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1、10申请公布号CN104054161A43申请公布日20140917CN104054161A21申请号201380005859522申请日20130115201200814820120118JPH01L21/301200601H01L21/6020060171申请人日东电工株式会社地址日本大阪府72发明人志贺豪士浅井文辉高本尚英74专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所普通合伙11277代理人刘新宇李茂家54发明名称倒装芯片型半导体装置的制造方法57摘要本发明的目的在于提供以能辨识的状态赋予了各种信息的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其为工序简化的制造方法。一种倒装芯片型半导体装置的制造方法。
2、，其特征在于，包括以下工序工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割前述半导体晶圆；以及，工序C，对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记，其中，前述工序C的倒装芯片型半导体背面用薄膜是未固化的。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014071786PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0505802013011587PCT国际申请的公布数据WO2013/108755JA2013072551INTCL权利要求书1页说明书25页附图2页19中华人民共和国国家知识产权。
3、局12发明专利申请权利要求书1页说明书25页附图2页10申请公布号CN104054161ACN104054161A1/1页21一种倒装芯片型半导体装置的制造方法，其特征在于，其包括以下工序工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割所述半导体晶圆；以及工序C，对所述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记，其中，所述工序C的倒装芯片型半导体背面用薄膜是未固化的。2根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其中，所述半导体背面用薄膜由包含环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物形成，并且，相对。
4、于100重量份所述树脂组合物，环氧树脂、酚醛树脂的总量为25重量份以下。3根据权利要求1或2所述的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其中，相对于100重量份树脂组合物，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有00110重量份的着色剂。4一种倒装芯片型半导体装置，其是利用权利要求13中的任一项所述的制造方法而得到的。权利要求书CN104054161A1/25页3倒装芯片型半导体装置的制造方法技术领域0001本发明涉及倒装芯片型半导体装置的制造方法及利用该方法得到的倒装芯片型半导体装置。背景技术0002近年来，越来越需要半导体装置及其封装体薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，广泛利用半导体芯片。
5、等半导体元件通过倒装芯片接合法安装到基板上的倒装芯片连接的倒装芯片型半导体装置。0003该倒装芯片连接是以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定的。在这种半导体装置等中，半导体芯片的背面有时用保护薄膜保护，防止半导体芯片的损伤等。0004然而，为了用前述保护薄膜保护半导体芯片的背面，需要追加用于对在切割工序中获得的半导体芯片的背面贴附保护薄膜的新的工序。结果，工序数增加，制造成本等增加。另外，由于近年来的薄型化，在半导体芯片的拾取工序中，有时在半导体芯片上会产生损伤。因此，直到拾取工序为止，为了增加半导体晶圆或半导体芯片的机械强度，需要对它们进行加强。0005另外，一直以来，在所制。
6、造的半导体芯片、使用该半导体芯片制造的半导体装置上，出于产品管理等目的，需要以能辨识的状态对产品赋予各种信息例如产品编号等文字信息、二维码等图形信息。0006此外，作为半导体芯片的制造方法，已知包括如下工序的方法将保护膜形成层与剥离片剥离的工序；利用加热或能量射线照射使保护膜形成层固化的工序；根据单位电路对半导体晶圆和保护膜形成层进行切割的工序例如，参见专利文献1和2。然而，在专利文献1、2所记载的方法中，想要对该半导体芯片赋予各种信息时，需要在使保护膜形成层固化之后进行。0007现有技术文献0008专利文献0009专利文献1日本特开2002280329号公报0010专利文献2日本特开2004。
