低聚硅氮烷及其制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN89108976.4

申请日:

1989.12.02

公开号:

CN1047091A

公开日:

1990.11.21

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法律详情:

|||公开

IPC分类号:

C08G77/62

主分类号:

C08G77/62

申请人:

赫彻斯特股份公司

发明人:

提洛·瓦赫斯

地址:

联邦德国法兰克福

优先权:

1988.12.03 DE P3840776.0

专利代理机构:

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人:

张元忠

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内容摘要

本发明涉及新的低聚硅氮烷及其制备方法,该方法是,在-70℃-+100℃下,将过量的氨与R1R2SiCl2和Cl2R3SiCH2CH2SiR3Cl2的混合物反应,式中R1,R2各自为H,C1—C6烷基或C2—C6链烯基;R3=C1—C6烷基或C2—C6链烯基;容易将低聚硅氮烷转变成聚氯硅氮烷,后者又可转变成含有氮硅化的陶瓷材料,收率高。

权利要求书

1: 制备低聚硅氮烷的方法,其特征在于:在-70°-+100℃下,将过量的氨与R 1 R 2 Sicl 2 和cl 2 R 3 SiCH 2 -CH 2 SiR 3 cl 2 的混合物反应,式中R 1 ,R 2 各自为H,C 1 -C 6 烷基或C 2 -C 6 链烯基;R 3 为C 1 -C 6 烷基或C 2 -C 6 链烯基;
2: 按权利要求1所述的方法,其特征在于:R 1 ,R 2 为氢,C 1 -C 3 烷基或C 2 -C 3 链烯基;R 3 为C 1 -C 3 烷基或C 2 -C 3 链烯基;
3: 按权利要求1所述的方法,其特征在于:R 1 =H,R 2 =R 3 =CH 3 。

说明书


本发明涉及新的低聚硅氮烷及其制备方法。本发明的低聚硅氮烷可进一步例如与氯硅烷反应,生成聚硅氮烷,后者可热解成含有氮化硅的陶瓷材料。

    由其它低聚物制备聚硅氮烷已有记述(美国专利4,482,669,4,720,532,PCT-WO88/01260),也记述了热解聚硅氮烷生成含有氮化硅的陶瓷材料(R.R.Wills等,陶瓷公报Vol.62(1983),904-915)。

    为了制备作为聚合物的中间体的低聚硅氮烷或低分子的硅氮烷,直到现在使用氯硅烷作为原料,并将其与氨、伯胺或仲胺反应(美国专利4,540,803,4,543,344,4,595,775,4,397,828)。

    为制备聚硅氮烷,本发明提供了新的原料,即低聚硅氮烷。

    本发明的一个内容是制备低聚硅氮烷的方法,其特征是将过量的氨与R1R2SiCl2和Cl2R3Si-CH2-CH2SiR3Cl2的混合物在-70℃-+100℃反应,式中R1,R2各自是H,C1-C6烷基或C2-C6链烯基,R3为C1-C6烷基或C2-C6链烯基,较好是R1,R2为H,C1-C3烷基或C2-C3链烯基,R3为C1-C3烷基或C2-C3链烯基,最好是R1=H,R2=R3=CH3。

    作为原料使用的氯硅烷R1R2SiCl2可以买到,乙烯桥连物质Cl2R3Si-CH2-CH2SiR3cl2是由市售的R3HSicl2和乙炔经氢化硅烷基化反应得到的。

    为了制备低聚硅氮烷,最好将氯硅烷置于对反应剂一氯硅烷和氨-呈惰性的溶剂中,如饱和脂肪烃或芳香烃,例如正戊烷,环己烷,甲苯;氯化烃类如氯仿或氯苯,或者醚类如乙醚或四氢呋喃(THF),然后混入氨直至饱和。当所有的Sicl-官能基均被NH基取代后,则达到了饱和。必要时此方法也可以在减压下进行,还可在1-100巴的压力下进行。氨可以气体或液体形式定量加入。该方法还可以连续地进行。

    所制备的新的低聚硅氮烷的分子结构如式(Ⅰ)

    n可为2至大约12。

    本发明的另一内容是分子式如下地低聚硅氮烷:

    式中a>0,b>0,n为大约2到大约12;R1,R2各自为H,C1-C6烷基或C2-C6链烯基,R3为C1-C6烷基或C2-C6链烯基。a和b为各结构单元的摩尔比。a和b总计为1,其a>0,b>0;较好是R1,R2=H,C1-C3烷基或C2-C3链烯基和R3=C1-C3烷基或C2-C3链烯基,最好是R1=H,R2=R3=CH3。

