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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410586860.8 (22)申请日 2014.10.28 G03F 1/54(2012.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 申请人 北京京东方光电科技有限公司 (72)发明人 王德帅 王亮 (74)专利代理机构 北京同达信恒知识产权代理 有限公司 11291 代理人 黄志华 (54) 发明名称 一种掩模板 (57) 摘要 本发明涉及光刻技术领域， 公开一种掩模板， 该掩膜板包括透明基板， 所述透明基板上设有半 透膜层和挡光层以形成不透光区域、 半透光区域 和全透。
2、光区域， 所述透明基板上还设有位于所述 全透光区域周边的消光膜层、 以减弱所述全透光 区域周边透过的紫外光的强度。经过该掩膜板曝 光形成的过孔的大小受过孔周边的光刻胶的厚度 变化影响小。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (10)申请公布号 CN 104407496 A (43)申请公布日 2015.03.11 CN 104407496 A 1/1 页 2 1. 一种掩模板， 包括透明基板， 所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透光 区域、 半透光区域和全透光区域， 其特征在于， 所述透明基板上还设有。
3、位于所述全透光区域 周边的消光膜层、 以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。 2. 根据权利要求 1 所述的掩模板， 其特征在于， 所述消光膜层位于所述半透膜层背离 所述透明基板的一侧。 3. 根据权利要求 1 所述的掩模板， 其特征在于， 所述消光膜层为用于将透过其厚度方 向的紫外光的相位延迟半个波长的反相膜。 4. 根据权利要求 3 所述的掩模板， 其特征在于， 所述消光膜层为二分之一波片。 5. 根据权利要求 4 所述的掩模板， 其特征在于， 所述消光膜层通过粘结层贴附于所述 半透膜层上。 6. 根据权利要求 1 所述的掩模板， 其特征在于， 所述消光膜层为遮光层。 7. 根据权利。
4、要求 6 所述的掩模板， 其特征在于， 所述遮光层为金属铬膜层。 8.根据权利要求17任一项所述的掩模板， 其特征在于， 所述消光膜层为封闭环形结 构， 且沿平行于透明基板的方向， 所述环形消光膜层的内侧边与外侧边之间的间距为 1 2um。 权 利 要 求 书 CN 104407496 A 2 1/3 页 3 一种掩模板 技术领域 0001 本发明涉及光刻技术领域， 特别涉及一种掩模板。 背景技术 0002 图1为现有大面积半透过掩模板曝光过程示意图， 如图1所示， 大面积半透过掩模 板包括金属 Cr 遮挡的不透光区域 A、 半透光区域 B、 全透光区域 C。通过常规半透膜掩模板 曝光后底层形。
5、成不同光刻胶 5 厚度。 0003 图 2 为图 1 中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图， 如图 2 所示， 不透光区域 A 对应的未进行曝光的光刻胶 5 厚度为 D， 半透光区域 B 曝光的光刻胶 5 厚度为 d， 60 为全透 光区域 C 形成的过孔图形。 0004 基板曝光显影后， 形成的过孔60周边的光刻胶5为半透光区域对应的光刻胶5， 曝 光时， 待形成过孔 60 的光刻胶 5 区域会受到其周边区域的紫外光 3 强度的影响， 导致最终 形成的过孔 60 大小受到很大影响， 由于过孔 60 周边区域的紫外光 3 强度直接导致过孔 60 周边的光刻胶 5 厚度变化， 所以过孔 60 的。
6、大小表现为受过孔 60 周边的光刻胶 5 的厚度变 化影响大。 发明内容 0005 本发明提供了一种掩模板， 通过该掩膜板曝光形成的过孔的大小受过孔周边的光 刻胶的厚度变化影响小。 0006 为达到上述目的， 本发明提供以下技术方案 ： 0007 一种掩模板， 包括透明基板， 所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透 光区域、 半透光区域和全透光区域， 所述透明基板上还设有位于所述全透光区域周边的消 光膜层、 以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。 0008 当紫外光通过上述掩膜板时， 位于全透光区域周边的消光膜层可以减弱全透光区 域周边透过的紫外光的强度， 即消光膜层可以使基板待形。
7、成过孔的周边受到的紫外光强度 减弱， 因此， 显影后形成的过孔受到其周边区域的紫外光强度的影响减小， 同时， 过孔周边 区域的光刻胶厚度变化减小， 因此， 表现为过孔的大小受到过孔周边的光刻胶的厚度变化 影响减小。 0009 因此， 通过上述掩膜板曝光显影形成的过孔的大小受过孔周边的光刻胶的厚度变 化影响小。 0010 优选地， 所述消光膜层位于所述半透膜层背离所述透明基板的一侧。 0011 优选地， 所述消光膜层为用于将透过其厚度方向的紫外光的相位延迟半个波长的 反相膜。 0012 优选地， 所述消光膜层为二分之一波片。 0013 优选地， 所述消光膜层通过粘结层贴附于所述半透膜层上。 00。
