金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410643441.3

申请日:

2014.11.10

公开号:

CN104319293A

公开日:

2015.01.28

当前法律状态:

驳回

有效性:

无权

法律详情:

发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 29/786申请公布日:20150128|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20141110|||公开

IPC分类号:

H01L29/786; H01L27/12; H01L21/77; G02F1/1368

主分类号:

H01L29/786

申请人:

京东方科技集团股份有限公司

发明人:

刘英伟; 王美丽

地址:

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

优先权:

专利代理机构:

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人:

许静;黄灿

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内容摘要

本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置,属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中,金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤,所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构;在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜;将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的感光材料,形成氧化物有源层的图形。本发明的技术方案能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。

权利要求书

权利要求书
1.  一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤,所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:
在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构;
在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜;
将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的感光材料,形成氧化物有源层的图形。

2.  根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括:
在基板上形成感光材料层;
以氧化物有源层的图形为掩膜,对所述感光材料层进行掩膜曝光;
对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光,显影形成感光材料层的图形,所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。

3.  根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在基板上形成感光材料层包括:
在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料,形成所述感光材料层。

4.  根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述以氧化物有源层的图形为掩膜,对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括:
在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干,烘干温度为92-100℃,烘干时间为10-12min。

5.  根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括:
在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干,反转烘干温度为85-90℃,时间为10-12min,之后对所述感光材料层进行泛曝光,泛曝光光强 为90mW/cm2,曝光时间为5-6s。

6.  根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括:
在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。

7.  根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述氧化物有源层的材料包括In,Ga,Zn,Hf,Sn,Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体,以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。

8.  根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述有机溶剂包括丙酮和氯苯。

9.  根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述制作方法具体包括:
提供一衬底基板;
通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线;
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。

10.  一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,在以权利要求1-9中任一项所述方法制作金属氧化物薄膜晶体管之后,通过一次构图工艺在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层;通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

11.  一种以权利要求1-9中任一项所述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化 物有源层相连接。

12.  一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求11所述的金属氧化物薄膜晶体管,还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层;位于所述钝化层上的像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

