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1、10申请公布号CN104051012A43申请公布日20140917CN104051012A21申请号201310084243322申请日20130315G11C16/14200601G11C16/3420060171申请人北京兆易创新科技股份有限公司地址100083北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层72发明人张现聚丁冲苏志强程莹74专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319代理人赵娟54发明名称一种存储器擦除的方法和装置57摘要本发明提供了一种存储器擦除的方法和装置，所述方法包括对目标擦除块进行预编程操作；施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；对。
2、所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作；对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；判断所述第一擦除验证操作是否成功；施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作；对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作；判断所述第二擦除验证操作是否成功；对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。本发明不仅极大降低了过擦除风险，而且缩短了过擦除修复所需的大量时间，提高了存储器的擦除可靠性和速度。51INTCL权利要求书3页说明书8页附图5页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书3页说明书8页附图5页10申请公布号CN104051012ACN10。
3、4051012A1/3页21一种存储器擦除的方法，其特征在于，包括步骤101，对目标擦除块进行预编程操作；步骤102，施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；步骤103，对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作；步骤104，判断所述施加第一擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第一擦除次数；若是，则执行步骤112，若否，则执行步骤105；步骤105，对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；步骤106，判断所述第一擦除验证操作是否成功；若是，则执行步骤107，若否，则返回步骤102；步骤107，施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；步骤108，对所述目标擦。
4、除块进行第二过擦除验证操作；步骤109，判断施加第二擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第二擦除次数；若是，则执行步骤112，若否，则执行步骤110；步骤110，对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作；步骤111，判断所述第二擦除验证操作是否成功；若是，则执行步骤112，若否，则返回步骤107；步骤112，对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。2根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脉冲的强度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的强度；和/或，所述在第一擦除操作中施加第一擦除脉冲的时间，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的时间。3如权利要求1。
5、所述的方法，其特征在于，所述判断第一擦除验证操作是否成功的步骤包括对所述目标擦除块中存储单元施加第一擦除验证电压并生成第一阈值电流；判断所述第一阈值电流是否高于第一预设电流值；若是，则判定所述第一擦除验证操作成功；若否，则判定所述第一擦除验证操作失败。4如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断第二擦除验证操作是否成功的步骤包括对所述目标擦除块中存储单元施加第二擦除验证电压并生成第二阈值电流；判断所述第二阈值电流是否高于第二预设电流值；若是，则判定所述第二擦除验证操作成功；若否，则判定所述第二擦除验证操作失败。5如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。
6、高于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。6如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第二擦除验证操作针对存储单元施加的电压。权利要求书CN104051012A2/3页37如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述预编程操作为将目标擦除块中的存储单元编程为0值；所述过擦除验证操作为采用预设的编程电压针对阈值电压低于特定电压值，并且值为1的存储单元进行编程；其中，所述特定电压值为0V，所述预设的编程电压为0V2V中的任一值。8一种存储器擦除的装置，其特征在于，包括预编程模块，用于对目标擦除块进行预编程操作；第一擦除模块，用于施加第。
