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1、(10)申请公布号 CN 103941479 A (43)申请公布日 2014.07.23 C N 1 0 3 9 4 1 4 7 9 A (21)申请号 201310339234.4 (22)申请日 2013.08.06 10-2013-0006679 2013.01.21 KR G02F 1/1337(2006.01) G02F 1/1333(2006.01) (71)申请人三星显示有限公司 地址韩国京畿道 (72)发明人金容奭 金源泰 柳汉俊 李大镐 蔡景泰 金钟声 李宇宰 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所 11105 代理人弋桂芬 (54) 发明名称 液晶显示器 (57) 摘要。
2、 本发明提供了一种液晶显示器。钝化层设置 在基板上。第一微腔设置在钝化层上。第二微腔 设置在钝化层上并沿第一方向与第一微腔间隔开 第一间隔。固定构件设置在第一微腔与第二微腔 之间。顶层设置在第一和第二微腔以及固定构件 上，其中第一和第二微腔包括液晶分子。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 权利要求书1页 说明书8页 附图18页 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书1页 说明书8页 附图18页 (10)申请公布号 CN 103941479 A CN 103941479 A 1/1页 2 1.一种液晶显示器，包括： 基板； 第一钝化层，设置在所述基板上；。
3、 第一微腔，设置在所述第一钝化层上； 第二微腔，设置在所述第一钝化层上并沿第一方向与所述第一微腔间隔开第一间距； 固定构件，设置在所述第一微腔与所述第二微腔之间；以及 顶层，设置在所述第一微腔和所述第二微腔以及所述固定构件上， 其中所述第一微腔和所述第二微腔包括液晶分子。 2.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括： 第三微腔，设置在所述第一钝化层上并沿与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一 微腔间隔开，其中所述第一微腔包括面对所述第二方向的至少一个液晶注入孔。 3.如权利要求2所述的液晶显示器，还包括： 覆盖层，设置在所述顶层上并覆盖所述至少一个液晶注入孔。 4.如权利要求1所述的液晶显示器，。
4、还包括： 光阻挡层，设置在所述基板与所述第一钝化层之间，其中所述固定构件交叠所述光阻 挡层。 5.如权利要求1所述的液晶显示器，其中所述固定构件包括图案结构，该图案结构设 置在所述第一钝化层上并具有小于所述第一间距的第一宽度。 6.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述图案结构包括光致抗蚀剂、有机材料或 无机材料。 7.如权利要求6所述的液晶显示器，还包括： 第二钝化层，覆盖所述图案结构。 8.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述图案结构沿与所述第一方向交叉的第二 方向延伸。 9.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述图案结构包括沿所述第二方向彼此间隔 开的多个单位块。 10.如权利要求5所。
5、述的液晶显示器，其中所述图案结构具有倒置的锥形结构。 权 利 要 求 书CN 103941479 A 1/8页 3 液晶显示器 技术领域 0001 本发明涉及液晶显示器及其制造方法。 背景技术 0002 液晶显示器产生电场以改变液晶层的液晶分子的取向并控制入射光的偏振，从而 显示图像。液晶分子可以被保持在微腔结构中。 发明内容 0003 根据本发明的示范性实施例，提供了一种液晶显示器。钝化层设置在基板上。第 一微腔设置在钝化层上。第二微腔设置在钝化层上并沿第一方向与第一微腔间隔开第一间 距。固定构件设置在第一微腔与第二微腔之间。顶层设置在第一和第二微腔以及固定构件 上，其中第一和第二微腔包括液。
