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1、(10)申请公布号 CN 104321835 A (43)申请公布日 2015.01.28 C N 1 0 4 3 2 1 8 3 5 A (21)申请号 201380026441.2 (22)申请日 2013.03.20 61/614,175 2012.03.22 US 61/746,287 2012.12.27 US 61/765,610 2013.02.15 US 13/797,963 2013.03.12 US H01B 9/02(2006.01) H01B 11/06(2006.01) (71)申请人温提集团有限责任公司 地址美国加利福尼亚州 (72)发明人威廉欧内斯特佩恩 理查德史。
2、密斯 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人闫晔 (54) 发明名称 用于电缆的扼流圈 (57) 摘要 本公开涉及用于抑制诸如共模电磁干扰 (EMI)和/或射频干扰(RFI)等不期望信号的扼 流圈。扼流圈可以包括布置在电缆上的导电套，并 且该套可以被配置为抑制不期望信号。在一些实 施例中，导电套可以具有可以在两端电开路的半 波长套。可以在电缆与套之间包括额外绝缘材料。 多个导电套可以实质上同心地布置在电缆上。扼 流圈可以被配置为减少无源互调(PIM)。套可以 具有沿着套的长度延伸的纵向槽。套可以包括将 套分离为多个面板的多个槽，所述多个槽可以被 配置为抑制不同的。
3、信号。 (30)优先权数据 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2014.11.20 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2013/033176 2013.03.20 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2013/142612 EN 2013.09.26 (51)Int.Cl. 权利要求书3页 说明书25页 附图20页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书3页 说明书25页 附图20页 (10)申请公布号 CN 104321835 A CN 104321835 A 1/3页 2 1.一种电学系统，包括： 电缆，具有绝缘外层护套；以及 扼流圈，被配。
4、置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼 流圈包括： 导电套，所述导电套被布置在所述电缆的所述绝缘外层护套上；以及 额外绝缘材料，所述额外绝缘材料被布置在所述导电套与所述电缆的所述绝缘外层护 套之间，其中所述额外绝缘材料被配置为增加所述扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。 2.根据权利要求1所述的电学系统，还包括：天线元件，其中所述电缆将所述天线元件 耦合到电学组件。 3.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料 的厚度为所述电缆的所述半径的约1至约200。 4.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材。
5、料 的厚度为所述电缆的所述半径的约25至约100。 5.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料 的厚度为所述电缆的所述半径的约50至约100。 6.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述额外绝缘材料具有与所述电缆的所述 绝缘外层护套不同的材料类型。 7.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述导电套是半波套。 8.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套的长度与所抑制的所述EMI和/ 或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量，其中所述导电套的所述长度是至少部分地 基于以下一项或多项来确定的：所述绝缘外层护套的厚度、所述绝缘外层护套的介电常数、 所述。
6、额外绝缘材料的厚度、所述额外绝缘材料的介电常数、以及所述导电套的边缘效应。 9.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波 长的一半短所述量。 10.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波 长的一半短约1至约90。 11.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波 长的一半短约5至约50。 12.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套与所述电缆电绝缘。 13.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套的长度约为所抑制的所述EMI 和/或RFI的所述目标波长的约一半。 14.根据权利要求1所。