7、一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；第一过擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作；第一次数判断模块，用于判断所述施加第一擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第一擦除次数；若是，则调用第三过擦除模块，若否，则调用第一擦除验证模块；第一擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；第一擦除判断模块，用于判断所述第一擦除验证操作是否成功；若是，则调用第二擦除，若否，则调用第一擦除模块；第二擦除模块，用于施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；第二过擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作；第二次数判模块，用于判断施。
8、加第二擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第二擦除次数；若是，则调用第三过擦除模块，若否，则调用第二擦除验证模块；第二擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作；第二擦除判断模块，用于判断所述第二擦除验证操作是否成功；若是，则调用第三过擦除模块，若否，则返回第二擦除模块；第三过擦除模块，用于对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。9根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脉冲的强度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的强度；和/或，所述在第一擦除操作中施加第一擦除脉冲的时间，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的时间。10如权利要求8。
9、所述的装置，其特征在于，所述第一擦除判断模块包括第一电压子模块，用于对所述目标擦除块中存储单元施加第一擦除验证电压并生成第一阈值电流；第一电流判断子模块，用于判断所述第一阈值电流是否高于第一预设电流值；若是，则调用第一验证成功子模块，若否，则调用第一验证失败子模块；第一验证成功子模块，用于判定所述第一擦除验证操作成功；第一验证失败子模块，用于判定所述第一擦除验证操作失败。11如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第二擦除判断模块包括第二电压子模块，用于对所述目标擦除块中存储单元施加第二擦除验证电压并生成第二阈值电流；第二电流判断子模块，用于判断所述第二阈值电流是否高于第二预设电流值；若是，则。
10、权利要求书CN104051012A3/3页4调用第二验证成功子模块，若否，则调用第二验证失败子模块；第二验证成功子模块，用于判定所述第二擦除验证操作成功；第二验证失败子模块判定所述第二擦除验证操作失败。12如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。13如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第二擦除验证操作针对存储单元施加的电压。14如权利要求8或12所述的装置，其特征在于，所述预编程操作为将目标擦除块中的存储单元编程为0值；所述过擦除验证操作为采用。
11、预设的编程电压针对阈值电压低于特定电压值，并且值为1的存储单元进行编程；其中，所述特定电压值为0V，所述预设的编程电压为0V2V中的任一值。权利要求书CN104051012A1/8页5一种存储器擦除的方法和装置技术领域0001本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种存储器擦除的方法和装置。背景技术0002在存储器中存在着两种基本存储单元CELL，ERASE擦除CELL和PROGRAM编程CELL，也即“1”CELL和“0”CELL，因此对应也就存在着擦除和编程这两种存储器单元的基本操作。其中，将“0”CELL变为“1”CELL的过程，称为擦除；反之称为编程。0003参照图1，所示为一种传。
12、统的存储器擦除验证机制流程图，其原理如下首先对需要进行擦除操作的目标擦除块BLOCK进行PRE_PGM预编程操作，目的是将所有的CELL都编程为同样的“0”CELL，也即使CELL处于高阈值状态。然后，第一个ERASEPULSE擦除脉冲到来，对已经进行了PRE_PGM的CELL进行擦除。紧接着进行OEV1过擦除验证操作，目的是对可能存在的被过擦除的阈值电压低于0V的“1”CELL进行一次较弱的编程“较弱的”是指相对于通常的PROGRAM编程电压约9V而言，这里较弱的PROGRAM电压大概在0V2V左右，将其阈值电压推到0V以上，比如1V左右，以消除可能造成的漏电流。下一步是EV擦除验证操作，如。
13、果不过，则再次进行擦除，第二个擦除脉冲到来，如此循环往复，直到EV通过或者ERASECOUNTER擦除脉冲次数达到最大数，而后跳出循环，进行OEV2操作。OEV2和OEV1相似，目的是进一步推高“1”CELL的阈值电压以消除可能的亚阈值电压导通漏电流。至此，完成了对目标擦除块BLOCK的擦除操作。0004参照图2，所示为一种传统的存储器擦除原理示意图，上述传统存储器擦除机制存在着很大的缺点。首先，ERASE过程会造成OVERERASEDCELL过擦除存储单元，如上斜线部分所示，从而带来漏电流；其次，对OVERERASEDCELL进行的OEV修复又会耗费大量的时间，从而降低整个擦除速度。0005。
14、因此，本领域技术人员迫切需要解决的问题之一在于，提出了一种降低过擦除风险的擦除验证机制，不仅极大降低了过擦除风险，而且缩短了过擦除修复所需的大量时间，提高了存储器的擦除可靠性和速度。发明内容0006本发明所要解决的技术问题是提供一种存储器擦除的方法和装置，不仅极大降低了过擦除风险，而且缩短了过擦除修复所需的大量时间，提高了存储器的擦除可靠性和速度。0007为了解决上述问题，本发明公开了一种存储器擦除的方法，包括0008步骤101，对目标擦除块进行预编程操作；0009步骤102，施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；0010步骤103，对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操。
