利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁.pdf

本发明涉及一种利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁的结构、制作方法及应用，属于微机械传感器领域。具体特征是在悬臂梁的固定端处表面制作集成驱动电阻，在悬臂梁的自由端处表面淀积特异性识别的敏感膜。当在驱动电阻上施加一定的交流叠加直流的电流时，可以驱动起悬臂梁达到谐振状态，从而作为传感器检测特定化学物质。当检测完成后，可以通过增大施加在驱动电阻上的电流，将驱动电阻作为加热器提高悬臂梁的温度，加速吸附化学物质的解吸附，实现传感器的自清洗，从而实现快速重复检测。本发明的特点是结构简单、制作方便、容易实现。

1、  利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁，其特征在于在所述的微机械悬臂梁的固定端处表面制作驱动电阻与压敏电阻组成的惠斯通电桥，在微机械悬臂梁的自由端处表面淀积特异性识别的敏感膜。

2、  按权利要求1所述的微机械悬臂梁，其特征在于当驱动电阻上施加一个交流叠加直流的电流U＝U_dc+U_accosωt时，驱动电阻附近会产生一个周期性的热波动的热功率：
P_i(t)＝(U_dc+U_accosωt)²/R＝2U_dcU_accosωt/R+(U_dc²+0.5U_ac²)/R+0.5U_ac²cos2ωt/R，
其中2U_dcU_accosωt/R为驱动悬臂梁振动的有效热波动部分；所述的有效热波动使加热电阻附近温度产生频率为ω的周期性变化，悬臂梁以频率ω作周期性振动。

3、  按权利要求2所述的微机械悬臂梁，其特征在于当驱动电阻上施的电流的频率与悬臂梁的固有频率一致时，悬臂梁就会发生谐振，振动中的悬臂梁的弯曲引起表面集成的压敏电阻的阻值发生变化，通过惠斯通电桥将谐振信号以电信号输出。

4、  按权利要求1所述的微机械悬臂梁，其特征在于压敏电阻组成的惠斯通电桥作为拾振电阻，拾振电阻与驱动电阻的距离大于谐振频率下的热穿透深度μ，所述的热穿透深度为μ＝(2κ/ρωc)^1/2，式中κ为材料的传导率，ρ为材料的密度，c为比热容，ω为频率。

5、  按权利要求2所述的微机械悬臂梁，其特征在于驱动电阻上施加的一个交流叠加直流的电流中的直流分量等于0.924倍的交流分量时，驱动电流整个热波动的热功率最低，悬臂梁的温升最小。

6、  按权利要求1所述的微机械悬臂梁，其特征在于所述的微机械悬臂梁为直条形、变截面直条形、U型、T型、三角形或音叉型的规则形状。

7、  制作如权利要求1所述的微机械悬臂梁的方法，其特征在于具体步骤是：
(1)采用(100)晶面的N型或(110)晶面P型的绝缘体上的硅片，将顶层硅减薄至悬臂梁厚度，热氧化形成氧化层；
(2)用光刻胶做掩模，光刻出悬臂梁正面图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成悬臂梁图形；用光刻胶做掩模，光刻出敏感电阻的图形，采用离子注入工艺进行硼离子掺杂、在1000℃退火30分钟活化注入的硼离子形成具有压阻效应的敏感电阻；
(3)用光刻胶做掩模，光刻出压阻引线孔图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成引线孔。溅射铝薄膜，依次光刻、腐蚀、去胶，同时形成驱动线圈和压阻引线。在480℃合金化30分钟与压阻形成欧姆接触。在硅片正面采用等离子增强化学气相沉积工艺形成二氧化硅保护层，用光刻胶做掩模，光刻出保护层图形，用反应离子刻蚀工艺去掉多余的氧化硅；
(4)在硅片上涂光刻胶，光刻显影，蒸发金薄膜，采用剥离工艺形成金薄膜图形，用于自组装生长选择性敏感膜；
(5)用光刻胶做掩模，光刻形成悬臂梁结构图形，采用反应离子刻蚀工艺正面刻蚀，形成悬臂梁结构。背面用光刻胶做掩模，双面光刻形成背面刻蚀图形，采用反应离子刻蚀工艺刻蚀体硅至绝缘层上硅的中间氧化层；
(6)用缓冲氢氟酸腐蚀掉绝缘层上硅的中间氧化层，释放悬臂梁结构，完成微机械悬臂梁器件制作。