7、述的电学系统，还包括：外层绝缘层，所述外层绝缘层被布置在 所述导电套上。 15.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述导电套绕着所述电缆的整个横截面周 界延伸。 16.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或 RFI。 17.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制具有包括所述目 标波长的波长范围的EMI和/或RFI。 权 利 要 求 书CN 104321835 A 2/3页 3 18.一种天线系统，包括： 天线元件； 同轴电缆，所述同轴电缆将所述天线元件耦合到电学组件并且具有绝缘外层护套；以 及 扼流圈，被配置为抑制具有目标波长的电磁干扰。
8、EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈 包括： 第一导电套，所述第一导电套具有第一长度并且被配置为布置在电缆的外表面上； 第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一导电套与所述电缆的所述绝缘外层护 套之间； 第二导电套，所述第二导电套具有第二长度并且被布置在所述第一导电套上；以及 第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。 19.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一长度为所述目标波长的约一半。 20.根据权利要求19所述的天线系统，其中，所述第二导电套被配置为增加对所述目 标波长的EMI和/或RFI的抑制的量。 21.根据权利要求20所述的天线系统，其中，。
9、所述第二导电套的长度比所述第一导电 套短。 22.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一导电套和所述第二导电套与所 述电缆电绝缘。 23.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一绝缘层被配置为增加所述扼流 圈所抑制的EMI和/或RFI的频率范围。 24.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或 RFI。 25.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述第一绝缘层 和所述第二绝缘层的组合厚度为所述电缆的所述半径的约5至约200。 26.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述第一绝缘层 和所述第二绝缘。
10、层的组合厚度为所述电缆的所述半径的约50至约100。 27.一种天线系统，包括： 天线元件； 电缆，所述电缆将所述天线元件耦合到电学组件；以及 扼流圈，所述扼流圈被配置为抑制电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包 括： 第一导电套，所述第一导电套被配置为布置在所述电缆的外表面上； 第二导电套，所述第二导电套被布置在所述第一导电套上； 以及 绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。 28.根据权利要求27所述的天线系统，其中，所述扼流圈是半波扼流圈。 29.根据权利要求27所述的天线系统，还包括：额外绝缘材料，所述额外绝缘材料被布 置在所述第一导电套与所述电缆的绝。
11、缘外层护套之间，其中，所述额外绝缘材料被配置为 增加所述扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。 权 利 要 求 书CN 104321835 A 3/3页 4 30.一种用于抑制电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI的扼流圈，所述扼流圈包括： 第一导电套，所述第一导电套被配置为布置在电缆的外表面上； 第二导电套，所述第二导电套被布置在所述第一导电套上；以及 绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。 31.根据权利要求30所述的扼流圈，其中，所述第一导电套是被配置为至少抑制具有 目标波长的EMI和/或RFI的半波套。 32.根据权利要求31所述的扼流圈，其中，所述第二导电套是被配置为。
12、增加至少对具 有所述目标波长的EMI和/或RFI的抑制的半波套。 33.一种电学系统，包括： 电缆，所述电缆具有绝缘外层护套；以及 扼流圈，所述扼流圈被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰 RFI，所述扼流圈包括布置在所述电缆的所述绝缘外层护套上的导电套，所述导电套是半波 套，其中，所述导电套的长度与所抑制的所述EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相 差一定量，所述导电套的所述长度是至少部分地基于以下一项或多项来确定的：所述绝缘 外层护套的厚度、所述绝缘外层护套的介电常数、以及所述导电套的边缘效应。 权 利 要 求 书CN 104321835 A 1/25页 5 用于。