7、260190号公报发明内容0011发明要解决的问题0012本发明的目的在于提供以能辨识的状态赋予了各种信息的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其为工序简化的制造方法。0013用于解决问题的方案0014本申请发明人等发现通过如下的制造方法能够达成前述目的，从而完成了本发明，所述制造方法包括以下工序工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶说明书CN104054161A2/25页4圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割前述半导体晶圆；以及，工序C，对未固化的倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记。0015由此，在本发明的制造方法中。
8、，在工序C之前不包括使倒装芯片型半导体背面用薄膜固化的工序，因此能够简化制造工序。另外，关于利用本发明的制造方法得到的倒装芯片型半导体装置，其是半导体元件被保护、并且对使用该半导体元件制造的倒装芯片安装的半导体装置以能辨识的状态赋予了各种信息的半导体装置。0016前述半导体背面用薄膜由包含环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物形成，并且，相对于100重量份前述树脂组合物包含树脂、填料、着色剂的除溶剂以外的全部成分，环氧树脂、酚醛树脂的总量优选为25重量份以下。0017前述倒装芯片型半导体背面用薄膜在未固化状态下的弹性模量优选为10MPA10GPA、更优选为100MPA5GPA。通过将弹性模量设定为10。
9、GPA以下，能够充分确保与半导体晶圆的密合性。0018相对于100重量份树脂组合物包含树脂、填料、着色剂的除溶剂以外的全部成分，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜优选含有00110重量份的着色剂。通过将着色剂的含量设为001重量份以上，能够降低透光率，而且能够提高激光标记后的标记部与标记部以外的对比度。另一方面，通过将着色剂的含量设为10重量份以下，能够有效地发挥表现良好的对比度。0019另外，本发明涉及利用前述制造方法得到的倒装芯片型半导体装置。0020发明的效果0021根据本发明的倒装芯片型半导体装置的制造方法，能够提供以能辨识的状态赋予了各种信息的倒装芯片型半导体装置。另外，能够提供与现有的。
10、制造方法相比工序简化的制造方法。附图说明0022图1是示出能够在本发明中使用的、倒装芯片型半导体背面用薄膜层叠在切割带上而成的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的截面示意图。0023图2为示出本发明的倒装芯片型半导体装置的制造方法的一个例子的截面示意图。具体实施方式0024边参照附图边对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明，但本实施方式的制造方法并不限定于这些例子。图1是示出本发明的实施方式的倒装芯片型半导体背面用薄膜2以下也称为半导体背面用薄膜2层叠在切割带3上而成的切割带一体型半导体背面用薄膜1的一个例子的截面示意图。图2为示出使用前述切割带一体型半导体背面用薄膜1时的半导体装置的。
11、制造方法的截面示意图。其中，在本说明书中，图中省略了不需要说明的部分，另外，为了易于说明，有进行了放大或缩小等来图示的部分。0025本发明的半导体装置的制造方法包括以下工序工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于说明书CN104054161A3/25页5被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割前述半导体晶圆；以及，工序C，对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记。作为前述工序AC的顺序，只要工序A为最初即可，可以为工序A、工序B、工序C的顺序，也可以为工序A、工序C、工序B的顺序。另外，也可以包括除工序AC以外的工序，关。
