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1、(10)申请公布号 CN 102313613 A (43)申请公布日 2012.01.11 CN 102313613 A *CN102313613A* (21)申请号 201110223026.9 (22)申请日 2011.08.04 G01K 11/00(2006.01) (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路 3 号 (72)发明人 王建辉 刘新宇 王鑫华 庞磊 陈晓娟 袁婷婷 罗卫军 (74)专利代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 王建国 (54) 发明名称 一种测量 FET 沟道温度的装置及方法 (57) 摘要 本发明公开了一。
2、种测量 FET 沟道温度的装 置， 属于集成电路技术领域。 该装置将高低温探针 台和脉冲分析仪联用， 在 FET 漏端施加脉冲电压， 从而测量 FET 沟道温度 ； 该装置结构简单， 使用简 便、 快捷， 成本低廉。同时， 本发明还公开了利用 该装置测量 FET 沟道温度的方法， 该方法利用了 FET 沟道温度和 FET 耗散功率的变化关系， 简便、 快速 ； 该方法不需要使用数学方法进行拟合、 求 解和外推， 数据处理过程可以消除测量系统中的 系统误差， 从而提高测量的精度。并且， FET 沟道 温度和 FET 耗散功率的变化关系曲线可以用于分 析 FET 的热阻、 制定 FET 的散热策略。
3、、 确定 FET 加 速寿命条件。 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 6 页 CN 102313617 A1/2 页 2 1. 一种测量 FET 沟道温度的装置， 其特征在于， 包括高低温探针台， 脉冲分析仪， 以及， 第探针， 第探针、 第探针， FET 置于所述高低温探针台上， 所述脉冲分析仪利用所述 第探针在所述 FET 的栅端施加直流偏置电压， 所述脉冲分析仪利用所述第探针在所述 FET 的漏端施加脉冲电压， 所述 FET 的源端利用所述第探针与所述脉冲分析仪共同接地。 2. 基于权利要求 1 。
4、所述的装置的 FET 沟道温度的测量方法， 其特征在于， 包括 ： 选择在 FET 的栅端施加的直流偏置电压值 ； 维持高低温探针台的温度， 使之处于基准温度， 在 FET 的栅端施加所选择值的直流偏 置电压， 在 FET 的漏端施加脉冲电压， 连续改变所述脉冲电压的基准值， 使得 FET 耗散功率 连续改变， 利用脉冲分析仪得到通过 FET 的电流值 ； 在同一坐标系中， 以通过 FET 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压基准值为横坐标， 绘 制不同耗散功率条件下， 通过 FET 的电流值漏端脉冲电压基准值的平滑线散点图， 形成 第曲线簇， 所述第曲线簇中的每条曲线对应一个 FET 耗散功率。
5、 ； 在不同耗散功率条件下， 通过 FET 的电流值漏端脉冲电压值的平滑线散点图上， 作 垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的一条垂线， 描出所述垂线与第曲线簇中的各条曲线的交 点， 确定各交点对应的通过 FET 的电流值， 以 FET 耗散功率为纵坐标， 以通过 FET 的电流值 为横坐标， 绘制 FET 耗散功率通过 FET 的电流值的平滑线散点图 ； 维持施加在FET漏端的脉冲电压的基准值， 使之处于0V， 在FET的栅端施加所选择值的 直流偏置电压， 在 FET 的漏端施加脉冲电压， 利用高低温探针台的温度控制装置， 连续改变 高低温探针台的温度， 并使得 FET 沟道温度达到高低温探针台的温。