13、电缆的扼流圈 技术领域 0001 本公开的一些实施例涉及用于抑制或阻挡不期望的电信号的机制，具体地，涉及 与电缆一起使用以抑制或阻挡诸如共模电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)等的不期望 信号的扼流圈。 背景技术 0002 在一些实例中，电学系统可能产生不期望信号，该不期望信号可能沿着电学系统 的电缆传播。扼流圈可以用于抑制(例如，衰减或阻挡)不期望信号。现有的扼流圈可能 具有各种缺点。 发明内容 0003 根据某些方面，提供了一种电学系统，包括具有绝缘外层护套的电缆。该系统可以 包括扼流圈，该扼流圈被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰 (RFI)。扼流圈包括导。
14、电套，导电套被布置在电缆的绝缘外层护套上。扼流圈可以包括额外 绝缘材料，额外绝缘材料被布置在导电套与电缆的绝缘外层护套之间。额外绝缘材料可以 被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。 0004 所述电学系统还可以包括天线元件，其中电缆将天线元件耦合到电力组件。电缆 可以具有半径，并且在一些情况下，额外绝缘材料的厚度可以为电缆的半径的约1至约 200。在一些情况下，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25至约100。在其他实 现中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50至约100。 0005 额外绝缘材料可以具有与电缆的绝缘外层护套不同的材料类型。 0006 例如，导电套可以是半波长套。 0。
15、007 在一些情况下，导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长的 一半相差一定量。导电套的长度可以至少部分地基于以下一项或多项来确定：绝缘外层护 套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、额外绝缘材料的厚度、额外绝缘材料的介电常数、导 电套的边缘效应。在一些情况下，导电套具有的长度比自由空间目标波长的一半短所述量。 0008 在一些实施例中，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约1至约90。 在其他实施例中，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约5至约50。导电套的 长度为所抑制的EMI和/或RFI的目标波长的约一半。 0009 在一些配置中，导电套可以与电缆电绝缘。系统还可以包。
16、括布置在导电套上的外 层绝缘层。 0010 在一些实现中，导电套绕着电缆的整个横截面周界延伸。 0011 扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。在一些实施例中，扼流圈被配置为 抑制具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。 0012 根据另一方面，提供了一种向电缆应用用于至少抑制具有目标波长的电磁干扰 (EMI)和/或射频干扰(RFI)的扼流圈的方法。方法可以包括：接入包括绝缘外层护套的 说 明 书CN 104321835 A 2/25页 6 电缆。方法还可以包括：将额外绝缘材料布置在绝缘外层护套上。此外，方法可以包括：将 导电套布置在额外绝缘材料上。额外绝缘材料可以被配置为增加。
17、扼流圈对EMI和/或RFI 的抑制。 0013 电缆可以具有半径，并且在一些实施例中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的 约1至约200。在其他实施例中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25至约 100。根据方法的其他实施例，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的 约50至约100。 0014 在一些实施例中，额外绝缘材料具有与电缆的绝缘外层护套不同的材料类型。 0015 导电套可以是半波长套。 0016 根据方法的一些实施例，导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目 标波长的一半相差一定量，其中，方法还包括：至少部分地基于以下一项或多项来确定导电 套的长度：绝缘外层护。