8、14 优选地， 所述消光膜层为遮光层。 说 明 书 CN 104407496 A 3 2/3 页 4 0015 优选地， 所述遮光层为金属铬膜层。 0016 优选地， 所述消光膜层为封闭环形结构， 且沿平行于透明基板的方向， 所述环形消 光膜层的内侧边与外侧边之间的间距为 1 2um。 附图说明 0017 图 1 为现有大面积半透过掩模板的曝光过程示意图 ； 0018 图 2 为图 1 中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图 ； 0019 图 3 为本发明实施例提供的一种掩模板的结构示意图 ； 0020 图 4 为图 3 中所示掩模板的曝光过程示意图 ； 0021 图 5 为图 4 中所示的基板。
9、显影后的光刻胶分布示意图 ； 0022 图 6 为本发明实施例提供的一种掩模板的消光膜层结构示意图。 具体实施方式 0023 下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完 整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例， 都属于本发明保护的范围。 0024 请参考图 3、 图 4、 图 5 和图 6， 图 3 为本发明实施例提供的一种掩模板的结构示意 图 ； 图4为图3中所示掩模板的曝光过程示意图 ； 图5为图4中所示的基板显影后的光刻。
10、胶 分布示意图 ； 图 6 为本发明实施例提供的一种掩模板的消光膜层结构示意图。 0025 如图3、 图4和图6所示， 本发明实施例提供了一种掩模板1， 包括透明基板8， 所述 透明基板 8 上设有半透膜层 7 和挡光层 9 以形成不透光区域 A、 半透光区域 B 和全透光区 域 C， 所述透明基板 8 上还设有位于所述全透光区域 C 周边的消光膜层 4、 以减弱所述全透 光区域 C 周边透过的紫外光 3 的强度。 0026 如图 4 和图 5 所示， 当紫外光 3 通过上述掩膜板 1 时， 位于全透光区域 C 周边的消 光膜层 4 可以减弱全透光区域 C 周边透过的紫外光 3 的强度， 即消。
11、光膜层 4 可以使基板 2 待形成过孔 6 的周边受到的紫外光 3 强度减弱， 因此， 显影后形成的过孔 6 受到其周边区域 的紫外光 3 强度的影响减小， 同时， 过孔 6 周边区域的光刻胶 5 厚度变化减小， 因此表现为， 过孔 6 的大小受到过孔 6 周边的光刻胶 5 的厚度变化影响减小。 0027 因此， 通过上述掩膜板 1 曝光显影形成的过孔 6 的大小受过孔 6 周边的光刻胶 5 的厚度变化影响小。 0028 如图 3 和图 6 所示， 一种具体的实施例中， 消光膜层 4 位于半透膜层 7 背离透明基 板 8 的一侧。 0029 一种优选的实施方式中， 消光膜层 4 为用于将透过其。
12、厚度方向的紫外光 3 的相位 延迟半个波长的反相膜 ； 紫外光 3 穿过过孔 6 周边的反相膜后， 相位变化了 180 度， 与穿过 反相膜之外的其它区域的紫外光3的相位相反， 因此， 通过反相膜的紫外光3与其他区域的 紫外光 3 由于干涉相抵消， 从而在曝光过程中， 通过反相膜的紫外光 3 强度可以减小为零， 以减弱所述全透光区域 4 周边透过的紫外光 3 的强度。优选地， 消光膜层 4 为二分之一波 片， 此时， 消光膜层 4 可以通过粘结层贴附于半透膜层 7 上。 说 明 书 CN 104407496 A 4 3/3 页 5 0030 另一种优选的实施方式中， 消光膜层 4 为遮光层 ；。
13、 遮光层不透光， 因此， 在曝光显 影过程中， 通过遮光层的紫外光3的强度可以减小为零， 以减弱全透光区域4周边透过的紫 外光 3 的强度。但是， 当消光膜层 4 为遮光层时， 掩模板 1 的全透光区域 C 的大小必须大于 曝光机的分辨率， 以防止发生衍射现象， 通常， 曝光机的分辨率为 4um。优选地， 遮光层为金 属铬膜层。 0031 如图 6 所示， 在上述各实施方式的基础上， 一种优选的实施例中， 位于全透光区域 C 周边的消光膜层 4 为封闭环形结构， 沿平行于透明基板 8 的方向， 环形消光膜层 4 的内侧 边与外侧边之间的间距 e 为 1 2um。 0032 显然， 本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发 明的精神和范围。这样， 倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术 的范围之内， 则本发明也意图包含这些改动和变型在内。 说 明 书 CN 104407496 A 5 1/2 页 6 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 104407496 A 6 2/2 页 7 图 4 图 5 图 6 说 明 书 附 图 CN 104407496 A 7 。