6、晶分子。 0004 根据本发明的示范性实施例，提供一种制造液晶显示器的方法。薄膜晶体管形成 在基板上。第一钝化层形成在薄膜晶体管上。固定构件形成在第一钝化层上。像素电极形 成在第一钝化层上。牺牲层形成在像素电极上。顶层形成在牺牲层上。牺牲层被去除以形 成具有液晶注入孔的多个微腔。液晶材料被注入到多个微腔中。覆盖层形成在顶层上以覆 盖液晶注入孔。顶层覆盖固定构件。 0005 根据本发明的示范性实施例，提供一种制造液晶显示器的方法。薄膜晶体管形成 在基板上。有机层形成在薄膜晶体管上。凹槽形成在有机层中。像素电极连接到薄膜晶体 管的一个端子。牺牲层形成在像素电极上。顶层形成在牺牲层上并填充凹槽。牺牲。
7、层被去 除以形成具有液晶注入孔的多个微腔。液晶材料被注入到多个微腔中。覆盖层形成为覆盖 顶层上的液晶注入孔。 附图说明 0006 通过参照附图详细描述本发明的示范性实施例，本发明的这些和其他的特征将变 得更加明显，附图中： 0007 图1是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的俯视平面图； 0008 图2是图1中的根据本发明示范性实施例的固定构件的布置的俯视平面图； 0009 图3是沿图1的线III-III截取的截面图； 0010 图4是沿图1的线IV-IV截取的截面图； 0011 图5是根据本发明示范性实施例的微腔的透视图； 0012 图6是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图； 001。
8、3 图7是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图； 0014 图8是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的俯视平面图； 0015 图9至图14分别是制造图1至图5的液晶显示器的方法的截面图； 0016 图15是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图； 说 明 书CN 103941479 A 2/8页 4 0017 图16(a)至(d)是在图15的示范性实施例中在平面图中的开口区域的示意图； 0018 图17是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图；以及 0019 图18至图20是图15中描述的液晶显示器的制造方法的截面图。 具体实施方式 0020 将参照附图详细描述本发明的示范性实施。
9、例。然而，本发明可以以不同的形式实 施，而不应当解释为限于这里阐述的实施例。 0021 在附图中，为了清晰，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。将理解，当一层被称为在 另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层上，或者也可以存在插入层。相同的附图标记 可以在整个说明书和附图中指代相同的元件。 0022 图1是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的俯视平面图。图2是用于说明根 据本发明示范性实施例的图1的固定构件的布置的俯视平面图。图3是沿图1的线III-III 截取的截面图。图4是沿图1的线IV-IV截取的截面图。图5是根据本发明示范性实施例 的微腔的透视图。 0023 参照图1至图3，薄膜晶体管Q。
10、a、Qb和Qc设置在包括透明玻璃或塑料的基板110 上。 0024 滤色器230设置在薄膜晶体管Qa、Qb和Qc上，光阻挡构件220可以形成在相邻的 滤色器230之间。为了简化附图，薄膜晶体管Qa、Qb和Qc在图3和图4中被省略，尽管薄 膜晶体管Qa、Qb和Qc设置在基板110和滤色器230之间。 0025 滤色器230沿像素电极191的列延伸。每个滤色器230可以显示诸如红色、绿色 和蓝色的三基色的其中一种基色。然而，它不限于诸如红色、绿色和蓝色的三基色，可以显 示基于青色、洋红色、黄色和白色的颜色的其中之一。 0026 相邻的滤色器230彼此间隔开并布置成行和列以形成如图1所示的阵列。例如。