8、  按权利要求7所述的微机械悬臂梁的制作方法，其特征在于：
a)步骤1所述的热氧化形成的氧化层厚度为1500-2500
b)步骤2制作的热敏电阻的方块电阻值为200欧姆；
c)步骤3溅射时的铝薄膜厚度在7000以上；
d)步骤4所述的金薄膜厚度为50-100纳米。

9、  按权利要求1所述的微机械悬臂梁的应用，其特征在于通过在悬臂梁自由端附近淀积特异性识别的敏感膜，对链亲和素或者DMMP气体进行检测。

10、  按权利要求9所述的微机械悬臂梁，其特征在于在金薄膜表面分子自组装形成一层GOPS薄膜，然后在悬臂梁的其余部分覆盖一层聚乙二醇分子以抑制非特异性吸附，之后在GOPS薄膜上自组装生长生物素作为特异性吸附链亲和素的敏感膜。当传感器被浸入到含有链亲和素的溶液中时，链亲和素将被特异性吸附到敏感悬臂梁的表面，引起悬臂梁有效质量的增加；然后将传感器从检测液体中取出晾干，测量其谐振频率，并与为浸入液体之前的谐振频率对比，发现谐振频率下降；通过下降的大小变能推算出吸附的链亲和素的质量，检测分辨率为130飞克；其中，GOPG代表环氧丙氧基三甲氧基硅烷。

11、  按权利要求9所述的微机械悬臂梁的应用，其特征在于驱动电阻具有自清洁功能，在每次检测完毕后，提高施加在驱动电阻上的电流的直流分量，使悬臂梁的温度提高，增大吸附物的解吸附速度。