6、度， 利用脉冲分析仪得 到通过 FET 的电流值 ； 在同一坐标系中， 以通过 FET 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压值为横坐标， 绘制不 同FET沟道温度条件下， 通过FET的电流值漏端脉冲电压值的平滑线散点图， 形成第曲 线簇， 所述第曲线簇中的每条曲线对应一个 FET 沟道温度 ； 在不同 FET 沟道温度条件下， 通过 FET 的电流值漏端脉冲电压值的平滑散点图上， 作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的一条垂线， 描出所述垂线与第曲线簇中各条曲线的交 点， 确定各交点对应的通过 FET 的电流值， 以 FET 沟道温度为纵坐标， 以通过 FET 的电流值 为横坐标， 绘制 FET 沟道温。
7、度通过 FET 的电流值的平滑线散点图 ； 将 FET 耗散功率通过 FET 的电流值的曲线， FET 沟道温度通过 FET 的电流值的曲 线绘制在同一坐标系中， 得到横坐标为通过 FET 的电流值， 纵坐标分别为 FET 沟道温度， 以 及， FET 耗散功率的双纵坐标平滑线散点图 ； 利用所述双纵坐标平滑线散点图， 以通过 FET 的电流值为媒介， 建立 FET 沟道温度与 FET耗散功率之间的关系， 以FET沟道温度为纵坐标， 以FET耗散功率为横坐标， 绘制FET沟 道温度FET 耗散功率的平滑线散点图 ； 当已知 FET 耗散功率时， 即能够在所述 FET 沟道温度FET 耗散功率的。
8、平滑线散点图 的曲线上描出一个定点， 所述定点的纵坐标即为 FET 沟道温度。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述选择在FET的栅端施加的直流偏置电 压值包括 ： 设定高低温探针台的基准温度 ； 当高低温探针台的温度升至所述基准温度时， 连续改变施加在 FET 栅端的直流偏置电 权 利 要 求 书 CN 102313613 A CN 102313617 A2/2 页 3 压值， 利用所述脉冲分析仪得到通过 FET 的饱和电流值 ； 在同一坐标系中， 以通过 FET 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压为横坐标， 绘制施加 于 FET 栅端的直流偏置电压值不同的条件下， 通过 FE。
9、T 的电流值漏端脉冲电压值的平滑 线散点图， 所述通过 FET 的电流值漏端脉冲电压值的平滑线散点图中的每条曲线对应一 个直流偏置电压值 ； 根据所得通过 FET 的电流值漏端脉冲电压值的平滑线散点图， 选择在 FET 的栅端施 加的直流偏置电压值。 4. 根据权利要求 2 或 3 所述的方法， 其特征在于， 所述高低温探针台内充有 N2。 5. 根 据 权 利 要 求 2 或 3 所 述 的 方 法，其 特 征 在 于，在 FET 的 栅 端 施 加 的 直 流 偏 置 电 压 值 为 使 通 过 FET 的 电 流 值 为 通 过 FET 的 最 大 饱 和 电 流 值 时的电压值。 6.。
10、根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述脉冲电压为从0V以1V为间隔变化至 15V 的阶梯状方波， 所述阶梯状方波的占空比为， 变化频率为 1KHz。 7.根据权利要求2或6所述的方法， 其特征在于， 所述连续改变所述脉冲电压的基准值 时， 所述脉冲电压的基准值从 0V 以 1V 为间隔变化至 15V。 8. 根据权利要求 2 所述的方法， 其特征在于， 所述连续改变高低温探针台的温度时， 所 述高低温探针台的温度从 25开始， 以 25为间隔变化至 200。 9. 根据权利要求 2 所述的方法， 其特征在于， 所述作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的 垂线时， 垂足处的漏端脉冲电压值为 10。
11、V。 10. 根据权利要求 2 所述的方法， 其特征在于， 所述建立 FET 沟道温度与 FET 耗散功率 之间的关系时， FET 沟道温度和 FET 耗散功率是在所述双纵坐标平滑线散点图中， 选定的通 过 FET 的电流值分别对应的 FET 沟道温度和 FET 耗散功率。 权 利 要 求 书 CN 102313613 A CN 102313617 A1/6 页 4 一种测量 FET 沟道温度的装置及方法 技术领域 0001 本发明涉及集成电路技术领域， 特别涉及一种将高低温探针台和脉冲分析仪联用 并在 FET 漏端施加脉冲电压， 从而测量 FET 沟道温度的装置及方法。 背景技术 0002 。