12、于其它工序会在后文进行说明。以下，详细说明各工序。00261工序A0027在工序A中，将半导体背面用薄膜2层压到半导体晶圆4上。关于本发明中使用的半导体背面用薄膜2，如后所述，可以将半导体背面用薄膜2单独地粘贴到半导体晶圆上，但优选以层叠于切割带3上的切割带一体型半导体背面用薄膜1图1的形式粘贴到半导体晶圆4上。以下，对使用作为优选的方式的切割带一体型半导体背面用薄膜1时的层压方法进行说明。0028首先，如图2的A所示，适宜地剥离在切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜2上任意设置的隔离膜，将半导体晶圆4贴合到该半导体背面用薄膜2上，使其粘接保持并固定安装工序。此时，前述半导体背面用。
13、薄膜2处于未固化状态。此处，未固化状态与本说明书中定义的状态相同。另外，切割带一体型半导体背面用薄膜1贴合到半导体晶圆4的背面上。半导体晶圆4的背面是指与电路面相反一侧的面也称为非电路面，非电极形成面等。对贴合方法没有特别限定，利用压接的方法是优选的。压接通常边通过压接辊等按压构件按压边进行。以下，详细说明工序A中使用的半导体背面用薄膜2等。002911倒装芯片型半导体背面用薄膜0030本发明中使用的半导体背面用薄膜2具有薄膜状的形态。一直以来已知的半导体背面用薄膜需要在晶圆贴合后使半导体背面用薄膜固化，但本发明中使用的半导体背面用薄膜2可以在不事先进行固化的条件下进行激光标记、自切割带的剥离。
14、、回流焊工序。0031前述半导体背面用薄膜2可以由树脂组合物形成，可以由包含热塑性树脂和热固化性树脂的树脂组合物、未使用热固化性树脂的热塑性树脂组合物、未使用热塑性树脂的热固化性树脂组合物构成。0032作为前述热塑性树脂，例如可列举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯醋酸乙酯共聚物、乙烯丙烯酸共聚物、乙烯丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6、尼龙6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚对苯二甲酸丁二醇酯PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或将两种以上组合使用。其中，从离子性。
15、杂质少且耐热性高、可确保半导体元件的可靠性的观点出发，特别优选丙烯酸类树脂。0033对前述丙烯酸类树脂没有特别限制，可列举出以一种或两种以上具有碳数30以下优选碳数118，更优选碳数110，特别优选碳数15的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯为成分的聚合物等。即，在本发明中，丙烯酸类树脂是也包括甲基丙烯酸类树脂的广义上的丙烯酸类树脂。作为前述烷基，例如，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基说明书CN104054161A4/25页。
16、6等。0034另外，作为用于形成前述丙烯酸类树脂的其它单体，只要是除前述具有碳数30以下的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯以外的单体就没有特别限定。具体而言，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；甲基丙烯酸2羟乙酯、甲基丙烯酸2羟丙酯、甲基丙烯酸4羟丁酯、甲基丙烯酸6羟己酯、甲基丙烯酸8羟辛酯、甲基丙烯酸10羟癸酯、甲基丙烯酸12羟基月桂酯或丙烯酸4羟甲基环己基甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2甲基丙烯酰胺2甲基丙磺酸、甲基丙烯酰胺丙磺酸、磺基丙基甲基丙烯酸酯或甲基丙烯酰氧基萘磺酸。
17、等含磺酸基单体；或者，2羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体等。需要说明的是，甲基丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本说明书中的甲基全部为同样的意思。0035另外，作为前述热固化性树脂，除了环氧树脂、酚醛树脂以外，还可列举出氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。热固化性树脂可以单独使用或将两种以上组合使用。作为热固化性树脂，尤其，腐蚀半导体元件的离子性杂质等的含量少的环氧树脂是适宜的。另外，作为环氧树脂的固化剂，可适宜使用酚醛树脂。0036作为环氧树脂，没有特别限定，例如可以使用双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双。