15、作；0011步骤104，判断所述施加第一擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第一擦除次数；说明书CN104051012A2/8页6若是，则执行步骤112，若否，则执行步骤105；0012步骤105，对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；0013步骤106，判断所述第一擦除验证操作是否成功；若是，则执行步骤107，若否，则返回步骤102；0014步骤107，施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；0015步骤108，对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作；0016步骤109，判断施加第二擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第二擦除次数；若是，则执行步骤112，若否，则执行步骤1。
16、10；0017步骤110，对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作；0018步骤111，判断所述第二擦除验证操作是否成功；若是，则执行步骤112，若否，则返回步骤107；0019步骤112，对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。0020优选地，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脉冲的强度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的强度；0021和/或，0022所述在第一擦除操作中施加第一擦除脉冲的时间，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的时间。0023优选地，所述判断第一擦除验证操作是否成功的步骤包括0024对所述目标擦除块中存储单元施加第一擦除验证电压并生成第一阈值电流；002。
17、5判断所述第一阈值电流是否高于第一预设电流值；0026若是，则判定所述第一擦除验证操作成功；0027若否，则判定所述第一擦除验证操作失败。0028优选地，所述判断第二擦除验证操作是否成功的步骤包括0029对所述目标擦除块中存储单元施加第二擦除验证电压并生成第二阈值电流；0030判断所述第二阈值电流是否高于第二预设电流值；0031若是，则判定所述第二擦除验证操作成功；0032若否，则判定所述第二擦除验证操作失败。0033优选地，所述第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0034优选地，所述第一擦除验证操作针对存储单元施加的电压高。
18、于第二擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0035优选地，所述预编程操作为将目标擦除块中的存储单元编程为0值；所述过擦除验证操作为采用预设的编程电压针对阈值电压低于特定电压值，并且值为1的存储单元进行编程；其中，所述特定电压值为0V，所述预设的编程电压为0V2V中的任一值。0036本发明实施例还公开了一种存储器擦除的装置，包括0037预编程模块，用于对目标擦除块进行预编程操作；0038第一擦除模块，用于施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；说明书CN104051012A3/8页70039第一过擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作；0040第一次数判断。
19、模块，用于判断所述施加第一擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第一擦除次数；若是，则调用第三过擦除模块，若否，则调用第一擦除验证模块；0041第一擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；0042第一擦除判断模块，用于判断所述第一擦除验证操作是否成功；若是，则调用第二擦除，若否，则调用第一擦除模块；0043第二擦除模块，用于施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；0044第二过擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作；0045第二次数判模块，用于判断施加第二擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第二擦除次数；若是，则调用第三过擦除模块，若否，则调用。
20、第二擦除验证模块；0046第二擦除验证模块，用于对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作；0047第二擦除判断模块，用于判断所述第二擦除验证操作是否成功；若是，则调用第三过擦除模块，若否，则返回第二擦除模块；0048第三过擦除模块，用于对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。0049优选地，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脉冲的强度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的强度；0050和/或，0051所述在第一擦除操作中施加第一擦除脉冲的时间，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的时间。0052优选地，所述第一擦除判断模块包括0053第一电压子模块，用于对所述目标擦除块中存储单。