11、， 图3和图4分别示出在行和列方向上彼此间隔开的滤色器230。 0027 参照图3，纵向的光阻挡构件220b设置在沿水平方向或行方向D间隔开的滤色器 230之间。纵向的光阻挡构件220b部分地交叠相邻的滤色器230的每个边缘，交叠区域可 以具有基本上彼此相同的面积。 0028 参照图4，横向的光阻挡构件220a设置在沿垂直方向或列方向间隔开的滤色器 230之间。横向的光阻挡构件220a部分地交叠相邻的滤色器230的每个边缘，交叠区域可 以具有基本上彼此相同的面积。 0029 滤色器230的布置不限于如图1至图4所示的阵列布置。例如，光阻挡构件220 可以设置在后面将描述的微腔305中。 003。
12、0 第一钝化层170设置在滤色器230和光阻挡构件220上。第一钝化层170可以包 括有机材料并可以设置为在其下设置的膜上提供平坦化的表面。 0031 像素电极191设置在第一钝化层170上，并且像素电极191通过如图1所示的接 触孔185a和185b电连接到薄膜晶体管Qa和Qb的一个端子。 0032 下配向层11设置在像素电极191上，下配向层11可以是垂直配向层。下配向层 11可以用来配向液晶分子310并可以包括聚酰胺酸、聚硅氧烷和/或聚酰亚胺。 0033 上配向层21面对下配向层11。微腔305设置在下配向层11和上配向层21之间。 说 明 书CN 103941479 A 3/8页 5 。
13、例如，微腔305是被下配向层11和上配向层21围绕的空间并包括液晶注入孔307。液晶分 子310通过液晶注入孔307被注入到微腔305中。在示范性实施例中，微腔305具有沿像 素电极191的列方向或垂直方向的液晶注入孔307。液晶分子310通过毛细管力经由液晶 注入孔307被注入到微腔305。 0034 在示范性实施例中，如图2和图3所示，分割形成区域PWP设置于在水平方向上相 邻的微腔305之间，沿垂直方向延伸的图案结构500设置在分割形成区域PWP。图案结构 500具有比分割形成区域PWP小的宽度w1。图案结构500可以包括光致抗蚀剂、有机材料 和/或无机材料。由于图案结构500增大了顶层。
14、（roof layer）360（其将在下面说明）的 接触面积，所以图案结构500用作防止顶层360在随后的工艺中被剥离的固定构件。 0035 在示范性实施例中，液晶注入孔307设置在一个微腔305的两个边缘处，如图5所 示。备选地，一个液晶注入孔可以仅设置在一个微腔305的一个边缘处。 0036 上配向层21设置在微腔305上，公共电极270和下绝缘层350设置在上配向层21 上。公共电极270接收公共电压，并与施加有数据电压的像素电极191一起产生电场，以确 定设置在这两个电极之间的微腔305中的液晶分子310的倾斜方向。公共电极270与像素 电极191一起构成电容器，在薄膜晶体管被关断之后。
15、所施加的电压被保持。下绝缘层350 可以包括硅氮化物（SiNx）和/或硅氧化物(SiO 2 ）。 0037 在示范性实施例中，公共电极270设置在微腔305上。备选地，公共电极270可以 设置在微腔305下面以根据共面电极（CE）模式驱动液晶。 0038 顶层360设置在下绝缘层350上。顶层360可以包括硅氧碳化物（SiOC）、光致抗 蚀剂和/或其他的有机材料。当顶层360包括硅氧碳化物（SiOC）时，顶层360可以通过化 学气相淀积方法形成。具有SiOC的顶层360具有高透光率。具有SiOC的顶层360可以具 有低的残余应力并较少地受变形影响。备选地，当包括光致抗蚀剂时，顶层360可以通过。
16、涂 覆法形成。 0039 液晶注入孔形成区域307FP设置在两个相邻的微腔305之间，穿过公共电极270、 下绝缘层350和顶层360并交叠横向的光阻挡构件220a。液晶注入孔形成区域307FP被后 面将描述的覆盖层390覆盖。 0040 上绝缘层370设置在顶层360上。上绝缘层370覆盖顶层360的上表面和侧壁。 上绝缘层370可以包括硅氮化物（SiNx）和/或硅氧化物（SiO2）。覆盖层390设置在上绝 缘层370上。覆盖层390覆盖上绝缘层370的上表面和侧表面，覆盖层390覆盖微腔305 的通过液晶注入孔形成区域307FP暴露的液晶注入孔307。覆盖层390可以包括热固化树 脂、硅氧。