13.  一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求12所述的阵列基板。

说明书

说明书金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管制造工艺领域,特别是指一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置。
背景技术
氮氧化锌(ZnON)是一种高迁移率的半导体材料,采用氮氧化锌来制作薄膜晶体管(TFT)的有源层有利于改善TFT器件的性能。
现有形成氮氧化锌图形的工艺包括:“沉积氮氧化锌----光刻胶曝光显影-----刻蚀------剥离光刻胶”四步骤,在刻蚀形成氮氧化锌的图形时,由于氮氧化锌的干刻速率很慢,因此不适合采用干法刻蚀来形成氮氧化锌的图形。而在采用湿法刻蚀来形成氮氧化锌的图形时,刻蚀液的选择非常关键,由于氮氧化锌既溶于酸性溶液也溶于碱性溶液,当其作为TFT的有源层时,氮氧化锌的刻蚀比较难以控制:当采用碱性刻蚀液对氮氧化锌进行刻蚀时,如果刻蚀时间过长,氮氧化锌表面保留的光刻胶会受到影响,进而影响受光刻胶保护的氮氧化锌有源层;当采用酸性刻蚀液对氮氧化锌进行刻蚀时,如果刻蚀液浓度比较大,能够使得氮氧化锌刻蚀无残留,但钻刻严重;如果刻蚀液浓度比较低,将会出现氮氧化锌未刻蚀完全时已经出现钻刻的情况。因此,采用湿法刻蚀来形成氮氧化锌的图形比较难以控制,严重影响了氮氧化锌作为有源层的应用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置,能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤,所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:
在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构;
在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜;
将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的感光材料,形成氧化物有源层的图形。
进一步地,所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括:
在基板上形成感光材料层;
以氧化物有源层的图形为掩膜,对所述感光材料层进行掩膜曝光;
对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光,显影形成感光材料层的图形,所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。
进一步地,所述在基板上形成感光材料层包括:
在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料,形成所述感光材料层。
进一步地,所述以氧化物有源层的图形为掩膜,对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括:
在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干,烘干温度为92-100℃,烘干时间为10-12min。
进一步地,所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括:
在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干,反转烘干温度为85-90℃,时间为10-12min,之后对所述感光材料层进行泛曝光,泛曝光光强为90mW/cm2,曝光时间为5-6s。
进一步地,所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括:
在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。
进一步地,所述氧化物有源层的材料包括In,Ga,Zn,Hf,Sn,Al中的 一种或多种形成的金属氧化物半导体,以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
进一步地,所述有机溶剂包括丙酮和氯苯。
进一步地,所述制作方法具体包括:
提供一衬底基板;
通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线;
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。
本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法,在以上述方法制作金属氧化物薄膜晶体管之后,通过一次构图工艺在形成有源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层;通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
本发明实施例还提供了一种上述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。
本发明实施例还提供了一种阵列基板,包括上述的金属氧化物薄膜晶体管,还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层;位于所述钝化层上的像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的阵列基板。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,形成氧化物有源层的图形的工艺由现有的“沉积氮氧化锌----光刻胶曝光显影-----刻蚀------剥离光刻胶”四步骤变为“感光材料构图----沉积氧化物有源层-----剥离感光材料”三个步骤完成,不但节省了制作时间,降低 了制作成本,而且能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
附图说明
图1为现有技术制作氮氧化锌的图形的流程示意图;
图2为本发明实施例制作氮氧化锌的图形的流程示意图。
附图标记
1 氮氧化锌层  2 光刻胶
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例针对现有技术中采用湿法刻蚀形成氮氧化锌的图形难以控制的问题,提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置,能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,所述制作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤,所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括:
在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构;
在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜;
将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的感光材料,形成氧化物有源层的图形。
本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中,形成氧化物有源层的图形的工艺由现有的“沉积氮氧化锌----光刻胶曝光显影-----刻蚀------剥离光刻胶”四步骤变为“感光材料构图----沉积氧化物有源层-----剥离感光材料”三个步骤完成,不但节省了制作时间,降低了制作成本,而且能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。
进一步地,所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括:
在基板上形成感光材料层;
以氧化物有源层的图形为掩膜,对所述感光材料层进行掩膜曝光;
对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光,显影形成感光材料层的图形,所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。
进一步地,所述在基板上形成感光材料层包括:
在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料,形成所述感光材料层。
进一步地,所述以氧化物有源层的图形为掩膜,对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括:
在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干,烘干温度为92-100摄氏度,烘干时间为10-12分钟。
进一步地,所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括:
在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干,反转烘干温度为85-90摄氏度,时间为10-12分钟,之后对所述感光材料层进行泛曝光,泛曝光光强为90mW/cm2,曝光时间为5-6s。