21、元施加第一擦除验证电压并生成第一阈值电流；0054第一电流判断子模块，用于判断所述第一阈值电流是否高于第一预设电流值；若是，则调用第一验证成功子模块，若否，则调用第一验证失败子模块；0055第一验证成功子模块，用于判定所述第一擦除验证操作成功；0056第一验证失败子模块，用于判定所述第一擦除验证操作失败。0057优选地，所述第二擦除判断模块包括0058第二电压子模块，用于对所述目标擦除块中存储单元施加第二擦除验证电压并生成第二阈值电流；0059第二电流判断子模块，用于判断所述第二阈值电流是否高于第二预设电流值；若是，则调用第二验证成功子模块，若否，则调用第二验证失败子模块；0060第二验证成功。
22、子模块，用于判定所述第二擦除验证操作成功；0061第二验证失败子模块判定所述第二擦除验证操作失败。0062优选地，所述第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0063优选地，所述第一擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第二擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0064优选地，所述预编程操作为将目标擦除块中的存储单元编程为0值；所述过擦除说明书CN104051012A4/8页8验证操作为采用预设的编程电压针对阈值电压低于特定电压值，并且值为1的存储单元进行编程；其中，所述特定电压值为0V，所述预设的编程电压为0V2V中的任一值。0。
23、065与现有技术相比，本发明包括以下优点0066在实际中擦除速度是存储器的重要性能指标之一，为了提高存储器擦除速度，本发明提出了一种降低过擦除风险的擦除验证机制，通过在擦除过程中引入两次擦除操作的循环，不仅极大降低了过擦除风险，而且缩短了过擦除验证修复所需的大量时间，从而极大的提高了存储器的擦除可靠性和速度，大大提高了存储器性能。附图说明0067图1是一种传统的存储器擦除验证机制流程图；0068图2是一种传统的存储器擦除原理示意图；0069图3是本发明的一种存储器擦除的方法实施例的步骤流程图；0070图4是本发明的一种ERASEPULSE擦除脉冲示意图；0071图5是本发明的一种降低过擦除风险。
24、的擦除验证机制原理示意图；0072图6是本发明的一种存储器擦除的装置实施例的结构框图。具体实施方式0073为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。0074本发明的核心构思之一在于，通过在擦除过程中引入两次擦除操作的循环，不仅极大降低了过擦除风险，而且缩短了过擦除验证修复所需的大量时间，从而极大的提高了存储器的擦除可靠性和速度，大大提高了存储器性能。0075参照图3，示出了本发明的一种存储器擦除的方法实施例的步骤流程图，所述的方法具体可以包括如下步骤0076步骤101，对目标擦除块进行预编程操作；0077在本发明实施例中，所述预编程。
25、操作PRE_PGM为将目标擦除块中的存储单元编程可以为0值；在具体实现中，预编程操作是针对目标擦除块BLOCK中的CELL写入0，也即是使CELL处于高阈值电压状态，以提高擦除操作的稳定性。0078可以理解的是，在实际中，对于目标擦除块BLOCK中的CELL而言，并不是每一个都必须执行预编程步骤，即一些CELL中的数据本来就是“0”，那么对于这部分CELL就可以不必要执行预编程操作；而只对需要执行预编程操作的CELL，如数据为“1”的CELL进行预编程操作即可。0079步骤102，施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；0080当对目标擦除块完成预编程操作后，然后开始ER。
26、ASE1第一次擦除循环，施加第一次循环的ERASEPULSE擦除脉冲对已经进行了预编程操作的CELL进行擦除。0081步骤103，对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作；0082在本发明实施例中，所述过擦除验证操作为采用预设的编程电压针对阈值电压低于特定电压值，并且值为1的存储单元进行编程；其中，所述特定电压值可以为0V，所述预说明书CN104051012A5/8页9设的编程电压可以为0V2V中的任一值。0083对于施加了第一次循环的擦除脉冲的目标擦除块接着进行OEV1第一过擦除验证操作，目的是对可能存在的过擦除的阈值电压低于0V的“1”CELL进行一次较弱的编程“较弱的”是相对于通常的PRO。
27、GRAM编程电压约9V而言，这里较弱的PROGRAM编程电压大概在0V2V左右，将CELL的阈值电压推到0V以上，比如1V左右，以消除可能造成的漏电流。0084步骤104，判断所述施加第一擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第一擦除次数；若是，则执行步骤112，若否，则执行步骤105；0085在具体实现中，可能经过过擦除验证操作后的CELL一直不能到达正常的状态，为了避免造成擦除操作的陷入死循环，可以设置最大施加擦除脉冲次数，当施加擦除脉冲的次数达到最大脉冲次数时，可跳出第一次擦除操作的循环。0086步骤105，对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；0087所述第一擦除验证操作通过在CELL栅极施。
28、加第一擦除验证电压，从而读取CELL电流，并将其与第一擦除验证参考电流值进行比较，进而用来判断第一擦除是否成功。0088步骤106，判断所述第一擦除验证操作是否成功；若是，则执行步骤107，若否，则返回步骤102；0089在本发明的一种优选实施例中，所述步骤106具体可以包括如下子步骤0090子步骤S11，对所述目标擦除块中存储单元施加第一擦除验证电压并生成第一阈值电流；0091子步骤S12，判断所述第一阈值电流是否高于第一预设电流值；若是，则执行子步骤S13，若否，则执行子步骤S14；0092子步骤S13，判定所述第一擦除验证操作成功；0093子步骤S14，判定所述第一擦除验证操作失败。00。