12、沟道温度测量技术广泛应用于半导体器件的设计、 检测和使用过程中， 器件沟道 温度测量结果可用于设计器件结构， 制定散热方案、 确定器件工作条件和选择器件老化温 度等多个方面。现有的用于测量半导体器件沟道温度的方法及其优缺点如表 1 所示。 0003 表 1 现有的用于测量半导体器件沟道温度的方法及其优缺点 0004 发明内容 0005 为了解决上述问题， 本发明提出了一种的将高低温探针台和脉冲分析仪联用并在 FET 漏端施加脉冲电压， 从而测量 FET 沟道温度的装置及方法。 0006 本发明提供的测量 FET 沟道温度的装置包括高低温探针台， 脉冲分析仪， 以及， 第 I 探针， 第 II 。
13、探针、 第 III 探针， FET 置于所述高低温探针台上， 所述脉冲分析仪利用所述 第 I 探针在所述 FET 的栅端施加直流偏置电压， 所述脉冲分析仪利用所述第 II 探针在所述 FET 的漏端施加脉冲电压， 所述 FET 的源端利用所述第 III 探针与所述脉冲分析仪共同接 地。 0007 基于本发明提供的测量 FET 沟道温度的装置的 FET 沟道温度的测量方法包括 ： 0008 选择在 FET 的栅端施加的直流偏置电压值 ； 0009 维持高低温探针台的温度， 使之处于基准温度， 在 FET 的栅端施加所选择值的直 说 明 书 CN 102313613 A CN 102313617 。
14、A2/6 页 5 流偏置电压， 在 FET 的漏端施加脉冲电压， 连续改变所述脉冲电压的基准值， 使得 FET 耗散 功率连续改变， 利用脉冲分析仪得到通过 FET 的电流值 ； 0010 在同一坐标系中， 以通过 FET 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压基准值为横坐 标， 绘制不同耗散功率条件下， 通过 FET 的电流值 - 漏端脉冲电压基准值的平滑线散点图， 形成第 I 曲线簇， 所述第 I 曲线簇中的每条曲线对应一个 FET 耗散功率 ； 0011 在不同耗散功率条件下， 通过FET的电流值-漏端脉冲电压值的平滑线散点图上， 作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的一条垂线， 描出所述垂线与第 。
15、I 曲线簇中的各条曲线的 交点， 确定各交点对应的通过 FET 的电流值， 以 FET 耗散功率为纵坐标， 以通过 FET 的电流 值为横坐标， 绘制 FET 耗散功率 - 通过 FET 的电流值的平滑线散点图 ； 0012 维持施加在FET漏端的脉冲电压的基准值， 使之处于0V， 在FET的栅端施加所选择 值的直流偏置电压， 在 FET 的漏端施加脉冲电压， 利用高低温探针台的温度控制装置， 连续 改变高低温探针台的温度， 并使得 FET 沟道温度达到高低温探针台的温度， 利用脉冲分析 仪得到通过 FET 的电流值 ； 0013 在同一坐标系中， 以通过 FET 的电流值为纵坐标， 以漏端脉。
16、冲电压值为横坐标， 绘 制不同 FET 沟道温度条件下， 通过 FET 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平滑线散点图， 形成第 II 曲线簇， 所述第 II 曲线簇中的每条曲线对应一个 FET 沟道温度 ； 0014 在不同 FET 沟道温度条件下， 通过 FET 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平滑散点图 上， 作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的一条垂线， 描出所述垂线与第 II 曲线簇中各条曲线 的交点， 确定各交点对应的通过 FET 的电流值， 以 FET 沟道温度为纵坐标， 以通过 FET 的电 流值为横坐标， 绘制 FET 沟道温度 - 通过 FET 的电流值的平滑线散点图 ； 0015 将。