进一步地,所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括:
在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜。
进一步地,所述氧化物有源层的材料包括In,Ga,Zn,Hf,Sn,Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体,以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
具体地,所述有机溶剂可以包括丙酮和氯苯。
进一步地,所述制作方法具体包括:
提供一衬底基板;
通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线;
在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、漏电极和数据线。
本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法,包括上述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,还包括:通过一次构图工艺在形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层;通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
本发明实施例还提供了一种以上述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。其中,所述氧化物有源层的材料包括In,Ga,Zn,Hf,Sn,Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体,以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。
本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板,包括上述的金属氧化物薄膜晶体管,还包括位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层;位于所述钝化层上的像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。其中,金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构同上述实施例,在此不再赘述。另外,显示装置其他部分的结构可以参考现有技术,对此本文不再详细描述。该显示装置可以为:显示面板、电子纸、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步地介绍:
如图1所示,现有金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中,形成氮氧化锌图形的工艺包括以下步骤:
(1)如图1A所示,在基板上沉积氮氧化锌层1;
(2)如图1B所示,在氮氧化锌层1上涂覆光刻胶2,并对光刻胶2进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域,其中光刻胶保留区域对应氮氧化锌的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;
(3)如图1C所示,采用湿法刻蚀对氮氧化锌层1进行刻蚀,光刻胶未保留区域区域的氮氧化锌层1被去除,光刻胶保留区域的氮氧化锌层1保留下来;
(4)如图1D所示,剥离光刻胶,形成氮氧化锌的图形。
在现有制作氮氧化锌图形的工艺中,光刻的显影液会对氮氧化锌进行腐蚀,另外氮氧化锌极易溶解,刻蚀工艺难以控制,现有技术通常采浓度为0.4%稀盐酸来对氮氧化锌进行刻蚀,但是刻蚀的过程难以控制,并且稀盐酸的浓度也不好控制。
为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,该金属氧化物薄膜晶体管采用氮氧化锌来制作有源层,该制作方法包括形成氮氧化锌的图形的步骤,如图2所示,该形成氮氧化锌的图形的方法具体包括以下步骤:
步骤A:如图2A所示,在基板上形成由光刻胶2组成的多个倒台面结构;
本实施例是采用剥离方式来形成氮氧化锌的图形,即首先在基板表面上涂覆一层或多层光刻胶,通过对其进行不同形式的曝光、烘烤、显影、后烘烤等工艺处理后,在基板上会得到光刻胶几何图形,然后通过蒸发或溅射等方法,在基板表面形成不连续的氮氧化锌层,最后剥离掉光刻胶及其上的氮氧化锌层,而与基板紧密接触的氮氧化锌层就会保留下来,形成氮氧化锌层的图形。剥离方式的关键是通过蒸发或溅射氮氧化锌层后使光刻胶上的氮氧化锌层与基板上的氮氧化锌层断开,这样易于剥离液渗透进去溶解光刻胶。要达到这一点,通常要求光刻胶层经过曝光和显影后制备成的图形剖面呈倒梯形或倒“凸”字形,即光刻胶横截面为上宽下窄的倒台面结构,这样可以使淀积的氮氧化锌层在光刻胶掩膜区域断开。
首先在基板上涂覆一层光刻胶2,在金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中,该基板上已经形成有栅极和栅绝缘层,具体地,在形成有栅极和栅绝缘层 的基板上旋涂一层感光材料,即光刻胶2。以待形成的氮氧化锌的图形为掩膜,对光刻胶2进行掩膜曝光,优选地,在对光刻胶2进行掩膜曝光之前,可以在真空中对形成有光刻胶2的基板进行烘干,烘干温度优选为92-100摄氏度,烘干时间优选为10-12分钟。光刻胶主要由三部分组成:光敏成分、树脂、溶剂。当经过掩膜曝光后,掩膜曝光区域的光敏成分转变成羧酸,亲水,可溶于碱性显影液中,此时光刻胶可视为正性光刻胶。
对掩膜曝光后的光刻胶2进行反转烘干,优选地,在真空中对掩膜曝光后的光刻胶2进行反转烘干,反转烘干的温度优选为85-90摄氏度,反转烘干的时间优选为10-12分钟,反转烘干导致树脂部分在相对较高的温度下发生交联反应,而掩膜曝光后产生的羧酸对交联反应有促进作用,在曝光的区域发生的交联反应比未曝光的区域中多得多。
之后对光刻胶2进行泛曝光,泛曝光的光强优选为90mW/cm2,曝光时间优选为5-6s。在泛曝光后显影,第一次掩膜曝光未曝光部分的光刻胶在第二次泛曝光后溶于显影液,而第一次掩膜曝光部分的光刻胶由于发生了交联反应在第二次泛曝光后反而不溶于显影液,由此在经过两次曝光后,形成的光刻胶2的图形的横截面如图2A所示,为倒台面。
光刻胶的倒台面结构可以使得沉积的氮氧化锌层在光刻胶的上下两端无法连续,同时倒台面结构的存在使得有机溶剂可以渗透进倒台面侧部的缝隙进而溶解氮氧化锌层底部的光刻胶,使得上部的氮氧化锌层崩塌而实现氮氧化锌层的剥离,在基板上形成氮氧化锌层的图形。
步骤B:如图2B所示,在形成有倒台面结构的基板上形成氮氧化锌层1;
具体地,可以在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氮氧化锌薄膜。
步骤C:如图2C所示,将形成有氮氧化锌层1的基板沉浸在有机溶剂中,溶解掉基板上的光刻胶2,形成氮氧化锌层1的图形。
其中,有机溶剂可以为丙酮和氯苯,将沉积有氮氧化锌层1的基板沉浸在氯苯/丙酮等强有机溶剂中,溶解光刻胶,随着光刻胶的溶解,光刻胶上的氮氧化锌层也随之脱落,最终形成了需要的氮氧化锌层1的图形。
本实施例形成氮氧化锌的图形的工艺由现有的“沉积氮氧化锌----光刻胶曝光显影-----刻蚀------剥离光刻胶”四步骤变为“光刻胶曝光显影----沉积氮氧化锌-----剥离光刻胶”三个步骤完成,不但节省了制作时间,降低了制作成本,而且能够解决采用湿法刻蚀形成氮氧化锌图形难以控制的问题。还解决了光刻胶曝光显影过程中,碱性显影液会对氮氧化锌造成腐蚀的问题。
本实施例以氧化物有源层采用氮氧化锌为例进行说明,进一步地,氧化物有源层的材料包括In,Ga,Zn,Hf,Sn,Al中的一种或多种形成的金属氧化物半导体,如ZnO,InZnO(IZO),ZnSnO(ZTO),InSnZnO(ITZO),GaZnO(GZO),InGaZnO(IGZO),HfInZnO(HIZO),SnInO(ITO),AlInZnO(AIZO)等,以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体,如ZnO:Ga,ZnO:Li,IGZO:Li,IGZO:N,ZnO:N等。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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1、(10)申请公布号 CN 104319293 A (43)申请公布日 2015.01.28 CN 104319293 A (21)申请号 201410643441.3 (22)申请日 2014.11.10 H01L 29/786(2006.01) H01L 27/12(2006.01) H01L 21/77(2006.01) G02F 1/1368(2006.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 (72)发明人 刘英伟 王美丽 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 代理人 许静 黄灿 (54) 发明名。