17、碳化物（SiOC）和/或石墨烯。 0041 在实施例中，包括石墨烯的覆盖层390用来防止包括氦、氧和/或湿气的气体渗入 液晶分子307。因此，覆盖层390保护液晶分子307不受氧和/或湿气影响。备选地，覆盖 层390可以包括碳化合物，并且即使覆盖层390接触液晶分子310，液晶分子310也不被污 染。 0042 外涂层（overcoat）（未示出）可以设置在覆盖层390上并可以包括有机层和/或 无机层。外涂层可以保护被注入到微腔305中的液晶分子310不受外部冲击影响，并可以 为覆盖层390提供平坦化的表面。 0043 接下来，将参照图1和图3至图5详细描述微腔305。 说 明 书CN 103。
18、941479 A 4/8页 6 0044 参照图1和图3至图5，微腔305沿列或垂直方向布置。多个液晶注入孔形成区 域307FP设置在交叠栅线121a的部分并面对列方向。多个微腔305可以分别对应于像素 区域。这里，像素区域可以对应于显示图像的区域。 0045 在示范性实施例中，两个子像素电极191a和191b设置为使得栅线121a插设在两 者之间。因此，分别被包括于在垂直方向上彼此相邻的像素PX中的第一子像素电极191a 和第二子像素电极191b可以对应于一个微腔305。然而，此结构改变薄膜晶体管和像素电 极结构，使得此结构可以被改变成其中微腔305对应于一个像素PX的形状。 0046 液晶。
19、注入孔形成区域307FP设置在微腔305之间并沿着栅线121a延伸的行方向 D。微腔305的液晶注入孔307形成在液晶注入孔形成区域307FP和微腔305的边界部分 处。液晶注入孔307沿液晶注入孔形成区域307FP延伸的方向延伸。 0047 分割形成区域PWP设置于在栅线121a延伸的方向D上相邻的微腔305之间。图案 结构500设置在图案形成区域PWP中。顶层360设置在图案结构500上，如图3所示。分 割形成区域PWP用下绝缘层350、公共电极270、上绝缘层370和顶层360填充。分割形成 区域PWP用来划分或限定微腔305。 0048 液晶注入孔307通过上配向层21和下配向层11限。
20、定。 0049 在示范性实施例中，液晶注入孔形成区域307FP可以沿栅线121a延伸的行方向D 形成。多个微腔305的多个组可以形成在行方向D上。备选地，多个液晶注入孔形成区域 307FP可以沿数据线171延伸的方向形成。液晶注入孔307可以沿数据线171延伸的方向 形成。 0050 在示范性实施例中，液晶材料通过液晶注入孔307注入，液晶显示器被形成而不 用额外的上基板。 0051 接下来，将参照图1至图4再次描述根据本示范性实施例的液晶显示器。 0052 参照图1至图4，包括多条栅线121a、多条降压栅线（step-down gate line）121b 和多条存储电极线131的多个栅导体。
21、形成在包括透明玻璃和/或塑料的基板110上。 0053 栅线121a和降压栅线121b沿行方向D延伸并传输栅信号。每条栅线121a包括 向上和向下突出的第一栅电极124a和第二栅电极124b，降压栅线121b包括向上突出的第 三栅电极124c。第一栅电极124a和第二栅电极124b彼此连接。 0054 存储电极线131沿行方向D延伸并供应预定电压诸如公共电压Vcom。每条存储电 极线131包括上下突出的存储电极129、基本上垂直于栅线121a和121b延伸的一对纵向部 分134、以及连接一对纵向部分134的横向部分127。横向部分127包括向下延伸的电容电 极137。 0055 栅绝缘层（未示。
22、出）可以形成在栅导体121a、121b和131上。 0056 多个半导体条（未示出）可以包括非晶硅和/或晶体硅并可以形成在栅绝缘层上。 半导体条沿列方向延伸，并包括朝向第一和第二栅电极124a和124b突出且彼此连接的第 一和第二半导体154a和154b。第三半导体154c设置在第三栅电极124c上。 0057 多个成对的欧姆接触（未示出）可以形成在半导体154a、154b和154c上。欧姆接 触可以包括硅化物和/或用n型杂质以高浓度掺杂的n+氢化非晶硅。 0058 包括多条数据线171、多个第一漏电极175a、多个第二漏电极175b和多个第三漏 电极175c的数据导体可以形成在欧姆接触上。 。