18、套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、额外绝缘材料的厚度、额外绝 缘材料的介电常数、导电套的边缘效应。导电套的长度比自由空间目标波长的一半短所述 量。 0017 在一些实施例中，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约1至约90。 根据其他实施例，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约5至约50。 0018 在方法的一些实施例中，导电套与电缆电绝缘。 0019 在一些情况下，导电套的长度可以为所抑制的EMI和/或RFI的目标波长的约一 半。 0020 方法还可以包括：将外层绝缘层布置在导电套上。此外，导电套可以绕着电缆的整 个横截面周界延伸。此外，扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。 。
19、0021 在一些情况下，扼流圈被配置为抑制具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或 RFI。 0022 根据本公开的其他方面，提供了一种电学系统。系统可以包括电缆，具有绝缘外 层护套；以及扼流圈，被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰 (RFI)。扼流圈包括：导电套，所述导电套被布置在电缆的绝缘外层护套上。导电套可以是 半波长套，例如，导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差 一定量。导电套的长度可以至少部分地基于以下一项或多项来确定：绝缘外层护套的厚度、 绝缘外层护套的介电常数、以及导电套的边缘效应。 0023 根据额外方面，提供了确定与用。
20、于至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/ 或射频干扰(RFI)的扼流圈一起使用的导电套的长度的方法。方法可以包括：确定要抑制 的EMI和/或RFI的自由空间目标波长。方法还可以包括：使用包括一个或多个计算机处理 器的计算机硬件来确定作为半波长套的导电套的长度，其中导电套的长度与所抑制的EMI 和/或RFI的自由空间目标波长相差一定量。导电套的长度可以至少部分地基于以下一项 或多项来确定：电缆的绝缘外层护套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、以及导电套的边缘 效应。 0024 根据本公开的另一方面，提供了一种交叉偶极天线系统。系统可以包括交叉偶极 天线元件，交叉偶极天线元件包括第一臂和第二臂，。
21、所述第一臂和第二臂形成了第一偶极。 所述天线元件还包括第三臂和第四臂，所述第三臂和第四臂形成了第二偶极。在一些实施 说 明 书CN 104321835 A 3/25页 7 例中，每一个臂位于平面内并且彼此相距约90度，使得每一个臂的近端被布置在中心点附 近，并且多个臂中的每一个从中心点开始向远端延伸。交叉偶极天线元件具有实质上水平 极化方向。系统还可以包括同轴电缆，同轴电缆将交叉偶极天线元件耦合到电力组件并且 具有绝缘外层护套。系统还包括半波长扼流圈，半波长扼流圈被配置为抑制具有目标波长 的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。半波长扼流圈可以包括第一导电套，第一导电套 具有第一长度并且。
22、被配置为布置在电缆的外表面上。扼流圈还可以包括第一绝缘层，第一 绝缘层被布置在第一导电套与电缆之间。扼流圈还可以包括第二导电套，第二导电套具有 第二长度并且被布置在第一导电套上。扼流圈可以包括第二绝缘层，第二绝缘层被布置在 第一导电套与第二导电套之间。 0025 在一些实施例中，第一长度可以是目标波长的约一半。在一些实施例中，第二导电 套可以被配置为增加对目标波长的EMI和/或RFI的抑制量。在一些实施例中，第二导电 套的长度比第一导电套短。 0026 第一导电套和第二导电套可以与电缆电绝缘。 0027 在一些情况下，第一绝缘层可以被配置为增加扼流圈所抑制的EMI和/或RFI的 频率范围。 0。
23、028 扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。在一些实施例中，电缆具有半径， 并且第一绝缘层和第二绝缘层具有的组合厚度为电缆的半径的约5至约200。 0029 在一些情况下，电缆具有半径，并且其中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约 50至约100。 0030 根据其他方面，天线系统可以包括天线元件和电缆，电缆将天线元件耦合到电力 组件。系统可以包括扼流圈，扼流圈被配置为抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。 扼流圈可以包括被配置为布置在电缆的外表面上的第一导电套以及布置在第一导电套上 的第二导电套。扼流圈还可以包括绝缘层，绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。 0031。