2、称 金属氧化物薄膜晶体管、 阵列基板及制作方 法、 显示装置 (57) 摘要 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、 阵列基板及制作方法、 显示装置, 属于薄膜晶体管 制造工艺领域。 其中, 金属氧化物薄膜晶体管的制 作方法包括形成氧化物有源层的图形的步骤, 所 述形成氧化物有源层的图形的步骤包括 : 在基板 上形成由感光材料组成的多个倒台面结构 ; 在形 成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层 薄膜 ; 将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉 浸在有机溶剂中, 溶解掉基板上的感光材料, 形成 氧化物有源层的图形。本发明的技术方案能够解 决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控 制的问题。。

3、 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 1 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书6页 附图1页 (10)申请公布号 CN 104319293 A CN 104319293 A 1/2 页 2 1. 一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述制作方法包括形成氧化 物有源层的图形的步骤, 所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括 : 在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构 ; 在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜 ; 将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中, 溶解掉基板上的感光材 。

4、料, 形成氧化物有源层的图形。 2. 根据权利要求 1 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述在基 板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括 : 在基板上形成感光材料层 ; 以氧化物有源层的图形为掩膜, 对所述感光材料层进行掩膜曝光 ; 对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光, 显影形成感光材料层的图 形, 所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。 3. 根据权利要求 2 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述在基 板上形成感光材料层包括 : 在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料, 形成所述感光材料层。 4. 根据权利要求 2 所述的。

5、金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述以氧 化物有源层的图形为掩膜, 对所述感光材料层进行掩膜曝光之前还包括 : 在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干, 烘干温度为 92-100, 烘干时间 为 10-12min。 5. 根据权利要求 2 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述对掩 膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括 : 在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干, 反转烘干温度为 85-90, 时 间为 10-12min, 之后对所述感光材料层进行泛曝光, 泛曝光光强为 90mW/cm2, 曝光时间为 5-6s。 6. 根据权利要。

6、求 1 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述在形 成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括 : 在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层 薄膜。 7. 根据权利要求 1 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述氧化 物有源层的材料包括 In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al 中的一种或多种形成的金属氧化物半导体, 以及 对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。 8. 根据权利要求 1 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述有机 溶剂包括丙酮和氯苯。 9. 根据权利。

7、要求 1 所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于, 所述制作 方法具体包括 : 提供一衬底基板 ; 通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线 ; 在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层 ; 在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形 ; 权 利 要 求 书 CN 104319293 A 2 2/2 页 3 通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图形 ; 通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、 漏电极和数 据线。 10. 一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法, 其特征在于, 在以权利要求 1-9 中任一项所述方法制作。

8、金属氧化物薄膜晶体管之后, 通过一次构图工艺在形成有源电极、 漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层 ; 通过一次构图工艺在所述钝化层上形 成像素电极, 所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。 11. 一种以权利要求 1-9 中任一项所述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管, 其特征在 于, 所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。 12. 一种阵列基板, 其特征在于, 包括如权利要求 11 所述的金属氧化物薄膜晶体管, 还 包括位于形成有所述源电极、 漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层 ; 位于所述 钝化层上的像素电极, 所述像素电极通过所述过孔与。