29、94在实际中，校验是否第一擦除操作成功的方法是使用第一擦除验证电压去读CELL中所存储的数据。当把第一擦除验证电压加到CELL栅极时，CELL会产生相应的电流，同预设的参考电流值进行比较，判断是“1”还是“0”，由此判断结果即可验证擦除成功还是失败。0095步骤107，施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；0096在本发明的一种优选实施例中，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脉冲的强度，可以大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的强度；0097和/或，0098所述在第一擦除操作中施加第一擦除脉冲的时间，可以大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的时间。。
30、0099参照图4，所示为本发明的一种ERASEPULSE擦除脉冲示意图，对于施加的第一擦除脉冲以及第二擦除脉冲的具体条件如下0100条件1在本发明实施例中所用到的第一次擦除循环中的擦除脉冲ERASEPULSE1比第二次擦除循环中的擦除脉冲ERASEPULSE2的时间要长，比如8MS、10MS等，但并不限于此，即在本发明实施例中所用到的ERASEPULSE2比ERASEPULSE1的时间要短，比如1MS、说明书CN104051012A6/8页102MS等，但并不限于此。0101条件2一般情况下，第一次擦除循环中ERASE施加的擦除电压强度V1要大于或至少等于第二次擦除循环中ERASE2循环中用到。
31、的ERASE擦除电压强度V2，但并不限于此。0102需要说明的是，上述的两个条件不管是单独满足还是同时满足，均属于本发明的保护范围，本发明不对此做限制。0103步骤108，对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作；0104对于施加了第二次循环的擦除脉冲的目标擦除块接着进行OEV2过擦除验证操作，目的同样是对可能存在的被过擦除的阈值电压低于0V的“1”CELL进行一次较弱的编程将CELL的阈值电压推到0V以上，OEV2的实现条件可以与OEV1中条件相同，可以进一步消除可能造成的漏电流。0105步骤109，判断施加第二擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第二擦除次数；若是，则执行步骤112，若否，则执行。
32、步骤110；0106较佳地，对于在第二次擦除循环中的擦除操作同样可以设置最大施加擦除脉冲次数，当施加擦除脉冲的次数达到最大脉冲次数时，可跳出第一次擦除操作的循环，避免造成第二次的擦除操作的陷入死循环。0107步骤110，对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作；0108在本发明的一种优选实施例中，所述第一擦除验证操作针对存储单元施加的电压可以高于第二擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0109所述第二擦除验证操作可以通过在CELL栅极施加第二擦除验证电压，从而读取CELL电流，并将其与第二擦除验证参考电流值进行比较，进而用来判断第二擦除是否成功。为了避免将CELL的阈值电压过分减低，可以设置第一擦。
33、除验证操作针对存储单元施加的电压高于第二擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0110步骤111，判断所述第二擦除验证操作是否成功；若是，则执行步骤112，若否，则返回步骤107；0111在本发明的一种优选实施例中，所述步骤111具体可以包括如下子步骤0112子步骤S21，对所述目标擦除块中存储单元施加第二擦除验证电压并生成第二阈值电流；0113子步骤S22，判断所述第二阈值电流是否高于第二预设电流值；若是，则执行子步骤S23，若否，则执行子步骤S24；0114子步骤S23，判定所述第二擦除验证操作成功；0115子步骤S24，判定所述第二擦除验证操作失败。0116在实际中，校验是否第二擦除成功的。
34、方法与校验第一擦除成功的方法相同，是使用第二擦除验证电压去读CELL中所存储的数据。当把第二擦除验证电压加到CELL栅极时，CELL会产生相应的电流，同预设的参考电流值进行比较，判断是“1”还是“0”，由此判断结果即可验证擦除成功还是失败。0117步骤112，对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。0118在本发明的一种优选实施例中，所述第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压可以高于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0119具体地，在本发明实施例中，所述的第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电说明书CN104051012A107/8页11压可以为08V，所述的第一。
35、过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压可以为03V04V，第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压大于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压，可以进一步使CELL的阈值电压上推。0120以下进一步结合图5所示的本发明的一种降低过擦除风险的擦除验证机制原理示意图来说明本实施例，其中，X轴表示THRESHOLDVOLTAGE阈值电压VT，Y轴表示CELL的个数，具体实现步骤如下0121STEP1对目标擦除块施加编程电压PV进行预编程操作，使得使CELL处于高阈值电压状态；0122STEP2对目标擦除块进行第一次擦除操作，使得CELL的处于低阈值电压状态，接着。
