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1、(10)申请公布号 CN 104280903 A (43)申请公布日 2015.01.14 CN 104280903 A (21)申请号 201410498669.8 (22)申请日 2014.09.25 G02F 1/13(2006.01) G02F 1/133(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人 联想 （北京） 有限公司 地址 100085 北京市海淀区上地西路 6 号 (72)发明人 于尧 (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 张振伟 王黎延 (54) 发明名称 液晶显示器及其制造方法、 彩膜基板及其制 造方法。
2、 (57) 摘要 本发明实施例公开了一种液晶显示器的制造 方法， 包括 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟 锡薄膜 ； 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分 区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一连接区 域 ； 其中， 所述第一连接区域与沉积于所述玻璃 基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 在具有所述氧化铟 锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻 璃基板上形成彩膜层 ； 在具有所述彩膜层的玻璃 基板中安装电路驱动模块， 使所述电路驱动模块 与所述第一连接区域导通。本发明实施例还公开 了一种液晶显示器、 彩膜基板及其制造方法。 (51)Int.Cl. 权利要求书 2 页 说明书 7 页 附图 5 页。
3、 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (10)申请公布号 CN 104280903 A CN 104280903 A 1/2 页 2 1. 一种液晶显示器的制造方法， 所述方法包括 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一连接 区域 ； 其中， 所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜 层 ； 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块， 使所述电路驱动模块。
4、与所述第一 连接区域导通。 2. 根据权利要求 1 所述的方法， 其特征在于， 所述方法还包括 ： 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料， 形成至少一个第二连接区域 ； 对应地， 所述使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通， 包括 ： 通过所述第二连接区域和所述第一连接区域， 使所述电路驱动模块与所述第一连接区 域导通。 3. 根据权利要求 2 所述的方法， 其特征在于， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 所述在 所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一连接区域， 包括 ： 在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料， 形成四个第一连接区 域 。
5、； 其中， 每个第一连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。 4. 根据权利要求 3 所述的方法， 其特征在于， 所述在具有所述电路驱动模块的玻璃基 板中沉积导电材料， 形成至少一个第二连接区域， 包括 ： 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料， 形成四个第二连接区域， 以使 所述四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接 ； 其中， 第二连接区域与集成电路的连接， 且各第二连接区域连接。 5. 一种彩膜基板的制造方法， 所述方法包括 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一连接 区域 ； 。
6、其中， 所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 在具有氧化铟锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜层。 6. 根据权利要求 5 所述的方法， 其特征在于， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 所述在 所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一连接区域， 包括 ： 在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料， 形成四个第一连接区 域 ； 其中， 各第一连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接。 7. 一种液晶显示器， 包括玻璃基板 ； 所述液晶显示器还依次包括 ： 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜 。