利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁
技术领域
本发明涉及一种利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁的结构、制作方法及应用。本发明属于微机械传感器领域。
背景技术
传感器是测量仪表及检测系统的基础。传统的传感器通过改变电阻、电容或电感等电学量来测量压力、温度、位移等非电量，并以电压和电流信号输出。在传感器和控制电路之间需要增加A/D转换器，这不仅降低了系统的可靠性、响应速度和测量精度，而且增加了成本。谐振式传感器的输出量是频率信号，精度及分辨率高，长期稳定性好，可通过简单的数字电路实现与计算机的接口，从而省去结构复杂、价格昂贵的A/D转换装置。发展谐振式传感器，适应以微处理器为中心的数字控制系统是传感器发展的重要方向之一。但是，现已使用的谐振式传感器(如谐振筒、谐振梁、谐振膜、谐振弯管)结构尺寸较大，结构复杂，价格昂贵，谐振频率和灵敏度低。随着微电子技术和微机械加工技术的发展以及在传感器中的应用，用微机械加工技术制造出的微机械谐振式传感器，引起了人们的特别兴趣。微机械谐振式传感器的敏感元件是用微电子和微机械工艺制作的微悬臂梁、微桥(双端固支梁)、方膜(或圆膜)等谐振子，利用其谐振频率、振幅或相位等作为敏感测量的参数，可用来测量压力、真空度、角速度、加速度、流量、温度、湿度和气体成分等物理量。谐振器的驱动方式有电磁驱动、静电驱动、逆压电驱动、电热驱动、光热驱动等，其检测方式(即拾振方式)有压电拾振、压敏电阻拾振、电磁拾振、电容拾振、光学拾振等。
悬臂梁谐振器一端固定，另一端自由，自由端可释放器件制作时在梁中形成的残余应力，谐振频率不受封装应力的影响。悬臂梁谐振器的形状有直条形、变截面直条形、U形梁、三角梁、音叉梁等，已在原子力显微镜(AFM)探针(轻敲模式和非接触模式)、微机械电子滤波器、振荡器、生化传感器等器件上得到广泛应用。
作为质量敏感的谐振式微机械悬臂梁传感器由于具有高分辨率、高灵敏度、快速响应和数字式输出信号等特点，在环境监测、医疗诊断等方面具有广阔的应用前景。该传感器的核心部件是谐振状态下的悬臂梁及其谐振驱动和敏感元件。当通过生化特异性吸附将待测物吸附在悬臂梁表面时，悬臂梁等效质量的变化使悬臂梁固有谐振频率发生变化，通过检测该谐振频率的变化量能高精度地定量分析待测物的含量。[N.V.Lavrik，M.J.Sepaniak，P.G.Datskos，Cantilever transducers as a platform for chemical and biological sensors，Review of Scientific Instruments，75，2229(2004)]。传统的谐振式悬臂梁传感器在检测完成后，只能在室温下通过待测物本身的解吸附使信号回复，再次检测需要等待较长的时间。为了加速信号回复，一种方法是通过紫外线照射[LiC.，Zhang D.H.，Liu X.L.，Han S.，Tang T.，Han J.and Zhou C.W.2003 In2O3nanowires as chemical sensors，Applied Physics Letters，vol.82，pp.1613-1615]。这种方法需要体积庞大的设备，不利于便携式传感器使用。提高温度也是一种有效的方法，这往往需要在悬臂梁上增加一个加热部件，增加了器件的复杂程度。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用单根集成电阻同时实现驱动及自清洗的微机械悬臂梁的结构、制作方法及应用，通过驱动电阻本身的加热功能来实现快速信号回复，一物两用避免了增加多余的结构。其基本构思及实现方法如下：在悬臂梁的固定端处的表面通过离子注入同时制作驱动电阻以及压敏电阻组成的惠斯通电桥，压敏电阻组成的惠斯通电桥作为拾振电阻，并在悬臂梁的自由端处表面淀积特异性识别的敏感膜。在驱动电阻上施加一定的交流叠加直流的驱动电流，当施加的交流电流的频率与悬臂梁的固有谐振频率相同时，悬臂梁会发生谐振，悬臂梁传感器处于工作状态。此时的驱动电流较小，悬臂梁温度不高。当传感器置于检测环境中，待测物将通过生化特异性反应吸附在悬臂梁表面，悬臂梁等效质量的变化使悬臂梁固有谐振频率发生变化，通过拾振电阻(惠斯通电桥)检测该谐振频率的变化量，能高精度地定量分析待测物的含量。检测完成后，悬臂梁脱离检测环境，此时提高施加在驱动电阻上的直流电流，并保持交流电流不变，可以提高悬臂梁的温度达到特定值(具体值由待测物的性质决定，为能使吸附待测物快速解吸附而又不改变敏感膜性状的温度)，而悬臂梁仍处于谐振状态。一段时间后吸附的待测物基本解吸附完毕，自清洗完成，将施加的直流电流恢复原值，准备进行再次检测。