23、说 明 书CN 103941479 A 5/8页 7 0059 数据线171传输数据信号并沿与行方向D交叉的列方向延伸，栅线121a和降压栅 线121b沿行方向D延伸。每条数据线171包括朝向第一栅电极124a和第二栅电极124b 延伸且彼此连接的第一源电极173a和第二源电极173b。 0060 第一漏电极175a、第二漏电极175b和第三漏电极175c每个包括具有宽区域的一 端和杆型的另一端。第一漏电极175a和第二漏电极175b的杆端部被第一源电极173a和第 二源电极173b部分地围绕。第一漏电极175a的宽端部延伸以形成具有“U”形的第三漏电 极175c。第三源电极173c的宽端部1。
24、77c交叠电容电极137以形成降压电容器（step-down capacitor）Cstd，第三源电极173c的杆端部被第三漏电极175c部分地围绕。 0061 第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起 组成第一薄膜晶体管Qa。第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半 导体154b一起组成第二薄膜晶体管Qb。第三栅电极124c、第三源电极173c和第三漏电极 175c与第三半导体154c一起组成第三薄膜晶体管Qc。 0062 包括第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c的半导体条（除了源 电极173a、173。
25、b和173c与漏电极175a、175b和175c之间的沟道区之外）具有与数据导体 171、175a、175b和175c以及下面的欧姆接触基本上相同的平面形状。 0063 第一半导体154a包括在第一源电极173a和第一漏电极175a之间暴露的部分。第 二半导体154b包括在第二源电极173b和第二漏电极175b之间暴露的部分。第三半导体 154c包括在第三源电极173c和第三漏电极175c之间暴露的部分。 0064 下钝化层（未示出）可以包括无机绝缘体诸如硅氮化物和/或硅氧化物，并可以设 置在数据导体171、175a、175b和175c以及第一、第二和第三半导体154a、154b和154c的 。
26、暴露部分上。 0065 滤色器230可以设置在下钝化层上，除了第一薄膜晶体管Qa、第二薄膜晶体管Qb 和第三薄膜晶体管Qc之外。滤色器230沿列方向延伸。滤色器230设置在像素电极191 下面。备选地，它可以形成在公共电极270上。 0066 光阻挡构件220设置在滤色器230之间。例如，光阻挡构件220包括横向的光阻 挡构件220a和纵向的光阻挡构件220b。横向的光阻挡构件220a沿栅线121a和降压栅线 121b延伸并覆盖第一薄膜晶体管Qa、第二薄膜晶体管Qb和第三薄膜晶体管Qc设置的区 域。纵向的光阻挡构件220b沿数据线171延伸。 0067 光阻挡构件220，称为黑矩阵，防止光泄漏。
27、。 0068 接触孔185a和185b可以穿透下钝化层和光阻挡构件220以暴露第一漏电极175a 和第二漏电极175b。 0069 第一钝化层170设置在滤色器230和光阻挡构件220上。包括第一子像素电极 191a和第二子像素电极191b的像素电极191设置在第一钝化层170上。第一子像素电极 191a和第二子像素电极191b在列方向上间隔开，并且栅线121a和降压栅线121b设置在 两者之间。第二子像素电极191b的高度可以基本上等于或大于第一子像素电极191a的高 度，并可以在第一子像素电极191a的高度的约1倍至约3倍的范围内。 0070 第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。