7、； 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接区域 与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层 ； 在具有所述彩膜层的玻璃基板中形成的电路驱动模块 ； 其中， 所述电路驱动模块与所 权 利 要 求 书 CN 104280903 A 2 2/2 页 3 述第一连接区域导通。 8. 根据权利要求 7 所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述液晶显示器还包括 ： 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中形成的至少一个第二连接区域 ； 所述第二连接 区域与所述第一连接区域电性连接， 使所述电路驱动模块与所。
8、述第一连接区域导通。 9. 根据权利要求 8 所述的液晶显示器， 其特征在于， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 所述液晶显示器中的第一连接区域的个数为四个 ； 其中， 四个第一连接区域对应位于所述 玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中 ； 每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟 锡薄膜连接。 10. 根据权利要求 9 所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述液晶显示器中的第二连接区 域的个数为四个 ； 其中， 四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接 ； 所述液晶显示器还包括 ： 集成电路 ； 所述集成电路与第二连接区域连接 ； 各第二连接 区域连接。 11. 一种彩膜基板， 包括玻璃基。
9、板 ； 所述彩膜基板还依次包括 ： 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜 ； 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接区域 与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜层。 12. 根据权利要求 11 所述的彩膜基板， 其特征在于， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 所述彩膜基板中的第一连接区域的个数为四个 ； 其中， 四个第一连接区域对应位于所述玻 璃基板的边缘区域的四个直角区域 ； 每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄 膜连接。 权 利 要 求 书 CN 104280903。
10、 A 3 1/7 页 4 液晶显示器及其制造方法、 彩膜基板及其制造方法 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示器技术， 尤其涉及一种液晶显示器及其制造方法、 彩膜基板 及其制造方法。 背景技术 0002 目前横向电场效应显示技术 (IPS) 的液晶显示器 (LCD) 采用水平电场对液晶分 子进行驱动， 为了避免外界信号对水平电场的干扰， 通常会在彩膜基板的表面涂覆一层氧 化铟锡 (ITO) 材料， 将所述彩膜基板进行接地处理， 如此， 屏蔽外界信号干扰 ； 但是， 上述方 法存在如下两个缺点 ： 第一， 由于涂覆所述 ITO 材料是在形成所述彩膜基板工艺过程中的 最后一步完成的， 因此， 对。
11、涂覆工艺要求高， 而且， 涂覆于所述彩膜基板表面的 ITO 容易被 刮伤， 进而容易影响屏蔽作用 ； 第二， 所述彩膜基板表面涂覆的 ITO 材料在接地过程中， 是 通过银胶与 LCD 阵列基板进行导通的来实现的， 因此， 对银胶涂覆要求高， 一旦银胶涂覆不 良， 就会使得 ITO 材料的屏蔽作用失效。 发明内容 0003 为解决现有存在的技术问题， 本发明实施例提供了一种液晶显示器及其制造方 法、 彩膜基板及其制造方法。 0004 本发明实施例的技术方案是这样实现的 ： 本发明实施例提供了一种液晶显示器的 制造方法， 所述方法包括 ： 0005 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 00。
12、06 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一 连接区域 ； 其中， 所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0007 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成 彩膜层 ； 0008 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块， 使所述电路驱动模块与所述 第一连接区域导通。 0009 本发明实施例还提供了一种彩膜基板的制造方法， 所述方法包括 ： 0010 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 0011 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至少一个第一 连接区域 ； 其中， 所述。