利用单根集成电阻同时实现驱动以及自清洗的微机械悬臂梁传感器的结构(如图1所示)包括四个部分：1.悬臂梁、2.驱动电阻、3.压敏电阻组成的惠斯通电桥、4.特异性的生化敏感膜。当驱动电阻上施加一个交流叠加直流的电流U＝U_dc+U_accosωt时，驱动电阻附近会产生一个周期性的热波动的热功率
P_i(t)＝(U_dc+U_accosωt)²/R＝2U_dcU_accosωt/R+(U_dc²+0.5U_ac²)/R+0.5U_ac²cos2ωt/R，
其中2U_dcU_accosωt/R为驱动悬臂梁振动的有效部分。这个有效热波动会使加热电阻附近温度产生频率为ω的周期性变化。由于悬臂梁多层结构的双金属效应，悬臂梁会以频率ω做周期性振动。当外加电流的频率与悬臂梁的固有频率一致时，悬臂梁就会发生谐振。振动中的悬臂梁的弯曲会引起表面集成的压敏电阻的阻值发生变化，通过惠斯通电桥便可以将谐振信号以电信号输出。
为了提高传感器的性能，本发明对传感器悬臂梁上的驱动/拾振电阻的位置以及驱动电流也进行了优化。传统的电热激励的悬臂梁对驱动电阻的位置并没有加以限制。本发明将传感器上的驱动电阻制作在悬臂梁的固定端处。这是因为使悬臂梁产生弯曲的弯矩只局限于驱动电阻处附近，只有施加在悬臂梁固定端处的弯矩才能使悬臂梁产生最大的弯曲。并且，布置在固定端处的驱动电阻可以在整个悬臂梁上产生比较均匀的温度(如图2)，有利于悬臂梁的自清洗。另外，驱动电阻产生的热波动是衰减的，其热穿透深度为μ＝(2κ/ρωc)^1/2，其中κ是材料的热传导率，ρ为材料的密度，c是比热容。为了减少驱动电阻与拾振电阻之间的热串扰，需要使驱动电阻与惠斯通电桥间的距离大于热穿透深度μ。悬臂梁传感器的一个重要噪声来源就是热机械噪声，为了减小热机械噪声，需要减小悬臂梁工作时的温度，这需要减小驱动电流。而过小的驱动电流会使悬臂梁振动的振幅过小，影响传感器的性能。经过分析，悬臂梁的振幅由U_dc×U_ac决定，当U_dc×U_ac确定后(这个值对不同的悬臂梁有所不同，为使悬臂梁能够有效振动的最小值)。对P_i(t)的表达式进行简单的推导，可得到当U_dc＝0.924U_ac时，整个热功率|P_i(t)|最低，也就是说悬臂梁的温升最小。因此驱动电流的最优取值应该是U_dc＝0.924U_ac，其中U_ac通过实验确定。
本发明的悬臂梁的制作采用已有的微机械加工工艺，针对我们制作的300μm×100μm×3μm的悬臂梁，其制作工艺流程如图3所示，并详述如下：
(a)采用(100)晶面的N型SOI(绝缘体上的硅)硅片或(110)晶面的P型SOI硅片，将顶层硅减薄至悬臂梁厚度，热氧化形成1500-的氧化层(见图3-a)；
(b)用光刻胶做掩模，光刻出悬臂梁正面图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成悬臂梁图形；用光刻胶做掩模，光刻出驱动电阻和拾振电阻的图形，采用离子注入工艺进行硼离子掺杂、在1000℃退火30分钟活化注入的硼离子形成具有压阻效应的敏感电阻，其方块电阻值为200欧姆(见图3-b)；
(c)用光刻胶做掩模，光刻出压阻引线孔图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成引线孔。溅射厚度在以上的铝薄膜，依次光刻、腐蚀、去胶，形成压阻引线。在480℃合金化30分钟与压阻形成欧姆接触。在硅片正面采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)工艺形成二氧化硅保护层，用光刻胶做掩模，光刻出保护层图形，用RIE(反应离子刻蚀)工艺去掉多余的氧化硅(见图3-c)；
(d)在硅片上涂光刻胶，光刻显影，蒸发50纳米厚的金薄膜，采用剥离工艺形成金薄膜图形，用于自组装生长选择性敏感膜(见图3-d)；