    本发明提供了很有价值的中间产物,因为该中间体很容易转变成聚氯硅氮烷,后者又可以高产率地转化成含有氮化硅的陶瓷材料。

    为了获得聚氯硅氮烷,式(Ⅰ)的低聚硅氮烷要与cl2R4Si-CH2-CH2SiR4cl2、cl3Si-CH2-CH2-SiR5cl2、R6Sicl3、或R7SiHcl2氯硅烷中的至少一个在30°-300℃下进行反应,其中R1,R2各自为H,C1-C6烷基或C2-C6链烯基,R3,R4,R5,R6,R7各自为C1-C6烷基或C2-C6链烯基。

    生成聚氯硅氮烷的反应中,各反应物的摩尔比较好的是:氯硅烷∶低聚硅氮烷的单体(n=1)为大约0.1∶1到大约1.5∶1,最好是大约0.1∶1到大约0.7∶1。

    为了使反应物相互反应,最好是把上述的至少一个氯硅烷加到低硅氮烷中。该反应因放热,在反应物加在一起时最好首先保持温度30-50℃,然后加热到100-300℃,最好加热120-250℃。

    反应过程中逸出部份副产物NH3。反应结束后,残留的易挥发的化合物通常是将反应容器抽真空以除去。

    反应中还生成NH4Cl,它大部分在反应过程中自反应混合物中升华出来。有可能残留的NH4Cl可用一种惰性有机溶剂例如正己烷、甲苯、乙醚进行提取与本发明制取的聚氯硅氮烷分开。

    反应时间取决于加热的速度和反应温度。通常反应时间3-7小时足够了。

    该反应也可以在一种溶剂中进行。适宜的溶剂是对反应物呈惰性和沸点足够高的溶剂,例如饱和脂肪烃或芳香烃,如正癸烷,十氢化萘,二甲苯,甲苯,氯化烃类如氯苯,或者醚类如二苄醚,二乙二醇二乙醚。若用的溶剂不溶解生成的NH4Cl,则后者可以用过滤法分开。然后减压蒸除溶剂,得到本发明的聚氯硅氮烷。

    该方法在必要时也可在减压下进行。也可在压力范围为1-10大气压下进行。

    反应也能连续地进行。

    制备成的新的聚氯硅氮烷的结构式如式(Ⅱ)

    式中氮原子的游离价键用氢原子或甲硅烷基R*SiXN<(X=H,cl,N<,CH2CH2Si←)饱和;其中c、d、e、f、g、h代表该结构单元的摩尔比;R1,R2各自为H,C1-C6烷基或C2-C6链烯基;R4,R5,R6,R*为C1-C6烷基或C2-C6链烯基;当标号d,e,f,g,中至少一个大于零时,R7为C1-C6烷基或C2-C6链烯基;当d=e=f=g=o时,R7为C2-C6链烯基。

    聚氯硅氮烷可与氨反应(氨解),生成聚硅氮烷,后者再经热解作用转变成含有氮硅化的陶瓷材料。

    氨解可在液氨中进行。但在有机溶剂中进行是有好处的。所有的对于聚氯硅氮烷呈惰性反应的溶剂都是适宜的。最好用的溶剂是对于产生的副产物NH4cl溶解度小并且容易分开的溶剂,例如醚类,脂肪和芳香烃类,氯化烃类。氨解时反应物可以任意的次序加到反应器中。但较好的是将聚氯硅氮烷溶液置于反应器中,通入气态的氨或加入液氨。聚氯硅氮烷若在适宜的有机溶剂中制备,则氨解反应可在该溶剂中进行,而不必预先分离NH4cl。氨解反应最好是用过量的NH3进行,以便保证反应完全以及最终产物尽可能没有氯。为此,通常用两倍的化学计量的氨。

    反应温度一般在-50°-+100℃,较好是在-20°-+30℃,最好在室温下(此时需冰冷却)。但也可以在高于室温下反应,例如在所用溶剂的沸腾温度下,或者低于室温下反应,例如用液氨时在-33℃下反应。

    氨解结束后,在这种情况下除掉过剩的NH3,滤除产生的氯化铵。为了提高收率,可以用上述的有机溶剂洗涤该沉淀。减压下蒸除溶剂后,直接得到聚硅氮烷白色粉末。聚硅氮烷溶于上述的有机溶剂,因此既可用作表面涂层,也可用于制造纤维。