13、第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0012 在具有氧化铟锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成彩膜 层。 0013 本发明实施例还提供了一种液晶显示器， 包括玻璃基板 ； 其中， 所述液晶显示器还 依次包括 ： 0014 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜 ； 0015 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接 说 明 书 CN 104280903 A 4 2/7 页 5 区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0016 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜 层 ； 0。
14、017 在具有所述彩膜层的玻璃基板中形成的电路驱动模块 ； 其中， 所述电路驱动模块 与所述第一连接区域导通。 0018 本发明实施例还提供了一种彩膜基板， 包括玻璃基板 ； 其中， 所述彩膜基板还依次 包括 ： 0019 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜 ； 0020 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接 区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0021 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜 层。 0022 本发明所提供的液晶显示器及其制造方法、 彩膜基板及其制造方法， 能够在彩膜 基板的玻璃基板与树脂。
15、层之间形成 ITO 薄膜层， 且在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分 区域中形成至少一个第一连接区域， 如此， 在后续工艺中， 能够为形成有 ITO 薄膜和至少一 个第一连接区域的彩膜基板与薄膜晶体管 TFT 基板电性相连奠定基础， 即为使所述彩膜基 板与 TFT 基板通过所述第一连接区域电性相连， 进而使所述 TFT 基板与所述 ITO 薄膜电性 相连奠定基础， 如此， 当所述TFT基板与集成电路IC连接时， 本发明实施例能够使所述彩膜 基板的 ITO 薄膜与所述集成电路 IC 的地连接， 实现屏蔽外界信号干扰的作用。 附图说明 0023 图 1 为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意。
16、图一 ； 0024 图 2 为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图二 ； 0025 图 3 为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图三 ； 0026 图 4 为本发明实施例液晶显示器的制造方法的具体实现流程示意图 ； 0027 图 5 至图 9 为本发明实施例液晶显示器的制造过程的结构示意图。 具体实施方式 0028 为了能够更加详尽地了解本发明的特点与技术内容， 下面结合附图对本发明的实 现进行详细阐述， 所附附图仅供参考说明之用， 并非用来限定本发明。 0029 实施例一 0030 图1为本发明实施例液晶显示器的制造方法实现流程示意图一， 如图1所示， 所述 方法包括 ：。
17、 0031 步骤 101 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 0032 在实际应用中， 可以采用溅射方式在玻璃基板的中间区域沉积氧化物铟锡 (ITO) 薄膜。 0033 步骤 102 ： 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至 少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜 连接 ； 说 明 书 CN 104280903 A 5 3/7 页 6 0034 本实施例中， 在玻璃基板的边缘区域， 即未形成有 ITO 薄膜的区域中的至少部分 区域中沉积导电材料， 以形成至少一个第一连接区域， 使所述第一连接区域与沉积于所述 玻璃。
18、基板上的ITO薄膜连接 ； 如此， 在后续工艺中， 当TFT基板与所述第一连接区域连接时， 能够实现所述 TFT 基板与所述 ITO 薄膜导通， 以为屏蔽外界信号干扰奠定基础。 0035 其中， 所述导电材料包括 ： 氧化铟锡或导电金属。 0036 步骤 103 ： 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃 基板上形成彩膜层 ； 0037 这里， 在具有所述 ITO 薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形 成黑色矩阵， 以形成遮光区域 ； 在具有所述 ITO 薄膜、 至少一个第一连接区域、 以及黑色矩 阵的所述玻璃基板上沉积树脂及隔垫物 (PS) ； 如此，。
19、 形成本实施例所述的彩膜层 ； 0038 在实际应用中， 步骤 103 形成后的基板通常称之为彩膜基板， 即具有所述 ITO 薄 膜、 至少一个第一连接区域以及彩膜层的玻璃基板通常称为彩膜基板 ； 0039 上述过程形成的彩膜基板中， 在所述玻璃基板与树脂层之间形成有 ITO 薄膜层， 且所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中形成有至少一个第一连接区域， 如此， 在后 续工艺中， 能够为彩膜基板与TFT基板电性相连奠定基础， 即为使彩膜基板与TFT基板通过 所述第一连接区域电性相连， 进而使所述 TFT 基板与所述 ITO 薄膜电性相连奠定基础。 0040 步骤 104 ： 在具有所述彩膜层的。