17、 FET 耗散功率 - 通过 FET 的电流值的曲线， FET 沟道温度 - 通过 FET 的电流值的 曲线绘制在同一坐标系中， 得到横坐标为通过 FET 的电流值， 纵坐标分别为 FET 沟道温度， 以及， FET 耗散功率的双纵坐标平滑线散点图 ； 0016 利用所述双纵坐标平滑线散点图， 以通过FET的电流值为媒介， 建立FET沟道温度 与FET耗散功率之间的关系， 以FET沟道温度为纵坐标， 以FET好散功率为横坐标， 绘制FET 沟道温度 -FET 耗散功率的平滑线散点图 ； 0017 当已知 FET 耗散功率时， 即能够在所述 FET 沟道温度 -FET 耗散功率的平滑线散点 图的。
18、曲线上描出一个定点， 所述定点的纵坐标即为 FET 沟道温度。 0018 作为优选， 所述选择在 FET 的栅端施加的直流偏置电压值包括 ： 0019 设定高低温探针台的基准温度 ； 0020 当高低温探针台的温度升至所述基准温度时， 连续改变施加在 FET 栅端的直流偏 置电压值， 利用所述脉冲分析仪得到通过 FET 的饱和电流值 ； 0021 在同一坐标系中， 以通过 FET 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压为横坐标， 绘制 施加于 FET 栅端的直流偏置电压值不同的条件下， 通过 FET 的电流值 - 漏端脉冲电压值的 平滑线散点图， 所述通过 FET 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平。
19、滑线散点图中的每条曲线对 应一个直流偏置电压值 ； 0022 根据所得通过 FET 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平滑线散点图， 选择在 FET 的栅 端施加的直流偏置电压值。 0023 作为优选， 所述高低温探针台内充有 N2。 说 明 书 CN 102313613 A CN 102313617 A3/6 页 6 0024 作为优选， 在FET的栅端施加的直流偏置电压值为使通过FET的电流值为通过FET 的最大饱和电流值 时的电压值。 0025 作为优选， 所述脉冲电压为从 0V 以 1V 为间隔变化至 15V 的阶梯状方波， 所述阶梯 状方波的占空比为变化频率为 1KHz。 0026 作为。
20、优选， 所述连续改变所述脉冲电压的基准值时， 所述脉冲电压的基准值从 0V 以 1V 为间隔变化至 15V。 0027 作为优选， 所述连续改变高低温探针台的温度时， 所述高低温探针台的温度从 25开始， 以 25为间隔变化至 200。 0028 作为优选， 所述作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的垂线时， 垂足处的漏端脉冲电 压值为 10V。 0029 作为优选， 所述建立 FET 沟道温度与 FET 耗散功率之间的关系时， FET 沟道温度和 FET耗散功率是在所述双纵坐标平滑线散点图中， 选定的通过FET的电流值分别对应的FET 沟道温度和 FET 耗散功率。 0030 本发明提供的测量 FE。
21、T 沟道温度的装置及方法的有益效果在于 ： 0031 本发明提供的测量 FET 沟道温度的装置结构简单， 使用简便、 快捷， 成本低廉。本 发明提供的利用该装置测量 FET 沟道温度的方法利用了 FET 沟道温度和 FET 耗散功率的变 化关系， 简便、 快速 ； 该方法不需要使用数学方法进行拟合、 求解和外推， 数据处理过程可以 消除测量系统中的系统误差， 从而提高测量的精度。并且， FET 沟道温度和 FET 耗散功率的 变化关系曲线可以用于分析 FET 的热阻、 制定 FET 的散热策略、 确定 FET 加速寿命条件。 附图说明 0032 图 1 为本发明实施例提供的测量 GaN HEM。
22、Ts 沟道温度的装置示意图 ； 0033 图 2 为本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的方法的选择在 GaN HEMTs 的栅端施加的直流偏置电压值时施加在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压波形示意图 ； 0034 图3为本发明实施例提供的测量GaN HEMTs沟道温度的方法的在同一坐标系中绘 制的施加在GaN HEMTs栅端的直流偏置电压值不同的条件下， 通过GaN HEMTs的电流值-漏 端脉冲电压值的平滑线散点图 ； 0035 图 4 为本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的方法的当施加在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压的基准值为 0V 时， 施加。