    聚硅氮烷在惰性氮气或氩气中,于温度800-1200℃热解,生成无定形的密实物质,该物质主要由Si,N和C组成,也可能含有痕量的H和O。热解温度高于1200℃时,大约于1200-1400℃的范围内,生成部分无定形的微晶形陶瓷材料,后者含有α-Si3N4结晶相。

    聚硅氮烷的一个特殊优点,是在热解前可按不同的方法加工成三维模制品。

    成型的一个重要方法是抽成纤维,为此,可将聚硅氮烷在有机溶剂中例如在甲苯、四氢呋喃或己烷中的高粘度溶液抽成纤维。可方便地用直径为80-150μm的纺丝喷咀抽成纤维,随后将纤维拉抻变细,热解后得到直径2-20μm,特别是5-15μm的强力很高的纤维。经热解制得的纤维作为机械的增强层,用来增强铝、铝合金和陶瓷部件。

    聚硅氮烷的另一个加工的可能性是制备密实的、粘附牢固的无定形或微晶型的陶瓷涂层复盖于金属,特别是钢表面上。涂层用的是聚硅氮烷在有机溶剂如甲苯、四氢呋喃、己烷中的溶液。热解变成无定形的或微晶型薄层,是在惰性气体中温度范围在800-1200℃或1200-1400℃进行的,如同上面叙述三维模制体的过程那样。

    这种陶瓷涂层,由于有优良的粘着作用,硬度高,和表面性能好,特别适用于需要在机械或化学地进行表面调质的机器部件。

    另外,上述的聚硅氮烷可以不在惰性气体中,而是在氨气中热解,同样有70-90%的陶瓷收率。同时生成实际上不含碳的像玻璃一样透明的无色材料。在氨气中于1000℃或更高温度下热解,碳含量在0.5%以下(按重量计)。热解产物按热解温度而定由实际上纯净的无定形(热解温度在1200℃以下)的氮化硅,或由结晶型(热解温度在1200℃以上,尤其是在1300℃以上)的Si3N4组成。在NH3中进行热解作用,可适用于所有按照上述的成型方法制成的模制品,因而适用于由粉末制成的物体、纤维、涂层。

    聚氯硅氮烷转变成含氮化硅的陶瓷材料,更可取的是不必分离中间生成的聚硅氮烷。在此情况下,最好是使聚氯硅氮烷与气态氨反应,并且将这里生成的反应混合物在氨气中热解。

    实验部分

    如下结构式        所示的1,2-双(甲基二氯甲硅烷基)乙烷的制备

    借助氢化甲硅烷基化使两分子的甲基二氯硅烷(CH3)HSiCl2加到一分子的乙炔HC=CH上。为此,将气态的乙炔通入作为溶剂的甲苯中,在该溶液中加六氯铂酸溶在氯仿中浓度为0.05摩尔的溶液0.5ml。加热到80℃以上并慢慢滴入甲基二氯硅烷(沸点45℃)。同时一直不断地通入乙炔。反应过程中要注意反应混合物的温度。若低于80℃,就会有太多的没有反应的甲基二氯硅烷,那么就首先让后者反应完毕才继续滴入。1,2-双(甲基二氯甲硅烷基)乙烷的收率接近100%,而且这种溶液无需加工处理就可用于制备低聚硅氮烷。氯硅烷的含量借助于H-核磁共振谱容易确定。最好使溶剂部分尽可能的少。若从开始就加有1,2-双(甲基二氯甲硅烷基)乙烷,为了达到必需的反应温度,制备化合物可完全不用溶剂。

    实施例1

    制备式(Ⅰ)所示的低聚硅氮烷(R1=H,R2=R3=CH3,a=0.67,b=0.33),以及将其进一步加工成聚氯硅氮烷。

    a.低聚物的制备

    在具有搅拌、冷却和导入气体装置的2升四颈瓶中将60ml(66.9g,0.58mol)CH3SiHcl2和60ml(72.0g,0.28mol)cl2CH3SiCH2CH2SiCH3cl2溶解在1.5升无水四氢呋喃中,并混合均匀。然后通入气态氨,使反应混合物的温度保持在0℃-01℃。一旦达到饱和,也就是说所有的Sicl基均已被NH-基取代时,就撤去冷却浴使其融化,为的是接着在惰性气体保护下,分离反应生成的氯化铵。在压力约为10毫巴和约40℃下除去滤液中的四氢呋喃和其它挥发性成份,剩余物为无溶剂的低聚硅氮烷,是无色的易流动的油状物(62.7g),收率83.7%。