20、玻璃基板中安装电路驱动模块， 使所述电路驱动 模块与所述第一连接区域导通。 0041 这里， 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块的过程， 为所述彩膜基 板与 TFT 基板进行对盒的过程， 其中， 所述 TFT 基板实现电路驱动功能。 0042 本实施例中， 所述 TFT 基板通过所述第二连接区域与集成电路进行连接， 进而与 集成电路的地相连时， 所述彩膜基板能够通过第一连接区域、 第二连接器区域与所述集成 电路的地连接， 进而使所述彩膜基板中的 ITO 薄膜与所述集成电路的地连接， 如此， 实现屏 蔽外界信号干扰的作用。 0043 实施例二 0044 图2为本发明实施例液晶显示器的制。
21、造方法的实现流程示意图二， 如图2所示， 所 述方法包括 ： 0045 步骤 201 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 0046 在实际应用中， 可以采用溅射方式在玻璃基板的中间区域沉积氧化物铟锡 (ITO) 薄膜。 0047 步骤 202 ： 在所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中沉积导电材料， 形成至 少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接区域与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜 连接 ； 0048 本实施例中， 在玻璃基板的边缘区域， 即未形成有 ITO 薄膜的区域中的至少部分 区域中沉积导电材料， 以形成至少一个第一连接区域， 使所述第一连接区域与沉积于所述 玻璃基。
22、板上的ITO薄膜连接 ； 如此， 在后续工艺中， 当TFT基板与所述第一连接区域连接时， 能够实现所述 TFT 基板与所述 ITO 薄膜导通， 以为屏蔽外界信号干扰奠定基础。 0049 其中， 所述导电材料包括 ： 氧化铟锡或导电金属。 0050 步骤 203 ： 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃 说 明 书 CN 104280903 A 6 4/7 页 7 基板上形成彩膜层 ； 0051 这里， 在具有所述 ITO 薄膜、 以及形成有至少一个第一连接区域的玻璃基板上形 成黑色矩阵， 以形成遮光区域 ； 在具有所述 ITO 薄膜、 至少一个第一连接区域、 以及黑色。
23、矩 阵的所述玻璃基板上沉积树脂及隔垫物 (PS) ； 如此， 形成本实施例所述的彩膜层 ； 0052 在实际应用中， 步骤 103 形成后的基板通常称之为彩膜基板， 即具有所述 ITO 薄 膜、 至少一个第一连接区域以及彩膜层的玻璃基板通常称为彩膜基板 ； 0053 上述过程形成的彩膜基板中， 在所述玻璃基板与树脂层之间形成有 ITO 薄膜层， 且所述玻璃基板的边缘区域的至少部分区域中形成有至少一个第一连接区域， 如此， 在后 续工艺中， 能够为彩膜基板与TFT基板电性相连奠定基础， 即为使彩膜基板与TFT基板通过 所述第一连接区域电性相连， 进而使所述 TFT 基板与所述 ITO 薄膜电性相。
24、连奠定基础。 0054 步骤 204 ： 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块 ； 0055 步骤 205 ： 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料， 形成至少一个 第二连接区域， 通过所述第二连接区域和所述第一连接区域， 使所述电路驱动模块与所述 第一连接区域导通。 0056 这里， 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块的过程， 为所述彩膜基 板与 TFT 基板进行对盒的过程， 其中， 所述 TFT 基板实现电路驱动功能 ； 因此， 上述方案中， 所述在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块， 在具有所述电路驱动模块的玻璃 基板中沉积导电材料， 形成至少一个第二。
25、连接区域， 通过所述第二连接区域和所述第一连 接区域， 使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通， 包括 ： 0057 确定一TFT基板， 在所述TFT基板的边缘区域沉积导电材料， 形成至少一个第二连 接区域 ； 0058 将所述彩膜基板与形成有第二连接区域的所述 TFT 基板对盒， 使所述第一连接区 域与第二连接区域连接 ； 0059 其中， 所述导电材料包括 ： 氧化铟锡或导电金属。 0060 本实施例中， 所述 TFT 基板通过所述第二连接区域与集成电路进行连接， 进而与 集成电路的地相连时， 所述彩膜基板能够通过第一连接区域、 第二连接器区域与所述集成 电路的地连接， 进而使所述彩膜基。
26、板中的 ITO 薄膜与所述集成电路的地连接， 如此， 实现屏 蔽外界信号干扰的作用。 0061 具体地， 第二连接区域与集成电路 IC 连接， 且各第二连接区域连接， 以通过所述 集成电路使所述彩膜基板与所述 TFT 基板与地相连。 0062 在实际应用中， 所述彩膜基板与所述 TFT 基板对盒时， 通常采用封框胶将所述彩 膜基板与所述 TFT 基板连接在一起， 以将液晶封闭 ； 而且， 所述封框胶中掺入有导电金球， 因此， 对盒之后， 所述彩膜基板中的第一连接区域和所述 TFT 基板中的第二连接区域通过 所述导电金球连接在一起 ； 由于所述 TFT 基板中的第二连接区域还与集成电路 IC 连。