9、所述漏电极连接。 13. 一种显示装置, 其特征在于, 包括如权利要求 12 所述的阵列基板。 权 利 要 求 书 CN 104319293 A 3 1/6 页 4 金属氧化物薄膜晶体管、 阵列基板及制作方法、 显示装置 技术领域 0001 本发明涉及薄膜晶体管制造工艺领域, 特别是指一种金属氧化物薄膜晶体管、 阵 列基板及制作方法、 显示装置。 背景技术 0002 氮氧化锌 (ZnON) 是一种高迁移率的半导体材料, 采用氮氧化锌来制作薄膜晶体 管 (TFT) 的有源层有利于改善 TFT 器件的性能。 0003 现有形成氮氧化锌图形的工艺包括 :“沉积氮氧化锌 - 光刻胶曝光显 影-刻蚀-剥。

10、离光刻胶” 四步骤, 在刻蚀形成氮氧化锌的图形时, 由于氮氧化锌的 干刻速率很慢, 因此不适合采用干法刻蚀来形成氮氧化锌的图形。而在采用湿法刻蚀来形 成氮氧化锌的图形时, 刻蚀液的选择非常关键, 由于氮氧化锌既溶于酸性溶液也溶于碱性 溶液, 当其作为 TFT 的有源层时, 氮氧化锌的刻蚀比较难以控制 : 当采用碱性刻蚀液对氮氧 化锌进行刻蚀时, 如果刻蚀时间过长, 氮氧化锌表面保留的光刻胶会受到影响, 进而影响受 光刻胶保护的氮氧化锌有源层 ; 当采用酸性刻蚀液对氮氧化锌进行刻蚀时, 如果刻蚀液浓 度比较大, 能够使得氮氧化锌刻蚀无残留, 但钻刻严重 ; 如果刻蚀液浓度比较低, 将会出现 氮氧。

11、化锌未刻蚀完全时已经出现钻刻的情况。因此, 采用湿法刻蚀来形成氮氧化锌的图形 比较难以控制, 严重影响了氮氧化锌作为有源层的应用。 发明内容 0004 本发明要解决的技术问题是提供一种金属氧化物薄膜晶体管、 阵列基板及制作方 法、 显示装置, 能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。 0005 为解决上述技术问题, 本发明的实施例提供技术方案如下 : 0006 一方面, 提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 所述制作方法包括形成氧 化物有源层的图形的步骤, 所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括 : 0007 在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构 ; 0008 在形成。

12、有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜 ; 0009 将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中, 溶解掉基板上的感光 材料, 形成氧化物有源层的图形。 0010 进一步地, 所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括 : 0011 在基板上形成感光材料层 ; 0012 以氧化物有源层的图形为掩膜, 对所述感光材料层进行掩膜曝光 ; 0013 对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光, 显影形成感光材料层的 图形, 所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。 0014 进一步地, 所述在基板上形成感光材料层包括 : 0015 在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光。

13、材料, 形成所述感光材料层。 0016 进一步地, 所述以氧化物有源层的图形为掩膜, 对所述感光材料层进行掩膜曝光 说 明 书 CN 104319293 A 4 2/6 页 5 之前还包括 : 0017 在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干, 烘干温度为 92-100, 烘干 时间为 10-12min。 0018 进一步地, 所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括 : 0019 在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干, 反转烘干温度为 85-90, 时间为 10-12min, 之后对所述感光材料层进行泛曝光, 泛曝光光强为 90mW/cm2, 曝 光时间为 。

14、5-6s。 0020 进一步地, 所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括 : 0021 在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有 源层薄膜。 0022 进一步地, 所述氧化物有源层的材料包括 In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al 中的一种或多种形 成的金属氧化物半导体, 以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形 成的半导体。 0023 进一步地, 所述有机溶剂包括丙酮和氯苯。 0024 进一步地, 所述制作方法具体包括 : 0025 提供一衬底基板 ; 0026 通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线 ; 002。

15、7 在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层 ; 0028 在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形 ; 0029 通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图 形 ; 0030 通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、 漏电极 和数据线。 0031 本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法, 在以上 述方法制作金属氧化物薄膜晶体管之后, 通过一次构图工艺在形成有源电极、 漏电极和数 据线的基板上形成包括有过孔的钝化层 ; 通过一次构图工艺在所述钝化层上形成像素电 极, 所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。 0032 。

16、本发明实施例还提供了一种上述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管, 所述薄膜晶 体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。 0033 本发明实施例还提供了一种阵列基板, 包括上述的金属氧化物薄膜晶体管, 还包 括位于形成有所述源电极、 漏电极和数据线的基板上的包括有过孔的钝化层 ; 位于所述钝 化层上的像素电极, 所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。 0034 本发明实施例还提供了一种显示装置, 包括上述的阵列基板。 0035 本发明的实施例具有以下有益效果 : 0036 上述方案中, 形成氧化物有源层的图形的工艺由现有的 “沉积氮氧化锌 - 光刻 胶曝光显影 - 刻蚀 -。