    1H-核磁共振数据:

    SiCH3δ=0.0-0.5ppm(宽峰),强度14.4NH+SiCH2CH2Si δ=0.5-1.25ppm

    (宽峰),强度8.0

    SiH        δ=4.5-5.0ppm(宽峰),强度1.6

    用气相色谱法测得的主要组分:

    沸点        226℃占9.3%

    沸点        251℃占7.6%

    沸点        256℃占24.1%,其余部分分布成24个峰,最大的峰只占5面积%

    b.聚合物的制备

    将低聚硅氮烷溶解于150ml甲苯中,小心地加入CH3Sicl347ml(59.8g,0.4mol)。此时内温升至52℃,随后加热回流2小时,产生无色的沉淀。然后在减压下于-78℃致冷蒸出溶剂,此时使油浴温度每15分钟升高10℃,而将烧瓶内压力逐渐降低,以致最终在220℃时达到0.1毫巴。这时一部分反应混合物升华到容器的较冷部份,留下的是透明的熔体。冷却时越来越稠,最后固化,于20℃时生成的物质为玻璃状脆而透明。

    收率45.6g

    1H-核磁共振数据:

    SiCH3+SiCH2CH2Si+NH δ=0.0-2.0

    ppm(宽峰)        强度20

    SiH        δ=4.5-5.2ppm(宽峰)        强度0.9

    分析数据:

    实测值:Si36.0%,N16.0%,c119.9%,O<0.3%

    计算值:Si37.2%,N18.6%,c117.1%,C21.1%,H4.8%

    实例2

    制备式(Ⅰ)所示的低聚硅氮烷(R1=H,R2=R3=CH3,a=0.41,b=0.59)

    制备过程与实例1所述的相同,只是用如下的原料:

    CH3SiHcl230ml(33.5g,0.29mol)cl2CH3SiCH2CH2SiCH3cl290ml(108g,0.42mol)

    收率69.8g(90%)

    1H核磁共振数据:

    SiCH3δ=0.0-0.5ppm(宽峰),强度13.6NH+SiCH2CH2Siδ=0.5-1.3PPm(宽峰),强度9.5

    SiH=4.5-5.0ppm宽峰),强度0.9

    用气相色谱法测得的主要组分:

    沸点179℃        占20.5%

    沸点257℃        占16.6%

    沸点284℃        占21.8%

    其余部分分布于17个峰处,最大点5面积%

    实施例3

    制备式(Ⅰ)所示的低聚硅氮烷(R1=R2=R3=CH3,a=0.64,b=0.36)

    制备过程与实例1所述的相同,只是用如下的原料:

    (CH3)2Sicl260ml(63.8g,0.49mol)

    cl2CH3SiCH2CH2SiCH2cl260ml(72g,0.28mol)

    收率85%(83.8g)

    1H核磁共振谱数据:

    SiCHδ=0.0-0.6ppm(宽峰),强度15.3

    NH+SiCH2CH2Siδ=0.6-1.4PPm(宽峰),强度6.8

    平均分子量:580g/mol(苯中冰点降低法)

    实例4

    制备式(Ⅰ)所示的低聚硅氮烷(R1=乙烯基,R2=R3=CH3,a=0.35,b=0.65)

    制备过程与实例1所述的方法相同,只是用如下的原料:

    H2C=CH-SiCH3cl230ml(32.6g,

    0.23mol)

    cl2CH3SiCH2CH2SiCH3cl290ml

    (108g,0.42mol)

    收率88.1%(72.5g)

    1H核磁共振数据

    SiCH=CH2δ=5.5-6.5ppm(宽峰),强度

    2.9

    SiCH3δ=0.0-0.5ppm(宽峰),强度15.2

    NH+SiCH2CH2Si δ=0.6-1.5PPM(宽峰),强度13.0

    平均分子量:500g/mol(苯中冰点降低法)

低聚硅氮烷及其制备方法.pdf_第1页
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本发明涉及新的低聚硅氮烷及其制备方法,该方法是,在-70-+100下,将过量的氨与R1R2SiCl2和Cl2R3SiCH2CH2SiR3Cl2的混合物反应,式中R1,R2各自为H,C1C6烷基或C2C6链烯基;R3C1C6烷基或C2C6链烯基;容易将低聚硅氮烷转变成聚氯硅氮烷,后者又可转变成含有氮硅化的陶瓷材料,收率高。。

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