(e)用光刻胶做掩模，光刻形成悬臂梁结构图形，采用深反应离子刻蚀工艺正面刻蚀，形成悬臂梁结构。背面用光刻胶做掩模，双面光刻形成背面刻蚀图形，采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀体硅至SOI中间氧化层(见图3-e)；
(f)用缓冲氢氟酸腐蚀掉SOI中间氧化层，释放悬臂梁结构，完成悬臂梁器件制作(见图3-f)。
综上所述，本发明的主要优点是：
(1)结构简单，制作工艺与传统IC工艺兼容，便于集成；
(2)悬臂梁上的集成电阻可同时充当驱动电阻与自清洁热源，简化结构，同时不降低传感器性能；
(3)优化了驱动/检测电阻的排布方式以及驱动电流的选择，使谐振式传感器频率稳定性好，性能优秀；
(4)所述的微机械悬臂梁为直条形、变截面直条形、U型、T型、三角形或音叉型的规则形状；
(5)所述的驱动电阻具有自清洁功能，在每次检测完毕后，提高施加在驱动电阻上的电流的直流分量，使悬臂梁的温度提高，增大吸附物的解吸附速度。
附图说明
图1是利用单根集成加热电阻同时实现热驱动以及自清洗的微机械悬臂梁的示意图。
图2是ANSYS模拟的在悬臂梁固定端附近加热后悬臂梁的温度分布图。悬臂梁尺寸：300μm×100μm×3μm；驱动电阻阻值：2kΩ；施加电压：1V ac+0.9Vdc。
图3是本发明的硅微机械悬臂梁的制作工艺流程示意图。
其中：(a)SOI硅片氧化；(b)压阻制作；(c)引线孔刻蚀，引线与保护层制作；(d)蒸发金薄膜；(e)正面以及背面干法刻蚀；(f)悬臂梁结构释放。
图4是本发明的硅微机械悬臂梁的扫描电镜照片。
图5是采用本发明传感器进行链亲和素检验的实验结果(a)以及悬臂梁的频率稳定度(b)。
图6是采用本发明传感器进行饱和DMMP气体检验的实验结果：(a)为连续三次检测中间未使用自清洗功能的实验结果；(b)为连续三次检测中间插入90秒自清洗后的实验结果。
图中：
1-悬臂梁结构   2-驱动电阻    3-压敏电阻组成的惠斯通电桥
4-敏感膜       5-硅层        6-氧化硅层    7-铝导线
8-表面保护氧化硅层
具体实施方式
下面通过具体实施的器件为例，进一步阐明本发明的实质性特点和显著进步，但本发明并非仅限于所述实例。
实施例1：链亲和素生物传感器
以一个检测链亲和素的实施实例，详细说明本发明的传感器性能。
悬臂梁的扫描电镜照片如图4所示。其尺寸为300μm×100μm×3μm，驱动电阻大小为2.12kΩ，金薄膜大小为94μm×45μm×0.05μm。该传感器的工作原理如下：在金薄膜表面分子自组装形成一层GOPS(环氧丙氧基三甲氧基硅烷)薄膜，然后在悬臂梁的其余部分覆盖一层PEG(聚乙二醇)分子以抑制非特异性吸附，之后在GOPS薄膜上自组装生长生物素作为特异性吸附链亲和素的敏感膜。当传感器被浸入到含有链亲和素的溶液中时，链亲和素将被特异性吸附到敏感悬臂梁的表面，引起悬臂梁有效质量的增加。将传感器从检测液体中取出晾干，测量其谐振频率，与为浸入液体之前对比，会发现谐振频率下降。通过下降的大小变能推算出吸附的链亲和素的质量。
该悬臂梁的制作工艺流程如图3所示，并详述如下：
(a)采用(100)晶面的N型SOI(绝缘体上的硅)硅片，将顶层硅减薄至悬臂梁厚度，热氧化形成的氧化层(见图3-a)；
(b)用光刻胶做掩模，光刻出悬臂梁正面图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成悬臂梁图形；用光刻胶做掩模，光刻出驱动电阻和拾振电阻的图形，采用离子注入工艺进行硼离子掺杂、在1000℃退火30分钟活化注入的硼离子形成具有压阻效应的敏感电阻，其方块电阻值为200欧姆(见图3-b)；
(c)用光刻胶做掩模，光刻出压阻引线孔图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成引线孔。溅射厚度在以上的铝薄膜，依次光刻、腐蚀、去胶，形成压阻引线。在480℃合金化30分钟与压阻形成欧姆接触。在硅片正面采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)工艺形成二氧化硅保护层，用光刻胶做掩模，光刻出保护层图形，用RIE(反应离子刻蚀)工艺去掉多余的氧化硅(见图3-c)；
