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1、(10)申请公布号 CN 103029031 A (43)申请公布日 2013.04.10 CN 103029031 A *CN103029031A* (21)申请号 201110297982.1 (22)申请日 2011.09.30 B24B 37/02(2012.01) H01L 21/02(2006.01) (71)申请人 上海双明光学科技有限公司 地址 201506 上海市金山区朱行镇长卫路 8 号 (72)发明人 姚建明 (74)专利代理机构 上海科盛知识产权代理有限 公司 31225 代理人 宣慧兰 (54) 发明名称 一种晶圆基片加工方法 (57) 摘要 本发明涉及一种晶圆基片加。
2、工方法， 该方法 包括以下步骤 ： 1) 在毛坯片上开设定位槽 ； 2) 采 用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加 工 ； 3) 对研磨后的毛坯片进行抛光处理。与现有 技术相比， 本发明具有生产成本低， 产品良率高等 优点。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 1 页 1/1 页 2 1. 一种晶圆基片加工方法， 其特征在于， 该方法包括以下步骤 ： 1) 在毛坯片上开设定位槽 ； 2) 采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工 ； 3) 对研磨后的毛坯片进行抛光处理。 2.。
3、 根据权利要求 1 所述的一种晶圆基片加工方法， 其特征在于， 所述的超薄石英玻璃 加工工艺为具体包括以下步骤 ： A) 毛坯片通过定位槽固定在研磨装置上 ； B) 在待加工的毛坯片周围设置多个保护片 ； C) 研磨装置从上方对毛坯片进行研磨。 3. 根据权利要求 2 所述的一种晶圆基片加工方法， 其特征在于， 所述的保护片设有 3 个， 均匀设置在毛坯片周围。 4. 根据权利要求 2 所述的一种晶圆基片加工方法， 其特征在于， 所述的保护片的高度 高于毛坯片 0.15 0.3mm。 5. 根据权利要求 2 所述的一种晶圆基片加工方法， 其特征在于， 研磨装置从上方对毛 坯片进行研磨时， 进刀。
4、量为 0.01mm。 权 利 要 求 书 CN 103029031 A 2 1/1 页 3 一种晶圆基片加工方法 技术领域 0001 本发明涉及一种机械加工领域， 尤其是涉及一种晶圆基片加工方法。 背景技术 0002 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片， 是半导体行业的基础， 在晶圆片 上可加工制作成各种电路元件结构， 而成为有特定电性功能之 IC 产品。晶圆的原始材料是 硅， 而地壳表面有用之不竭的二氧化硅， 但是晶圆的技术过去主要掌握在欧美以及日本等 国手中， 尤其是在基片加工中难度较大， 国内基片的厂家屈指可数， 尤为大尺寸 8 以上的更 是凤毛麟角。 发明内容 0003 本发明的。
5、目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种生产成本低， 产 品良率高的晶圆基片加工方法。 0004 本发明的目的可以通过以下技术方案来实现 ： 0005 一种晶圆基片加工方法， 其特征在于， 该方法包括以下步骤 ： 1) 在毛坯片上开设 定位槽 ； 2) 采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工 ； 3) 对研磨后的毛坯片进行 抛光处理。 0006 所述的超薄石英玻璃加工工艺为具体包括以下步骤 ： A) 毛坯片通过定位槽固定 在研磨装置上 ； B) 在待加工的毛坯片周围设置多个保护片 ； C) 研磨装置从上方对毛坯片进 行研磨。 0007 3 所述的保护片设有 3 个， 均匀设置在毛。
6、坯片周围， 保护片的高度高于毛坯片 0.15 0.3mm。 0008 研磨装置从上方对毛坯片进行研磨时， 进刀量为 0.01mm。 0009 与现有技术相比， 本发明采用超薄石英玻璃加工工艺确保了晶圆基片在研磨中的 良率， 不需要额外的生产设备， 生产成本较低。 具体实施方式 0010 下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。 0011 实施例 0012 一种晶圆基片加工方法， 具体包括以下步骤 ： 首先在毛坯片上开设定位槽， 通过定 位槽将毛坯片固定在研磨装置上， 然后在待加工的毛坯片周围均匀设置三个保护片， 该保 护片的高度高于毛坯片 0.2mm， 增大毛坯片在研磨装置进刀过程中的受力面， 使其不易产生 裂痕甚至破碎。 设置好毛坯片以及保护片之后， 从上方开始对进行研磨加工， 研磨装置的进 刀量设为0.01mm。 研磨完成后， 对毛坯片进行抛光处理， 即为晶圆基片产品。 该加工方法在 生产过程中不需要额外的生产设备， 仅需要加设几个保护片， 生产成本较低。 说 明 书 CN 103029031 A 3 。