1的线。在相对值超过1时（区域RNG），意味着CU破裂。在相对值为1以下的区域（区域ROK），CU不破裂。S表示比较例（现状）的情况。在横轴描绘了第一树脂。
16、的热膨胀系数，且描绘了改变第一树脂的弹性率的情况。在比CU破裂的应力小时，需要使第一树脂的热膨胀系数为150PPM以下，使弹性率为05GPA以上。图2（B）表示进行焊料球的TCT寿命的模拟的结果。竖轴表示在安装基板上安装扇出WLCSP时的TCT寿命，表示以相对于25/125、1000循环产生1废品的情况为基准的情况下的相对值。LB表示相对值为1的线，在相对值为1以下的区域（区域RNG）TCT寿命不足。在相对值为1以上的区域（区域ROK）TCT寿命足够。S表示比较例的情况。横轴描绘说明书CN104051353A4/8页6第一树脂的热膨胀系数，且描绘改变第一树脂的弹性率的情况。在满足TCT寿命时，。
17、需要使热膨胀系数为30PPM以上，使弹性率为5GPA以下。0041其次，图31表示观察半导体芯片1的边缘部分的焊料球5P的变形状况（DEFORMATION）的变化的结果的图。这里，芯片尺寸分别为一边20MM的产品，一边235MM的产品、一边250MM的产品和一边265MM的产品。0042例如，在第一行的正中记载的、芯片尺寸为一边20MM的正方形时的、半导体芯片1的边缘部分的焊料球5P几乎不变形。这是本实施方式1的情况，第一树脂2的弹性率为2GPA，热膨胀系数为45PPM。与之相对，现有（现状）的第一树脂2的弹性率为01GPA、热膨胀系数为170PPM的第一行左侧的例子的情况下，半导体芯片1的边。
18、缘部分的焊料球5P变形较大。此外，第一树脂2的弹性率为24GPA、热膨胀系数为8PPM的第一行右侧的例子的情况下，半导体芯片1的边缘部分的焊料球5P几乎不变形。虽然未图示，但是，在第一树脂2的弹性率为24GPA、热膨胀系数为8PPM的第一行右侧的例子的情况下，有时在半导体装置自身产生弯曲。0043这样，虽然在图31的各行表示半导体芯片及焊料球的变形状况，但是，根据半导体芯片的芯片尺寸，而使半导体芯片1的边缘部分和焊料球的位置关系不同。这样，求出半导体芯片1的边缘部分的焊料球5P（参照图1（A）的歪斜的结果，可知，通过使第一树脂2的弹性率为2GPA、热膨胀系数为45PPM，而使焊料球的歪斜减少。。
19、0044其次，是求出在改变第二及第三树脂的弹性率的情况下的在布线层的孔作用的分担应力（）的结果。如图32所示，可知，芯片下的靠近角部的部分的焊料球5P的应力在第二及第三树脂32、42的弹性率为01GPA时较大，在弹性率为35GPA时较小。与之相对，如图33所示，可知，靠近作为没有芯片的区域的封装角部的焊料球5C的应力在第二及第三树脂32、42的弹性率为01GPA、35GPA时大体相同。0045如图32所示，在芯片下的靠近角部的部分的焊料球5P的应力大的情况下，如在图34中表示一例那样，在第二及第三树脂32、42产生变形，布线层41与衬底层51为非接触。其结果，与半导体芯片连接的布线层41对焊料。
20、球52产生连接不良。图32及图33中，表示了形成有结构1（两层）的第二及第三树脂32、42的情况以及结构2（三层）的在第二及第三树脂32、42上还形成有布线层及第四树脂层的情况即树脂层为三层的情况。0046其次，在图4中表示求出如表2所示那样使芯片厚度/金属板厚度变化的情况下的焊料球52的非线性相当歪斜振幅（非線形相当歪振幅）的结果。焊料的接合寿命与非线性相当歪斜振幅成反比例，因此在非线性相当歪斜振幅小时寿命延长。竖轴表示焊料接合部的非线性相当歪斜振幅，横轴表示芯片厚度/金属板厚度。A表示描绘角部焊料球的非线性相当歪斜振幅的结果，B表示描绘最差（）焊料球的非线性相当歪斜振幅的结果。从该结果，通。
21、过使芯片厚度/金属板厚度为4以下，而分别使A和B的歪斜振幅减小到10以下，再有，通过为2以下，而分别使A和B的歪斜振幅进一步减小到7以下，焊料接合寿命延长。因此，通过使芯片厚度/金属板厚度为4以下，优选为2以下，而可实现焊料连接寿命的延长。0047表20048说明书CN104051353A5/8页7芯片厚度125365525600金属板厚度600360200125芯片厚度/金属板厚度0211026480049其次，参照图51至图58来说明第一实施方式的半导体装置的制造工序。首先，准备12英寸的半导体晶片。在半导体晶片以100M间距形成有AL焊盘。将半导体晶片的背面切削，切薄至100M厚。再进行。