24、 在一些实施例中，扼流圈是半波长扼流圈。第一导电套和第二导电套可以作为耦 合谐振器操作以抑制EMI和/或RFI。在一些情况下，第一导电套和第二导电套与电缆互 耦。 0032 第一导电套和第二导电套与电缆电绝缘。在一些情况下，绝缘材料可以被布置在 第一导电套与电缆的绝缘外层护套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和 /或RFI的抑制。在一些实施例中，扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。 0033 根据本公开的其他方面，提供了用于抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI) 的扼流圈。扼流圈可以包括第一导电套，第一导电套被配置为布置在电缆的外表面上。扼 流圈还可以包括第二导电套。
25、，第二导电套被布置在第一导电套上。扼流圈可以具有绝缘层， 绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。 0034 在一些情况下，第一导电套是被配置为至少抑制具有目标波长的EMI和/或RFI 的半波长套。第二导电套是可以被配置为增加至少对具有目标波长的EMI和/或RFI的抑 制的半波长套。扼流圈可以是半波长扼流圈。在一些情况下，第一导电套和第二导电套作 为耦合谐振器操作以抑制EMI和/或RFI。在一些实施例中，第一导电套和第二导电套可以 与电缆互耦。 0035 在一些实施例中，第一导电套的长度为目标波长的约一半。第一导电套可以被配 说 明 书CN 104321835 A 4/25页 8 置为抑制具。
26、有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。第二导电套可以被配置为增加 对具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI的抑制。 0036 第二导电套的长度可以比第一导电套短。扼流圈还可以包括额外绝缘材料，额外 绝缘材料被布置在第一导电套下方，其中，额外绝缘材料被配置为增加扼流圈对EMI和/或 RFI的抑制。 0037 电学系统可以包括扼流圈和电缆，电缆被布置在第一导电套下方。电缆可以包括 同轴电缆，同轴电缆包括被配置为发送信号的内导体、布置在内导体上的电缆绝缘层、布置 在电缆绝缘层上的防护层、以及布置在防护层上的绝缘外层护套。电缆可以包括绝缘外层 护套。此外，扼流圈还可以包括额外绝缘材料，。
27、额外绝缘材料被布置在绝缘外层护套与第一 导电套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。 0038 电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度可以为电缆的半径的约1至约200。 在其他实现中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25至约 100。在其他情况下，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50至 约100。在一些实施例中，第一导电套和第二导电套中的至少一个可以与电缆电绝缘。 0039 扼流圈还可以包括外层绝缘层，外层绝缘层被布置在第二导电套上。此外，在一些 情况下，扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。 0040 根据本公开的其他方。
28、面，提供了用于向电缆应用用于抑制电磁干扰(EMI)和/或 射频干扰(RFI)的扼流圈的方法。方法可以包括：将第一导电套布置在电缆的外表面上。 此外，方法可以包括：将绝缘层布置在第一导电套上并且将第二导电套布置在绝缘层上，使 得绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。 0041 第一导电套可以被配置为至少抑制具有目标波长的EMI和/或RFI，并且其中，第 一导电套是半波长套。根据方法的实施例，第二导电套被配置为增加具有目标波长的EMI 和/或RFI的抑制，并且第二导电套是半波长套。例如，第一导电套的长度可以是目标波长 的约一半。 0042 在一些实施例中，第一导电套被配置为抑制具有包括目标波长。
29、的波长范围的EMI 和/或RFI。第二导电套被配置为增加对具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI 的抑制。 0043 在一些实施例中，第二导电套的长度比第一导电套短。 0044 方法还可以包括：将额外绝缘材料布置在第一导电套下方。额外绝缘材料可以被 配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。 0045 在一些实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约 25至约100。在其他实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径 的约50至约100。 0046 电缆可以包括被配置为发送信号的内导体、布置在内导体上的电缆绝缘层、布置 在电缆绝缘层上的防护层、以及布。
30、置在防护层上的绝缘外层护套。 0047 方法还可以包括：将外层绝缘层布置在第二导电套上。扼流圈可以被配置为抑制 共模EMI和/或RFI。第一导电套和第二导电套中的至少一个可以与电缆电绝缘。 0048 根据本公开的其他方面，提供了一种蜂窝天线阵列，包括至少两个天线子阵列，其 中至少两个天线子阵列中的每一个包括至少两个天线元件。阵列可以包括分离模块，分离 说 明 书CN 104321835 A 5/25页 9 模块被配置为将至少两个天线子阵列耦合到至少一个馈电线。阵列还可以包括至少两个电 缆，至少两个电缆将分离模块耦合到至少两个天线子阵列。至少两个电缆中的每一个可以 具有位于电缆的第一端处或附近的。