18、酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四羟基苯基甲烷型环氧树脂等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂或缩水甘油胺型环氧树脂等环氧树脂。其中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四羟基苯基乙烷型环氧树脂。这是因为，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。0037进而，前述酚醛树脂作为前述环氧树脂的固化剂而发挥作用，例如可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂。
19、、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对氧基苯乙烯等聚氧基苯乙烯等。酚醛树脂可以单独使用或将两种以上组合使用。其中，从能够提高半导体装置的连接可靠性的观点出发，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。0038关于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如优选以相对于前述环氧树脂成分中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基为0520当量的方式进行配混，更优选为0812当量。0039在本发明中，可以使用环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适当选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或将两种以上组合。
20、使用。作为热固化促进催化剂，例如可以使用胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷硼系固化促进剂等。0040前述半导体背面用薄膜2优选由包含环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物形成，更优选由包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。前述树脂组合物由于离子性杂质少且耐热性高，因此可确保半导体元件的可靠性。关于包含环氧树脂、酚醛树脂说明书CN104054161A5/25页7和丙烯酸类树脂的树脂组合物的配混比，例如，相对于100重量份丙烯酸类树脂，环氧树脂和酚醛树脂的总量优选为10100重量份、更优选为1070重量份。通过使环氧树脂和酚醛树脂的总量在前述范围内，热固化。
21、前后的物性变化少，因此在工序C中能够将半导体背面用薄膜2在未固化状态进行激光标记。0041另外，相对于100重量份树脂组合物包含树脂、填料、着色剂的除溶剂以外的全部成分，前述环氧树脂、酚醛树脂的总量优选为25重量份以下，更优选为1025重量份。通过使环氧树脂和酚醛树脂的总量在树脂组合物中为前述范围内，高温下的弹性模量变高，能够不进行固化地进行伴有热的过程例如激光标记处理。另外，激光标记性辨识性也优异。另一方面，环氧树脂的配混比例变高时，由于高温下的弹性模量降低，因此存在变得难以在固化前进行前述伴有热的过程的倾向。另外，环氧树脂和酚醛树脂的总量超过25重量份时，前述激光标记处理伴有热的过程后的树。
22、脂的反应会导致无法保持激光加工而成的形状，存在激光标记性辨识性变差的倾向。进而，环氧树脂和酚醛树脂的总量超过25重量份时，存在产生切割毛刺的倾向，故不优选。0042半导体背面用薄膜2对于半导体晶圆4的背面电路未形成面具有粘接性密合性是重要的。0043半导体背面用薄膜2对半导体晶圆4的粘接力23，剥离角度180，剥离速度300MM/分钟优选为1N/10MM宽度以上、更优选为2N/10MM宽度以上、进一步优选为4N/10MM宽度以上。另外，作为上限值没有特别限定，优选为10N/10MM宽度以下、更优选为8N/10MM宽度以下。通过设定为1N/10MM宽度以上，其会以优异的密合性在半导体晶圆、半导体。
23、元件上贴合，能够防止浮起等的发生。另外，还可以防止在切割半导体晶圆时发生芯片飞溅。需要说明的是，半导体背面用薄膜2对半导体晶圆的前述粘接力例如为如下所述地测定得到的值。00440045在半导体背面用薄膜2的一个面上贴附粘合带商品名“BT315”日东电工株式会社制造进行背面加强。然后，在50下使2KG的辊往复一次而利用热层压法将厚度06MM的半导体晶圆4粘贴到背面加强的长度150MM、宽度10MM的半导体背面用薄膜2的表面。然后，在热板上50静置2分钟后，在常温23左右下静置20分钟。静置后，使用剥离试验机商品名“AUTOGRAPHAGSJ”、株式会社岛津制作所制造，在温度23下、在剥离角度18。
