一种场发射材料的制备方法.pdf

本发明提供一种场发射阴极材料的制备方法，该场发射阴极材料为纳米碳化硅材料，包括如下步骤：(a)、将碳化硅原料与铝或铁的催化剂混合，将该混合后的原料加热并抽真空至1.0×10-3乇以上，然后通入作为保护气体的惰性气体；(b)、然后将(a)步骤中处理过的原料加热至1500-1800℃，并保温30-90分钟。

权利要求书一种场发射材料的制备方法，该场发射阴极材料为纳米碳化硅材料，其包括如下步骤：
(a)、将碳化硅原料与铝或铁的催化剂混合，将该混合后的原料加热并抽真空至1.0×10‑3乇以上，然后通入作为保护气体的惰性气体；
(b)、然后将(a)步骤中处理过的原料加热至1500‑1800℃，并保温30‑90分钟。
如权利要求1所述的制备方法，其中，抽真空至2.0×10‑3乇，然后通入惰性气体氩作为保护气体，然后开始加热至1600℃，并保温50分钟。
如权利要求1所述的制备方法，其中，抽真空至3.0×10‑3乇，然后通入惰性气体氩作为保护气体，然后开始加热至1700℃，并保温70分钟。

说明书一种场发射材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种场发射材料的制备方法。
背景技术
随着科技的发展和进步，场发射技术受到了广泛关注，尤其是场发射阴极材料的研制成为热点，而目前可以使用的场发射阴极材料虽然种类繁多，但是各有优缺点，而且大部分场发射阴极材料的制备方法复杂，制备成本较高，不适合工业生产。
因此，寻找一种成本低廉、工艺简单的场发射阴极材料成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种场发射阴极材料的制备方法，该场发射阴极材料为纳米碳化硅材料，包括如下步骤：
(a)、将碳化硅原料与铝或铁的催化剂混合，将该混合后的原料加热并抽真空至1.0×10‑3乇以上，然后通入作为保护气体的惰性气体；
(b)、然后将(a)步骤中处理过的原料加热至1500‑1800℃，并保温30‑90分钟。
有益效果
本发明制备的碳化硅材料经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
将碳化硅粉末与催化剂铝混合，进行预加热，然后抽真空至1.0×10‑3乇，然后通入惰性气体氩作为保护气体，然后开始加热至1500℃，并保温30分钟。
实施例2
将碳化硅粉末与催化剂铁混合，进行预加热，然后抽真空至1.5×10‑3乇，然后通入惰性气体氩作为保护气体，然后开始加热至1800℃，并保温90分钟。
实施例3
将碳化硅粉末与催化剂铝混合，进行预加热，然后抽真空至2.0×10‑3乇，然后通入惰性气体氩作为保护气体，然后开始加热至1600℃，并保温50分钟。
实施例4
将碳化硅粉末与催化剂铝混合，进行预加热，然后抽真空至3.0×10‑3乇，然后通入惰性气体氩作为保护气体，然后开始加热至1700℃，并保温70分钟。