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1、(10)申请公布号 CN 104319274 A (43)申请公布日 2015.01.28 CN 104319274 A (21)申请号 201410645754.2 (22)申请日 2014.11.14 H01L 27/02(2006.01) H01L 21/77(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路 10 号 申请人 北京京东方显示技术有限公司 (72)发明人 王俊伟 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 代理人 许静 黄灿 (54) 发明名称 阵列基板及。
2、其制作方法、 显示面板及显示装 置 (57) 摘要 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、 显示面板及显示装置， 属于液晶显示领域。其中， 该阵列基板包括依次设置于衬底基板上的第一 金属层、 第一绝缘层、 第一透明导电层、 第二金属 层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 所述阵列基板 的 GOA 电路区域设置有由所述第一金属层形成的 信号线和由所述第二金属层形成的 GOA 单元输入 端， 所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层上、 由所述第一透明导电层形成的第一连接线， 所述 第一连接线与所述 GOA 单元输入端直接连接， 并 通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述信号 线连接。本发明的技术方案能。
3、够提高 GOA 电路区 域连接的可靠性。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 3 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (10)申请公布号 CN 104319274 A CN 104319274 A 1/1 页 2 1. 一种阵列基板， 包括依次设置于衬底基板上的第一金属层、 第一绝缘层、 第一透明导 电层、 第二金属层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 所述阵列基板的 GOA 电路区域设置有由 所述第一金属层形成的信号线和由所述第二金属层形成的 GOA 单元输入端， 其特征在于， 所述阵列基板还包括位。
4、于所述第一绝缘层上、 由所述第一透明导电层形成的第一连接线， 所述第一连接线与所述 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔 与所述信号线连接。 2. 根据权利要求 1 所述的阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板还包括位于所述第二 绝缘层上、 由所述第二透明导电层形成的预留测试点， 所述预留测试点通过贯穿所述第二 绝缘层的第二过孔与所述 GOA 单元输入端连接。 3. 根据权利要求 1 所述的阵列基板， 其特征在于， 所述阵列基板的公共电极线包括由 所述第一金属层形成的第一走线和由所述第二金属层形成的第二走线， 所述阵列基板还包 括位于所述第一绝缘层上、 由所述第一透。
5、明导电层形成的第二连接线， 所述第二连接线与 所述第二走线直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一走线连接。 4. 一种显示面板， 其特征在于， 包括如权利要求 1-3 中任一项所述的阵列基板。 5. 一种显示装置， 其特征在于， 包括如权利要求 4 所述的显示面板。 6. 一种阵列基板的制作方法， 包括依次在衬底基板上形成第一金属层、 第一绝缘层、 第 一透明导电层、 第二金属层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 并在所述阵列基板的 GOA 电路 区域利用所述第一金属层形成信号线和利用所述第二金属层形成 GOA 单元输入端， 其特征 在于， 所述制作方法还包括 ： 在所述第一绝。
6、缘层上利用所述第一透明导电层形成第一连接线， 所述第一连接线与所 述 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述信号线连接。 7. 根据权利要求 6 所述的阵列基板的制作方法， 其特征在于， 形成所述第一连接线包 括 ： 通过同一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成第一电极和所述第一连接线。 8. 根据权利要求 6 所述的阵列基板的制作方法， 其特征在于， 所述制作方法还包括 ： 在所述第二绝缘层上利用所述第二透明导电层形成预留测试点， 所述预留测试点通过 贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述 GOA 单元输入端连接。 9. 根据权利要求 8 所述的阵列基板的制作方法。
