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1、(10)申请公布号 CN 102992745 A (43)申请公布日 2013.03.27 CN 102992745 A *CN102992745A* (21)申请号 201210415285.6 (22)申请日 2012.10.26 C04B 35/26(2006.01) C04B 35/63(2006.01) (71)申请人 陈叶阳 地址 213000 江苏省常州市武进经济开发区 礼博路 48 号 (72)发明人 陈叶阳 (74)专利代理机构 苏州广正知识产权代理有限 公司 32234 代理人 刘述生 (54) 发明名称 新型压敏电阻 (57) 摘要 本发明公开了一种新型压敏电阻, 包括以。
2、下 组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝 10-50 份、 氧化 铁 20-60 份、 金属混合物 15-30 份、 贵金属混合物 1-10 份、 微量元素 1-5 份、 半导体化添加剂 2-10 份、 改性添加剂2-5 份和烧结助剂1-3 份。 通过上 述方式, 本发明新型压敏电阻, 能够提高电阻的稳 定性、 制成成本低、 使用寿命长。 (51)Int.Cl. 权利要求书 1 页 说明书 2 页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 2 页 1/1 页 2 1. 一种新型压敏电阻, 其特征在于, 包括以下组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝 。
3、10-50 份、 氧化铁 20-60 份、 金属混合物 15-30 份、 贵金属混合物 1-10 份、 微量元素 1-5 份、 半导体 化添加剂 2-10 份、 改性添加剂 2-5 份和烧结助剂 1-3 份。 2. 根据权利要求 1 所述的新型压敏电阻, 其特征在于, 所述半导体添加剂包括 Nb205、 Co2O3、 Ni2O3、 ZrO2和 Y2O3中的一种或两种以上的混合物。 3. 根据权利要求 1 所述的新型压敏电阻, 其特征在于, 所述改性添加剂包括 BaCO3、 CaCo3、 MnCo3、 Cr2O3、 CuO 中的一种或两种以上的混合物。 4. 根据权利要求 1 所述的新型压敏电阻。
4、, 其特征在于, 所述烧结助剂包括 SiO2。 5. 根据权利要求 1 所述的新型压敏电阻, 其特征在于, 所述徽量元素包括 Fe、 Co 和稀 土中的一种。 权 利 要 求 书 CN 102992745 A 2 1/2 页 3 新型压敏电阻 技术领域 0001 本发明涉及电子材料领域, 特别是涉及一种新型压敏电阻。 背景技术 0002 随着电子工业的坛速发展, 尤其是电子集成化和微型化的迫切需要, 对压敏电阻 电子陶瓷材料提出了更加严格的要求。压敏陶瓷材料的低压化、 低漏电流、 高非线性系数、 低成本和高可靠性的性是压敏陶瓷材料获得广泛应用的大趋势。 0003 从国外对多层片式压敏电阻器陶瓷。
5、材料所进行的研究状况来看, 由于不含铅的压 敏陶瓷材料在生产和使用中都不会对环境产生污染, 制得的压敏陶瓷材料性能优良, 因此 该种压敏陶瓷材料一直是人们关注的重点, 但是, 将非线性系数提高到 45-48 并保持低压 敏电压性能和低漏电流, 这方面的压敏电阻器陶瓷材料目前还未见报道。 发明内容 0004 本发明主要解决的技术问题是提供一种新型压敏电阻, 能够提高电阻的稳定性、 制成成本低、 使用寿命长。 0005 为解决上述技术问题, 本发明采用的一个技术方案是 : 提供一种新型压敏电阻, 包 括以下组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝 10-50 份、 氧化铁 20-60 份、 金属混合物。
6、 15-30 份、 贵金属混合物 1-10 份、 微量元素 1-5 份、 半导体化添加剂 2-10 份、 改性添加剂 2-5 份和烧 结助剂 1-3 份。 0006 在本发明一个较佳实施例中, 所述半导体添加剂包括 Nb205、 Co2O3、 Ni2O3、 ZrO2和 Y2O3中的一种或两种以上的混合物。 0007 在本发明一个较佳实施例中, 所述改性添加剂包括 BaCO3、 CaCo3、 MnCo3、 Cr2O3、 CuO 中的一种或两种以上的混合物。 0008 在本发明一个较佳实施例中, 所述烧结助剂包括 SiO2。 0009 在本发明一个较佳实施例中, 所述徽量元素包括 Fe、 Co 和。
7、稀土中的一种。 0010 本发明的有益效果是 : 本发明新型压敏电阻, 能够提高电阻的稳定性、 制成成本 低、 使用寿命长。 具体实施方式 0011 下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述, 以使本发明的优点和特征能更易于被 本领域技术人员理解, 从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。 0012 一种新型压敏电阻, 包括以下组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝 10-50 份、 氧化铁 20-60 份、 金属混合物 15-30 份、 贵金属混合物 1-10 份、 微量元素 1-5 份、 半导体化添加剂 2-10 份、 改性添加剂 2-5 份和烧结助剂 1-3 份。 0013 另外, 所述。
8、半导体添加剂包括 Nb205、 Co2O3、 Ni2O3、 ZrO2和 Y2O3中的一种或两种以上 的混合物。 说 明 书 CN 102992745 A 3 2/2 页 4 0014 另外, 所述改性添加剂包括 BaCO3、 CaCo3、 MnCo3、 Cr2O3、 CuO 中的一种或两种以上的 混合物。 0015 另外, 所述烧结助剂包括 SiO2。 0016 另外, 所述徽量元素包括 Fe、 Co 和稀土中的一种。 0017 实施例1 : 一种新型压敏电阻, 包括以下组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝10份、 氧 化铁 20 份、 金属混合物 15 份、 贵金属混合物 1 份、 微量元素。
9、 1 份、 半导体化添加剂 2 份、 改 性添加剂 2 份和烧结助剂 1 份。 0018 实施例2 : 一种新型压敏电阻, 包括以下组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝50份、 氧 化铁 60 份、 金属混合物 30 份、 贵金属混合物 10 份、 微量元素 5 份、 半导体化添加剂 10 份、 改性添加剂 5 份和烧结助剂 3 份。 0019 实施例3 : 一种新型压敏电阻, 包括以下组分的原料制成 : 钛酸锶、 氧化铝20份、 氧 化铁 30 份、 金属混合物 25 份、 贵金属混合物 5 份、 微量元素 3 份、 半导体化添加剂 8 份、 改 性添加剂 3 份和烧结助剂 2 份。 0020 区别于现有技术, 本发明新型压敏电阻, 能够提高电阻的稳定性、 制成成本低、 使 用寿命长。 0021 以上所述仅为本发明的实施例, 并非因此限制本发明的专利范围, 凡是利用本发 明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换, 或直接或间接运用在其他相关的技术领 域, 均同理包括在本发明的专利保护范围内。 说 明 书 CN 102992745 A 4 。