23、在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压波形示意图 ； 0036 图 5 为本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的方法的当施加在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压的基准值为 7V 时， 施加在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压波形示意图 ； 0037 图6为本发明实施例提供的测量GaN HEMTs沟道温度的方法的在同一坐标系中绘 制的在不同耗散功率条件下， 通过GaN HEMTs的电流值-漏端脉冲电压值的平滑线散点图 ； 0038 图 7 为本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的方法的 GaN HEMTs 耗散功 率 - 通过 GaN HEMTs 的电流值的平。
24、滑线散点图 ； 0039 图8为本发明实施例提供的测量GaN HEMTs沟道温度的方法的在同一坐标系中绘 制的在不同 GaN HEMTs 温度条件下， 通过 GaN HEMTs 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平滑线 散点图 ； 说 明 书 CN 102313613 A CN 102313617 A4/6 页 7 0040 图 9 为本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的方法的 GaN HEMTs 沟道温 度 - 通过 GaN HEMTs 的电流值的平滑线散点图 ； 0041 图10为本发明实施例提供的测量GaN HEMTs沟道温度的方法的横坐标为通过GaN HEMTs的电流值，。
25、 纵坐标分别为GaN HEMTs沟道温度， 以及， GaN HEMTs耗散功率的双纵坐标 平滑线散点图 ； 0042 图 11 为本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的方法的 GaN HEMTs 沟道 温度 -GaN HEMTs 耗散功率的平滑线散点图。 具体实施方式 0043 为了深入了解本发明， 下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明， 其中 表示时间的坐标轴的刻度值代表时间的份数。 0044 GaN HEMTs是FET中的一类， 本发明实施例以测量GaN HEMTs沟道温度的装置及方 法为例进行详细说明如下 ： 0045 参见附图 1， 本发明实施例提供的测量 Ga。
26、N HEMTs 沟道温度的装置包括高低温探 针台 1， 脉冲分析仪 2， 以及， 第 I 探针 3， 第 II 探针 4、 第 III 探针 5， GaN HEMTs 置于高低温 探针台 1 上， 脉冲分析仪 2 利用第 I 探针 3 在 GaN HEMTs 的栅端施加直流偏置电压， 脉冲分 析仪 2 利用第 II 探针 4 在 GaN HEMTs 的漏端施加脉冲电压， GaN HEMTs 的源端利用第 III 探针5与脉冲分析仪2共同接地。 本实施例中， 高低温探针台的型号是12K000， 脉冲分析仪 2 的型号是 NC4832。 0046 本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温。