27、接， 也 就是说， 所述彩膜基板与集成电路连接的地相连， 如此， 使所述彩膜基板中的 ITO 薄膜与所 述集成电路连接， 实现屏蔽外界信号干扰的作用。 0063 实施例三 0064 图3为本发明实施例液晶显示器的制造方法的实现流程示意图三， 如图3所示， 所 述方法包括 ： 说 明 书 CN 104280903 A 7 5/7 页 8 0065 步骤 301 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 ； 0066 在实际应用中， 可以采用溅射方式在玻璃基板的中间区域沉积氧化物铟锡 (ITO) 薄膜。 0067 步骤 302 ： 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 在所述玻璃基板的边缘区域的四个 直。
28、角区域中沉积导电材料， 形成四个第一连接区域 ； 其中， 每个第一连接区域均与沉积于所 述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0068 本实施例中， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 在玻璃基板的边缘区域， 即未形成 有 ITO 薄膜的区域中的四个直角中沉积导电材料， 以形成四个第一连接区域， 且每个第一 连接区域均与沉积于所述玻璃基板上的 ITO 薄膜连接 ； 如此， 在后续工艺中， 当 TFT 基板与 所述第一连接区域连接时， 能够实现所述TFT基板与所述ITO薄膜导通， 以为屏蔽外界信号 干扰奠定基础。 0069 其中， 所述导电材料包括 ： 氧化铟锡或导电金属。 0070 步骤 303 ：。
29、 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及形成有四个第一连接区域的玻璃基板 上形成彩膜层 ； 0071 这里， 在具有所述 ITO 薄膜、 以及四个第一连接区域的玻璃基板上形成黑色矩阵， 以形成遮光区域 ； 在具有所述 ITO 薄膜、 四个第一连接区域、 以及黑色矩阵的所述玻璃基板 上沉积树脂及隔垫物 (PS) ； 如此， 形成本实施例所述的彩膜层 ； 0072 在实际应用中， 步骤 303 形成后的基板通常称之为彩膜基板， 即具有所述 ITO 薄 膜、 四个第一连接区域以及彩膜层的玻璃基板通常称为彩膜基板 ； 0073 上述过程形成的彩膜基板中， 在所述玻璃基板与树脂层之间形成有 ITO 薄膜层， 且。
30、所述玻璃基板的边缘区域的部分区域中形成有四个第一连接区域， 如此， 在后续工艺中， 能够为彩膜基板与 TFT 基板电性相连奠定基础， 即为使彩膜基板与 TFT 基板通过所述第一 连接区域电性相连， 进而使所述 TFT 基板与所述 ITO 薄膜电性相连奠定基础。 0074 步骤 304 ： 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块 ； 0075 步骤 305 ： 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料， 形成四个第二 连接区域， 以使所述四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接 ； 以通过所述第 二连接区域和所述第一连接区域， 使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。 007。
31、6 这里， 在具有所述彩膜层的玻璃基板中安装电路驱动模块的过程， 为所述彩膜基 板与 TFT 基板进行对盒的过程， 其中， 所述 TFT 基板实现电路驱动功能 ； 因此， 上述方案中， 所述在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中沉积导电材料， 形成四个第二连接区域， 以使 所述四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接， 包括 ： 0077 确定一TFT基板， 在所述TFT基板的边缘区域沉积导电材料， 形成四个第二连接区 域 ； 0078 将所述彩膜基板与形成有第二连接区域的所述 TFT 基板对盒， 使所述第一连接区 域与第二连接区域一一连接 ； 0079 其中， 所述导电材料包括 ： 氧化铟。
32、锡或导电金属。 0080 本实施例中， 所述 TFT 基板通过第二连接区域与集成电路进行连接， 进而与集成 电路的地相连时， 所述彩膜基板能够通过第一连接区域、 第二连接器区域与所述集成电路 的地连接， 进而使所述彩膜基板中的 ITO 薄膜与所述集成电路的地连接， 如此， 实现屏蔽外 说 明 书 CN 104280903 A 8 6/7 页 9 界信号干扰的作用。 0081 具体地， 集成电路 IC 的一端与所述四个第二连接区域中的第一个第二连接区域 连接 ； 所述集成电路的另一端与所述四个第二连接区域中的第二个第二连接区域连接， 所 述四个第二连接区域相互连接， 以通过所述集成电路使所述彩膜。
33、基板与所述 TFT 基板与地 相连。 0082 在实际应用中， 所述彩膜基板与所述 TFT 基板对盒时， 通常采用封框胶将所述彩 膜基板与所述 TFT 基板连接在一起， 以将液晶封闭 ； 而且， 所述封框胶中掺入有导电金球， 因此， 对盒之后， 所述彩膜基板中的第一连接区域和所述 TFT 基板中的第二连接区域通过 所述导电金球连接在一起 ； 由于所述 TFT 基板中的第二连接区域还与集成电路 IC 连接， 也 就是说， 所述彩膜基板与集成电路连接的地相连， 如此， 使所述彩膜基板中的 ITO 薄膜与所 述集成电路连接， 实现屏蔽外界信号干扰的作用。 0083 实施例四 0084 图 4 为本发。