22、切割，成为单片。将如上述那样生产的半导体芯片1用芯片安装机再配置于在第一支撑板S1上形成的粘接剂层（未图示）上（图51）。再有，半导体芯片1在硅基板10的表面形成有SIN等钝化膜11。再有，可在钝化膜上形成聚酰亚胺等有机膜。这里，作为第一支撑板S1，使用SI、玻璃、蓝宝石板、印刷基板、金属板等。第一支撑板S1的厚度为032MM。作为粘接剂，使用热塑性树脂、热硬化性树脂、PET材料、能热膨胀剥离的树脂等。例如，聚酰亚胺树脂、丙烯树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂等。粘接剂可以是液状，也可以是片状物质。使用厚度为10M以上200M以下的产品。在比10M薄时，粘接性效果差，在超过200M时，变得过厚而使平坦。
23、性恶化。0050其次，如图52所示，在第一支撑板S1上涂敷第一树脂2。在涂敷时，可适用使用模具的模铸法、使用印刷掩膜的印刷法等。此时，第一树脂2的弹性率为05GPA以上5GPA以下。弹性率不满05GPA时，如图2（A）所示，存在在TCT中产生裂纹或者发生布线层断裂的问题。在弹性率超过5GPA时，如图2（B）所示，发生以下问题在安装基板上安装的情况下的焊料连接部的TCT寿命恶化，或者弯曲增大，或者流动变得困难，而后，进行封装的情况下的弯曲增大，不能满足产品设计。再有，在使第一树脂的热膨胀系数为30以上150PPM以下时可靠性进一步提高。热膨胀系数不满30PPM时，如图2（B）所示，发生以下问题在。
24、安装基板上安装的情况下的焊料连接部的TCT寿命恶化，或者树脂中需要放入更多的填料，因此弹性率增大，而如上述所示那样弯曲增大。在热膨胀系数超过150PPM时，如图2（A）所示，在TCT中在树脂产生裂纹，或者布线层断裂。作为第一树脂的例子，使用环氧树脂、硅树脂、环氧/硅混合树脂、丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、苯酚树脂等液状树脂或者片状的增强膜（）、片状的环氧树脂等。第一树脂的厚度为100M到1MM以内。与芯片厚度相关地，在第一树脂的厚度比100M薄时难以保护芯片。在第一树脂的厚度超过1MM时树脂的弯曲增大。0051其次，如图53所示，在第一树脂2上形成金属板6。作为金属板，使用CU、NI、F。
25、E或其混合材料例如42合金等。金属板6的厚度为50M以上500M以下。为了抑制封装的弯曲而形成金属板6，但是，在厚度不满50M时效果小，在超过500M时封装厚度变大。金属板6的形成通过在第一树脂2半硬化时按压金属板6而紧贴粘着来完成。或者，也可在第一树脂2上再涂敷粘接剂来粘贴金属板6。除了金属板以外，也可使用弹性率高的树脂、硅、玻璃等。0052其次，如图54所示，从第一支撑板S1剥离第一树脂2。在使用粘贴性弱的粘接剂的情况下，在第一支撑板S1和第一树脂2之间插入刀状的工具等来进行剥离。在使用热塑性树脂的情况下，边向金属板6的面和第一支撑板S1加热边剥离。在使用热膨胀的粘接剂的情况下，能同样地通。
26、过加热来将粘接剂剥离。为了露出半导体芯片1的表面，在附着有树说明书CN104051353A6/8页8脂的情况下用溶剂等除去。0053其次，如图55所示，使用粘接剂（未图示）来粘贴第二支撑板S2。作为第二支撑板S2，与第一支撑板S1同样，使用SI基板、玻璃基板、蓝宝石基板、印刷基板、金属板等。厚度为03到2MM以下。作为粘接剂，使用热塑性树脂、热硬化性树脂、PET树脂、能热膨胀剥离的树脂等。例如，使用聚酰亚胺树脂、丙烯树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂。粘接剂可以是液状，也可以是片状物质。使用厚度为10M以上200M以下的产品。然而，在图54的状态中刚性高的情况下，也可不粘贴第二支撑体S2。0054其次。
27、，在半导体芯片1上形成第二树脂层32。第二树脂层32的厚度为2M以上20M以下。作为树脂材料，使用聚酰亚胺系、环氧系、硅系、环氧/硅系、丙烯系、苯酚系、聚酰胺系等。使第二树脂层32的弹性率为05PA以上5GPA以下。在弹性率不满05GPA时，在TCT中在树脂产生裂纹或者发生布线层断裂。在弹性率超过5GPA时，树脂变硬，弯曲增大。第二树脂层32使用感光性材料并与半导体芯片1的AL焊盘位置对齐地形成第一开口31。通过曝光现象，而形成例如50M直径的开口。其次，在第二树脂层32的整个面形成成为布线层41的金属膜。金属膜用溅射法、蒸镀法、电镀法等形成。作为金属膜，使用TI/CU等材料。TI形成为003。