7、， 其特征在于， 形成所述预留测试点包 括 ： 通过同一次构图工艺利用所述第二透明导电层形成第二电极和所述预留测试点。 10. 根据权利要求 6 所述的阵列基板的制作方法， 其特征在于， 所述阵列基板的公共电 极线包括由所述第一金属层形成的第一走线和由所述第二金属层形成的第二走线， 所述制 作方法还包括 ： 在所述第一绝缘层上利用所述第一透明导电层形成第二连接线， 所述第二连接线与所 述第二走线直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一走线连接。 权 利 要 求 书 CN 104319274 A 2 1/6 页 3 阵列基板及其制作方法、 显示面板及显示装置 技术领域 0001 。
8、本发明涉及液晶显示领域， 特别是指一种阵列基板及其制作方法、 显示面板及显 示装置。 背景技术 0002 近些年来液晶显示器的发展呈现出了高集成度， 低成本的发展趋势。其中一项非 常重要的技术就是 GOA(Gate Driver on Array， 阵列基板行驱动 ) 的技术量产化的实现。 利用 GOA 技术将栅极开关电路集成在液晶显示面板的阵列基板上， 从而可以省掉栅极驱动 集成电路部分， 以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本。这种利用 GOA 技术集成在 阵列基板上的栅极开关电路也称为 GOA 电路。 0003 现有ADS(ADvanced Super Dimension Switch。
9、， 简称ADS， 即高级超维场转换技术) 阵列基板中， 阵列基板依次包括衬底基板 ； 衬底基板上的栅电极和栅线 ； 栅电极和栅线上 的栅绝缘层 ； 栅绝缘层上的第一透明导电层图形和有源层 ； 第一透明导电层图形和有源层 上的数据线、 源电极、 漏电极和公共电极线 ； 数据线、 源电极、 漏电极和公共电极线上的钝化 层 ； 钝化层上的第二透明导电层图形。 0004 如图 1 和图 2 所示， 现有阵列基板的 GOA 电路区域中， 往往采用栅金属层来制作信 号线2， 采用源漏金属层来制作GOA输入端4， 并采用第二透明导电层5来制作连接信号线2 和 GOA 输入端 4 的导电连接线， 导电连接线通。
10、过过孔 A 6 和过孔 B 7 将信号线 2 和 GOA 输 入端 4 连接起来。由图 2 可以看出， 过孔 A 6 需要贯穿栅绝缘层和钝化层， 贯穿的厚度比较 大， 过孔B 7需要贯穿钝化层， 如果钝化层的厚度比较大， 过孔B 7贯穿的厚度也会比较大， 导致在刻蚀形成过孔 A 6 和过孔 B 7 时， 容易出现倒角， 较难保证过孔 A 6 和过孔 B 7 的蚀 刻效果， 之后在过孔 A 6 和过孔 B 7 上沉积第二透明导电层形成导电连接线时， 在图 2 所示 的虚线框区域容易发生连接不良， 现有技术往往通过增加第二透明导电层的厚度来改善这 一现象， 但是这样既增加了生产成本也增加了工艺难度。
11、和生产时间， 并且导电连接线与信 号线间接触电阻受工艺限制仍然比较大。 发明内容 0005 本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、 显示面板及显示装 置， 能够提高 GOA 电路区域连接的可靠性。 0006 为解决上述技术问题， 本发明的实施例提供技术方案如下 ： 0007 一方面， 提供一种阵列基板， 包括依次设置于衬底基板上的第一金属层、 第一绝缘 层、 第一透明导电层、 第二金属层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 所述阵列基板的 GOA 电 路区域设置有由所述第一金属层形成的信号线和由所述第二金属层形成的 GOA 单元输入 端， 所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层上、 。
12、由所述第一透明导电层形成的第一连接 线， 所述第一连接线与所述 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第一 过孔与所述信号线连接。 说 明 书 CN 104319274 A 3 2/6 页 4 0008 进一步地， 所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层上、 由所述第二透明导电层 形成的预留测试点， 所述预留测试点通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述 GOA 单元 输入端连接。 0009 进一步地， 所述阵列基板的公共电极线包括由所述第一金属层形成的第一走线和 由所述第二金属层形成的第二走线， 所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层上、 由所述 第一透明导电层形成的第二连接线，。