24、0、拉伸速度300MM/MIN的条件下剥离背面加强的半导体背面用薄膜2。前述粘接力为此时在半导体背面用薄膜与半导体晶圆的界面进行剥离并测定得到的值N/10MM宽度。0046另外，在前述树脂组合物中，优选添加有可与聚合物的分子链末端的官能团等进行反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，可以提高高温下的粘接特性，实现耐热性的改善。对前述交联剂没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，例如，异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。作为交。
25、联剂，异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂是适宜的。另外，前述交联剂可以单独使用或将两种以上组合使用。0047作为前述异氰酸酯系交联剂，例如可列举出1,2亚乙基二异氰酸酯、1,4亚丁说明书CN104054161A6/25页8基二异氰酸酯、1,6六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；环亚戊基二异氰酸酯、环亚己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4甲苯二异氰酸酯、2,6甲苯二异氰酸酯、4,4二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外也可以使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物日本聚氨酯工业株式会社制造。
26、，商品名“CORONATEL”、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物日本聚氨酯工业株式会社制造，商品名“CORONATEHL”等。0048另外，作为前述环氧系交联剂，例如可列举出N,N,N,N四缩水甘油基间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3双N,N缩水甘油基氨基甲基环己烷、1,6己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水。
27、甘油基三2羟乙基异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚S二缩水甘油醚、以及分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。0049需要说明的是，对交联剂的用量没有特别限制，可以根据所要交联的程度适当选择。具体而言，作为交联剂的用量，例如相对于100重量份聚合物成分尤其是具有分子链末端的官能团的聚合物优选为7重量份以下、更优选为0057重量份。交联剂的用量相对于100重量份聚合物成分多于7重量份时，存在粘接力降低的倾向。此外，从提高内聚力的观点出发，交联剂的用量相对于100重量份聚合物成分优选为005重量份以上。0050需要说明的是，在本发明中，还可以代替使用交联剂而通过照射电子束、紫外线等实施交联处理。
28、、或者使用交联剂并且通过照射电子束、紫外线等实施交联处理。0051前述半导体背面用薄膜2优选进行着色。由此，可以发挥优异的标记性和外观性，能够形成具有附加值的外观的半导体装置。由此，着色的半导体背面用薄膜2由于具有优异的标记性，因此可以在半导体元件或使用该半导体元件的半导体装置的非电路面側的表面上介由半导体背面用薄膜2、通过利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法而施以标记、赋予文字信息、图形信息等各种信息。尤其，通过控制着色的颜色，可以以优异的辨识性辨识到通过标记赋予的信息文字信息、图形信息等。由此，半导体背面用薄膜2被着色时，能够容易地区别切割带与半导体背面用薄膜2，能够提高操作性等，故而。
29、优选。进而，例如作为半导体装置，还可以根据不同的产品而进行颜色区分。使半导体背面用薄膜2有色时非无色/透明的情况，作为通过着色呈现的颜色，没有特别限制，但例如优选为黑色、蓝色、红色等深色，尤其优选为黑色。0052在本实施方式中，深色基本上是指用LAB色度体系规定的L为60以下060的深颜色。前述L优选为50以下050、更优选为40以下040。0053另外，黑色基本上是指用LAB色度体系规定的L为35以下035的黑色系颜色。前述L优选为30以下030、更优选为25以下025。需要说明的是，在黑色中，用LAB色度体系规定的A、B可以分别根据L值来适当选择。作为A、B，例如，二者均优选为1010，更。
30、优选为55，特别为33的范围尤其优选为0或大致为0是适宜的。说明书CN104054161A7/25页90054需要说明的是，在本实施方式中，用LAB色度体系规定的L、A、B是通过使用色彩色差计商品名“CR200”MINOLTA株式会社制造；色彩色差计测定而求出的。其中，LAB色度体系是国际照明委员会CIE在1976年推荐的色度空间，是指称之为CIE1976LAB色度体系的色度空间。另外，LAB色度体系在日本工业标准中被规定在JISZ8729中。0055在将半导体背面用薄膜2着色时，可以根据目标颜色使用色材着色剂。作为这种色材，可适宜使用黑色系色材、蓝色系色材、红色系色材等各种深色系色材，尤其优。