28、分别包括十字形主干，该十字形主 干包括横向主干193a和193b以及与横向主干193a和193b交叉的纵向主干192a和192b。 此外，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别包括从子像素电极191a和191b 说 明 书CN 103941479 A 6/8页 8 的边缘向上或向下突出的多个微小分支194a和194b以及突出物197a和197b。 0071 第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别被横向主干193a和193b以及 纵向主干192a和192b分成四个子区域。微小分支194a和194b从横向主干193a和193b 以及纵向主干192a和192b倾斜地延伸，并且。
29、其延伸方向与栅线121a和121b或横向主干 193a和193b形成约45度或135度的角度。此外，两个相邻子区域的微小分支194a和194b 的延伸方向可以是交叉的。 0072 在示范性实施例中，第一子像素电极191a还包括围绕外部分的外主干，第二子像 素电极191b还包括设置在第一子像素电极191a的上和下部分上的横向部分以及设置在第 一子像素电极191a的右侧和左侧上的右和左纵向部分198。右和左纵向部分198可以防止 数据线171与第一子像素电极191a之间的电容耦合。 0073 下配向层11、微腔305、上配向层21、公共电极270、下绝缘层350和覆盖层390形 成在像素电极191。
30、上，这些组成元件的描述已经给出，在这里被省略。 0074 如上所述，液晶显示器是用于增加侧向可见性的侧向可见性结构的示例。本发明 不限于具有侧向可见性结构的液晶显示器，而是本发明包括不同的结构。 0075 图6是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图。图6的液晶显示器基本 上类似于图3的液晶显示器，除了图案结构500具有倒置的锥形结构之外。图案结构500 的此倒置锥形结构用来机械地保持顶层360并防止顶层360被剥离。 0076 图7是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图。图7的液晶显示器基本 上类似于图3的液晶显示器，除了第二钝化层180覆盖图案结构500之外。第二钝化层180 用。
31、于在顶层360在随后的工艺中被剥离时，将图案结构500保持在适当的位置。 0077 图8是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的俯视平面图。该液晶显示器基本 上类似于图2的液晶显示器，除了图案结构500之外。图8的图案结构500包括彼此间隔 开的多个单元块。这种间隔开的图案结构500增加了与顶层360接触的表面面积并用于防 止顶层360在随后的工艺中被剥离。 0078 接下来，将描述制造参照图1至图5描述的液晶显示器的示范性实施例。图9至 图14是沿图1和图2的线III-III截取的截面图，示出制造图1至图5的液晶显示器的方 法。 0079 参照图9，图1的薄膜晶体管Qa、Qb和Qc形成在包括透。
32、明玻璃和/或塑料的基板 110上。滤色器230在对应的像素区域中形成在薄膜晶体管Qa、Qb和Qc上。包括横向的 光阻挡构件220a和纵向的光阻挡构件220b的光阻挡构件220形成在相邻的滤色器230之 间。纵向的光阻挡构件220b交叠相邻的滤色器230的边缘。 0080 参照图10，第一钝化层170形成在滤色器230和光阻挡构件220上。第一钝化层 170可以包括有机材料或无机材料。第一钝化层170可以包括单一层或具有不同性能的至 少两个层。例如，第一钝化层170包括下有机材料层和上无机材料层。图案结构500利用 光刻工艺形成在第一钝化层170上。图案结构500用作防止顶层360从下绝缘层35。