13、 所述第二连接线与所述第二走线直接连接， 并通过贯 穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一走线连接。 0010 本发明实施例还提供了一种显示面板， 包括如上所述的阵列基板。 0011 本发明实施例还提供了一种显示装置， 包括如上所述的显示面板。 0012 本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法， 包括依次在衬底基板上形成第 一金属层、 第一绝缘层、 第一透明导电层、 第二金属层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 并在 所述阵列基板的 GOA 电路区域利用所述第一金属层形成信号线和利用所述第二金属层形 成 GOA 单元输入端， 所述制作方法还包括 ： 0013 在所述第一绝缘层上利用所述第一透明。
14、导电层形成第一连接线， 所述第一连接线 与所述 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述信号线连 接。 0014 进一步地， 形成所述第一连接线包括 ： 0015 通过同一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成第一电极和所述第一连接线。 0016 进一步地， 所述制作方法还包括 ： 0017 在所述第二绝缘层上利用所述第二透明导电层形成预留测试点， 所述预留测试点 通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述 GOA 单元输入端连接。 0018 进一步地， 形成所述预留测试点包括 ： 0019 通过同一次构图工艺利用所述第二透明导电层形成第二电极和所述预留测试点。 002。
15、0 进一步地， 所述阵列基板的公共电极线包括由所述第一金属层形成的第一走线和 由所述第二金属层形成的第二走线， 所述制作方法还包括 ： 0021 在所述第一绝缘层上利用所述第一透明导电层形成第二连接线， 所述第二连接线 与所述第二走线直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一走线连接。 0022 本发明的实施例具有以下有益效果 ： 0023 上述方案中， 阵列基板的第一绝缘层上设置有由第一透明导电层形成的第一连接 线， 第一连接线与 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿第一绝缘层的第一过孔与信号线 连接， 这样第一连接线可以通过较浅的过孔将信号线与 GOA 单元输入端连接起来。
16、， 避免了 较深的过孔会产生倒角、 导致接触不良的问题， 提高了 GOA 电路区域连接的可靠性。 附图说明 0024 图 1 为现有阵列基板的 GOA 电路区域的平面示意图 ； 0025 图 2 为现有阵列基板的 GOA 电路区域的截面示意图 ； 0026 图 3 为本发明实施例一阵列基板的 GOA 电路区域的平面示意图 ； 0027 图 4 为本发明实施例一阵列基板的 GOA 电路区域的截面示意图 ； 0028 图 5 为本发明实施例二阵列基板的 GOA 电路区域的平面示意图 ； 说 明 书 CN 104319274 A 4 3/6 页 5 0029 图 6 为本发明实施例二阵列基板的 GO。
17、A 电路区域的截面示意图 ； 0030 图 7 为现有技术阵列基板的公共电极线的截面示意图 ； 0031 图 8 为本发明实施例三阵列基板的公共电极线的截面示意图 ； 0032 图 9 为本发明实施例四阵列基板的公共电极线的截面示意图。 0033 附图标记 0034 1 衬底基板 2 信号线 3 栅绝缘层 4 GOA 输入端 0035 5 第二透明导电层 6 过孔 A 7 过孔 B 8 第一过孔 0036 9 第一透明导电层 10 第二过孔 11 钝化层 12 第一走线 0037 13 第二走线 14 第三过孔 15 第四过孔 具体实施方式 0038 为使本发明的实施例要解决的技术问题、 技术。
18、方案和优点更加清楚， 下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。 0039 本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、 显示面板及显示装置， 能够提 高 GOA 电路区域连接的可靠性。 0040 本发明实施例提供了一种阵列基板， 包括依次设置于衬底基板上的第一金属层、 第一绝缘层、 第一透明导电层、 第二金属层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 所述阵列基板 的GOA电路区域设置有由所述第一金属层形成的信号线和由所述第二金属层形成的GOA单 元输入端， 其中， 所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层上、 由所述第一透明导电层形成 的第一连接线， 所述第一连接线与所述 GOA 单元输入端直接连接，。
19、 并通过贯穿所述第一绝 缘层的第一过孔与所述信号线连接。 0041 本发明的阵列基板， 第一绝缘层上设置有由第一透明导电层形成的第一连接线， 第一连接线与 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿第一绝缘层的第一过孔与信号线连 接， 这样第一连接线可以通过较浅的过孔将信号线与 GOA 单元输入端连接起来， 避免了较 深的过孔会产生倒角、 导致接触不良的问题， 提高了 GOA 电路区域连接的可靠性。 0042 进一步地， 所述阵列基板还包括位于所述第二绝缘层上、 由所述第二透明导电层 形成的预留测试点， 所述预留测试点通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述 GOA 单元 输入端连接。 0043 。
