制造非易失性存储单元的方法 本发明涉及制造非易失性存储单元的方法，特别是制造具有叠层栅极的非易失性存储单元的方法。
一般，非易失性存储器如快速型EEPROM包括叠层栅极、源极区和漏极区，叠层栅极由隧道氧化层、浮栅极、绝缘层和控制栅极构成。非易失性存储器具有可编程和可擦除功能。12V以上的电压施加到控制栅极来实现非易失性存储器的编程或擦除操作，由此在隧道氧化层周围形成强电区。此时，由于高电压在外围电路区可能出现如场反转(field inversion)和击穿的电现象。在存储器装配过程中，使用两种方法来防止场反转和击穿现象。第一个方法是增加场氧化层的厚度或掩埋N+层之间的间隔。第二个方法是增加控制栅极和浮栅极之间的耦合电容。然而，由于第一个方法增加了存储单元的尺寸，存储器的集成度被降低。特别是第二个方法增加了栅极的区域，降低了绝缘层的厚度。由此，存储单元的尺寸的或可靠性都增加了。
近来，另外一种增加存储器可靠性的方法被用于半导体器件的制作中。该方法是在叠层栅极的侧壁上形成一个隔离层。该隔离层由一个CVD(化学汽相沉积)氧化层或一个CVD氧化物，氮化物和氧化物的叠层构成。但是在这种情况下，由于应用热电子注入编程操作可很容易地出现隔离层的退化现象。并且出现电荷通过栅极的角泄漏，由此存储单元地电荷保持能力被降低。
因此，本发明的目的是提供一种制作可以增加数据记忆时间的非易失性存储单元的方法。
本发明的另外一个目的是提供一种制作非易失性存储单元的方法，它可以通过制造沟道区的硅衬底凹槽结构增加浮栅极和控制栅极的重叠区域。
为了达到以上目的，制作非易失性存储单元的制造方法包括以下步骤：依次在具有场氧化层的硅片上形成衬底氧化层和氮化层；使所述的氮化层形成图形以便曝露所述衬底氧化层的所选择的部分；通过氧化所述衬底氧化层的所选部分形成单元氧化层；蚀刻所述单元氧化层的曝露部分，由此形成一凹槽；在由蚀刻所述单元氧化层而曝露出的所述硅片上形成隧道氧化层；依次在形成所述隧道氧化层后产生的结构上形成第一导电层，绝缘层和第二导电层；通过依次构图所述第二导电层，所述绝缘层和第一导电导层，形成叠层栅极；由向所述硅片注入杂质形成源极区和漏极区，然后退火所述硅片。
为了更好理解本发明的目的和性质，参考以下附图的详细描述。
图1A至图1G是表示本发明制作非易失性存储单元的方法的剖视图。
相同的标号在各附图中表示相同的部分。
图1A至图1G是表示制作非易失性存储单元的方法的剖视图。
参照图1A，焊接区氧化层3通过热氧化处理形成在具有场氧化层2的硅片1上，厚度为50-100，然后氮化层4在焊接区氧化层3上形成，厚度为500-1000。
参照图1B，把光刻胶涂覆在氮化层4上，然后使光刻胶形成图形，由此形成光刻胶图形5。氮化层4的曝露部分被蚀刻以曝露焊接区氧化层3的部分。
参照图1C，光刻胶图形5被清除，然后由蚀刻氮化层4曝露部分而曝露的衬底氧化层2，通过以残留氮化层4作为氧化阻挡层的热氧化处理被生长，因此形成单元氧化层6，厚度为2500-3500。
参照图1D，通过以残留氮化层4为蚀刻阻挡层的蚀刻处理蚀刻单元氧化层6的曝露部分，由此在硅片1中心部分形成一凹槽。以干蚀刻处理来蚀刻单元氧化层6的曝露部分是最理想的。然而，为了避免损坏硅片1，首先用干蚀刻处理方法蚀刻单元氧化层6直至其厚度为200-300，残留部分在湿蚀刻处理方法蚀刻。
参照图1E，在由蚀刻单元氧化层6而曝露的硅片1上形成隧道氧化层7，厚度为80-120，然后在形成隧道氧化层7后产生的构造上依次形成第一导电层8，绝缘层9和第二导电层10。第一导电层8和第二导电层10都通过淀积多晶硅以及在多晶硅中注入杂质离子如POCL3来生成。形成第一导电层8的厚度为单元氧化层6厚度的三分之一(1/3)，即800-1200为最理想。
参照图1F，第二导电层10，绝缘层9和第一导电层8通过利用栅极掩模的光刻蚀法依次被形成图形，由此形成具有隧道氧化层7，浮栅极8A，绝缘层9和控制栅极10A的叠层栅极20。
参照图1G，杂质离子如砷被注入到硅片1中，然后进行退火处理，从而形成源极和漏极区11。
如上所述，根据本发明，浮栅极的表面区域被增加，因此增加了浮栅极和控制栅极之间的电容。此外，施加到控制栅极的电压是低电压，编程或擦除操作可以有效地进行。另外，场反转和击穿出现的可能性减少。由于浮栅极由替代CVD氧化层的热氧化层所包围，因此隔离层的影响不会出现。因此，非易失性存储器的可靠性被改善，电荷的损失被降低，进而增加了数据保持时间。
虽然本发明已经在其实施例中精确描述，本领域的普通技术人员应该清楚在此公开的实施例仅仅是一个例子，其部件的设计，结合及装配在不超出本发明的范围和精神实质的情况下可以变化。