27、度的装置结构简单， 使用简便、 快捷， 成本低廉。 0047 应用本发明实施例提供的测量 GaN HEMTs 沟道温度的装置测量 GaNHEMTs 沟道温 度时， 12K000 高低温探针台 1 内充有 N2， 以避免其被氧化， NC4832 脉冲分析仪 2 选择为场效 应晶体管测量模式， 脉冲类型选择为 G 直流 D 脉冲， 施加在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压为从 0V以1V为间隔变化至15V的阶梯状方波， 阶梯状方波的占空比为变化频率为1KHz， 具 体方法如下 ： 0048 步骤 10 ： 选择在 FET 的栅端施加的直流偏置电压值。 0049 步骤 101 ： 设定高低温探针台。
28、 1 的基准温度 ； 0050 步骤 102 ： 当高低温探针台 1 的温度升至基准温度时， 连续改变施加在 GaN HEMTs 栅端的直流偏置电压值， 利用脉冲分析仪得到通过GaN HEMTs的饱和电流值 ； 附图2为这一 过程中， 施加在 GAN HEMTs 漏端的脉冲电压波形示意图 ； 0051 步骤 103 ： 在同一坐标系中， 以通过 GaN HEMTs 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲 电压值为横坐标， 绘制施加在 GaN HEMTs 栅端的直流偏置电压值不同的条件下， 通过 GaN HEMTs 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平滑线散点图， 参见附图 3， 图 3 中的每条曲线对应一。
29、 个直流偏置电压值 ； 0052 步骤 104 ： 根据所得通过 GaN HEMTs 的电流值 - 漏端脉冲电压值的平滑线散点图， 选择在 GaN HEMTs 的栅端施加的直流偏置电压值。在 GaN HEMTs 的栅端施加的直流偏置电 压值可以为使通过GaN HEMTs的电流值为通过GaN HEMTs的最大饱和电流值 时的电压值。 说 明 书 CN 102313613 A CN 102313617 A5/6 页 8 0053 步骤 20 ： 维持高低温探针台 1 的温度， 使之处于基准温度， 在 GaN HEMTs 的栅端施 加所选择值的直流偏置电压， 在GaN HEMTs的漏端施加脉冲电压，。
30、 连续改变脉冲电压的基准 值， 使之从 0V 以 1V 为间隔变化至 15V( 附图 4 为当施加在 GAN HEMTs 漏端的脉冲电压的基 准值为0V时， 施加在GAN HEMTs漏端的脉冲电压波形示意图 ； 附图5为当施加在GAN HEMTs 漏端的脉冲电压的基准值为 7V 时， 施加在 GAN HEMTs 漏端的脉冲电压波形示意图。)， 使得 GaNHEMTs 耗散功率连续改变， 利用脉冲分析仪 2 得到通过 GaN HEMTs 的电流值 ； 0054 步骤 30 ： 在同一坐标系中， 以通过 GaN HEMTs 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压 基准值为横坐标， 绘制不同耗散功率条件。
31、下， 通过GaN HEMTs的电流值-漏端脉冲电压基准 值的平滑线散点图， 形成具有 15 条曲线的第 I 曲线簇， 参见附图 6， 第 I 曲线簇中的每条曲 线对应一个 GaN HEMTs 耗散功率 ； 0055 步骤40 ： 在不同耗散功率条件下， 通过GaN HEMTs的电流值-漏端脉冲电压值的平 滑线散点图上， 作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的一条垂线， 垂足处的漏端脉冲电压值为 10V， 描出垂线与第I曲线簇中各条曲线的交点， 共15个， 确定各交点对应的通过GaN HEMTs 的电流值， 以GaN HEMTs耗散功率为纵坐标， 以通过GaN HEMTs的电流值为横坐标， 绘制GaN 。
32、HEMTs 耗散功率 - 通过 GaN HEMTs 的电流值的平滑线散点图， 参见附图 7 ； 0056 步骤 50 ： 维持施加在 GaN HEMTs 漏端的脉冲电压的基准值， 使之处于 0V， 在 GaN HEMTs 的栅端施加所选择数值的直流偏置电压， 在 GaN HEMTs 的漏端施加脉冲电压， 利用高 低温探针台的温度控制装置， 连续改变高低温探针台的温度， 使之从 25开始， 以 25为 间隔变化至 200， 并使得 GaN HEMTs 沟道温度达到高低温探针台的温度， 利用脉冲分析仪 得到通过 FET 的电流值 ； 0057 步骤 60 ： 在同一坐标系中， 以通过 GaN HE。