17、 剥离光刻胶” 四步骤变为 “感光材料构图 - 沉积氧化物 有源层-剥离感光材料” 三个步骤完成, 不但节省了制作时间, 降低了制作成本, 而且能 够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。 说 明 书 CN 104319293 A 5 3/6 页 6 附图说明 0037 图 1 为现有技术制作氮氧化锌的图形的流程示意图 ; 0038 图 2 为本发明实施例制作氮氧化锌的图形的流程示意图。 0039 附图标记 0040 1 氮氧化锌层 2 光刻胶 具体实施方式 0041 为使本发明的实施例要解决的技术问题、 技术方案和优点更加清楚, 下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。 0。

18、042 本发明的实施例针对现有技术中采用湿法刻蚀形成氮氧化锌的图形难以控制的 问题, 提供一种金属氧化物薄膜晶体管、 阵列基板及制作方法、 显示装置, 能够解决采用湿 法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以控制的问题。 0043 本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法, 所述制作方法包括 形成氧化物有源层的图形的步骤, 所述形成氧化物有源层的图形的步骤包括 : 0044 在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构 ; 0045 在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜 ; 0046 将形成有所述氧化物有源层薄膜的基板沉浸在有机溶剂中, 溶解掉基板上的感光 材料, 形成氧化物有。

19、源层的图形。 0047 本发明的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中, 形成氧化物有源层的图形的工艺 由现有的 “沉积氮氧化锌 - 光刻胶曝光显影 - 刻蚀 - 剥离光刻胶” 四步骤变 为 “感光材料构图 - 沉积氧化物有源层 - 剥离感光材料” 三个步骤完成, 不但节省 了制作时间, 降低了制作成本, 而且能够解决采用湿法刻蚀形成氧化物有源层的图形难以 控制的问题。 0048 进一步地, 所述在基板上形成由感光材料组成的多个倒台面结构包括 : 0049 在基板上形成感光材料层 ; 0050 以氧化物有源层的图形为掩膜, 对所述感光材料层进行掩膜曝光 ; 0051 对掩膜曝光后的所述感光材料层进行。

20、反转烘干和泛曝光, 显影形成感光材料层的 图形, 所述感光材料层的图形的横截面为倒台面。 0052 进一步地, 所述在基板上形成感光材料层包括 : 0053 在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光材料, 形成所述感光材料层。 0054 进一步地, 所述以氧化物有源层的图形为掩膜, 对所述感光材料层进行掩膜曝光 之前还包括 : 0055 在真空中对形成有所述感光材料层的基板进行烘干, 烘干温度为 92-100 摄氏度, 烘干时间为 10-12 分钟。 0056 进一步地, 所述对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干和泛曝光包括 : 0057 在真空中对掩膜曝光后的所述感光材料层进行反转烘干。

21、, 反转烘干温度为 85-90 摄氏度, 时间为10-12分钟, 之后对所述感光材料层进行泛曝光, 泛曝光光强为90mW/cm2, 曝 光时间为 5-6s。 0058 进一步地, 所述在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有源层薄膜包括 : 说 明 书 CN 104319293 A 6 4/6 页 7 0059 在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形成氧化物有 源层薄膜。 0060 进一步地, 所述氧化物有源层的材料包括 In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al 中的一种或多种形 成的金属氧化物半导体, 以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形 成的半。

22、导体。 0061 具体地, 所述有机溶剂可以包括丙酮和氯苯。 0062 进一步地, 所述制作方法具体包括 : 0063 提供一衬底基板 ; 0064 通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线 ; 0065 在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层 ; 0066 在所述栅绝缘层上形成氧化物有源层的图形 ; 0067 通过一次构图工艺在形成有所述氧化物有源层的基板上形成刻蚀阻挡层的图 形 ; 0068 通过一次构图工艺在形成有所述刻蚀阻挡层的图形的基板上形成源电极、 漏电极 和数据线。 0069 本发明实施例还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法, 包括上 述的金属氧化物薄。