31、选黑色系色材。作为色材，为颜料、染料等均可。色材可以单独使用或将两种以上组合使用。其中，作为染料，酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等中的任意形态的染料均可使用。另外，对颜料的形态也没有特别限制，可以从公知的颜料中适当选择使用。0056尤其，使用染料作为色材时，由于形成了染料通过溶解而均匀或大致均匀地分散在半导体背面用薄膜中的状态，因此，可以容易地制造着色浓度均匀或基本均匀的半导体背面用薄膜2进而容易地制造切割带一体型半导体背面用薄膜。因此，使用染料作为色材时，切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜2可以使着色浓度均匀或大致均匀，可以提高标记性、外观性。0057作为黑。
32、色系色材，没有特别限制，例如，可以从无机的黑色系颜料、黑色系染料中适当选择。另外，作为黑色系色材，可以是青色系色材蓝绿色系色材、品红系色材红紫色系色材以及黄色系色材黄系色材混合而成的色材混合物。黑色系色材可以单独使用或将两种以上组合使用。当然，黑色系色材还可以与黑色以外的颜色的色材组合使用。0058具体而言，作为黑色系色材，例如，可列举出炭黑炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑、灯黑等、石墨GRAPHITE、氧化铜、二氧化锰、偶氮系颜料偶氮甲碱偶氮黑等、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体非磁性铁素体、磁性铁素体等、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色。
33、色素等。0059在本发明中，作为黑色系色材，还可以利用染料索引CI溶剂黑3、CI溶剂黑7、CI溶剂黑22、CI溶剂黑27、CI溶剂黑29、CI溶剂黑34、CI溶剂黑43、CI溶剂黑70，CI直接黑17、CI直接黑19、CI直接黑22、CI直接黑32、CI直接黑38、CI直接黑51、CI直接黑71，CI酸性黑1、CI酸性黑2、CI酸性黑24、CI酸性黑26、CI酸性黑31、CI酸性黑48、CI酸性黑52、CI酸性黑107、CI酸性黑109、CI酸性黑110、CI酸性黑119、CI酸性黑154，CI分散黑1、CI分散黑3、CI分散黑10、CI分散黑24等黑色系染料；CI颜料黑1、CI颜料黑7等黑色。
34、系颜料等。0060作为这种黑色系色材，例如，商品名“OILBLACKBY”、商品名“OILBLACKBS”、商品名“OILBLACKHBB”、商品名“OILBLACK803”、商品名“OILBLACK860”、商品名“OILBLACK5970”、商品名“OILBLACK5906”、商品名“OILBLACK5905”ORIENTCHEMICALINDUSTRIESCO,LTD制造等有市售。0061作为黑色系色材以外的色材，例如，可列举出青色系色材、品红系色材、黄色系色材等。作为青色系色材，例如，可列举出CI溶剂蓝25、CI溶剂蓝36、CI溶剂蓝60、CI溶剂蓝70、CI溶剂蓝93、CI溶剂蓝95。
35、；CI酸性蓝6、CI酸性蓝45等青色系染料；CI颜料蓝1、CI颜料蓝2、CI颜料蓝3、CI颜料蓝15、CI颜料蓝151、说明书CN104054161A8/25页10CI颜料蓝152、CI颜料蓝153、CI颜料蓝154、CI颜料蓝155、CI颜料蓝156、CI颜料蓝16、CI颜料蓝17、CI颜料蓝171、CI颜料蓝18、CI颜料蓝22、CI颜料蓝25、CI颜料蓝56、CI颜料蓝60、CI颜料蓝63、CI颜料蓝65、CI颜料蓝66；CI还原蓝VATBLUE4、CI还原蓝60；CI颜料绿7等青色系颜料等。0062另外，在品红系色材中，作为品红系染料，例如，可列举出CI溶剂红1、CI溶剂红3、CI溶剂。
36、红8、CI溶剂红23、CI溶剂红24、CI溶剂红25、CI溶剂红27、CI溶剂红30、CI溶剂红49、CI溶剂红52、CI溶剂红58、CI溶剂红63、CI溶剂红81、CI溶剂红82、CI溶剂红83、CI溶剂红84、CI溶剂红100、CI溶剂红109、CI溶剂红111、CI溶剂红121、CI溶剂红122；CI分散红9；CI溶剂紫8、CI溶剂紫13、CI溶剂紫14、CI溶剂紫21、CI溶剂紫27；CI分散紫1；CI碱性红1、CI碱性红2、CI碱性红9、CI碱性红12、CI碱性红13、CI碱性红14、CI碱性红15、CI碱性红17、CI碱性红18、CI碱性红22、CI碱性红23、CI碱性红24、CI。
