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1、(10)申请公布号 CN 103014837 A (43)申请公布日 2013.04.03 CN 103014837 A *CN103014837A* (21)申请号 201210574829.3 (22)申请日 2012.12.26 C30B 15/00(2006.01) (71)申请人 江苏华盛天龙光电设备股份有限公 司 地址 213200 江苏省常州市金坛市金坛经济 开发区华城路 318 号 (72)发明人 李留臣 冯金生 (74)专利代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 罗笛 (54) 发明名称 一种单晶炉二次加料方法 (57) 摘要 本发明公开了一种单晶炉二次加料方法， 。
2、当 完成第一根硅单晶棒生长后， 在主炉室中的坩埚 内剩余一部分多晶硅熔液， 将第一根硅单晶棒提 拉至副炉室中后， 关闭隔离阀， 通过提升机构将副 炉室提升后旋转开， 取出第一根硅单晶棒， 而后通 过机械抓手将棒状多晶硅原料吊挂在钢丝软轴 上， 再将副炉室旋转安放至主炉室顶部， 打开隔离 阀， 通过籽晶升降机构下放钢丝软轴， 钢丝软轴下 端的机械抓手将棒状多晶硅原料缓慢地送入坩埚 中， 启动加热系统使棒状多晶硅原料熔化， 顺利地 将多晶硅原料加入坩埚中， 实现二次加料， 以满足 第二根硅单晶棒的生长。本发明方法大大缩短了 辅助时间， 提高了工作效率。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 。
3、说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 1/1 页 2 1. 一种单晶炉二次加料方法， 其特征在于 ： 当完成第一根硅单晶棒生长后， 通过籽晶 升降机构、 钢丝软轴及机械抓手将棒状多晶硅原料直接下入到坩埚中熔化， 顺利实现二次 加料。 2. 根据权利要求 1 所述的单晶炉二次加料方法， 其特征在于 ： 当完成第一根硅单晶棒 生长后， 在主炉室中的坩埚内必须剩余一部分多晶硅熔液。 权 利 要 求 书 CN 103014837 A 2 1/2 页 3 一种单晶炉二次加料方法 技术领域 0001 本发明属于机械设备技术领域， 涉。
4、及一种单晶炉二次加料方法。 背景技术 0002 单晶炉是生长硅单晶的专用设备， 在实际硅单晶生长过程中， 为了提高坩埚的使 用寿命， 减少能量消耗、 提高生产效率， 需要在同一个坩埚中生长完成一根硅单晶棒后， 再 在坩埚中进行第二次加入原料， 立即进行第二根硅单晶棒的生长。 0003 目前， 常用的二次加料方法是， 首先将棒状多晶硅原料破碎成较小的块状， 然后将 块状多晶硅原料通过辅助加料机构进行加料， 所使用的辅助加料机构不但结构复杂， 而且 由于块状或粒状原料的形状不规则、 不统一， 往往会出现卡滞现象， 造成加料失败， 从而影 响正常的生产， 造成很大的损失。 发明内容 0004 本发明。
5、的目的是提供一种单晶炉二次加料方法， 解决了现有技术中二次加料所用 的辅助机构结构复杂、 成本高、 加料费时、 容易卡滞的问题。 0005 本发明所采用的技术方案是， 一种单晶炉二次加料方法， 当完成第一根硅单晶棒 生长后， 通过籽晶升降机构、 钢丝软轴及机械抓手将棒状多晶硅原料直接下入到坩埚中熔 化， 顺利实现二次加料。 0006 本发明所述的单晶炉二次加料方法， 其特征还在于 ： 当完成第一根硅单晶棒生长 后， 在主炉室中的坩埚内必须剩余一部分多晶硅熔液。 0007 本发明的有益效果是， 无需将棒状多晶硅原料破碎， 直接将棒状多晶硅原料吊挂 在机械抓手上， 通过籽晶升降机构、 钢丝软轴将棒。
6、状多晶硅原料直接下入到坩埚中熔化， 不 但缩短工艺流程， 简化加料机构， 减少了污染环节， 同时缩短了辅助时间、 减少了能源消耗。 操作方便、 可靠性高， 提高了硅单晶炉的生产效率， 广泛应用于硅单晶、 锗单晶、 光学晶体等 生长工艺中。 具体实施方式 0008 本发明的单晶炉二次加料方法是， 将棒状多晶硅原料通过机械抓手吊挂在钢丝软 轴上， 通过籽晶升降机构(或重锤升降机构)将棒状多晶硅原料直接吊入坩埚中熔化， 熔化 结束后， 再按照正常工序进行硅单晶生长。 0009 本发明的单晶炉二次加料方法的具体操作过程是， 当完成第一根硅单晶棒生长 后， 在主炉室中的加热系统的作用下坩埚内剩余一部分多。
7、晶硅熔液， 将第一根硅单晶棒提 拉至副炉室中后， 关闭隔离阀， 然后， 通过提升机构将副炉室提升后旋转开， 取出第一根硅 单晶棒， 而后通过机械抓手将棒状多晶硅原料吊挂在钢丝软轴上， 再将副炉室旋转安放至 主炉室顶部， 打开隔离阀， 通过籽晶升降机构下放钢丝软轴， 钢丝软轴下端的机械抓手将棒 状多晶硅原料缓慢地送入坩埚中， 启动加热系统使棒状多晶硅原料熔化， 顺利地将多晶硅 说 明 书 CN 103014837 A 3 2/2 页 4 原料加入坩埚中， 实现二次加料， 以满足第二根硅单晶棒的生长。 0010 本发明方法的创新之处在于， 当完成第一根硅单晶棒生长后， 通过籽晶升降机构、 钢丝软轴及机械抓手将棒状多晶硅原料直接熔化在坩埚中， 顺利实现二次加料， 结构简单， 容易操作， 节约能源。 说 明 书 CN 103014837 A 4 。