23、膜晶体管的制作方法, 还包括 : 通过一次构图工艺在形成有所述源电极、 漏电极和数据线的基板上形成包括有过孔的钝化层 ; 通过一次构图工艺在所述钝化层上形 成像素电极, 所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。 0070 本发明实施例还提供了一种以上述方法制作的金属氧化物薄膜晶体管, 所述薄膜 晶体管的源电极和漏电极与未被刻蚀阻挡层覆盖的氧化物有源层相连接。其中, 所述氧化 物有源层的材料包括 In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al 中的一种或多种形成的金属氧化物半导体, 以及 对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子掺杂形成的半导体。 0071 本发明实施例还提供了一种金属氧化。

24、物薄膜晶体管阵列基板, 包括上述的金属氧 化物薄膜晶体管, 还包括位于形成有所述源电极、 漏电极和数据线的基板上的包括有过孔 的钝化层 ; 位于所述钝化层上的像素电极, 所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。 0072 本发明实施例还提供了一种显示装置, 包括上述的金属氧化物薄膜晶体管阵列基 板。 其中, 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构同上述实施例, 在此不再赘述。 另外, 显示 装置其他部分的结构可以参考现有技术, 对此本文不再详细描述。 该显示装置可以为 : 显示 面板、 电子纸、 电视、 显示器、 数码相框、 手机、 平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。 0073 下面结合附。

25、图以及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步地介绍 : 0074 如图 1 所示, 现有金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中, 形成氮氧化锌图形的工 艺包括以下步骤 : 0075 (1) 如图 1A 所示, 在基板上沉积氮氧化锌层 1 ; 0076 (2) 如图 1B 所示, 在氮氧化锌层 1 上涂覆光刻胶 2, 并对光刻胶 2 进行曝光显影, 形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域, 其中光刻胶保留区域对应氮氧化锌的图形所在 区域, 光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域 ; 0077 (3)如图1C所示, 采用湿法刻蚀对氮氧化锌层1进行刻蚀, 光刻胶未保留区域区域 的氮氧化锌层 1 被去除,。

26、 光刻胶保留区域的氮氧化锌层 1 保留下来 ; 说 明 书 CN 104319293 A 7 5/6 页 8 0078 (4) 如图 1D 所示, 剥离光刻胶, 形成氮氧化锌的图形。 0079 在现有制作氮氧化锌图形的工艺中, 光刻的显影液会对氮氧化锌进行腐蚀, 另外 氮氧化锌极易溶解, 刻蚀工艺难以控制, 现有技术通常采浓度为 0.4稀盐酸来对氮氧化锌 进行刻蚀, 但是刻蚀的过程难以控制, 并且稀盐酸的浓度也不好控制。 0080 为了解决上述问题, 本发明实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方 法, 该金属氧化物薄膜晶体管采用氮氧化锌来制作有源层, 该制作方法包括形成氮氧化锌 的图形的。

27、步骤, 如图 2 所示, 该形成氮氧化锌的图形的方法具体包括以下步骤 : 0081 步骤 A : 如图 2A 所示, 在基板上形成由光刻胶 2 组成的多个倒台面结构 ; 0082 本实施例是采用剥离方式来形成氮氧化锌的图形, 即首先在基板表面上涂覆一层 或多层光刻胶, 通过对其进行不同形式的曝光、 烘烤、 显影、 后烘烤等工艺处理后, 在基板上 会得到光刻胶几何图形, 然后通过蒸发或溅射等方法, 在基板表面形成不连续的氮氧化锌 层, 最后剥离掉光刻胶及其上的氮氧化锌层, 而与基板紧密接触的氮氧化锌层就会保留下 来, 形成氮氧化锌层的图形。剥离方式的关键是通过蒸发或溅射氮氧化锌层后使光刻胶上 的。

28、氮氧化锌层与基板上的氮氧化锌层断开, 这样易于剥离液渗透进去溶解光刻胶。要达到 这一点, 通常要求光刻胶层经过曝光和显影后制备成的图形剖面呈倒梯形或倒 “凸” 字形, 即光刻胶横截面为上宽下窄的倒台面结构, 这样可以使淀积的氮氧化锌层在光刻胶掩膜区 域断开。 0083 首先在基板上涂覆一层光刻胶 2, 在金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中, 该基板 上已经形成有栅极和栅绝缘层, 具体地, 在形成有栅极和栅绝缘层的基板上旋涂一层感光 材料, 即光刻胶 2。以待形成的氮氧化锌的图形为掩膜, 对光刻胶 2 进行掩膜曝光, 优选地, 在对光刻胶2进行掩膜曝光之前, 可以在真空中对形成有光刻胶2的基板进行。