31、第一扼流圈以及位于电缆的第二端处或附近的第二扼 流圈。第一扼流圈和第二扼流圈中的每一个可以被配置为抑制不期望射频(RF)电流。第 一扼流圈和第二扼流圈中的每一个可以被配置为呈现低无源互调(PIM)。在一些实施例中， 第一扼流圈和第二扼流圈中的每一个包括第一导电套，第一导电套被布置在相应电缆的外 表面上。第一纵向槽可以被布置在第一导电套的两端之间。例如，第一纵向槽可以延伸通 过整个第一导电套。第二导电套可以布置在第一导电套上。第二纵向槽可以布置在第二导 电套的两端之间。此外，第二纵向槽可以延伸通过整个第二导电套。在一些实施例中，绝缘 层可以被布置在第一导电套与第二导电套之间。 0049 在一些实。
32、施例中，第二导电套的长度可以比第一导电套短。额外绝缘材料可以被 布置在第一导电套与电缆的绝缘外层护套之间。 0050 第一导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域 上。绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。在一些情况下， 接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。 0051 阵列还可以包括辐射组件，辐射组件耦合到至少两个电缆之一，辐射组件被配置 为发射能量。阵列还可以包括布置在辐射组件上的防护构件。防护构件可以被配置为抑制 辐射组件发射的能量中的至少一些。第一扼流圈和第二扼流圈之一可以耦合到防护构件， 使得将防护构件定位在辐射组件上使扼流圈被布。
33、置在电缆上。 0052 在一些实施例中，耦合到防护构件的扼流圈与防护构件电绝缘。 0053 根据某些实施例，第一导电套和第二导电套与电缆电绝缘。第一导电套和第二导 电套中的至少一个可以是半波长套。 0054 第一扼流圈和第二扼流圈中的至少一个还可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料 被布置在电缆的绝缘外层护套与第一导电套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈 对EMI和/或RFI的抑制。 0055 在一些实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约 25至约200。在其他实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径 的约50至约100。 0056 根据本公开的另一。
34、方面，提供了一种天线阵列系统。系统可以包括多个天线元件。 可以包括分离模块，分离模块被配置为将多个天线元件耦合到至少一个馈电线。系统可以 包括电缆，电缆将分离模块耦合到多个天线元件中的至少一个。系统包括用于抑制不期望 信号的扼流圈，扼流圈被配置为呈现低无源互调(PIM)。扼流圈包括导电套，导电套被布置 在电缆的外表面上。纵向槽可以被布置在导电套的两端之间。 0057 天线阵列系统还可以包括辐射组件，辐射组件被耦合到电缆。辐射组件可以被配 置为发射能量。系统可以包括防护构件，防护构件被布置在辐射组件上。防护构件可以被 配置为抑制辐射组件发射的能量中的至少一些。扼流圈可以被耦合到防护构件，使得将防。
35、 护构件定位在辐射组件上使扼流圈被布置在电缆上。 0058 在一些情况下，扼流圈与防护构件电绝缘。导电套可以是半波长套。 0059 根据本公开的另一方面，提供了一种电学系统，电学系统包括电缆和用于抑制不 说 明 书CN 104321835 A 6/25页 10 期望信号的扼流圈。扼流圈可以被配置为呈现低无源互调(PIM)，并且可以包括布置在电缆 的外表面上的导电套。导电套实质上不包括非线性。 0060 在一些实施例中，导电套是无缝的。纵向槽可以被布置在导电套的两端之间。导 电套可以绕着电缆的整个横截面周界延伸。在一些实施例中，导电套绕着电缆的横截面周 界的约50至约95延伸。 0061 绝缘材。
36、料可以被布置在导电套的两端之间的纵向槽中。在一些实施例中，空气被 布置在导电套的两端之间的纵向槽中。在其他实施例中，导电槽的两端重叠，使得接近第二 端的区域被布置在接近第一端的区域上。 0062 绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。此外，在一 些情况下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。 0063 电学系统还可以包括多个天线元件。分离模块可以被包括并且被配置为将多个天 线元件耦合到至少一个馈电线。电缆可以将分离模块耦合到多个天线元件中的至少一个。 扼流圈可以被布置在电缆的耦合到分离模块的一端处或附近。扼流圈可以被布置在电缆的 耦合到多个天线元件中的至少一个的一。