33、0或顶 层360下面的公共电极270和第一钝化层170剥离的固定构件。 0081 图案结构500沿数据线171的延伸方向延伸。本发明不限于此。例如，图案结构 500，如图8所示，可以包括彼此间隔开的多个单元块。图案结构500，如图6所示，可以具有 倒置的锥形结构。 说 明 书CN 103941479 A 7/8页 9 0082 接下来，为了硬化图案结构500，烘焙工艺可以在约220的温度进行。 0083 参照图11，像素电极形成在第一钝化层170上。例如，用于形成像素电极191的初 始层形成在第一钝化层170上。初始层形成在第一钝化层上并被图案化以在对应的像素区 域中形成像素电极191。像素电。
34、极191通过接触孔185a和185b（图1中示出）电连接到薄 膜晶体管Qa和Qb的一个端子。像素电极191具有图2的形状。本发明不限于此，而是像 素电极191可以具有各种形状。 0084 参照图12，牺牲层300形成在像素电极191上。牺牲层300可以包括有机材料诸 如硅氧碳化物（SiOC）和/或光致抗蚀剂。 0085 牺牲层300被曝光/显影或图案化以在纵向的光阻挡构件220b上形成分割形成 区域PWP。 0086 公共电极270和下绝缘层350顺序地形成在牺牲层300上。公共电极270可以包 括透明导体诸如铟锡氧化物（ITO）或铟锌氧化物（IZO），下绝缘层350可以包括硅氮化物 （SiN。
35、x）和/或硅氧化物（SiO 2 ）。公共电极270和下绝缘层350形成在分割形成区域PWP中 并覆盖设置在微腔305之间的图案结构500。在一示范性实施例中，公共电极270和/或下 绝缘层350不必形成在分割形成区域PWP中。备选地，公共电极270不必覆盖牺牲层300 的侧表面或可以部分地覆盖牺牲层300的侧表面。 0087 参照图13A，顶层360和上绝缘层370顺序地形成在下绝缘层350上。顶层360可 以包括与牺牲层300不同的材料。上绝缘层370可以包括硅氮化物（SiNx）和/或硅氧化 物（SiO 2 ）。顶层360围绕图案结构500并被防止在制造工艺中剥离。 0088 图13B是沿图。
36、1的线IV-IV截取的截面图。参照图13B，初始顶层形成在下绝缘 层350上。初始顶层被部分地去除以形成顶层360并暴露在初始顶层的去除部分下面的下 绝缘层350。顶层360之间的空间交叠横向的光阻挡构件220a。初始上绝缘层形成在顶层 360上。下绝缘层350的暴露部分设置在初始顶层的去除部分下面。 0089 接下来，初始上绝缘层、下绝缘层350和公共电极270被部分地去除以形成暴露牺 牲层300的液晶注入孔形成区域307FP。上绝缘层370覆盖顶层360。利用氧（O 2 ）灰化工 艺或湿蚀刻工艺，牺牲层300通过液晶注入孔形成区域307FP被去除。因此，由191和270 限定的微腔305形。
37、成并且微腔305包括液晶注入孔307。微腔305是在牺牲层300被去除 时留下的空间。 0090 形成液晶注入孔形成区域307FP的方法不限于如上所述的一种，而是液晶注入孔 形成区域307FP可以以多种方式形成。例如，去除层370、360和350以及公共电极270的 次序可以与如上所述的不同。 0091 液晶注入孔307可以沿平行于连接到薄膜晶体管的信号线的方向形成。如果牺牲 层300被去除，如图13A所示，公共电极270、下绝缘层350和顶层360限定微腔305。 0092 参照图14，配向材料通过图13B中示出的液晶注入孔307被注入以在像素电极 191和公共电极270上形成配向层11和2。
38、1。然后，进行烘焙工艺以从配向材料除去溶剂。 0093 接下来，包括液晶分子310的液晶材料通过喷墨方法经由液晶注入孔307被注入 到微腔305。 0094 接下来，覆盖层390形成在顶层360上。覆盖层390填充液晶注入孔形成区域 307FP并覆盖微腔305的液晶注入孔305以形成如图3和图4所示的液晶显示器。 说 明 书CN 103941479 A 8/8页 10 0095 图15是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图。 0096 参照图15，液晶显示器基本上类似于图3的液晶显示器，除了顶层360的结构之 外。 0097 参照图15，开口区域OPN形成在第一钝化层170中。开口区域O。