20、进一步地， 所述阵列基板的公共电极线包括由所述第一金属层形成的第一走线和 由所述第二金属层形成的第二走线， 所述阵列基板还包括位于所述第一绝缘层上、 由所述 第一透明导电层形成的第二连接线， 所述第二连接线与所述第二走线直接连接， 并通过贯 穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一走线连接。 0044 本发明实施例还提供了一种显示面板， 包括如上所述的阵列基板。 0045 本发明实施例还提供了一种显示装置， 包括如上所述的显示面板。显示装置其他 部分的结构可以参考现有技术， 对此本文不再详细描述。该显示装置可以为 ： 液晶面板、 电子纸、 液晶电视、 液晶显示器、 数码相框、 手机、 平板电脑等具。
21、有任何显示功能的产品或部 件。 0046 本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法， 包括依次在衬底基板上形成第 一金属层、 第一绝缘层、 第一透明导电层、 第二金属层、 第二绝缘层和第二透明导电层， 并在 说 明 书 CN 104319274 A 5 4/6 页 6 所述阵列基板的 GOA 电路区域利用所述第一金属层形成信号线和利用所述第二金属层形 成 GOA 单元输入端， 其中， 所述制作方法还包括 ： 0047 在所述第一绝缘层上利用所述第一透明导电层形成第一连接线， 所述第一连接线 与所述 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第一过孔与所述信号线连 接。 0048。
22、 本发明制作的阵列基板， 第一绝缘层上设置有由第一透明导电层形成的第一连接 线， 第一连接线与 GOA 单元输入端直接连接， 并通过贯穿第一绝缘层的第一过孔与信号线 连接， 这样第一连接线可以通过较浅的过孔将信号线与 GOA 单元输入端连接起来， 避免了 较深的过孔会产生倒角、 导致接触不良的问题， 提高了 GOA 电路区域连接的可靠性。 0049 进一步地， 形成所述第一连接线包括 ： 0050 通过同一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成第一电极和所述第一连接线。 0051 进一步地， 所述制作方法还包括 ： 0052 在所述第二绝缘层上利用所述第二透明导电层形成预留测试点， 所述预留测试。
23、点 通过贯穿所述第二绝缘层的第二过孔与所述 GOA 单元输入端连接。 0053 进一步地， 形成所述预留测试点包括 ： 0054 通过同一次构图工艺利用所述第二透明导电层形成第二电极和所述预留测试点。 0055 进一步地， 所述阵列基板的公共电极线包括由所述第一金属层形成的第一走线和 由所述第二金属层形成的第二走线， 所述制作方法还包括 ： 0056 在所述第一绝缘层上利用所述第一透明导电层形成第二连接线， 所述第二连接线 与所述第二走线直接连接， 并通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述第一走线连接。 0057 下面结合附图以及具体的实施例对本发明的阵列基板进行进一步地介绍 ： 0058 实。
24、施例一 0059 本实施例中， 信号线与 GOA 单元输入端通过由第一透明导电层形成的第一连接线 连接。 0060 本实施例的阵列基板包括依次设置于衬底基板上的栅金属层、 栅绝缘层、 第一透 明导电层、 源漏金属层、 钝化层和第二透明导电层， 其中， 第一透明导电层用于形成第一电 极， 第一电极可以为公共电极或像素电极， 第二透明导电层用于形成第二电极， 第二电极可 以为像素电极或公共电极， 如图 3 和图 4 所示， 阵列基板的 GOA 电路区域设置有由栅金属层 形成的信号线2和由源漏金属层形成的GOA单元输入端4， 栅绝缘层3上设置有由第一透明 导电层 9 形成的第一连接线， 第一连接线与。
25、 GOA 单元输入端 4 直接连接， 并通过贯穿栅绝缘 层的第一过孔 8 与信号线 2 连接， 在第一连接线和 GOA 单元输入端 4 上覆盖有钝化层 11。 0061 为了不增加构图工艺的次数， 本实施例中， 第一连接线可以与第一电极通过同一 次构图工艺形成。 0062 本实施例改变传统的过孔搭接方式， 只在栅绝缘层做一个较浅的过孔， 用第一透 明导电层 9 代替第二透明导电层制作第一连接线， 第一连接线与 GOA 单元输入端 4 不再通 过过孔连接， 而是直接连接， 优化了第一连接线与 GOA 单元输入端 4 之间的连接 ； 另外第一 连接线与信号线 2 之间不再通过贯穿栅绝缘层 3 和钝。