28、05M厚，CU形成为0110M厚。作为TI/CU以外的金属，使用CR、TIN、NI、AU、PD等材料。0055其次，涂敷10M左右的抗蚀剂，并留有开口。例如，形成L/S50/50M的开口。在开口部分通过电镀来形成115M厚度的CU。此次，形成例如5M厚的CU。剥离抗蚀剂，并蚀刻种子层的CU和TI。作为CU的蚀刻液，使用将硫酸和H2O2混合的物质，TI的蚀刻液使用向HF和H2O2添加KOH的物质等。在CU的再布线上涂敷第三树脂层42，并形成焊料球用的第二开口43。第三树脂层42可以是与第二树脂层32相同的树脂。第三树脂层42的弹性率为05GPA以上5GPA以下。在弹性率不满05GPA时，在TCT。
29、中在树脂产生裂纹或者发生布线层断裂。在弹性率超过5GPA时，树脂变硬，弯曲增大。0056其次，如图56所示，在第三树脂层42的的开口部分形成衬底层（UBM）51。首先，在第三树脂层42整个面形成金属膜。金属膜通过溅射法、蒸镀法、电镀法等形成。作为金属膜，用TI/CU等材料形成。TI形成为00305M厚，CU形成为0110M厚。作为TI/CU以外的金属，使用CR、TIN、NI、AU、PD等材料。其次，涂敷10M左右的抗蚀剂，并留有例如400M直径的第二开口43。在该开口通过电镀法形成CU/NI/AU等。CU形成为2M，AU形成为03M。剥离抗蚀剂，并蚀刻种子层的CU和TI。作为CU的蚀刻液，使用。
30、将硫酸和H2O2混合的物质，TI的蚀刻液使用向HF和H2O2添加KOH的物质等。0057再有，在本实施方式中，虽然图示了再布线为一层布线的情况，但是，也可以形成两层以上。该情况下，再重复形成第二、第三树脂层，并形成再布线层。此外，也可将在半导体晶片上先形成第二树脂、再形成再布线层的产品切割而再配置于在第一支撑板S1上形成的粘接剂层上以进行同样的处理。0058其次，在衬底层51上涂敷焊剂后搭载焊料球52（图57）。焊料球52使用SNAG、SNAGCU等无PB焊料。其次，进入反射炉来使焊料球熔化，并与衬底层51接合。接着，将焊剂通过溶剂和纯水清洗来除去。0059此外，在本实施方式中，说明了形成衬底。
31、层51的情况，但是，当然也可不形成衬底层51而在第二开口43搭载焊料球，并使布线层和焊料球接合。说明书CN104051353A7/8页90060其次，使用切割机来沿切割线D、L进行封装切割，成为单片，从而完成扇出WLCSP（图58）。0061在对如上述那样制作的扇出WLCSP进行55/125的TCT时，即使经过2000循环，也没有发生布线层的断裂和/或绝缘层（从第一树脂到第三树脂）的裂纹。此外，安装后，在进行25/125的TCT时，即使经过1000循环，也没有发生焊料球的破裂。0062此外，在本实施方式中，说明了使用焊料球来作为外部连接端子的例子，但是，也可适用于具有接地型（）外部连接端子等其。
32、他结构的外部连接端子的产品。0063第二实施方式0064图6是示意地表示第二实施方式的半导体装置的构成的剖视图。第二实施方式的半导体装置与图1（A）及图1（B）所示的第一实施方式的半导体装置的不同点是金属板6的外缘。即、相对于金属板6到达半导体装置的外缘即第一树脂2的外缘并使外缘对齐地进行切割，在本实施方式中，金属板6的外缘与第一树脂2的外缘相比处于内侧，并将背面用第四树脂7覆盖。其他结构与上述第一实施方式相同，因此在这里省略说明。即、在金属板6上形成第一树脂2，并在该第一树脂2内埋入有半导体芯片1。而且，还在形成于半导体芯片1上的第二树脂层32上形成再布线层，并在第二树脂层32上形成第三树脂。
33、层42，且形成焊料球52。此外，金属板6形成为比封装尺寸小50M1MM左右，且在金属板面上形成有第四树脂层7。0065其次，参照图71至图75来说明第二实施方式的半导体装置的制造工序。在本实施方式中，直到第一实施方式的图56为止都与第一实施方式同样地实施，因此，在这里省略说明。在上述第一实施方式中，如图56所示，在第三树脂层42的开口部分形成衬底层（UBM）51后，剥离背面侧的第二支撑板S2（图71）。在使用粘贴性弱的粘接剂的情况下，在第二支撑板S2和第一树脂2之间插入刀状的工具等来进行剥离。在使用热塑性树脂的情况下，边向金属板6的面和第二支撑板S2加热边剥离。在使用热膨胀的粘接剂的情况下，能。