36、对于进行擦除的CELL进行第一擦除校验EV1，避免CELL的阈值电压过低，出现漏电流。0123STEP3对目标擦除块进行第二次擦除操作，使得CELL的阈值电压进一步降低，接着同样对于进行擦除的CELL进行第二擦除校验EV2，避免CELL的阈值电压过低，出现漏电流。在本发明实施例中，EV1针对存储单元施加的电压可以高于EV2针对存储单元施加的电压。0124通过上述步骤，使得CELL的阈值电压处于正常状态，这样在使用读取READ电压读取CELL中的数据时不会错误。0125需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作。
37、顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本申请所必须的。0126参照图6，所示为本发明一种存储器擦除的装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块0127预编程模块201，用于对目标擦除块进行预编程操作；0128第一擦除模块202，用于施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作；0129第一过擦除验证模块203，用于对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作；0130在本发明的一种优选实施例中，所述第一擦除验证操作针对存储单元施加的电压可以高于第二擦除验证操作针对。
38、存储单元施加的电压。0131在本发明的一种优选实施例中，所述预编程操作为将目标擦除块中的存储单元编程可以为0值；所述过擦除验证操作可以为采用预设的编程电压针对阈值电压低于特定电压值，并且值为1的存储单元进行编程；其中，所述特定电压值可以为0V，所述预设的编程电压可以为0V2V中的任一值。0132第一次数判断模块204，用于判断所述施加第一擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第一擦除次数；若是，则调用第三过擦除模块212，若否，则调用第一擦除验证模块205；0133第一擦除验证模块205，用于对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作；0134在本发明的一种优选实施例中，所述第一擦除判断模块可以包括如下子。
39、模块0135第一电压子模块，用于对所述目标擦除块中存储单元施加第一擦除验证电压并生说明书CN104051012A118/8页12成第一阈值电流；0136第一电流判断子模块，用于判断所述第一阈值电流是否高于第一预设电流值；若是，则调用第一验证成功子模块，若否，则调用第一验证失败子模块；0137第一验证成功子模块，用于判定所述第一擦除验证操作成功；0138第一验证失败子模块，用于判定所述第一擦除验证操作失败。0139第一擦除判断模块206，用于判断所述第一擦除验证操作是否成功；若是，则调用第二擦除207，若否，则调用第一擦除模块202；0140第二擦除模块207，用于施加第二擦除脉冲对所述经过预编。
40、程操作的目标擦除块进行第二擦除操作；0141在本发明的一种优选实施例中，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脉冲的强度，可以大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的强度；0142和/或，0143所述在第一擦除操作中施加第一擦除脉冲的时间，可以大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脉冲的时间。0144第二过擦除验证模块208，用于对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作；0145第二次数判模块209，用于判断施加第二擦除脉冲的次数是否达到最大预设的第二擦除次数；若是，则调用第三过擦除模块212，若否，则调用第二擦除验证模块210；0146第二擦除验证模块210，用于对所述目标擦除块进行第二。
41、擦除验证操作；0147第二擦除判断模块211，用于判断所述第二擦除验证操作是否成功；若是，则调用第三过擦除模块212，若否，则返回第二擦除模块207；0148在本发明的一种优选实施例中，所述第二擦除判断模块可以包括如下子模块0149第二电压子模块，用于对所述目标擦除块中存储单元施加第二擦除验证电压并生成第二阈值电流；0150第二电流判断子模块，用于判断所述第二阈值电流是否高于第二预设电流值；若是，则调用第二验证成功子模块，若否，则调用第二验证失败子模块；0151第二验证成功子模块，用于判定所述第二擦除验证操作成功；0152第二验证失败子模块判定所述第二擦除验证操作失败。0153第三过擦除模块2。
42、12，用于对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。0154在本发明的一种优选实施例中，所述第三过擦除验证操作针对存储单元施加的电压高于第一过擦除验证操作和第二过擦除验证操作针对存储单元施加的电压。0155对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。0156本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。0157以上对本发明所提供的一种存储器擦除的方法和装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。说明书CN104051012A121/5页13图1说明书附图CN104051012A132/5页14图2说明书附图CN104051012A143/5页15图3说明书附图CN104051012A154/5页16图4图5说明书附图CN104051012A165/5页17图6说明书附图CN104051012A17。