39、PN连接到分割形 成区域PWP。开口区域OPN比分割形成区域PWP窄。顶层360形成在分割形成区域PWP和 开口区域OPN中。开口区域OPN沿连接到薄膜晶体管的信号线的延伸方向延伸。 0098 设置在微腔305上的公共电极270、下绝缘层350、顶层360和上绝缘层380填充 开口区域OPN和分割形成区域PWP。由于开口区域OPN增大了顶层360的接触面积，所以开 口区域OPN用作防止顶层360在随后的工艺中被剥离的固定构件。 0099 图16(a)至(d)是根据示范性实施例的在平面图中的图15的开口区域的示意图。 0100 参照图16(a)至(d)，开口区域OPN可以具有包括线性形状（图16。
40、(a)）、梯子形状 （图16(b)）、字形形状（图16(c)）或箭头形状（图16(d)）的各种形状。 0101 图17是根据本发明示范性实施例的液晶显示器的截面图。 0102 参照图17，液晶显示器基本上类似于图15的液晶显示器，除了第一钝化层170不 包括开口区域之外。有机层180形成在微腔305之间。有机层180设置在与微腔305相同 的水平上。有机层180可以用作光阻挡构件和/或柱间隔物。 0103 在示范性实施例中，具有槽形的开口区域OPN形成在有机层180中并增大了顶层 360的接触面积。由于开口区域OPN增大了顶层360的接触面积，所以开口区域OPN用作防 止顶层360在随后的工艺。
41、中被剥离的固定构件。 0104 图18至图20是图15的液晶显示器的制造方法的截面图。此制造方法基本上类 似于参照图9至图14描述的制造方法，将描述差异。 0105 参照图18，形成包括有机材料的第一钝化层170，开口区域OPN形成在第一钝化层 170中。开口区域OPN沿与薄膜晶体管连接的信号线的延伸方向延伸。 0106 参照图19，形成像素电极191并且牺牲层300形成在像素电极191上。牺牲层300 被曝光/显影或图案化以形成具有比开口区域OPN大的宽度的分割形成区域PWP。 0107 参照图20，公共电极270和填充分割形成区域PWP的下绝缘层350形成在牺牲层 300上。接下来，顶层3。
42、60形成在下绝缘层350上。由于开口区域OPN增加了顶层360的接 触面积，所以开口区域OPN用作防止顶层360在随后的工艺中被剥离的固定构件。随后的 工艺基本上类似于图13A、图13B和图14中描述的那些。 0108 虽然已经参照其示范性实施例示出和描述了本发明构思，但是对于本领域普通技 术人员将是显然的，可以在其中进行形式和细节上的各种变化而不背离由权利要求书限定 的本发明构思的精神和范围。 说 明 书CN 103941479 A 10 1/18页 11 图1 说 明 书 附 图CN 103941479 A 11 2/18页 12 图2 说 明 书 附 图CN 103941479 A 12。
43、 3/18页 13 图3 说 明 书 附 图CN 103941479 A 13 4/18页 14 图4 说 明 书 附 图CN 103941479 A 14 5/18页 15 图5 说 明 书 附 图CN 103941479 A 15 6/18页 16 图6 说 明 书 附 图CN 103941479 A 16 7/18页 17 图7 说 明 书 附 图CN 103941479 A 17 8/18页 18 图8 说 明 书 附 图CN 103941479 A 18 9/18页 19 图9图10 说 明 书 附 图CN 103941479 A 19 10/18页 20 图11 说 明 书 附 图。
44、CN 103941479 A 20 11/18页 21 图12 说 明 书 附 图CN 103941479 A 21 12/18页 22 图13A 说 明 书 附 图CN 103941479 A 22 13/18页 23 图13B 说 明 书 附 图CN 103941479 A 23 14/18页 24 图14 说 明 书 附 图CN 103941479 A 24 15/18页 25 图15 图16 说 明 书 附 图CN 103941479 A 25 16/18页 26 图17 说 明 书 附 图CN 103941479 A 26 17/18页 27 图18图19 说 明 书 附 图CN 103941479 A 27 18/18页 28 图20 说 明 书 附 图CN 103941479 A 28 。