34、同样地通过加热来将粘接剂剥离。为了露出金属板6的表面，在附着有树脂的情况下用溶剂等除去。0066其次，蚀刻金属板6（图72）。在金属板6形成抗蚀剂（未图示），并通过光刻来曝光显影而形成格子状的开口。接着，蚀刻格子状开口的部分的金属板6。格子状的开口为100M2MM。蚀刻后，剥离抗蚀剂。金属板6可用刀片格子状地除去，或者也可使用激光描绘来格子状地除去。0067其次，在金属板6上形成第四树脂层7（图73）。在第四树脂层7的形成时可使用旋涂法，也可使用印刷法。第四树脂层7可以是液状，也可以粘贴膜上的物质。再有，也可不形成第四树脂层7。0068其次，使用粘接剂在第四树脂层7上粘贴第三支撑板S3。在衬底。
35、层51上涂敷焊剂后，搭载焊料球52（图74）。焊料球52使用SNAG、SNAGCU等无PB焊料。其次，进入反射炉来使焊料球52熔化，并与衬底层51接合。接着，将焊剂通过溶剂和纯水清洗来除去。虽然说明了形成衬底层51的情况，但是，当然也可不形成衬底层51而在第三开口43搭载焊料球，并使布线层41和焊料球52接合。0069其次，使用切割机将金属板6通过蚀刻而开口的部分作为切割线D、L来进行切割，成为单片，从而完成扇出WLCSP（图75）。说明书CN104051353A8/8页100070在上述第一实施方式中，将金属板6和第一树脂2一同切割，但是，因切割的影响而有可能使金属板6和第一树脂2剥离。第二。
36、实施方式为以下的处理为了避免该现象而先蚀刻金属板6以预先在切割线D、L附近形成槽，且仅蚀刻第一树脂2。0071在对如上述那样制作的扇出WLCSP进行55/125的TCT时，即使经过2000循环，也没有发生布线层的断裂和/或绝缘层（第二树脂及第三树脂）的裂纹。此外，安装后，在进行25/125的TCT时，即使经过1000循环，也没有发生焊料球的破裂。这里，第二树脂包括第二及第三树脂层，第二树脂层或第三树脂层两者维持弹性率为055GP即可，但是，也可任一个维持弹性率为055GP。0072如上所述，0073（1）通过使第一树脂的弹性率为055GPA而在TCT中布线不断裂，且在绝缘层不产生裂纹。再有，在。
37、仅使第一树脂的弹性率为055GPA的情况下也有效。0074（2）通过使第一树脂的热膨胀系数为30150PPM而在TCT中布线不断裂，且在第二及第三树脂层（绝缘层）或第一树脂不产生裂纹。0075（3）通过使包含第二及第三树脂层在内的第二树脂的弹性率为055GPA而在TCT中布线不断裂，且在绝缘层不产生裂纹。0076（4）通过使第一树脂的弹性率为055GPA、热膨胀系数为30150PPM，并且使第二树脂的弹性率为055GPA，而得到在TCT中布线不断裂，且在绝缘层不产生裂纹的效果。0077（5）在（1）到（4）中，通过芯片厚度/金属板厚度之比为4以下，而得到在TCT中布线不断裂，且在绝缘层不产生裂。
38、纹的效果。0078虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式仅为例示，并不意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他各种方式来实施，在不脱离发明主旨的范围内，能进行各种省略、替换、改变。这些实施方式及其变形包含于本发明的范围和主旨内，且包含于与在请求保护的范围中记载的发明同等的范围内。说明书CN104051353A101/11页11图1说明书附图CN104051353A112/11页12图2说明书附图CN104051353A123/11页13图31说明书附图CN104051353A134/11页14图32图33说明书附图CN104051353A145/11页15图34图4说明书附图CN104051353A156/11页16图51图52图53图54图55说明书附图CN104051353A167/11页17图56图57说明书附图CN104051353A178/11页18图58说明书附图CN104051353A189/11页19图6说明书附图CN104051353A1910/11页20图71图72图73说明书附图CN104051353A2011/11页21图74图75说明书附图CN104051353A21。