37、碱性红27、CI碱性红29、CI碱性红32、CI碱性红34、CI碱性红35、CI碱性红36、CI碱性红37、CI碱性红38、CI碱性红39、CI碱性红40；CI碱性紫1、CI碱性紫3、CI碱性紫7、CI碱性紫10、CI碱性紫14、CI碱性紫15、CI碱性紫21、CI碱性紫25、CI碱性紫26、CI碱性紫27、CI碱性紫28等。0063在品红系色材中，作为品红系颜料，例如，可列举出CI颜料红1、CI颜料红2、CI颜料红3、CI颜料红4、CI颜料红5、CI颜料红6、CI颜料红7、CI颜料红8、CI颜料红9、CI颜料红10、CI颜料红11、CI颜料红12、CI颜料红13、CI颜料红14、CI颜料红1。
38、5、CI颜料红16、CI颜料红17、CI颜料红18、CI颜料红19、CI颜料红21、CI颜料红22、CI颜料红23、CI颜料红30、CI颜料红31、CI颜料红32、CI颜料红37、CI颜料红38、CI颜料红39、CI颜料红40、CI颜料红41、CI颜料红42、CI颜料红481、CI颜料红482、CI颜料红483、CI颜料红484、CI颜料红49、CI颜料红491、CI颜料红50、CI颜料红51、CI颜料红52、CI颜料红522、CI颜料红531、CI颜料红54、CI颜料红55、CI颜料红56、CI颜料红571、CI颜料红58、CI颜料红60、CI颜料红601、CI颜料红63、CI颜料红31、C。
39、I颜料红632、CI颜料红64、CI颜料红641、CI颜料红67、CI颜料红68、CI颜料红81、CI颜料红83、CI颜料红87、CI颜料红88、CI颜料红89、CI颜料红90、CI颜料红92、CI颜料红101、CI颜料红104、CI颜料红105、CI颜料红106、CI颜料红108、CI颜料红112、CI颜料红114、CI颜料红122、CI颜料红123、CI颜料红139、CI颜料红144、CI颜料红146、CI颜料红147、CI颜料红149、CI颜料红150、CI颜料红151、CI颜料红163、CI颜料红166、CI颜料红168、CI颜料红170、CI颜料红171、CI颜料红172、CI颜料红。
40、175、CI颜料红176、CI颜料红177、CI颜料红178、CI颜料红179、CI颜料红184、CI颜料红185、CI颜料红187、CI颜料红190、CI颜料红193、CI颜料红202、CI颜料红206、CI颜料红207、CI颜料红209、CI颜料红219、CI颜料红222、CI颜料红224、CI颜料红238、CI颜料红245；CI颜料紫3、CI颜料紫9、CI颜料紫19、CI颜料紫23、CI颜料紫31、CI颜料紫32、CI颜料紫33、CI颜料紫36、CI颜料紫38、CI颜料紫43、CI颜料紫50；CI还原红1、CI还原红2、CI还原红10、说明书CN104054161A109/25页11CI。
41、还原红13、CI还原红15、CI还原红23、CI还原红29、CI还原红35等。0064另外，作为黄色系色材，例如，可列举出CI溶剂黄19、CI溶剂黄44、CI溶剂黄77、CI溶剂黄79、CI溶剂黄81、CI溶剂黄82、CI溶剂黄93、CI溶剂黄98、CI溶剂黄103、CI溶剂黄104、CI溶剂黄112、CI溶剂黄162等黄色系染料；CI颜料橙31、CI颜料橙43；CI颜料黄1、CI颜料黄2、CI颜料黄3、CI颜料黄4、CI颜料黄5、CI颜料黄6、CI颜料黄7、CI颜料黄10、CI颜料黄11、CI颜料黄12、CI颜料黄13、CI颜料黄14、CI颜料黄15、CI颜料黄16、CI颜料黄17、CI颜料。
42、黄23、CI颜料黄24、CI颜料黄34、CI颜料黄35、CI颜料黄37、CI颜料黄42、CI颜料黄53、CI颜料黄55、CI颜料黄65、CI颜料黄73、CI颜料黄74、CI颜料黄75、CI颜料黄81、CI颜料黄83、CI颜料黄93、CI颜料黄94、CI颜料黄95、CI颜料黄97、CI颜料黄98、CI颜料黄100、CI颜料黄101、CI颜料黄104、CI颜料黄108、CI颜料黄109、CI颜料黄110、CI颜料黄113、CI颜料黄114、CI颜料黄116、CI颜料黄117、CI颜料黄120、CI颜料黄128、CI颜料黄129、CI颜料黄133、CI颜料黄138、CI颜料黄139、CI颜料黄147。
43、、CI颜料黄150、CI颜料黄151、CI颜料黄153、CI颜料黄154、CI颜料黄155、CI颜料黄156、CI颜料黄167、CI颜料黄172、CI颜料黄173、CI颜料黄180、CI颜料黄185、CI颜料黄195；CI还原黄1、CI还原黄3、CI还原黄20等黄色系颜料等。0065青色系色材、品红系色材、黄色系色材等各种色材可以各自单独使用或将两种以上组合使用。其中，将青色系色材、品红系色材、黄色系色材等各种色材使用两种以上时，对这些色材的混合比例或者配混比例没有特别限制，可以根据各种色材的种类、目标颜色等适当选择。0066相对于100重量份树脂组合物包含树脂、填料、着色剂的除溶剂以外的全部。