(d)在硅片上涂光刻胶，光刻显影，蒸发50-100纳米厚的金薄膜，采用剥离工艺形成金薄膜图形，用于自组装生长选择性敏感膜(见图3-d)；
(e)用光刻胶做掩模，光刻形成悬臂梁结构图形，采用深反应离子刻蚀工艺正面刻蚀，形成悬臂梁结构。背面用光刻胶做掩模，双面光刻形成背面刻蚀图形，采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀体硅至SOI中间氧化层(见图3-e)；
(f)用缓冲氢氟酸腐蚀掉SOI中间氧化层，释放悬臂梁结构，完成悬臂梁器件制作(见图3-f)。
图5是对浓度为60纳克/毫升的链亲和素溶液检测的结果。悬臂梁的谐振频率在检测前后变化了76Hz，经计算有大约114皮克(10^-12克)的链亲和素吸附在敏感膜上。在器件中，质量检测分辨率是该悬臂梁传感器的重要性能指标，而谐振频率的稳定度是反映该指标的重要因素。由于对悬臂梁采用了优化设计，本发明的传感器有较高的性能。从图5中可以看到该悬臂梁传感器的频率稳定度在±0.1Hz左右，利用艾伦变量进行分析，可得到其质量检测分辨率为130飞克(10^-15克)。
实施例2：DMMP化学传感器
本实施例通过检测饱和DMMP(甲基膦酸二甲酯)气体为例，详细说明本发明在化学气体检测方面的应用以及自清洁功能。
DMMP是沙林毒气的模拟剂。沙林是一种危害性极大的危险品，曾被用作恐怖袭击，造成过严重的后果。有效的检测沙林毒气，将为机场、车站、港口、海关等交通枢纽和重要地点的安检和反恐提供技术支持，对保障公共安全具有重要意义。
该传感器的各个设计与实施实例1相同，所不同的是在金薄膜上淀积的敏感膜不同。该传感器是在金薄膜上首先生长一层超枝化聚合物，然后在其上生长对DMMP敏感的头基。器件的制作工艺叙述如下：
(a)采用(100)晶面的N型SOI(绝缘体上的硅)硅片或(110)晶面的P型SOI硅片，将顶层硅减薄至悬臂梁厚度，热氧化形成的氧化层(见图3-a)；
(b)用光刻胶做掩模，光刻出悬臂梁正面图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成悬臂梁图形；用光刻胶做掩模，光刻出驱动电阻和拾振电阻的图形，采用离子注入工艺进行硼离子掺杂、在1000℃退火30分钟活化注入的硼离子形成具有压阻效应的敏感电阻，其方块电阻值为200欧姆(见图3-b)；
(c)用光刻胶做掩模，光刻出压阻引线孔图形，用缓冲氢氟酸腐蚀掉氧化硅形成引线孔。溅射厚度在以上的铝薄膜，依次光刻、腐蚀、去胶，形成压阻引线。在480℃合金化30分钟与压阻形成欧姆接触。在硅片正面采用PECVD(等离子增强化学气相沉积)工艺形成二氧化硅保护层，用光刻胶做掩模，光刻出保护层图形，用RIE(反应离子刻蚀)工艺去掉多余的氧化硅(见图3-c)；
(d)在硅片上涂光刻胶，光刻显影，蒸发50-100纳米厚的金薄膜，采用剥离工艺形成金薄膜图形，用于自组装生长选择性敏感膜(见图3-d)；
(e)用光刻胶做掩模，光刻形成悬臂梁结构图形，采用深反应离子刻蚀工艺正面刻蚀，形成悬臂梁结构。背面用光刻胶做掩模，双面光刻形成背面刻蚀图形，采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀体硅至SOI中间氧化层(见图3-e)；
(f)用缓冲氢氟酸腐蚀掉SOI中间氧化层，释放悬臂梁结构，完成悬臂梁器件制作(见图3-f)。
图6是对浓度为40ppm的饱和DMMP气体进行连续三次检测的结果。其中驱动电流为优化的1V ac+0.9V dc。图6(a)与图6(b)不同之处在于图6(b)中在每两次检测之间使用了加热电阻的自清洁功能，即当传感器从检测气体中拿出后，将驱动电流的直流部分由原来的0.9V提高到13V持续90秒，这样就将悬臂梁的温度由原来的25℃提高到45℃左右。在这个温度下，DMMP的解吸附会大幅增加。从图6中可以看出，未使用自清洁功能的时候，三次测试谐振频率的变化分别为1759Hz，1480Hz和1401Hz，变化越来越少。另外每次检测完毕后谐振频率的基线也没有回复到原来的位置。这些都说明吸附的DMMP气体并没有完全的解吸附，还有部分残留在悬臂梁上。当每次测试后使用自清洁功能后，三次测试频率变化基本相同，并且基线也能回到原来的位置。说明自清洁功能可以加速信号的回复，有利于快速重复检测。