26、化层 11 的深孔连接， 而是通过贯穿栅 绝缘层 3 的较浅的第一过孔 8 与信号线 2 连接， 优化了第一连接线与信号线 2 之间的连接。 另外， 第一连接线上覆盖有钝化层 11， 能够对第一连接线进行绝缘隔离， 进一步提高了阵列 说 明 书 CN 104319274 A 6 5/6 页 7 基板 GOA 电路区域的可靠性。 0063 实施例二 0064 在实施例一的基础上， 本实施例增加了位于钝化层上、 由第二透明导电层形成的 预留测试点， 预留测试点通过贯穿钝化层的第二过孔与 GOA 单元输入端连接。 0065 本实施例的阵列基板包括依次设置于衬底基板上的栅金属层、 栅绝缘层、 第一透 。
27、明导电层、 源漏金属层、 钝化层和第二透明导电层， 其中， 第一透明导电层用于形成第一电 极， 第一电极可以为公共电极或像素电极， 第二透明导电层用于形成第二电极， 第二电极可 以为像素电极或公共电极， 如图 5 和图 6 所示， 阵列基板的 GOA 电路区域设置有由栅金属层 形成的信号线2和由源漏金属层形成的GOA单元输入端4， 栅绝缘层3上设置有由第一透明 导电层 9 形成的第一连接线， 第一连接线与 GOA 单元输入端 4 直接连接， 并通过贯穿栅绝缘 层的第一过孔 8 与信号线 2 连接， 在第一连接线和 GOA 单元输入端 4 上覆盖有钝化层 11。 由于第一连接线和 GOA 单元输。
28、入端 4 上覆盖有钝化层 11， 为了获知信号线上信号的传输情 况， 对信号进行测试， 本实施例在钝化层11上增加第二过孔10， 并利用第二透明导电层5形 成预留测试点， 预留测试点通过第二过孔 10 与 GOA 单元输入端 4 连接， 预留测试点可以在 失效分析时作为信号捕捉测试点用。 0066 为了不增加构图工艺的次数， 本实施例中， 预留测试点可以与第二电极通过同一 次构图工艺形成。 0067 为了不增加掩膜板的成本， 可以利用实施例一中制作第一过孔的掩膜板来制作本 实施例中的第二过孔， 只需要对掩膜板的位置进行调整， 即可在预设位置形成第二过孔。 0068 实施例三 0069 为了减少。
29、公共电极线的电阻， 如图 7 所示， 阵列基板的公共电极线往往包括由栅 金属层形成的第一走线 12 和由源漏金属层形成的第二走线 13， 第一走线 12 和第二走线 13 通过第二透明导电层 5 形成的连接线连接， 该连接线需要通过贯穿栅绝缘层 3 和钝化层 11 的较深的第四过孔 15 将第一走线 12 和第二走线 13 连接起来， 但是较深的过孔在刻蚀时容 易出现倒角， 难以保证连接效果。 0070 为了解决这一问题， 本实施例在实施例一和实施例二的基础上， 在栅绝缘层上利 用第一透明导电层形成第二连接线， 第二连接线与第二走线直接连接， 并通过贯穿栅绝缘 层的第三过孔与第一走线连接。 0。
30、071 本实施例的阵列基板包括依次设置于衬底基板上的栅金属层、 栅绝缘层、 第一透 明导电层、 源漏金属层、 钝化层和第二透明导电层， 其中， 第一透明导电层用于形成第一电 极， 第一电极可以为公共电极或像素电极， 第二透明导电层用于形成第二电极， 第二电极可 以为像素电极或公共电极， 如图 8 所示， 阵列基板的公共电极线包括由栅金属层形成的第 一走线12和由源漏金属层形成的第二走线13， 栅绝缘层3上设置有由第一透明导电层9形 成的第二连接线， 第二连接线与第二走线 13 不再通过过孔连接， 而是直接连接， 优化了第 二连接线与第二走线 13 之间的连接 ； 另外第二连接线与第一走线 12。
31、 之间不再通过贯穿栅 绝缘层 3 和钝化层 11 的深孔连接， 而是通过贯穿栅绝缘层 3 的较浅的第三过孔 14 与第一 走线 12 连接， 优化了第二连接线与第一走线 12 之间的连接。另外， 第二连接线上覆盖有钝 化层 11， 能够对第二连接线进行绝缘隔离， 进一步提高了公共电极线的可靠性。 0072 为了不增加掩膜板的成本， 可以利用实施例一中制作第一过孔的掩膜板来制作本 说 明 书 CN 104319274 A 7 6/6 页 8 实施例中的第三过孔， 只需要对掩膜板的位置进行调整， 即可在预设位置形成第三过孔。 0073 实施例四 0074 进一步地， 如图9所示， 在实施例三的基础。
32、上， 还可以在钝化层11上增加第五过孔 16， 并利用第二透明导电层 5 形成预留测试点， 预留测试点通过第五过孔 16 与第二走线 13 连接， 通过该预留测试点可以获得公共电极线的信号传输情况。在制作第五过孔 16 时， 可 以利用实施例一中制作第一过孔的掩膜板来同时制作实施例二中的第二过孔和本实施例 中的第五过孔， 由于在制作第二过孔时， 需要对掩膜板的位置进行调整， 因此， 本实施例中 第五过孔的位置相比于现有的第四过孔也会发生变化， 需要对第二走线 13 的走线进行调 整， 确保第五过孔 16 在垂直于阵列基板方向上的投影落入第二走线 13 中。 0075 以上所述是本发明的优选实施方式， 应当指出， 对于本技术领域的普通技术人员 来说， 在不脱离本发明所述原理的前提下， 还可以作出若干改进和润饰， 这些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。 说 明 书 CN 104319274 A 8 1/3 页 9 图 1 图 2 图 3 说 明 书 附 图 CN 104319274 A 9 2/3 页 10 图 4 图 5 图 6 说 明 书 附 图 CN 104319274 A 10 3/3 页 11 图 7 图 8 图 9 说 明 书 附 图 CN 104319274 A 11 。