33、MTs 的电流值为纵坐标， 以漏端脉冲电压 值为横坐标， 绘制在不同 GaN HEMTs 沟道温度条件下， 通过 GaNHEMTs 的电流值 - 漏端脉冲 电压值的平滑线散点图， 形成具有8条曲线的第II曲线簇， 参见附图8， 第II曲线簇中的每 条曲线对应一个 GaN HEMTs 沟道温度 ； 0058 步骤70 ： 在在不同GaN HEMTs沟道温度条件下， 通过GaN HEMTs的电流值-漏端脉 冲电压值的平滑散点图上， 作垂直于漏端脉冲电压值坐标轴的一条垂线， 垂足处的漏端脉 冲电压值为 10V， 描出垂线与第 II 曲线簇中各条曲线的交点， 共 8 个， 确定各交点对应的通 过 Ga。
34、N HEMTs 的电流值， 以 GaN HEMTs 沟道温度为纵坐标， 以通过 GaN HEMTs 的电流值为横 坐标， 绘制 GaN HEMTs 沟道温度 - 通过 GaN HEMTs 的电流值的平滑线散点图， 参见附图 9 ； 0059 步骤 80 ： 将 GaN HEMTs 耗散功率 - 通过 GaN HEMTs 的电流值的曲线， GaN HEMTs 沟道温度 - 通过 GaN HEMTs 的电流值的曲线绘制在同一坐标系中， 得到横坐标为通过 GaN HEMTs的电流值， 纵坐标分别为GaN HEMTs沟道温度， 以及， GaN HEMTs耗散功率的双纵坐标 平滑线散点图， 参见附图 1。
35、0 ； 0060 步骤 90 ： 利用双纵坐标平滑线散点图， 以通过 GaN HEMTs 的电流值为媒介， 建立 GaN HEMTs 沟道温度与 GaN HEMTs 耗散功率之间的关系， 其中， GaN HEMTs 沟道温度和 GaN HEMTs 耗散功率是在所述双纵坐标平滑线散点图中， 选定的通过 GaN HEMTs 的电流值分别 对应的 GaN HEMTs 沟道温度和 GaN HEMTs 耗散功率， 绘制 GaN HEMTs 沟道温度 -GaN HEMTs 耗散功率的平滑线散点图 ； 0061 当已知 GaN HEMTs 耗散功率时， 即能够在所述 GaN HEMTs 沟道温度 -GaN 。
36、HEMTs 耗 说 明 书 CN 102313613 A CN 102313617 A6/6 页 9 散功率的平滑线散点图的曲线上描出一个定点， 所述定点的纵坐标即为 GaN HEMTs 沟道温 度。 0062 本发明实施例提供的 GaN HEMTs 沟道温度和 GaN HEMTs 耗散功率的变化关系， 简 便、 快速 ； 该方法不需要使用数学方法进行拟合、 求解和外推， 数据处理过程可以消除测量 系统中的系统误差， 从而提高测量的精度。并且， GaN HEMTs 沟道温度和 GaN HEMTs 耗散功 率的变化关系曲线可以用于分析 GaN HEMTs 的热阻、 制定 GaN HEMTs 的散。
37、热策略、 确定 GaN HEMTs 加速寿命条件。 0063 以上的具体实施方式， 对本发明的目的、 技术方案和有益效果进行了进一步详细 说明， 所应理解的是， 以上仅为本发明的具体实施方式而已， 并不用于限制本发明， 凡在本 发明的精神和原则之内， 所做的任何修改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本发明的保护范 围之内。 说 明 书 CN 102313613 A CN 102313617 A1/6 页 10 图 1 说 明 书 附 图 CN 102313613 A CN 102313617 A2/6 页 11 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 102313613 A CN 102313617 A3/6 页 12 图 4 图 5 说 明 书 附 图 CN 102313613 A CN 102313617 A4/6 页 13 图 6 图 7 说 明 书 附 图 CN 102313613 A CN 102313617 A5/6 页 14 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 102313613 A CN 102313617 A6/6 页 15 图 10 图 11 说 明 书 附 图 CN 102313613 A 。