44、成分，前述着色剂的含量优选为00110重量份、更优选为058重量份、进一步优选为15重量份。通过将前述含量设为001重量份以上，能够降低透光率，而且能够提高激光标记后的标记部与标记部以外的对比度。需要说明的是，半导体背面用薄膜2可以为单层也可以为由多个层层叠而成的层叠薄膜，层叠薄膜的情况下，前述着色剂的含量在层叠薄膜整体中为00110重量份的范围内即可。0067在使半导体背面用薄膜2着色时，对其着色形式没有特别限制。例如，半导体背面用薄膜2可以为添加有着色剂的单层的薄膜状物，也可以为至少将由至少热固化性树脂形成的树脂层、着色剂层层叠而成的层叠薄膜。需要说明的是，半导体背面用薄膜2为树脂层与着色。
45、剂层的层叠薄膜时，作为层叠形态的半导体背面用薄膜2，优选具有树脂层/着色剂层/树脂层的层叠形态。在该情况下，着色剂层两侧的2个树脂层可以是相同组成的树脂层，也可以是不同组成的树脂层。0068本发明中使用的半导体背面用薄膜2的未固化状态下的23下的拉伸储能模量优选为10MPA10GPA、更优选为100MPA5GPA、进一步优选为100MPA3GPA、进一步优选为100MPA1GPA、特别优选为100MPA07GPA。通过将弹性模量设为10GPA以下，能够充分确保与半导体晶圆的密合性。0069此处，半导体背面用薄膜2可以为单层，也可以为由多个层层叠而成的层叠薄膜，层叠薄膜的情况下，前述未固化状态下。
46、的23下的储能模量在层叠薄膜整体中为前述范围说明书CN104054161A1110/25页12内即可。另外，半导体背面用薄膜的未固化状态下的前述拉伸储能模量23可以通过树脂成分热塑性树脂、热固化性树脂的种类、其含量、二氧化硅填料等填料的种类、其含量等来控制。0070需要说明的是，前述拉伸储能模量为如下的值不层叠于切割带3地制作未固化状态的半导体背面用薄膜2，使用RHEOMETRIC公司制造的动态粘弹性测定装置“SOLIDANALYZERRSA2”，在拉伸模式下，在样品宽度10MM、样品长度225MM、样品厚度02MM下，在频率1HZ、升温速度10/分钟、氮气气氛下、规定温度23下进行测定，从而。
47、得到的拉伸储能模量的值。0071另外，本发明中使用的半导体背面用薄膜2的固化后的弹性模量优选为10M10GPA、更优选为100MPA5GPA、进一步优选为100MPA3GPA、特别优选为100MPA1GPA。需要说明的是，关于弹性模量的测定方法，在前述测定方法中，除了将半导体背面用薄膜2固化175、1小时之外，通过同样的方法进行测定。0072关于本发明中使用的半导体背面用薄膜2，波长532NM或1064NM下的透光率优选为20以下、更优选为15以下、进一步优选为10以下。作为透光率的下限值，没有特别限定，为0以上即可。通过使波长532NM或1064NM下的透光率为20以下，基于激光照射的加工性。
48、优异。另外，波长532NM或1064NM下的透光率为20以下时，激光难以透过，因此半导体元件特别是半导体元件的背面较少地暴露于激光。其结果，能够有效地防止对半导体元件产生不良影响，能够提高制造成品率。需要说明的是，半导体背面用薄膜2可以为单层也可以为由多个层层叠而成的层叠薄膜，层叠薄膜的情况下，前述透光率在层叠薄膜整体中为020的范围内即可。半导体背面用薄膜2的透光率可以通过以下方法求出。007300741不层叠于切割带地制作厚度平均厚度20M的半导体背面用薄膜。00752对该半导体背面用薄膜以规定的强度照射波长3001100NM的光线装置株式会社岛津制作所制造的可见光发生装置商品名“ABSO。
49、RPTIONSPECTROPHOTOMETR”。00763使用分光光度计株式会社岛津制作所制造的分光光度计“ABSORPTIONSPECTROPHOTOMETRUV2550”，测定透过的波长532NM和1064NM的光线的强度。00774根据波长532NM和1064NM的光线透过半导体背面用薄膜前后的强度的变化求出波长532NM和1064NM的透光率。0078需要说明的是，透光率的前述计算方法也可以应用于厚度不为20M的半导体背面用薄膜的透光率的计算。具体而言，根据比尔朗伯定律，可以如下所述地算出厚度20M时的吸光度A20。0079A20L20C10080式中，L20表示光程长度，表示吸光系数，C表示试样浓度。0081另外，厚度XM时的吸光度AX可以用下述式2表示。0082AXLXC20083进而，厚度20M时的吸光度A20可以用下述式3表示。0084A20LOG10T203说明书CN104054161A1211/25页130085式中，T20表示厚度20M时的透光率。0086根据前述式13，吸光度AX可以表示为0087AXA20LX/L200088LOG10T20LX/L200089由此，厚度XM时的透光率TX可以。