37、端处或附近。 0064 系统还可以包括辐射组件，辐射组件被耦合到电缆，辐射组件被配置为发射能量。 防护构件可以被布置在辐射组件上。防护构件可以被配置为抑制辐射组件发射的能量中的 至少一些，其中，扼流圈被耦合到防护构件，使得将防护构件定位在辐射组件上使扼流圈被 布置在电缆上。 0065 导电套可以与电缆绝缘。在一些情况下，导电套可以是半波长套。 0066 根据本公开的某些方面，提供了用于向电缆应用用于抑制不期望信号的扼流圈的 方法。扼流圈可以被配置为呈现低无源互调(PIM)。方法可以包括：接入电缆。方法还可以 包括：将导电套布置在电缆的外表面上。在一些实施例中，导电套实质上可以包括非线性。 例如。
38、，导电套可以是无缝的。在一些实施例中，纵向槽被布置在导电套的两端之间。例如， 导电套可以绕着电缆的小于整个横截面周界延伸。 0067 在一些实施例中，方法还包括：将绝缘材料布置在导电套的两端之间的纵向槽中。 空气可以被布置在导电套的两端之间的纵向槽中。在一些情况下，导电套的两端可以重叠， 使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域之上。方法还可以包括：将绝缘材料布 置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。接近第一端的区域和接近第二端的区域 可以电容耦合。导电套可以与电缆绝缘。在一些情况下，导电套是半波长套。 0068 根据另一方面，提供了一种电学系统。系统包括电缆和用于抑制不期望信号的扼。
39、 流圈，扼流圈被配置为呈现低无源互调(PIM)。扼流圈包括：第一导电套，第一导电套被布 置在电缆的外表面上。在一些情况下，第一导电套实质上不包括非线性。第二导电套可以 被布置在第一导电套上。在一些实施例中，第二导电套实质上不包括非线性。系统还可以 包括绝缘层，绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。 0069 第一导电套和第二导电套中的至少一个可以是无缝的。 0070 在一些实施例中，纵向槽被布置在第一导电套和第二导电套中的至少一个的两端 之间。绝缘材料可以被布置在纵向槽中。此外，导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的 区域被布置在接近第一端的区域之上。 0071 在一些实施例中，绝缘材料可。
40、以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域 说 明 书CN 104321835 A 10 7/25页 11 之间。在一些情况下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。 0072 在一些实施例中，第二导电套的长度比第一导电套短。 0073 系统还可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料被布置在第一导电套下方。第一导 电套和第二导电套中的至少一个可以与电缆绝缘。例如，第一导电套和第二导电套中的至 少一个可以是半波长套。 0074 在某些实施例中，系统包括多个天线元件，并且可以包括分离模块，分离模块被配 置为将多个天线元件耦合到至少一个馈电线。电缆可以将分离模块耦合到多个天线元件中 的至少一个天线。
41、元件。 0075 系统还可以包括辐射组件，辐射组件被耦合到电缆，其中，辐射组件被配置为发射 能量。防护构件可以被布置在辐射组件上。防护构件可以被配置为抑制辐射组件发射的能 量中的至少一些。在一些情况下，扼流圈被耦合到防护构件，使得将防护构件定位在辐射组 件上使扼流圈被布置在电缆上。 0076 根据本公开的各个方面，一种向电缆应用用于抑制不期望信号的扼流圈的方法。 扼流圈可以被配置为呈现低无源互调(PIM)。方法可以包括：将第一导电套布置在电缆的 外表面上。在一些情况下，第一导电套实质上不包括非线性。方法还可以包括：将绝缘层布 置在第一导电套上并且将第二导电套布置在绝缘层上，使得绝缘层被布置在第。
42、一导电套与 第二导电套之间。第二导电套可以实质上不包括非线性。 0077 在一些情况下，第一导电套和第二导电套中的至少一个是无缝的。根据一些实施 例，纵向槽被布置在第一导电套和第二导电套中的至少一个的两端之间。在某些实施例中， 绝缘材料被布置在纵向槽中。导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的区域被布置在接 近第一端的区域之上。 0078 绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。在一些情况 下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。在某些实施例中，第二导电套的长度 比第一导电套短。方法还可以包括：将额外绝缘材料布置在第一导电套下方。 0079 导电套可以与电缆绝缘。在一。
43、些情况下，导电套可以是半波长套。 0080 根据其他方面，提供了一种电学系统，电学系统包括电缆和用于抑制的扼流圈，扼 流圈包括布置在电缆的外表面上的导电套。导电套可以包括第一面板和与第一面板相距两 个或更多个槽的第二面板，所述两个或更多个槽沿着导电套纵向延伸。 0081 在一些实施例中，第一面板具有被配置为抑制至少具有第一目标波长的信号的第 一长度，第二面板具有被配置为抑制至少具有第二目标波长的信号的第二长度。第一长度 可以是第一目标波长的约一半。第二长度可以是第二目标波长的约一半。 0082 在一些情况下，第一面板被配置为抑制具有包括第一目标波长的第一波长范围的 信号。第二面板可以被配置为抑。