29、烘干, 烘干温 度优选为 92-100 摄氏度, 烘干时间优选为 10-12 分钟。光刻胶主要由三部分组成 : 光敏成 分、 树脂、 溶剂。当经过掩膜曝光后, 掩膜曝光区域的光敏成分转变成羧酸, 亲水, 可溶于碱 性显影液中, 此时光刻胶可视为正性光刻胶。 0084 对掩膜曝光后的光刻胶 2 进行反转烘干, 优选地, 在真空中对掩膜曝光后的光刻 胶 2 进行反转烘干, 反转烘干的温度优选为 85-90 摄氏度, 反转烘干的时间优选为 10-12 分 钟, 反转烘干导致树脂部分在相对较高的温度下发生交联反应, 而掩膜曝光后产生的羧酸 对交联反应有促进作用, 在曝光的区域发生的交联反应比未曝光的区。

30、域中多得多。 0085 之后对光刻胶 2 进行泛曝光, 泛曝光的光强优选为 90mW/cm2, 曝光时间优选为 5-6s。在泛曝光后显影, 第一次掩膜曝光未曝光部分的光刻胶在第二次泛曝光后溶于显影 液, 而第一次掩膜曝光部分的光刻胶由于发生了交联反应在第二次泛曝光后反而不溶于显 影液, 由此在经过两次曝光后, 形成的光刻胶 2 的图形的横截面如图 2A 所示, 为倒台面。 0086 光刻胶的倒台面结构可以使得沉积的氮氧化锌层在光刻胶的上下两端无法连续, 同时倒台面结构的存在使得有机溶剂可以渗透进倒台面侧部的缝隙进而溶解氮氧化锌层 底部的光刻胶, 使得上部的氮氧化锌层崩塌而实现氮氧化锌层的剥离,。

31、 在基板上形成氮氧 化锌层的图形。 0087 步骤 B : 如图 2B 所示, 在形成有倒台面结构的基板上形成氮氧化锌层 1 ; 0088 具体地, 可以在预设的温度下采用溅射方式在形成有所述倒台面结构的基板上形 成氮氧化锌薄膜。 说 明 书 CN 104319293 A 8 6/6 页 9 0089 步骤 C : 如图 2C 所示, 将形成有氮氧化锌层 1 的基板沉浸在有机溶剂中, 溶解掉基 板上的光刻胶 2, 形成氮氧化锌层 1 的图形。 0090 其中, 有机溶剂可以为丙酮和氯苯, 将沉积有氮氧化锌层1的基板沉浸在氯苯/丙 酮等强有机溶剂中, 溶解光刻胶, 随着光刻胶的溶解, 光刻胶上的。

32、氮氧化锌层也随之脱落, 最终形成了需要的氮氧化锌层 1 的图形。 0091 本实施例形成氮氧化锌的图形的工艺由现有的 “沉积氮氧化锌 - 光刻胶曝 光显影 - 刻蚀 - 剥离光刻胶”四步骤变为 “光刻胶曝光显影 - 沉积氮氧化 锌-剥离光刻胶” 三个步骤完成, 不但节省了制作时间, 降低了制作成本, 而且能够解决 采用湿法刻蚀形成氮氧化锌图形难以控制的问题。还解决了光刻胶曝光显影过程中, 碱性 显影液会对氮氧化锌造成腐蚀的问题。 0092 本实施例以氧化物有源层采用氮氧化锌为例进行说明, 进一步地, 氧化物有源 层的材料包括 In, Ga, Zn, Hf, Sn, Al 中的一种或多种形成的金。

33、属氧化物半导体, 如 ZnO, InZnO(IZO), ZnSnO(ZTO), InSnZnO(ITZO), GaZnO(GZO), InGaZnO(IGZO), HfInZnO(HIZO), SnInO(ITO), AlInZnO(AIZO) 等, 以及对所述金属氧化物半导体进行金属离子或非金属离子 掺杂形成的半导体, 如 ZnO:Ga,ZnO:Li, IGZO : Li, IGZO : N, ZnO : N 等。 0093 以上所述是本发明的优选实施方式, 应当指出, 对于本技术领域的普通技术人员 来说, 在不脱离本发明所述原理的前提下, 还可以作出若干改进和润饰, 这些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。 说 明 书 CN 104319293 A 9 1/1 页 10 图 1 图 2 说 明 书 附 图 CN 104319293 A 10 。

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