34、明实施例液晶显示器的制造方法的具体实现的流程示意图 ； 图 5 至图 9 为本发明实施例液晶显示器的制造过程的结构示意图 ； 如图 4 至图 9 所示， 所述方法包 括 ： 0085 步骤 401 ： 在玻璃基板的中间区域沉积氧化铟锡薄膜 51 ； 0086 步骤 402 ： 在所述玻璃基板的边缘区域的四个直角区域中沉积导电材料， 形成四 个第一连接区域 52 ； 其中， 每个第一连接区域 52 均与沉积于所述玻璃基板上的氧化铟锡薄 膜 51 连接 ； 得到如图 5 所示的结构 ； 0087 步骤 403 ： 在具有所述氧化铟锡薄膜 51、 以及形成有四个第一连接区域 52 的玻璃 基板上形成。
35、黑色矩阵 53， 以形成遮光区域 ； 得到如图 6 所示的结构 ； 0088 步骤 404 ： 在步骤 403 所述的结构中沉积树脂 54 及隔垫物 55， 得到图 7 所示的结 构 ； 0089 其中， 图 7 所示的结构即为彩膜基板的结构 ； 0090 步骤 405 ： 确定一 TFT 基板， 且在所述 TFT 基板的边缘区域沉积导电材料， 形成四 个第二连接区域 56 ； 其中， 集成电路 IC57 的一端通过走线 58 与所述四个第二连接区域中 的第一个第二连接区域连接 ； 所述集成电路 IC57 的另一端通过走线 58 与所述四个第二连 接区域中的第二个第二连接区域连接 ； 所述四个。
36、第二连接区域通过走线 58 电性连接 ； 如 此， 通过走线使所述四个第二连接区域与集成电路 IC 的地连接 ； 0091 步骤 406 ： 采用封框胶将步骤 405 处理后的所述 TFT 基板与步骤 404 得到的所述 彩膜基板对盒， 使所述TFT基板与所述彩膜基板连接在一起， 以将所述TFT基板与所述彩膜 基板中间的液晶封闭， 得到如图 9 所示的结构 ； 0092 这里， 所述封框胶中掺入有导电金球， 通过所述导电金球， 使所述彩膜基板中的四 个第一连接区域与所述 TFT 基板中的四个第二连接区域一一对应连接， 如此， 所述彩膜基 板中的 ITO 薄膜与所述集成电路 IC 的地连接， 实。
37、现屏蔽外界信号干扰的作用。 0093 实施例五 0094 本发明实施例还提供了一种液晶显示器， 包括玻璃基板 ； 其中， 所述液晶显示器还 依次包括 ： 0095 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜 ； 说 明 书 CN 104280903 A 9 7/7 页 10 0096 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接 区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0097 在具有所述氧化铟锡薄膜、 以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜 层 ； 0098 在具有所述彩膜层的玻璃基板中形成的电路驱动模块 ； 其中， 所述电路驱动模块 与所述第一连。
38、接区域导通。 0099 实施例六 0100 基于实施例五所述的液晶显示器， 本示例中， 所述液晶显示器还包括 ： 0101 在具有所述电路驱动模块的玻璃基板中形成的至少一个第二连接区域 ； 所述第二 连接区域与所述第一连接区域电性连接， 使所述电路驱动模块与所述第一连接区域导通。 0102 实施例七 0103 基于实施例六所述的液晶显示器， 本示例中， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 所 述液晶显示器中的第一连接区域的个数为四个 ； 其中， 四个第一连接区域对应位于所述玻 璃基板的边缘区域的四个直角区域中 ； 每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡 薄膜连接。 0104 实施例八 010。
39、5 基于实施例七所述的液晶显示器， 本示例中， 所述液晶显示器中的第二连接区域 的个数为四个 ； 其中， 四个第二连接区域与四个第一连接区域一一对应连接 ； 0106 所述液晶显示器还包括 ： 集成电路 ； 所述集成电路与第二连接区域连接 ； 各第二 连接区域连接。 0107 实施例九 0108 本发明实施例还提供了一种彩膜基板， 包括玻璃基板 ； 其中， 所述彩膜基板还依次 包括 ： 0109 形成于所述玻璃基板的中间区域的氧化铟锡薄膜 ； 0110 形成于所述玻璃基板的边缘区域的至少一个第一连接区域 ； 其中， 所述第一连接 区域与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连接 ； 0111 在具有所述。
40、氧化铟锡薄膜、 以及至少一个第一连接区域的玻璃基板上形成的彩膜 层。 0112 实施例十 0113 基于实施例九所述的彩膜基板， 本示例中， 当所述玻璃基板的形状为矩形时， 所述 彩膜基板中的第一连接区域的个数为四个 ； 其中， 四个第一连接区域对应位于所述玻璃基 板的边缘区域的四个直角区域 ； 每个第一连接区域均与所述玻璃基板上的氧化铟锡薄膜连 接 0114 以上所述， 仅为本发明的较佳实施例而已， 并非用于限定本发明的保护范围。 说 明 书 CN 104280903 A 10 1/5 页 11 图 1 说 明 书 附 图 CN 104280903 A 11 2/5 页 12 图 2 说 明 书 附 图 CN 104280903 A 12 3/5 页 13 图 3 说 明 书 附 图 CN 104280903 A 13 4/5 页 14 图 4 说 明 书 附 图 CN 104280903 A 14 5/5 页 15 图 5 图 6 图 7 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 104280903 A 15 。