44、制具有包括第二目标波长的第二波长范围的信号。 0083 在某些实施例中，系统还包括：具有第一长度的第三面板，其中第三面板通常与第 一面板相对布置。系统还可以包括具有第二长度的第四面板，其中第四面板通常与第二面 板相对布置。 0084 第一面板的端部可以与第二面板的端部重叠，使得接近第一面板的端部的区域被 布置在接近第二面板的端部的区域之上。绝缘材料被布置在接近第一面板的端部的区域与 接近第二面板的端部的区域之间。接近第一面板的端部的区域可以电容耦合到接近第二面 说 明 书CN 104321835 A 11 8/25页 12 板的端部的区域。 0085 扼流圈可以被配置为抑制共模电磁干扰(EMI。
45、)和/或射频干扰(RFI)。此外，导电 套可以与电缆绝缘。 0086 在一些情况下，导电套是半波长套。 0087 在某些实施例中，扼流圈被配置为抑制不期望射频(RF)信号。扼流圈可以被配置 为抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。 0088 根据其他方面，提供了用于向电缆应用用于抑制不期望信号的扼流圈的方法。方 法可以包括：接入电缆，以及将导电套布置在电缆的外表面上。导电套可以包括相距两个或 更多个纵向槽的两个或更多个面板。 0089 在一些实施例中，第一面板具有被配置为抑制具有第一目标波长的信号的第一长 度，第二面板具有被配置为抑制具有第二目标波长的信号的第二长度。第一长度可以是第。
46、 一目标波长的约一半。第二长度可以是第二目标波长的约一半。第一面板可以被配置为抑 制具有包括第一目标波长的第一波长范围的信号。第二面板可以被配置为抑制具有包括第 二目标波长的第二波长范围的信号。 0090 在某些实施例中，第三面板具有第一长度，第三面板通常与第一面板相对布置，并 且第四面板具有第二长度，第四面板通常与第二面板相对布置。 0091 第一面板的端部可以与第二面板的端部重叠，使得接近第一面板的端部的区域被 布置在接近第二面板的端部的区域之上。 0092 方法还可以包括：将绝缘材料布置在接近第一面板的端部的区域与接近第二面板 的端部的区域之间。接近第一面板的端部的区域可以电容耦合到接近。
47、第二面板的端部的区 域。 0093 在一些配置中，扼流圈被配置为抑制共模电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。 导电套可以与电缆绝缘。导电套可以是半波长套。在一些情况下，扼流圈被配置为抑制不 期望射频(RF)信号。在一些情况下，扼流圈被配置为抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰 (RFI)。 附图说明 0094 图1是可以包括耦合到电力组件的电缆(例如，同轴电缆)的电学系统的示例性 实施例的示意图。 0095 图2是通过图1的线2-2得到的电缆的示例性实施例的横截面图。 0096 图3是具有隐藏不可见的各层的部分的电缆的截面的透视图，以帮助查看各层。 0097 图4是通过图1的线4-4得。
48、到的扼流圈和电缆的示例性实施例的横截面图。 0098 图5是图4的扼流圈和电缆的透视图。 0099 图6是示出了四分之一波长扼流圈的示例性实施例的示例性行为的史密斯圆图。 0100 图7是示出了半波长扼流圈的示例性实施例的示例性行为的史密斯圆图。 0101 图8是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0102 图9是图8的扼流圈和电缆的透视图。 0103 图10是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0104 图11是图10的扼流圈和电缆的透视图。 说 明 书CN 104321835 A 12 9/25页 13 0105 图12是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横。
49、截面图。 0106 图13是图12的扼流圈和电缆的透视图。 0107 图14是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0108 图15是图14的扼流圈和电缆的透视图。 0109 图16是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0110 图17是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0111 图18是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0112 图19是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0113 图20是应用于电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。 0114 图21是图20的扼流圈和电缆的透视图。 0115 图22是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横。